JPS6341018A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6341018A JPS6341018A JP18571986A JP18571986A JPS6341018A JP S6341018 A JPS6341018 A JP S6341018A JP 18571986 A JP18571986 A JP 18571986A JP 18571986 A JP18571986 A JP 18571986A JP S6341018 A JPS6341018 A JP S6341018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- metal
- wafer
- heat
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン打ち込み後の活性化などの熱処理プロセ
スにおいて用いられる半導体製造装置に係シ、特に加熱
用チャンバー内に支持されるウェハをハロゲンランプな
どの光源にて熱処理する短時間アニール装置に関するも
のである。
スにおいて用いられる半導体製造装置に係シ、特に加熱
用チャンバー内に支持されるウェハをハロゲンランプな
どの光源にて熱処理する短時間アニール装置に関するも
のである。
現在、短時間アニール装置としてはハロゲンランプなど
の光源を用いたランプアニール装置が多く用いられてい
る。ランプアニール装置の中で、ウェハを収納するチャ
ンバーは通常石英を用いているものが多いが、チャンバ
ー内を減圧あるいは加圧できるものでは、気圧差に耐え
うる強度を持たせるためにチャンバーの一部に金属を用
いることが多い。
の光源を用いたランプアニール装置が多く用いられてい
る。ランプアニール装置の中で、ウェハを収納するチャ
ンバーは通常石英を用いているものが多いが、チャンバ
ー内を減圧あるいは加圧できるものでは、気圧差に耐え
うる強度を持たせるためにチャンバーの一部に金属を用
いることが多い。
第２図に従来のランプアニール装置のチャンバ一部分の
概略を示し、以下これを用いて従来の装置について説明
する。
概略を示し、以下これを用いて従来の装置について説明
する。
従来のランプアニール装置は、そのチャンバ一部分の概
略構造を第２図に示すように、アルミ（Ａｔ）ｈるいは
ステンレスなどからなる金属製のチャンバー１と、この
チャンバー１の上面開口部に装着された石英製の加熱用
窓２と、チャンバー１の側部において熱処理すべきウェ
ハ１１を水平に支える石英製のサセプタ３と、ハロゲン
ランプなどの加熱用ランプ４から構成される。そして、
サセプタ３上にウェハ１１を載せてチャンバー１内に挿
入するとともに、目的に応じて減圧〔あるいは加圧、常
圧〕したうえ、ランプ４によシウエハ１１を急速に加熱
するものとなっている。なお、第２図中、６は気密封止
用のシール部であシ、１０は加熱用ランプ４から発生す
る熱源としての光である。
略構造を第２図に示すように、アルミ（Ａｔ）ｈるいは
ステンレスなどからなる金属製のチャンバー１と、この
チャンバー１の上面開口部に装着された石英製の加熱用
窓２と、チャンバー１の側部において熱処理すべきウェ
ハ１１を水平に支える石英製のサセプタ３と、ハロゲン
ランプなどの加熱用ランプ４から構成される。そして、
サセプタ３上にウェハ１１を載せてチャンバー１内に挿
入するとともに、目的に応じて減圧〔あるいは加圧、常
圧〕したうえ、ランプ４によシウエハ１１を急速に加熱
するものとなっている。なお、第２図中、６は気密封止
用のシール部であシ、１０は加熱用ランプ４から発生す
る熱源としての光である。
ところが、従来の金属製チャンバーを用いたランプアニ
ール装置では、チャンバー内面に金属が剥き出しで用い
られているため、ウェハ１１ｔ−処理する際に、その加
熱によってチャンバー壁面からの金属の汚染のおそれが
あった。
ール装置では、チャンバー内面に金属が剥き出しで用い
られているため、ウェハ１１ｔ−処理する際に、その加
熱によってチャンバー壁面からの金属の汚染のおそれが
あった。
本発明はこのような問題点を解消するためになされたも
ので、その目的は、上記チャ／バー壁面からの金属の汚
染を効果的に防止した短時間アニール装置を提供するこ
とにある。
ので、その目的は、上記チャ／バー壁面からの金属の汚
染を効果的に防止した短時間アニール装置を提供するこ
とにある。
本発明に係る半導体製造装置は、金属製チャンバー内に
支持されるウエノ・を熱処理する短時間アニール装置に
おいて、前記チャンバーの内側に、その内面を覆うよう
に、耐熱性でかつ金属を含有しない石英やセラミックス
などの材質からなる被覆部材を一体もしくは別体構造に
して設けたことを特徴とするものである。
支持されるウエノ・を熱処理する短時間アニール装置に
おいて、前記チャンバーの内側に、その内面を覆うよう
に、耐熱性でかつ金属を含有しない石英やセラミックス
などの材質からなる被覆部材を一体もしくは別体構造に
して設けたことを特徴とするものである。
本発明においては、チャンバーの内側が、耐熱性で金属
を含有しない材質からなる被覆部材にて覆われることに
よシ、ウエノ・を熱処理する際に、チャンバーから放出
される金属不純物によるウェハの汚染を防ぐことができ
る。
を含有しない材質からなる被覆部材にて覆われることに
よシ、ウエノ・を熱処理する際に、チャンバーから放出
される金属不純物によるウェハの汚染を防ぐことができ
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
概略断面図であυ、ここではランプアニール装置の場合
を示す０この実施例のランプアニール装置は、金属製チ
ャンバー１と、石英製の加熱用窓２と、サセプタ３と、
加熱用ランプ４から構成される点は、第２図に示す従来
例のものと同様であるが、前記チャンバー１の内側に石
英製の内壁５を重ねて二Ｎ構造とすることによシ、この
内壁５にて金属製チャンバー１の内面を覆うようにした
ものでちる。なお、図中、同一符号は同一または相当部
分を示している。
概略断面図であυ、ここではランプアニール装置の場合
を示す０この実施例のランプアニール装置は、金属製チ
ャンバー１と、石英製の加熱用窓２と、サセプタ３と、
加熱用ランプ４から構成される点は、第２図に示す従来
例のものと同様であるが、前記チャンバー１の内側に石
英製の内壁５を重ねて二Ｎ構造とすることによシ、この
内壁５にて金属製チャンバー１の内面を覆うようにした
ものでちる。なお、図中、同一符号は同一または相当部
分を示している。
このように、上記実施例の構成によると、金属製チャン
バー１の内面が石英からなる内壁５で被覆されることに
よシ、そのチャンバー１内に支持されたウェハ１１をラ
ンプ４によシ加熱して熱処理する際に、金属製チャンバ
ー１が直接炉つまシ処理雰囲気内に晒されることがなく
なる。これによって、ウェハ１１の金属不純物による汚
染を効果的に防ぐことができる。
バー１の内面が石英からなる内壁５で被覆されることに
よシ、そのチャンバー１内に支持されたウェハ１１をラ
ンプ４によシ加熱して熱処理する際に、金属製チャンバ
ー１が直接炉つまシ処理雰囲気内に晒されることがなく
なる。これによって、ウェハ１１の金属不純物による汚
染を効果的に防ぐことができる。
なお、上記実施例では、金属製チャンバーの内面を被覆
する部側として石英製の内壁を用いた場合について示し
たが、本発明はこれに限らず、セラミックスやＳｉＣな
どの耐熱性に優れかつ金属を含有しない材質のものであ
ればよく、要は不純物汚染の可能性の少ないものであれ
ばよい０また、上記実施例では、金属チャンバー内に石
英の内壁を重ねた別体構造の場合であったが、金属チャ
ンバーの内面に、耐熱性で金属を含有しない物質を塗布
あるいはコーティングした一体構造でも同様の効果を奏
する。
する部側として石英製の内壁を用いた場合について示し
たが、本発明はこれに限らず、セラミックスやＳｉＣな
どの耐熱性に優れかつ金属を含有しない材質のものであ
ればよく、要は不純物汚染の可能性の少ないものであれ
ばよい０また、上記実施例では、金属チャンバー内に石
英の内壁を重ねた別体構造の場合であったが、金属チャ
ンバーの内面に、耐熱性で金属を含有しない物質を塗布
あるいはコーティングした一体構造でも同様の効果を奏
する。
以上のように本発明によれば、短時間アニール装置にお
いて金属製チャンバーの内側に、その内面を覆うように
、耐熱性でかつ金属を含有しない石英などの材質からな
る被覆部材を一体もしくは別体構造にして設けたので、
ウエノ・表面への金属不純物の汚染を防ぐことができる
効果がある。
いて金属製チャンバーの内側に、その内面を覆うように
、耐熱性でかつ金属を含有しない石英などの材質からな
る被覆部材を一体もしくは別体構造にして設けたので、
ウエノ・表面への金属不純物の汚染を防ぐことができる
効果がある。
第１図は本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
概略断面図、第２図は従来のランプアニール装置を示す
断面図である０
概略断面図、第２図は従来のランプアニール装置を示す
断面図である０
Claims (1)
- 金属製チャンバー内に支持されるウェハを熱処理する短
時間アニール装置において、前記チャンバーの内側に、
その内面を覆うように、耐熱性でかつ金属を含有しない
石英やセラミックスなどの材質からなる被覆部材を一体
もしくは別体構造にして設けたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18571986A JPS6341018A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18571986A JPS6341018A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341018A true JPS6341018A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16175657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18571986A Pending JPS6341018A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6341018A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001031694A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Applied Materials Inc. | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| JP2005101159A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18571986A patent/JPS6341018A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001031694A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Applied Materials Inc. | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| JP2005101159A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
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