JPS6341541A - 表面にキトサン成分を有する高分子成形物及びその製造方法 - Google Patents
表面にキトサン成分を有する高分子成形物及びその製造方法Info
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Landscapes
- Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、キトサンを表面に固定化させた高分子成形物
に関するものである。
に関するものである。
キトサンはカニやエビ等の甲殻類の甲皮に存在するキチ
ン(N−アセチル−β−D−グルコサミンを主構成単位
とする)を濃アルカリで処理することによって得られる
塩基性多糖である。キトサンは、化学構造的にはD−グ
ルコサミンがβ−(1→4)結合したものであるが、キ
チンを濃アルカリで処理する時の条件によってグルコサ
ミンのN−アセチル基が残り、通常は、β−D−グルコ
サミンとN−アセチルーβ−D−グルコサミンの共重合
体の構造になっている。
ン(N−アセチル−β−D−グルコサミンを主構成単位
とする)を濃アルカリで処理することによって得られる
塩基性多糖である。キトサンは、化学構造的にはD−グ
ルコサミンがβ−(1→4)結合したものであるが、キ
チンを濃アルカリで処理する時の条件によってグルコサ
ミンのN−アセチル基が残り、通常は、β−D−グルコ
サミンとN−アセチルーβ−D−グルコサミンの共重合
体の構造になっている。
近年、キトサン及びその変性物のバイオマテリアルとし
ての研究が盛んに行われており、吸収性縫合糸、人工血
管、薬物徐放担体1人工皮膚等への応用が研究されてい
る。しかし、キトサン及びその変性物は親水性高分子で
あるため、含水状態、1 、′での機械的強度が弱いという欠点をもっている。
ての研究が盛んに行われており、吸収性縫合糸、人工血
管、薬物徐放担体1人工皮膚等への応用が研究されてい
る。しかし、キトサン及びその変性物は親水性高分子で
あるため、含水状態、1 、′での機械的強度が弱いという欠点をもっている。
−;j
′I界工血管等に用いるにはそのものだけでは満足な械
能のものは得られない。また、人工臓器用材料としては
、表面にのみキトサン成分が存在するだけで、良好な生
体適合性が得られるものと考えられる。しかし、このよ
うな成形体は未だ作られていない。
能のものは得られない。また、人工臓器用材料としては
、表面にのみキトサン成分が存在するだけで、良好な生
体適合性が得られるものと考えられる。しかし、このよ
うな成形体は未だ作られていない。
本発明はキトサン成分を表面に共有結合で固定化させた
高分子成形物を提供することを目的とする。
高分子成形物を提供することを目的とする。
本発明によれば、表面にキトサン成分を固定化させた高
分子成形物からなり、該キトサン成分と高分子成形物と
は共有結合により結合していることを特徴とする表面に
キトサン成分を有する高分子成形物が提供される。
分子成形物からなり、該キトサン成分と高分子成形物と
は共有結合により結合していることを特徴とする表面に
キトサン成分を有する高分子成形物が提供される。
本発明の高分子成形物における高分子材料としては、従
来公知の各種の高分子材料を用いることができ、その種
類は特に制約されないが、一般には、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリブタジェン、シリコンゴム、ニ
トリルゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体等を好まし
く用いることができる。高分子成形物の形態としては、
繊維状、チューブ状、粒子状、フィルム状、不織布状、
織布状、ブロック状等の種々の形態のものが含まれる。
来公知の各種の高分子材料を用いることができ、その種
類は特に制約されないが、一般には、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリブタジェン、シリコンゴム、ニ
トリルゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体等を好まし
く用いることができる。高分子成形物の形態としては、
繊維状、チューブ状、粒子状、フィルム状、不織布状、
織布状、ブロック状等の種々の形態のものが含まれる。
本発明のキトサン成分を表面に有する高分子成形物は、
ナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を結合したキト
サン成分を含む塗布液を用いて製造することができる。
ナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を結合したキト
サン成分を含む塗布液を用いて製造することができる。
即ち、この塗布液を高分子成形物表面に塗布乾燥して、
ナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を結合させたキ
トサン成分からなる被膜を高分子形成物表面に形成し、
次いで、この高分子成形物表面に光を照射することによ
って製造することができる。
ナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を結合させたキ
トサン成分からなる被膜を高分子形成物表面に形成し、
次いで、この高分子成形物表面に光を照射することによ
って製造することができる。
なお、本発明で用いるナイトレン又はカルベン−発生性
反応試薬は、キトサン成分を高分子成形物5.1 □゛の不対電子が存在する窒素化合物の分子状態を言い
、カルベンとは、炭素原子中で、2つの不対電子が存在
する炭素化合物の分子状態を言う。これらの状態の分子
は非常に不安定で、周囲の化合物と容易に共有結合を作
る。
反応試薬は、キトサン成分を高分子成形物5.1 □゛の不対電子が存在する窒素化合物の分子状態を言い
、カルベンとは、炭素原子中で、2つの不対電子が存在
する炭素化合物の分子状態を言う。これらの状態の分子
は非常に不安定で、周囲の化合物と容易に共有結合を作
る。
本発明で用いるナイトレン発生性反応試薬としては、ア
ジド基を有する化合物が用いられるが、この場合、アジ
ド基の他、キトサン成分の反応基、例えば、アミノ基と
容易に発応性を示す反応基を有するものが用いられる。
ジド基を有する化合物が用いられるが、この場合、アジ
ド基の他、キトサン成分の反応基、例えば、アミノ基と
容易に発応性を示す反応基を有するものが用いられる。
このような化合物としでは、従来公知のものを用いるこ
とができ、例えば、メチル−P−ベンゾイミデート、4
−フロロ−3−ニトロフェニルアジド、N−ヒドロキシ
サクシイミジル−4−アジドーサリシリックアシド、P
−アジド安息香酸無水物、N−ヒドロキシサクシイミジ
ル−4−アジド−ベンゾエート等を挙げることができる
。これらの化合物は、先ず、キトサン成分中のアミノ基
と反応し、アジド基を有するキトサン変性物となる。次
いで、光照射により、ナイトレンを発生し、このナイト
レンは周囲の炭素−水素結合、酸素−水素結合等に挿入
反応を起し、キトサン成分と高分子成形物との間に共有
結合が形成される。
とができ、例えば、メチル−P−ベンゾイミデート、4
−フロロ−3−ニトロフェニルアジド、N−ヒドロキシ
サクシイミジル−4−アジドーサリシリックアシド、P
−アジド安息香酸無水物、N−ヒドロキシサクシイミジ
ル−4−アジド−ベンゾエート等を挙げることができる
。これらの化合物は、先ず、キトサン成分中のアミノ基
と反応し、アジド基を有するキトサン変性物となる。次
いで、光照射により、ナイトレンを発生し、このナイト
レンは周囲の炭素−水素結合、酸素−水素結合等に挿入
反応を起し、キトサン成分と高分子成形物との間に共有
結合が形成される。
二の反応は、例えば、メチル−P−アジドベンゾイミデ
ートの場合、次の反応式で示すことができる。
ートの場合、次の反応式で示すことができる。
前記式中、(A−3−NH,はキトサン成分を示し、C
B−)−Hは高分子成形物を示し、phはフェニル基を
示す。
B−)−Hは高分子成形物を示し、phはフェニル基を
示す。
ものが用いられる。このような化合物としては、従来公
知のものを用いることができ、例えば、P−二トロフェ
ニル−3,3,3−トリフロロ−2−シアソフロピオネ
ート等を挙げることができる。この化合物は、先ず、キ
トサン成分中のアミノ基と反応し、ジアゾ基を有するキ
トサン変性物となる。次いで、光照射により、カルベン
を発生し、このカルベンは周囲の炭素−水素結合、酸素
−水素結合等に挿入反応を起し、キトサン成分と高分子
成形物との間に共有結合が形成される。この反応は、例
えば、P−ニトロフェニル−3,3,3−トリフロロ−
2−シアソフロビオネートの場合、次の反応式で示すこ
とができる。
知のものを用いることができ、例えば、P−二トロフェ
ニル−3,3,3−トリフロロ−2−シアソフロピオネ
ート等を挙げることができる。この化合物は、先ず、キ
トサン成分中のアミノ基と反応し、ジアゾ基を有するキ
トサン変性物となる。次いで、光照射により、カルベン
を発生し、このカルベンは周囲の炭素−水素結合、酸素
−水素結合等に挿入反応を起し、キトサン成分と高分子
成形物との間に共有結合が形成される。この反応は、例
えば、P−ニトロフェニル−3,3,3−トリフロロ−
2−シアソフロビオネートの場合、次の反応式で示すこ
とができる。
(4) (A+−NH2+ CF3−C−COO−
Ph−No2+ (A+−NH−C−C−CF。
Ph−No2+ (A+−NH−C−C−CF。
光照射 11゛。
(6) [A3 NH−C−C−CF3+ CB−)−
Hll °。
Hll °。
○
一′(前記式中、(A)N)l、及びCB+−Hは前記
と同じ意味を持つ) 本発明で用いる塗布液は、ナイトレン又はカルベン発生
性反応試薬を結合したキトサン成分を含むものであるが
、このような塗布液は、キトサン成分を希酸水溶液に溶
解し、PHを調整した後、これにナイトレン又はカルベ
ン発生性反応試薬を添加することによって得ることがで
きる。この場合、酸としては、酢酸、ギ酸、乳酸等の有
機酸の使用が好ましい。また、この塗布液は、メタノー
ルやエタノール、プロパツール等のアルコール又は有機
溶媒によって希釈することもできる。塗布液中のキトサ
ン成分濃度は通常0.1〜3重量2、好まし高分子成形
物に対する塗布液の塗布は、従来公知の方法で実施され
、例えば、流延法、スプレー法、漬浸法等が採用される
。表面にナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を含む
キトサン成分の被膜が形成された高分子成形物は、これ
を光照射するが、この場合、その光源としては、紫外線
を放出する水銀ランプ、キセノンランプ等が用いられ、
成形物表面と光源との距離は1〜50cm、照射時間は
1〜30分程度である。成形物表面に対する光照射は、
窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うこと好ましい。
と同じ意味を持つ) 本発明で用いる塗布液は、ナイトレン又はカルベン発生
性反応試薬を結合したキトサン成分を含むものであるが
、このような塗布液は、キトサン成分を希酸水溶液に溶
解し、PHを調整した後、これにナイトレン又はカルベ
ン発生性反応試薬を添加することによって得ることがで
きる。この場合、酸としては、酢酸、ギ酸、乳酸等の有
機酸の使用が好ましい。また、この塗布液は、メタノー
ルやエタノール、プロパツール等のアルコール又は有機
溶媒によって希釈することもできる。塗布液中のキトサ
ン成分濃度は通常0.1〜3重量2、好まし高分子成形
物に対する塗布液の塗布は、従来公知の方法で実施され
、例えば、流延法、スプレー法、漬浸法等が採用される
。表面にナイトレン又はカルベン発生性反応試薬を含む
キトサン成分の被膜が形成された高分子成形物は、これ
を光照射するが、この場合、その光源としては、紫外線
を放出する水銀ランプ、キセノンランプ等が用いられ、
成形物表面と光源との距離は1〜50cm、照射時間は
1〜30分程度である。成形物表面に対する光照射は、
窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うこと好ましい。
また、光照射するまでの作業は暗室で行うのが好ましい
。
。
この光照射によって、キトサン成分中に結合したアジド
基又はジアゾ基は非常に反応性に富むナイトレン又はカ
ルベンを発生し、これらのものは。
基又はジアゾ基は非常に反応性に富むナイトレン又はカ
ルベンを発生し、これらのものは。
キトサン成分及び成形物表面と反応し、炭素−水素結合
、酸素−水素結合等の結合に挿入反応を起し、キトサン
成分を共有結合で成形物表面に強固に結合させる。成形
物表面に固定化されるキトサン成分被膜の厚さは1〜1
0QOnm、好ましくは10〜300nm程度である。
、酸素−水素結合等の結合に挿入反応を起し、キトサン
成分を共有結合で成形物表面に強固に結合させる。成形
物表面に固定化されるキトサン成分被膜の厚さは1〜1
0QOnm、好ましくは10〜300nm程度である。
本発明で高分子成形物表面に結合固定化させるキトサン
成分としては、キトサン自体の他、その各種変性物が用
いられる。この場合、キトサン変性物とは、キトサンの
構成単位であるβ−D−グルコサミンの水酸基及び/又
はアミノ基が化学修飾されたものを意味し、このような
ものは、従来よく知られているものである。キトサン変
性試薬は、キトサン中に含まれる反応性のアミノ基及び
水酸基と反応し得るものであればよく、その変性目的に
応じて従来公知の適宜のものが用いられる。
成分としては、キトサン自体の他、その各種変性物が用
いられる。この場合、キトサン変性物とは、キトサンの
構成単位であるβ−D−グルコサミンの水酸基及び/又
はアミノ基が化学修飾されたものを意味し、このような
ものは、従来よく知られているものである。キトサン変
性試薬は、キトサン中に含まれる反応性のアミノ基及び
水酸基と反応し得るものであればよく、その変性目的に
応じて従来公知の適宜のものが用いられる。
このような変性試薬としては、例えば、アシル化剤、ホ
スホリル化剤、アルデヒド類、イソシアネート類、クロ
ロスルホン酸、酸性ムコ多糖類等が挙げられる。この場
合、アシル化剤は、キトサン中の水酸基やアミノ基と反
応し、N−アシル−グルコサミン基や、0−アシル−グ
ルコサミン基及びN−アシル−0−アシル−グルコサミ
ン基を形成、するために使用され、ホスホリル化剤は、
キトサン中の水酸基と反応し、0−ホスホリル−グルコ
サミン基を形成するために使用され、アルデヒド類は、
キトサン中のアミノ基と反応し、N−アリリデン−グル
コサミン基やN−アルキリデン−グルコサミン基を形成
させるための使用される。クロロスルホン酸はN−サル
フェイテッドーグルコサミン基や0−サルフェイテッド
ークルコサミン基を形成するために用いられる。酸性ム
コ多糖は、酸性ムコ多糖の硫酸基又はカルボキシル基が
キトサンのアミノ基とイオン結合した高分子電解質複合
体を形成すために用いられる。イソシアネート類は、キ
トサン中のアミノ基や水酸基と反応し、ウレア結合やウ
レタン結合を形成するために使用される。また、複数の
変性試薬を用いることも可能であり、例えば、アシル化
剤とアルデヒドを用いることにより、N−アリリデン−
O−アシル−グルコサミン基やN−アルキリデン−0−
アシル−グルコサミン基を形成させることができる。
スホリル化剤、アルデヒド類、イソシアネート類、クロ
ロスルホン酸、酸性ムコ多糖類等が挙げられる。この場
合、アシル化剤は、キトサン中の水酸基やアミノ基と反
応し、N−アシル−グルコサミン基や、0−アシル−グ
ルコサミン基及びN−アシル−0−アシル−グルコサミ
ン基を形成、するために使用され、ホスホリル化剤は、
キトサン中の水酸基と反応し、0−ホスホリル−グルコ
サミン基を形成するために使用され、アルデヒド類は、
キトサン中のアミノ基と反応し、N−アリリデン−グル
コサミン基やN−アルキリデン−グルコサミン基を形成
させるための使用される。クロロスルホン酸はN−サル
フェイテッドーグルコサミン基や0−サルフェイテッド
ークルコサミン基を形成するために用いられる。酸性ム
コ多糖は、酸性ムコ多糖の硫酸基又はカルボキシル基が
キトサンのアミノ基とイオン結合した高分子電解質複合
体を形成すために用いられる。イソシアネート類は、キ
トサン中のアミノ基や水酸基と反応し、ウレア結合やウ
レタン結合を形成するために使用される。また、複数の
変性試薬を用いることも可能であり、例えば、アシル化
剤とアルデヒドを用いることにより、N−アリリデン−
O−アシル−グルコサミン基やN−アルキリデン−0−
アシル−グルコサミン基を形成させることができる。
アシル化剤としては、酸無水物、酸ハロゲン化物、ケテ
ン類、ジケテン類が用いられ、その具体例としては、例
えば、酢酸、プロピオン酸、安息香酸等の有機酸の無水
物、塩化物又は臭化物等を−ましいものとして挙げるこ
とができる。このアホスホリル化剤としては、2−クロ
ロ−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホランや、
五酸化リン等がある。このホスホリル化剤は、キトサン
中の水酸基と反応する。
ン類、ジケテン類が用いられ、その具体例としては、例
えば、酢酸、プロピオン酸、安息香酸等の有機酸の無水
物、塩化物又は臭化物等を−ましいものとして挙げるこ
とができる。このアホスホリル化剤としては、2−クロ
ロ−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホランや、
五酸化リン等がある。このホスホリル化剤は、キトサン
中の水酸基と反応する。
アルデヒド類としては、芳香族及び脂肪族アルデヒドが
用いられ、その具体例としては、例えば、ホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、グルタルアルデヒド、アクロ
レイン、ベンズアルデヒド、P−ヒドロキシベンズアル
デヒド、アニスアルデヒド等が挙げられる。脂肪族アル
デヒドはキトサン中のアミノ基と反応して、N−アルキ
リデン−のものが挙げられ、キトサン中のアミノ基や水
酸基と反応し、ウレア結合やウレタン結合を生成する。
用いられ、その具体例としては、例えば、ホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、グルタルアルデヒド、アクロ
レイン、ベンズアルデヒド、P−ヒドロキシベンズアル
デヒド、アニスアルデヒド等が挙げられる。脂肪族アル
デヒドはキトサン中のアミノ基と反応して、N−アルキ
リデン−のものが挙げられ、キトサン中のアミノ基や水
酸基と反応し、ウレア結合やウレタン結合を生成する。
酸性ムコ多糖としては、ヒアルロン酸、ヘパリン、ヘパ
ラン硫酸等が用いられ、キトサン中のアミノ基と反応し
、高分子電解質複合体を形成する。
ラン硫酸等が用いられ、キトサン中のアミノ基と反応し
、高分子電解質複合体を形成する。
本発明において、高分子成形物に対しキトサン変成物を
結合させる場合、そのキトサン変成物は、キトサン水溶
液に変性試薬を添加して反応させて得ることができる他
、キトサンを結合固定化して得られた製品に対し、変性
試薬を反応させることによっても得ることができる。
結合させる場合、そのキトサン変成物は、キトサン水溶
液に変性試薬を添加して反応させて得ることができる他
、キトサンを結合固定化して得られた製品に対し、変性
試薬を反応させることによっても得ることができる。
本発明の製品は、表面にキトサン成分が固定化されてい
ることから、そのキトサン成分の作用を利用し、人工血
管、人工皮フ、細胞培養床、血液成分分離剤、免疫吸着
材等として好適に用いられる。
ることから、そのキトサン成分の作用を利用し、人工血
管、人工皮フ、細胞培養床、血液成分分離剤、免疫吸着
材等として好適に用いられる。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
1)実施例1
′)
、キトサンtgを2%酢酸水溶液40m (Aに溶解し
、メレノール60m Qで希釈した。ここへ無水酢酸0
.212、j・ mflを入れ一昼夜撹拌した。1M水酸化ナトリウム水
溶液を加えてPHを6.6に調整した。ここへ、メチル
−P−アジドベンゾイミデート塩酸塩0.115gを入
れ暗室にて一昼夜撹拌した。これを原液とする。この原
液0.5+nQをとり、水とメタノールの比がl:1の
混合液4.5mflとまぜた。別にエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体フィルムを直径9cmのシャーレ上に溶液キ
ャスト法により形成させておいた。
、メレノール60m Qで希釈した。ここへ無水酢酸0
.212、j・ mflを入れ一昼夜撹拌した。1M水酸化ナトリウム水
溶液を加えてPHを6.6に調整した。ここへ、メチル
−P−アジドベンゾイミデート塩酸塩0.115gを入
れ暗室にて一昼夜撹拌した。これを原液とする。この原
液0.5+nQをとり、水とメタノールの比がl:1の
混合液4.5mflとまぜた。別にエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体フィルムを直径9cmのシャーレ上に溶液キ
ャスト法により形成させておいた。
この上に、先の希釈した原液を流し、デシケータ中にて
乾燥させた。乾燥後高圧水銀ランプの下10cmの位置
にシャーレを置き、3分間紫外線を照射した。 10%
酢酸水溶液で十分に洗浄後、4%水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し、最後に水で十分に洗DiP後、乾燥した。
乾燥させた。乾燥後高圧水銀ランプの下10cmの位置
にシャーレを置き、3分間紫外線を照射した。 10%
酢酸水溶液で十分に洗浄後、4%水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し、最後に水で十分に洗DiP後、乾燥した。
ATR−FTIR法〔文献Applied 5pect
’:oscopy 、 39巻418ヘージ(1985
)) L: 、k リ表面(7) キ:+サンのみの赤
外線吸収スペクトルを得た。またこのスペクトルからキ
トサンの塗布厚さが15nmと算出された。
’:oscopy 、 39巻418ヘージ(1985
)) L: 、k リ表面(7) キ:+サンのみの赤
外線吸収スペクトルを得た。またこのスペクトルからキ
トサンの塗布厚さが15nmと算出された。
実施例2
ポリ(1,2−ブタジェン)5gをベンゼン100m
Qに溶解し、直径9cmのシャーレにこの溶液のうち1
5mQを流した。乾燥後、この上に実施例1で用いたと
同じ希釈した原液5mQを流し、暗室で乾燥させた。実
施例1と同様に紫外線を照射し、洗浄、乾燥させた。シ
ャーレからフィルムをはがし、そのうち20 X 40
m+nの小片をメタノール30m Q、水20m Q、
無水酢酸5mQの混合液に入れ、−昼夜放置してアセチ
ル化した後、水、4%水酸化ナトリウム水溶液、水で十
分に洗浄した。実施例1と同様にして表面分析を行い、
キトサン変性物(アセチル化変性物)のみの赤外吸収ス
ペクトルを得た。実施例1と比較して1115cm−”
の吸収がはっきり現われており、グルコサミン残基のア
ミノ基がアセチル化されたことを確認した。また、キト
サン変性物層の厚さは130nmであった。また、キト
サン固定化表面の水に対する接触角は49″であった。
Qに溶解し、直径9cmのシャーレにこの溶液のうち1
5mQを流した。乾燥後、この上に実施例1で用いたと
同じ希釈した原液5mQを流し、暗室で乾燥させた。実
施例1と同様に紫外線を照射し、洗浄、乾燥させた。シ
ャーレからフィルムをはがし、そのうち20 X 40
m+nの小片をメタノール30m Q、水20m Q、
無水酢酸5mQの混合液に入れ、−昼夜放置してアセチ
ル化した後、水、4%水酸化ナトリウム水溶液、水で十
分に洗浄した。実施例1と同様にして表面分析を行い、
キトサン変性物(アセチル化変性物)のみの赤外吸収ス
ペクトルを得た。実施例1と比較して1115cm−”
の吸収がはっきり現われており、グルコサミン残基のア
ミノ基がアセチル化されたことを確認した。また、キト
サン変性物層の厚さは130nmであった。また、キト
サン固定化表面の水に対する接触角は49″であった。
キトサン固定化前のポリ(1,2−ブタジェン)フィル
ムのそれは、rI2°であった。
ムのそれは、rI2°であった。
−レからはがしたフィルムのうちから14 X 40m
mの小片をとり、水14m Q、メタノール3mQ、無
水酢酸2mQ混合液に入れ、−昼夜放置したのち、水、
4%水酸化ナトリウム、水で十分に洗浄し、乾燥した。
mの小片をとり、水14m Q、メタノール3mQ、無
水酢酸2mQ混合液に入れ、−昼夜放置したのち、水、
4%水酸化ナトリウム、水で十分に洗浄し、乾燥した。
実施例1と同様にして表面分析を行い、キトサン変性物
(アセチル化物)のみの赤外吸収スペクトルを得た。1
728cm”−’のエステルの吸収が現われており、グ
ルコサミン残基の水酸基がアセチル化されたことを示し
た。キトサン固定化表面の水に対する接着触角は57°
であった。
(アセチル化物)のみの赤外吸収スペクトルを得た。1
728cm”−’のエステルの吸収が現われており、グ
ルコサミン残基の水酸基がアセチル化されたことを示し
た。キトサン固定化表面の水に対する接着触角は57°
であった。
実施例4
実施例1で調製したキトサンを固定化したフィルムをト
リエチルアミン0.5mQ、フェニルイワシ1σ゛レネ
ート0.5+++9、アセトニトリル10m Qの混合
液′−ノ・ 1に入れ、室温で6時間変性化反応させた。アセト″”
猛トリル及びメタノールで洗浄後乾燥した。固定化させ
たキトサン変性物のみの赤外吸収スペクトルにおいては
、1598cm−’の吸収が現われており、フェニルイ
ソシアネートがグルコサミン残基のアミノ基及び水酸基
と反応したことが確認された。
リエチルアミン0.5mQ、フェニルイワシ1σ゛レネ
ート0.5+++9、アセトニトリル10m Qの混合
液′−ノ・ 1に入れ、室温で6時間変性化反応させた。アセト″”
猛トリル及びメタノールで洗浄後乾燥した。固定化させ
たキトサン変性物のみの赤外吸収スペクトルにおいては
、1598cm−’の吸収が現われており、フェニルイ
ソシアネートがグルコサミン残基のアミノ基及び水酸基
と反応したことが確認された。
キトサン固定化表面の水に対する接触角は60°であっ
た。
た。
実施例5
実施例1において調製したキトサンを固定化したフィル
ムを、クロロスルホン酸0.5mQ、ヘキサン10mf
lの混合液の上澄に入れ、10分間放置した。
ムを、クロロスルホン酸0.5mQ、ヘキサン10mf
lの混合液の上澄に入れ、10分間放置した。
ヘキサン、アセトン、水、0.4%水酸化ナトリウム、
水の順で洗浄し、乾燥させた。固定化されたキトサン変
性物のみの赤外吸収スペクトルにおいては、1215c
m−1の硫酸エステル基の吸収が現われており、グルコ
サミン残基が硫酸エステル化されたことを確認した。キ
トサン固定化表面の水に対する接触角は48°であった
。
水の順で洗浄し、乾燥させた。固定化されたキトサン変
性物のみの赤外吸収スペクトルにおいては、1215c
m−1の硫酸エステル基の吸収が現われており、グルコ
サミン残基が硫酸エステル化されたことを確認した。キ
トサン固定化表面の水に対する接触角は48°であった
。
実施例6
実施例1で調製した原液In+Qをとり、酢酸0.1m
Q、メタノール3+nQ、1−プロパツール0.6m
Qの混合液とまぜ、このうちの2.3mQをシャーレ上
に;成形したスチレン−ブタジェン−スチレンのプロ、
;; 一會 、ツク共重合体フィルムの上に流した。乾燥後、紫j)
外線を3分間照射し、洗浄し、乾燥した。このフィルム
から14 X 40mmの小片を切りとり、1%のコン
ドロイチン硫酸Aナトリウム塩溶液5+nQに入れ、−
昼夜放置して変性させた。水で十分に洗浄後乾燥した。
Q、メタノール3+nQ、1−プロパツール0.6m
Qの混合液とまぜ、このうちの2.3mQをシャーレ上
に;成形したスチレン−ブタジェン−スチレンのプロ、
;; 一會 、ツク共重合体フィルムの上に流した。乾燥後、紫j)
外線を3分間照射し、洗浄し、乾燥した。このフィルム
から14 X 40mmの小片を切りとり、1%のコン
ドロイチン硫酸Aナトリウム塩溶液5+nQに入れ、−
昼夜放置して変性させた。水で十分に洗浄後乾燥した。
実施例1と同様にして表面分析を行い、キトサン変性物
のみの赤外吸収スペクトルを得た。
のみの赤外吸収スペクトルを得た。
1250c+++−1の硫酸基の吸収により、キトサン
とコンドロイチン硫酸Aとの高分子電解質複合体の存在
が確認された。またキトサン変性物層の厚さは38nm
であった。キトサン固定化表面の水に対する接触角は3
6°であった。固定化前のスチレン−ブタジェン−スチ
レンのブロック共重合体フィルムのそれは、76°であ
った。
とコンドロイチン硫酸Aとの高分子電解質複合体の存在
が確認された。またキトサン変性物層の厚さは38nm
であった。キトサン固定化表面の水に対する接触角は3
6°であった。固定化前のスチレン−ブタジェン−スチ
レンのブロック共重合体フィルムのそれは、76°であ
った。
実施例7
λ
′、11;実施例2の前半で得た紫外線照射し、シャー
レ;ミからはがしたフィルムのうちから10 X 35
mmの小片(1: 111をとり、アセトニトリル10m Q、トリエチル
アミン0.1mΩ、2−クロロ−2−オキソ−1,3,
2−ジオキサホスホラン0.2mQの混合液に、7℃で
19時間浸せきし、次いで0.4%苛性ソーダ溶液20
m Qに40分間浸せきし、水で十分に洗浄し、乾燥し
た。フィルム表面の赤外吸収スペクトルにおいて120
6cm−1のリン酸エステルの吸収が現われており、ホ
スホリル化されたことが確認された。キトサン固定化表
面の水に対する接触角は45°であった。
レ;ミからはがしたフィルムのうちから10 X 35
mmの小片(1: 111をとり、アセトニトリル10m Q、トリエチル
アミン0.1mΩ、2−クロロ−2−オキソ−1,3,
2−ジオキサホスホラン0.2mQの混合液に、7℃で
19時間浸せきし、次いで0.4%苛性ソーダ溶液20
m Qに40分間浸せきし、水で十分に洗浄し、乾燥し
た。フィルム表面の赤外吸収スペクトルにおいて120
6cm−1のリン酸エステルの吸収が現われており、ホ
スホリル化されたことが確認された。キトサン固定化表
面の水に対する接触角は45°であった。
実施例8
実施例6の前半で調製したスチレンーブタジエンースチ
レンブロック共重合体フィルムから、5X 25mmの
小片を切りとり1zのヘパリンナトリウム塩水溶液5m
Qに入れ、6時間放置した。水で十分に洗浄後乾燥した
。キトサン変性物のみの赤外吸収スペク1ヘルには12
26cm−’の硫酸エステルの吸収が現われており、キ
トサンとヘパリンとの高分子電解質複合体の形成が確認
された。キトサン固定化表面の水に対する接触角は50
°であった。
レンブロック共重合体フィルムから、5X 25mmの
小片を切りとり1zのヘパリンナトリウム塩水溶液5m
Qに入れ、6時間放置した。水で十分に洗浄後乾燥した
。キトサン変性物のみの赤外吸収スペク1ヘルには12
26cm−’の硫酸エステルの吸収が現われており、キ
トサンとヘパリンとの高分子電解質複合体の形成が確認
された。キトサン固定化表面の水に対する接触角は50
°であった。
実施例9
実施例6の前半で得たスチレン−ブタジェン−スチレン
ブロック共重合体フィルムから14 X 40mmの小
片を切りとり、アヤトニトリル10mQ、トリエチルア
ミン0,1.mQ、、無水酢酸1−+n(1,の混合液
に入れ、−昼夜放置した。アセl−二トリル及びメタノ
ールで洗浄後乾燥した。キトサン変性物の赤外吸収スペ
クトルには、1743cm−”のエステルの吸収が顕著
に現われており、水酸基がアセチル化されていることが
確認された。キトサン固定化表面の水に対する接触角は
53°であった。
ブロック共重合体フィルムから14 X 40mmの小
片を切りとり、アヤトニトリル10mQ、トリエチルア
ミン0,1.mQ、、無水酢酸1−+n(1,の混合液
に入れ、−昼夜放置した。アセl−二トリル及びメタノ
ールで洗浄後乾燥した。キトサン変性物の赤外吸収スペ
クトルには、1743cm−”のエステルの吸収が顕著
に現われており、水酸基がアセチル化されていることが
確認された。キトサン固定化表面の水に対する接触角は
53°であった。
実施例10
ポリビニルアルコール(重合度500)の5%水溶液0
.5+nQをシャーレに流し乾燥した。さらにその上に
、実施例1で調製した原液2n+Qを流して乾燥した。
.5+nQをシャーレに流し乾燥した。さらにその上に
、実施例1で調製した原液2n+Qを流して乾燥した。
次に、水銀ランプで3分間照射し、水]、Omflと1
6M塩酸0.5+nQとの混合液に入れ110°Cで4
時間加熱した。これによって、キトサンは加水分解され
た。この液ともとのポリビニルアルコールのみの液をゲ
ル濾過クロマトグラフィで分析した。220nmと25
0nmの2つの波長で検出した。ポリビニルアルコール
のみでは、その溶出ピークの高さが相対的に220nm
の場合の方が250nmの場合よりも高いが、加水分解
後の液では、ピークの高さが逆に250nmの場合の方
が高かった。これは250nmに吸収をもつ反応試薬が
紫外線照射によってポリビニルアルコールに共有結合で
結合し、加水分解後もポリビニルアルコールに結合して
いたためである。キトサン及びその加水分解物は250
nmに吸収を持たない。このことから、本発明によって
キトサン成分を表面に共有結合で固定化していることが
証明された。
6M塩酸0.5+nQとの混合液に入れ110°Cで4
時間加熱した。これによって、キトサンは加水分解され
た。この液ともとのポリビニルアルコールのみの液をゲ
ル濾過クロマトグラフィで分析した。220nmと25
0nmの2つの波長で検出した。ポリビニルアルコール
のみでは、その溶出ピークの高さが相対的に220nm
の場合の方が250nmの場合よりも高いが、加水分解
後の液では、ピークの高さが逆に250nmの場合の方
が高かった。これは250nmに吸収をもつ反応試薬が
紫外線照射によってポリビニルアルコールに共有結合で
結合し、加水分解後もポリビニルアルコールに結合して
いたためである。キトサン及びその加水分解物は250
nmに吸収を持たない。このことから、本発明によって
キトサン成分を表面に共有結合で固定化していることが
証明された。
Claims (1)
- (1)表面にキトサン成分を固定化させた高分子成形物
からなり、該キトサン成分と高分子成形物とは共有結合
により結合していることを特徴とする表面にキトサン成
分を有する高分子成形物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185805A JPS6341541A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 表面にキトサン成分を有する高分子成形物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185805A JPS6341541A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 表面にキトサン成分を有する高分子成形物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341541A true JPS6341541A (ja) | 1988-02-22 |
| JPH0369374B2 JPH0369374B2 (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=16177196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61185805A Granted JPS6341541A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 表面にキトサン成分を有する高分子成形物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6341541A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240747A (en) * | 1989-05-11 | 1993-08-31 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for modifying surfaces of materials |
| GB2371304A (en) * | 2001-01-16 | 2002-07-24 | Suisse Electronique Microtech | Surface passivation of organic polymers and elastomers |
| EP1227120A2 (en) | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Novartis AG | Process for modifying a surface |
| US6730366B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-05-04 | Novartis Ag | Process for modifying a surface |
| JP2010511375A (ja) * | 2005-12-01 | 2010-04-15 | エイジェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 組織工学の足場としての三次元再構成細胞外マトリクス |
| JP2014527476A (ja) * | 2011-07-18 | 2014-10-16 | セルガード エルエルシー | 表面修飾ポリマー材料及びこれを備えた電池セパレータ |
| CN105189625A (zh) * | 2013-01-18 | 2015-12-23 | 赛尔格有限责任公司 | 表面改性剂、改性材料和方法 |
| JP2020105489A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-07-09 | 国立大学法人 東京大学 | 極性基含有オレフィン重合体の製造方法 |
| JP2020105490A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-07-09 | 国立大学法人 東京大学 | 極性基含有オレフィン共重合体、及び極性基含有オレフィン共重合体組成物 |
| CN112175106A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-05 | 湖南洋韬材料科技有限公司 | 一种高活性叠氮壳聚糖抗菌剂及其制备方法 |
| CN112194814A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-08 | 湖南洋韬材料科技有限公司 | 一种医用聚氨酯叠氮抗菌改性方法 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP61185805A patent/JPS6341541A/ja active Granted
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240747A (en) * | 1989-05-11 | 1993-08-31 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for modifying surfaces of materials |
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| EP1227120A2 (en) | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Novartis AG | Process for modifying a surface |
| EP1227120A3 (en) * | 2001-01-24 | 2003-08-27 | Novartis AG | Process for modifying a surface |
| US6730366B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-05-04 | Novartis Ag | Process for modifying a surface |
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| JP2014527476A (ja) * | 2011-07-18 | 2014-10-16 | セルガード エルエルシー | 表面修飾ポリマー材料及びこれを備えた電池セパレータ |
| JP2023181408A (ja) * | 2011-07-18 | 2023-12-21 | セルガード エルエルシー | 化学修飾基材 |
| JP2022119815A (ja) * | 2011-07-18 | 2022-08-17 | セルガード エルエルシー | 化学修飾基材 |
| JP2017222864A (ja) * | 2011-07-18 | 2017-12-21 | セルガード エルエルシー | 表面修飾ポリマー材料及びこれを備えた電池セパレータ |
| JP2020196904A (ja) * | 2011-07-18 | 2020-12-10 | セルガード エルエルシー | 化学修飾基材 |
| JP2019056112A (ja) * | 2011-07-18 | 2019-04-11 | セルガード エルエルシー | 化学修飾基材 |
| US11725099B2 (en) | 2012-07-18 | 2023-08-15 | Celgard, Llc | Surface modifying agents, modified materials and methods |
| JP2021130902A (ja) * | 2013-01-18 | 2021-09-09 | セルガード エルエルシー | 表面改質基板 |
| KR20220035241A (ko) * | 2013-01-18 | 2022-03-21 | 셀가드 엘엘씨 | 표면 개질제, 개질된 물질 및 방법 |
| CN105189625A (zh) * | 2013-01-18 | 2015-12-23 | 赛尔格有限责任公司 | 表面改性剂、改性材料和方法 |
| JP2019070134A (ja) * | 2013-01-18 | 2019-05-09 | セルガード エルエルシー | 表面改質基板 |
| JP2016509101A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-03-24 | セルガード エルエルシー | 表面改質剤、改質された材料及び方法 |
| KR20230071190A (ko) * | 2013-01-18 | 2023-05-23 | 셀가드 엘엘씨 | 표면 개질제, 개질된 물질 및 방법 |
| KR20210025709A (ko) * | 2013-01-18 | 2021-03-09 | 셀가드 엘엘씨 | 표면 개질제, 개질된 물질 및 방법 |
| EP3858900A1 (en) * | 2013-01-18 | 2021-08-04 | Celgard LLC | Surface modified substrate |
| US10240031B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-03-26 | Celgard, Llc | Surface modifying agents, modified materials and methods |
| CN113764824A (zh) * | 2013-01-18 | 2021-12-07 | 赛尔格有限责任公司 | 隔板设有表面改性剂的电池 |
| JP2023052061A (ja) * | 2013-01-18 | 2023-04-11 | セルガード エルエルシー | 表面改質多孔質電池セパレータ |
| EP2945980A4 (en) * | 2013-01-18 | 2016-08-31 | Celgard Llc | SURFACE MODIFICATORS, MODIFIED MATERIALS AND METHOD |
| JP2020105489A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-07-09 | 国立大学法人 東京大学 | 極性基含有オレフィン重合体の製造方法 |
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| CN112194814A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-08 | 湖南洋韬材料科技有限公司 | 一种医用聚氨酯叠氮抗菌改性方法 |
| CN112175106A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-05 | 湖南洋韬材料科技有限公司 | 一种高活性叠氮壳聚糖抗菌剂及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0369374B2 (ja) | 1991-10-31 |
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|---|---|---|---|
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