JPS634211B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS634211B2
JPS634211B2 JP55072247A JP7224780A JPS634211B2 JP S634211 B2 JPS634211 B2 JP S634211B2 JP 55072247 A JP55072247 A JP 55072247A JP 7224780 A JP7224780 A JP 7224780A JP S634211 B2 JPS634211 B2 JP S634211B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shift register
scan
memory
circuit
register
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55072247A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56168270A (en
Inventor
Koji Hashiguchi
Takeo Koizumi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP7224780A priority Critical patent/JPS56168270A/ja
Publication of JPS56168270A publication Critical patent/JPS56168270A/ja
Publication of JPS634211B2 publication Critical patent/JPS634211B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は論理回路とメモリー回路が混在した電
子回路の試験を効率よく行なうことができるよう
構成した論理装置に関する。
半導体集積回路技術の進展に伴い、同一LSI内
またはプリント板内に論理回路とメモリー回路の
混在が一般的になつて来た。
このような電子回路の試験を効率よく行なうこ
とは従来技術では難しく、一般にはメモリー回路
部分を除いて論理回路のみ試験するか、またはメ
モリー回路関連ピンを外部からアクセス可能とな
るよう外へ出して、メモリー回路専用の試験を行
なう方法を採つていた。
この場合前者では試験率の低下をまねき、後者
は試験の為の余分なピンを相当数必要とし、また
このための配線量も増加するという問題点があ
る。
本発明の目的は以上の如き問題点を解消し、メ
モリー回路の混在したLSIやプリント板を効率良
く試験する方法を提供するもので、本発明の目的
は電子回路における多数の状態記憶回路をシフト
レジスタチエーンに構成して、テストデータのス
キヤンイン/アウトを可能にした論理装置におい
て、メモリー回路周辺のレジスタをシフトレジス
タチエーンの連続した位置に固めて配置し、かつ
外部からの切替信号によりメモリー回路周辺のレ
ジスタのみを抜き出して、他と独立に別途外部か
ら別途テストデータのスキヤンイン/アウトを可
能なマイナーループとして構成した事により達成
される。
次に図面を使用し、本発明の詳細について説明
する。
従来LSI等の高密度論理回路の試験方法とし
て、内部のフリツプフロツプを直接外部から与え
る信号で任意の状態にセツトしたり、またフリツ
プフロツプの状態を直接外部端子へ読出すことの
できる、いわゆるスキヤンイン/アウト手法が良
く知られている。
この方法によれば、全ての順序回路を組合せ回
路へ置換することが可能となり、この結果テスト
データパターンの発生が容易となる。
本発明は通常論理回路の試験に使用するスキヤ
ンイン/アウト方式をメモリー回路の試験領域へ
拡張しようとするものである。
なおこのようなスキヤン方式には各フリツプフ
ロツプへ1ビツトずつアドレスをわりふるアドレ
ス方式と、全フリツプフロツプを1本のシフトレ
ジスタチエーンで連結し、ビツト単位のアドレス
認識を行わないシフトレジスタ方式に大別され
る。
本発明はシフトレジスタ方式のスキヤンイン/
アウトを適用し、シフトレジスタ構成されたメモ
リー回路周辺のレジスタ(入力レジスタ、アドレ
スレジスタ、出力レジスタ)を一連のシフトレジ
スタチエーンの一部に固めて配置すること、及び
メモリー専用のマイナーチエーンを一連のシフト
レジスタチエーンから抜き出して、他と独立なス
キヤンイン/アウトを可能としたものである。
第1図は本発明の実施例による論理装置内シフ
トレジスタチエーン概略結線図、第2図は第1図
の詳細図、第3図はシフトレジスタチエーンビツ
ト配列図を示す。
なお第1図では説明を簡単にするためスキヤン
インSiおよびスキヤンアウトSoライン以外のス
キヤン系ラインは省略してある。
第2図に示すように論理装置内の回路は主とし
てゲート回路から構成される組合せ回路7と、フ
リツプフロツプ、レジスタ等の状態を記憶する順
序回路から構成されるが、スキヤンイン/アウト
機能を導入して回路の試験をするため、本発明で
はシフト機能をもたせたロジツク系フリツプフロ
ツプ2とメモリー回路周辺レジスタ1を1本のシ
フトレジスタチエーンで連結し、さらにメモリー
周辺レジスタ1は一連のシフトレジスタチエーン
の中で第3図に示すように固めて配置している。
このためメモリー回路の試験はスキヤンイン端
子Siからスキヤンアウト端子Soに至るメインル
ープからバイパスされたSiM端子からSoM端子
へ至るマイナーループによりスキヤンイン/アウ
トすることが可能になる。
またメインループからマイナーループを分岐
し、Si端子とSiM端子を切り分けるマルチプレク
サー3を設置し、このマルチプレクサー3を外部
からコントロールする端子CMPXを置く。
次に本実施例である第2図の回路によりメモリ
セル部の試験手順を説明する。
(1) CMPX端から信号を送りマルチプレクサー
3への入力をSiM端子側へ切替える。
次にSM端子に信号を送りスキヤンモードに
する。そしてSiM端子から書き込みデータおよ
びアドレスデータを入力し、順次シフトクロツ
クφA′,φBによつてシフトさせ、所定のメモ
リセル8の入力レジスタ5に書き込みデータ
を、アドレスレジスタ4にアドレスデータをセ
ツトする。ここでスキヤンモードを解除する。
(2) WE端子からライトイネーブル信号を印加し
て入力レジスタ5の内容をメモリセル8に書込
む。
(3) 次にシステムクロツクを印加して、メモリセ
ル8からの出力を出力レジスタ6にセツトす
る。
(4) 再度スキヤンモードにして所定個数のシフト
クロツクφA,φBを印加し、出力レジスタ8に
セツトされたデータをスキヤンアウト端子
SoMから取り出す。
この取り出された出力値を調査することにより
メモリー回路の試験を行なう。以上の手順を繰り
返して行なう。
以上本発明によるとメモリー回路周辺のレジス
タを1ループのシフトレジスタチエーンの任意の
位置に固めて配置し、かつメモリー回路周辺のレ
ジスタチエーンだけを抜き出して、他と独立にス
キヤンイン/アウトできるようになつているの
で、メモリー回路試験データの作成が容易になる
と共に、シフトクロツクも少なくて済むことか
ら、試験時間の短縮が図れ、効率のよいメモリー
回路試験ができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による論理装置内シフ
トレジスタチエーン概略結線図、第2図は第1図
の詳細図、第3図はシフトレジスタチエーンビツ
ト配列図を示す。 図において、1はメモリー周辺レジスタ、2は
ロジツク系フリツプフロツプ、3はマルチプレク
サ、4はアドレスレジスタ、5は入力レジスタ、
6は出力レジスタ、7は組合せ回路、8はメモリ
ーセルを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電子回路における多数の状態記憶回路をシフ
    トレジスタチエーンに構成して、テストデータの
    スキヤンイン/アウトを可能にした論理装置にお
    いて、 メモリー回路周辺のレジスタ1を前記シフトレ
    ジスタチエーンの連続した位置に固めて配置し、
    かつ外部からの切替信号により該メモリー回路周
    辺のレジスタ1のみを抜き出して、他と独立に別
    途外部からテストデータのスキヤンイン/アウト
    が可能なマイナーループに構成したことを特徴と
    した論理装置。
JP7224780A 1980-05-30 1980-05-30 Logical device Granted JPS56168270A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7224780A JPS56168270A (en) 1980-05-30 1980-05-30 Logical device

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JP7224780A JPS56168270A (en) 1980-05-30 1980-05-30 Logical device

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Publication Number Publication Date
JPS56168270A JPS56168270A (en) 1981-12-24
JPS634211B2 true JPS634211B2 (ja) 1988-01-28

Family

ID=13483766

Family Applications (1)

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JP7224780A Granted JPS56168270A (en) 1980-05-30 1980-05-30 Logical device

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60142432A (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 Fujitsu Ltd シリアル・データ・スキャン・イン/アウト方法
JP2641739B2 (ja) * 1988-07-29 1997-08-20 富士通株式会社 試験装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5939052B2 (ja) * 1977-03-15 1984-09-20 株式会社東芝 情報処理装置及び方法

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JPS56168270A (en) 1981-12-24

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