JPS6342241B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6342241B2 JPS6342241B2 JP9125183A JP9125183A JPS6342241B2 JP S6342241 B2 JPS6342241 B2 JP S6342241B2 JP 9125183 A JP9125183 A JP 9125183A JP 9125183 A JP9125183 A JP 9125183A JP S6342241 B2 JPS6342241 B2 JP S6342241B2
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- JP
- Japan
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- film
- mgf
- geometric thickness
- laser light
- dielectric
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｓ偏光されたレーザー光を、その波
長域で反射光と透過光の強度比を１：１に分割す
ることのできるレーザー光用偏光ビームスプリツ
タに関するものである。
長域で反射光と透過光の強度比を１：１に分割す
ることのできるレーザー光用偏光ビームスプリツ
タに関するものである。
従来より、この種の偏光ビームスプリツタは、
主にZnSとAgの組合わせにより構成されていた
が、Agを使用することにより、光の吸収が生じ
るため、光の利用効率が低いという欠点を有して
いた。
主にZnSとAgの組合わせにより構成されていた
が、Agを使用することにより、光の吸収が生じ
るため、光の利用効率が低いという欠点を有して
いた。
一方、ZnSは吸湿性を有し、そのため偏光膜と
しての光学的・物理的・化学的な諸性質の安定性
に欠け、製品のバラツキを大きくする原因の一つ
にもなつていた。
しての光学的・物理的・化学的な諸性質の安定性
に欠け、製品のバラツキを大きくする原因の一つ
にもなつていた。
そこで、本発明は、誘電体膜の間にMgF2の膜
を挾んだ三層膜構成の半透過膜層を用いることに
より、従来の欠点を解消し、光の利用効率の高
い、安定性に富むレーザー光用偏光ビームスプリ
ツタを提供することを目的とするものである。
を挾んだ三層膜構成の半透過膜層を用いることに
より、従来の欠点を解消し、光の利用効率の高
い、安定性に富むレーザー光用偏光ビームスプリ
ツタを提供することを目的とするものである。
以下、図面により本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の半透過膜層１２を二等辺三
角プリズム１１，１３の接合面に設けたビームス
プリツタの側面図で、Ｓ偏光されたレーザービー
ムは半透過層１２で反射光Ｒと透過光Ｔとに分割
される。
角プリズム１１，１３の接合面に設けたビームス
プリツタの側面図で、Ｓ偏光されたレーザービー
ムは半透過層１２で反射光Ｒと透過光Ｔとに分割
される。
第２図は上記ビームスプリツタの断面拡大図
で、MgF2の膜２３が屈折率2.0〜2.1の誘電体膜
２２，２４にサンドイツチされた三層膜構成によ
る半透過膜層１２を形成している。MgF2とその
両側の高屈折率誘電体との膜厚の比は後述のよう
に幾何学的膜厚比で１：5.5〜5.7が好ましい。
で、MgF2の膜２３が屈折率2.0〜2.1の誘電体膜
２２，２４にサンドイツチされた三層膜構成によ
る半透過膜層１２を形成している。MgF2とその
両側の高屈折率誘電体との膜厚の比は後述のよう
に幾何学的膜厚比で１：5.5〜5.7が好ましい。
このような三層膜を形成するには、まず清浄し
た一方のプリズムを真空蒸着装置内に配置し、圧
力を１×10-5Torr程度まで排気し、プリズムを
加熱ヒータで300℃近くまで加熱し保持した上に、
屈折率2.0〜2.1を有する誘電体を電子銃で加熱蒸
着し、その上に同様な手法によりMgF2と誘電体
を順次重ねて蒸着し、接着剤２５により、他方の
プリズムを接合するものである。レーザー光の波
長をλとした時、屈折率2.0〜2.1を有する誘電体
膜の幾何学的膜厚を約λ／13とすると、MgF2の
幾何学的膜厚は前述したように屈折率2.0〜2.1を
有する誘電体膜の5.5〜5.7倍の厚さを有すること
になる。
た一方のプリズムを真空蒸着装置内に配置し、圧
力を１×10-5Torr程度まで排気し、プリズムを
加熱ヒータで300℃近くまで加熱し保持した上に、
屈折率2.0〜2.1を有する誘電体を電子銃で加熱蒸
着し、その上に同様な手法によりMgF2と誘電体
を順次重ねて蒸着し、接着剤２５により、他方の
プリズムを接合するものである。レーザー光の波
長をλとした時、屈折率2.0〜2.1を有する誘電体
膜の幾何学的膜厚を約λ／13とすると、MgF2の
幾何学的膜厚は前述したように屈折率2.0〜2.1を
有する誘電体膜の5.5〜5.7倍の厚さを有すること
になる。
屈折率2.0〜2.1を有する誘電体膜２２，２４と
MgF2の膜２３との幾何学的膜厚比が１：5.5〜
5.7であつても、屈折率2.0〜2.1を有する誘電体膜
２２，２４の幾何学的膜厚がλ／13付近から外れ
るとＳ偏光されたレーザー光ビームの反射率と透
過率との比は１：１から外れるので好ましくな
い。
MgF2の膜２３との幾何学的膜厚比が１：5.5〜
5.7であつても、屈折率2.0〜2.1を有する誘電体膜
２２，２４の幾何学的膜厚がλ／13付近から外れ
るとＳ偏光されたレーザー光ビームの反射率と透
過率との比は１：１から外れるので好ましくな
い。
逆に屈折率2.0〜2.1を有する誘電体膜２２，２
４の幾何学的膜厚がλ／13であつても誘電体膜と
MgF2膜との幾何学的膜厚比が１：5.5〜5.7から
外れると同様に反射率と透過率との比は１：１か
ら外れるので好ましくない。
４の幾何学的膜厚がλ／13であつても誘電体膜と
MgF2膜との幾何学的膜厚比が１：5.5〜5.7から
外れると同様に反射率と透過率との比は１：１か
ら外れるので好ましくない。
第３図は、本発明の第１の実施例で、屈折率が
ほぼ1.52の二等辺三角プリズムの反射面にZrO2と
Ta2O5との混合物より成る誘電体膜２２，２４と
MgF2の膜２３をそれぞれ幾何学的膜厚で62nm
及び345nmとして蒸着した場合のレーザー光のＳ
偏光成分の反射率Ｒと透過率Ｔを示すもので、縦
軸は透過率と反射率、横軸λは光の波長を示して
いる。
ほぼ1.52の二等辺三角プリズムの反射面にZrO2と
Ta2O5との混合物より成る誘電体膜２２，２４と
MgF2の膜２３をそれぞれ幾何学的膜厚で62nm
及び345nmとして蒸着した場合のレーザー光のＳ
偏光成分の反射率Ｒと透過率Ｔを示すもので、縦
軸は透過率と反射率、横軸λは光の波長を示して
いる。
これによれば、波長約770nm〜830nmの間にお
いて、ほぼ反射率と透過率の比は１：１に保たれ
ている。
いて、ほぼ反射率と透過率の比は１：１に保たれ
ている。
第４図は他の実施例で、前記誘電体膜２２，２
４の幾何学的膜厚を46.5nmとし、MgF2膜の幾何
学的厚さを258.75nmとした時の反射率と透過率
を示したもので、この場合は約570nm〜630nmの
波長域で反射率と透過率の比は、ほぼ１：１に保
たれていることがわかる。
４の幾何学的膜厚を46.5nmとし、MgF2膜の幾何
学的厚さを258.75nmとした時の反射率と透過率
を示したもので、この場合は約570nm〜630nmの
波長域で反射率と透過率の比は、ほぼ１：１に保
たれていることがわかる。
以上のように、本発明のMgF2膜と誘電体膜を
用いた三層膜構成のビームスプリツタによれば、
レーザー光線に対し、透過光と反射光の比率が等
しい波長域を広くとることが出来るばかりでな
く、光の吸収が少く、光学的・物理的・化学的諸
特性にわたつて安定な膜が得られるので、製品の
バラツキがなく高い生産性を維持することが出来
る効果を有する。
用いた三層膜構成のビームスプリツタによれば、
レーザー光線に対し、透過光と反射光の比率が等
しい波長域を広くとることが出来るばかりでな
く、光の吸収が少く、光学的・物理的・化学的諸
特性にわたつて安定な膜が得られるので、製品の
バラツキがなく高い生産性を維持することが出来
る効果を有する。
第１図は本発明のビームスプリツタの側面図、
第２図は第１図における半透過膜の断面拡大図、
第３，４図は第１，２実施例におけるビームスプ
リツタのＳ偏光成分の反射率、透過率を示す線図
である。 １１，１３…二等辺三角プリズム、１２…半透
過膜層、２２，２４…誘電体膜、２３…MgF2
膜。
第２図は第１図における半透過膜の断面拡大図、
第３，４図は第１，２実施例におけるビームスプ
リツタのＳ偏光成分の反射率、透過率を示す線図
である。 １１，１３…二等辺三角プリズム、１２…半透
過膜層、２２，２４…誘電体膜、２３…MgF2
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 屈折率が約1.52の二等辺三角プリズムの反射
面に、レーザー光の波長λに対し、幾何学的膜厚
が約λ／13、屈折率2.0〜2.1を有する誘電体膜
で、その間に該誘電体膜の5.5〜5.7倍の幾何学的
厚さを有するMgF2膜を挾んだ三層構成の半透過
膜層を形成した事を特徴とするレーザー光用偏光
ビームスプリツタ。 ２ 前記三層構成の半透過膜層は、前記誘電体膜
間に前記MgF2膜を挾んだ三層構成の蒸着膜から
成る特許請求の範囲第１項記載のレーザー光用偏
光ビームスプリツタ。 ３ 前記半透過膜層は、それぞれ幾何学的膜厚が
62nmの誘電体膜間に幾何学的膜厚が345nmの
MgF2膜を挾んだ三層構成から成る特許請求の範
囲第１項記載のレーザー光用偏光ビームスプリツ
タ。 ４ 前記半透過膜層は、それぞれ幾何学的膜厚が
46.5nmの誘電体膜間に、幾何学的膜厚が
258.75nmのMgF2膜を挾んだ三層構成から成る特
許請求の範囲第１項記載のレーザー光用偏光ビー
ムスプリツタ。 ５ 前記誘電体膜は、ZrO2とTa2O5との混合物
から成る特許請求の範囲第１項記載のレーザー光
用偏光ビームスプリツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125183A JPS59216109A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | レ−ザ−光用偏光ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125183A JPS59216109A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | レ−ザ−光用偏光ビ−ムスプリツタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216109A JPS59216109A (ja) | 1984-12-06 |
| JPS6342241B2 true JPS6342241B2 (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=14021198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9125183A Granted JPS59216109A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | レ−ザ−光用偏光ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59216109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03106308A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | システムクッキング装置 |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP9125183A patent/JPS59216109A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03106308A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | システムクッキング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59216109A (ja) | 1984-12-06 |
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