JPS6342364A - 光加工方法 - Google Patents
光加工方法Info
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- JPS6342364A JPS6342364A JP61186202A JP18620286A JPS6342364A JP S6342364 A JPS6342364 A JP S6342364A JP 61186202 A JP61186202 A JP 61186202A JP 18620286 A JP18620286 A JP 18620286A JP S6342364 A JPS6342364 A JP S6342364A
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- substrate
- mask
- light
- forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、デイスプレィ装置等に用いられる透光性導電
膜のフォトレジストを用いることなく、マスクのみを用
いて綿状に紫外光による直接描画を行うことにより形成
される電極・リードの作成方法に関する。
膜のフォトレジストを用いることなく、マスクのみを用
いて綿状に紫外光による直接描画を行うことにより形成
される電極・リードの作成方法に関する。
「従来技術」
矩形の基板上の透光性導電膜のフォトレジストを用いる
ことのない光加工に関し、レーザ加工技術としてＹＡＧ
レーザ光（波長１．０６μｍ）法が主として用いられ
ている。
ことのない光加工に関し、レーザ加工技術としてＹＡＧ
レーザ光（波長１．０６μｍ）法が主として用いられ
ている。
この波長によるレーザ加工方法においては、スボ、ト状
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せんと
するものである。
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せんと
するものである。
かかるＹＡＧ レーザのＱスイッチを用いるレーザ加工
方式において、パルス光は平均０．５〜１甑光径５０μ
ｍ、焦点距離４０ｍｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス
巾６０ｎ秒の場合）の強い光エネルギを走査スピード
３０〜６０ｃｍ／分で加えて加工しなければならない。
方式において、パルス光は平均０．５〜１甑光径５０μ
ｍ、焦点距離４０ｍｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス
巾６０ｎ秒の場合）の強い光エネルギを走査スピード
３０〜６０ｃｍ／分で加えて加工しなければならない。
その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工は行い得る
が、その間溝の巾はあらゆる場所で一定となってしまう
。また、その一部の開溝を太めにするためには、レーザ
光をその場所にのみ複数回ずらしつつ走査しなければな
らない。そのため、生産性がますます低下してしまった
。
が、その間溝の巾はあらゆる場所で一定となってしまう
。また、その一部の開溝を太めにするためには、レーザ
光をその場所にのみ複数回ずらしつつ走査しなければな
らない。そのため、生産性がますます低下してしまった
。
さらに他方フォトレジストを用い、フォトエツチングプ
ロセスにより基板上の透明導電膜をパターニングする方
法が知られている。この方式において、開溝を任意の形
状にし得るに加えて、その開溝中もまったく何らの制限
を受けずに作ることが可能である。しかし、その製造価
格が高価になってしまう。
ロセスにより基板上の透明導電膜をパターニングする方
法が知られている。この方式において、開溝を任意の形
状にし得るに加えて、その開溝中もまったく何らの制限
を受けずに作ることが可能である。しかし、その製造価
格が高価になってしまう。
「発明の解決しようとする問題ｊ
このＹＡＧ レーザを用いたレジストレスの加工方式で
は、周辺回路との連結部での隣同志の電極・リード間を
より広くとり、即ち太めの開溝とすることは現実的にで
きない。その結果、この連結部でのショートが起きやす
（、信頼性の低下を誘発しやすい。他方、フォトレジス
トを用いるフォトエツチングプロセスはその工程が多い
ため、生産単価が高く、液晶表示パネルの構造の極細の
長い電極・リードの一部にレジストに存在し得るピンホ
ールによりオープン不良が生じやすい。このオーブン不
良は表示不能となり、重大欠陥であり、絶対避けるべき
である。このため、製造歩留まりが極端な場合、２０〜
３０％にしかならないこともある。
は、周辺回路との連結部での隣同志の電極・リード間を
より広くとり、即ち太めの開溝とすることは現実的にで
きない。その結果、この連結部でのショートが起きやす
（、信頼性の低下を誘発しやすい。他方、フォトレジス
トを用いるフォトエツチングプロセスはその工程が多い
ため、生産単価が高く、液晶表示パネルの構造の極細の
長い電極・リードの一部にレジストに存在し得るピンホ
ールによりオープン不良が生じやすい。このオーブン不
良は表示不能となり、重大欠陥であり、絶対避けるべき
である。このため、製造歩留まりが極端な場合、２０〜
３０％にしかならないこともある。
本発明は、本発明人の出願になる「特願昭５９−２１１
７６９ （昭和５９年１０月８日出願）光加工方法」を
さらに改良したものである。
７６９ （昭和５９年１０月８日出願）光加工方法」を
さらに改良したものである。
ｒ問題を解決するための手段」
基板としては矩形例えばＡ４版、８５判等の長方形の透
光性基板とする。この周辺部の２〜５ｍｍを除き、全面
に透明導電膜を形成した。この透光性基板の一片に平行
または概略平行にレーザ光を用いて線状の開溝群を形成
する。本発明は、照射光としてレジストプロセスを用い
るが、４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上
）の波長のパルスレーザを照射し、２０〜５０μφのビ
ームスポットではなく、５０〜２００μｍの巾（例えば
１５０μｍ ） ＋長さ１０〜６０ｃｍ例えば３０ｃｍ
の線状のパターンに同一箇所に１つまたは数回のパルス
を照射し、その綿状のパターン全面を同時に瞬間的に線
加工する。
光性基板とする。この周辺部の２〜５ｍｍを除き、全面
に透明導電膜を形成した。この透光性基板の一片に平行
または概略平行にレーザ光を用いて線状の開溝群を形成
する。本発明は、照射光としてレジストプロセスを用い
るが、４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上
）の波長のパルスレーザを照射し、２０〜５０μφのビ
ームスポットではなく、５０〜２００μｍの巾（例えば
１５０μｍ ） ＋長さ１０〜６０ｃｍ例えば３０ｃｍ
の線状のパターンに同一箇所に１つまたは数回のパルス
を照射し、その綿状のパターン全面を同時に瞬間的に線
加工する。
さらに初期の光として、本発明はエキシマレーザ光を用
いる。このため、初期の光の照射面ば矩形を有し、強さ
も照射面内で概略均一である。このため、光の巾を広げ
るいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化または
長面積化する。その後、その一方のＸまたはＹ方向にそ
って筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにてス
リット状にレーザ光を集光する。
いる。このため、初期の光の照射面ば矩形を有し、強さ
も照射面内で概略均一である。このため、光の巾を広げ
るいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化または
長面積化する。その後、その一方のＸまたはＹ方向にそ
って筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにてス
リット状にレーザ光を集光する。
本発明においては球面収差があまり問題にならない１０
０〜２００μｍにまで集光せしめる。さらに単純マトリ
ックス構成をするための電極・リード用に所定のパター
ン巾例えば２０μｍとするように被加工面より離れた位
置にマスクを配設した。このマスクの端部の一方は１０
０〜１５０μｍの太めの巾とする。
０〜２００μｍにまで集光せしめる。さらに単純マトリ
ックス構成をするための電極・リード用に所定のパター
ン巾例えば２０μｍとするように被加工面より離れた位
置にマスクを配設した。このマスクの端部の一方は１０
０〜１５０μｍの太めの巾とする。
その結果、このマスクのパターン形状により、例えば１
００ ｐ ｍ ｘ ３０ｃｍの巾に対し２０１１ ｍ
Ｘ ３０ｃｍの極細の開溝パターンをその周辺部のエッ
ヂを明確にして作り得る。この端部の一方はこの２０μ
の開溝に比べ太めの１００〜１５０μｍの巾とする。か
かる線状のパターンの１つの画素が例えば３００ ｐの
場合、３００μ毎にこの間溝を形成し開溝群とし、残さ
れた部分を透明導電膜の電極・リード群とする。またパ
ターンの一部をこの場合、１００〜１５０μｍまでの範
囲で太めの巾にすることも可能となる。
００ ｐ ｍ ｘ ３０ｃｍの巾に対し２０１１ ｍ
Ｘ ３０ｃｍの極細の開溝パターンをその周辺部のエッ
ヂを明確にして作り得る。この端部の一方はこの２０μ
の開溝に比べ太めの１００〜１５０μｍの巾とする。か
かる線状のパターンの１つの画素が例えば３００ ｐの
場合、３００μ毎にこの間溝を形成し開溝群とし、残さ
れた部分を透明導電膜の電極・リード群とする。またパ
ターンの一部をこの場合、１００〜１５０μｍまでの範
囲で太めの巾にすることも可能となる。
「作用」
１回または数回のパルス光を同じ個所にマスクを通して
照射することにより、線状の開溝を１０〜６０ｃｍ例え
ば３０ｃｍの長さにわたって加工し、かつ開溝中を球面
収差の無視できる１０〜３０μｍの極細の形状に作り得
る。またＹＡＧ レーザ光のＱスイッチ方式ではな（、
パルス光のレーザ光を用いるため尖端値の強さを精密に
制御し得る。
照射することにより、線状の開溝を１０〜６０ｃｍ例え
ば３０ｃｍの長さにわたって加工し、かつ開溝中を球面
収差の無視できる１０〜３０μｍの極細の形状に作り得
る。またＹＡＧ レーザ光のＱスイッチ方式ではな（、
パルス光のレーザ光を用いるため尖端値の強さを精密に
制御し得る。
結果として下地基板であるガラス基板に対し、損傷を与
えることなくして被加工物例えばＣＴＦのみのスリット
状開溝の選択除去が可能となる。同時にマスクと被加工
物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注入するこ
とにより、被加工物のレーザ光照射により生じる飛翔物
をマスク下面に付着させることなく、下方向に積掻的に
落下せしめ、防ぐことができる。
えることなくして被加工物例えばＣＴＦのみのスリット
状開溝の選択除去が可能となる。同時にマスクと被加工
物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注入するこ
とにより、被加工物のレーザ光照射により生じる飛翔物
をマスク下面に付着させることなく、下方向に積掻的に
落下せしめ、防ぐことができる。
また開溝を形成した後の被加工部に残る粉状の残差物は
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被加
工物のエツチング、レジスト除去等の多くの工程がまっ
たく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった。
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被加
工物のエツチング、レジスト除去等の多くの工程がまっ
たく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった。
加えて、マスクは被加工物より離間しているため、マス
クの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置はレ
ーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、被
加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であっ
てもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネルギ
密度を選ぶことができる。
クの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置はレ
ーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、被
加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であっ
てもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネルギ
密度を選ぶことができる。
ｒ実施例１」
第１図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工の
系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ ｎ
ｍ、Ｅｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期の光
ビーム（２０）は１６ｍｍ ｘ ２０＋ｎｍを有し、効
率３χであるため、３５０ ｍＪを有する。さらにこの
ビームをビームエキスパンダ（２）にて長面積化または
大面積化した、即ちＬ６ｍｒａ Ｘ ３ＱＯ＋＋＋＋ａ
に拡大したく第２図（２１）） 。
系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ ｎ
ｍ、Ｅｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期の光
ビーム（２０）は１６ｍｍ ｘ ２０＋ｎｍを有し、効
率３χであるため、３５０ ｍＪを有する。さらにこの
ビームをビームエキスパンダ（２）にて長面積化または
大面積化した、即ちＬ６ｍｒａ Ｘ ３ＱＯ＋＋＋＋ａ
に拡大したく第２図（２１）） 。
この装置に５．６ Ｘ １０−ｔｍＪ／ｍｍｚをエネル
ギ密度で得た。
ギ密度で得た。
更に合成石英製のシリンドリカルレンズ（１４）にて加
工面での開溝中がマスクを用いない場合１００μｍとな
るべく集光した。石英の板のマスク（３）を用いた。こ
のマスクの下側にクロム、Ｍｏ５ｉｚ等の耐熱性遮光材
（３”）が選択的に設けられ、マスクを構成している。
工面での開溝中がマスクを用いない場合１００μｍとな
るべく集光した。石英の板のマスク（３）を用いた。こ
のマスクの下側にクロム、Ｍｏ５ｉｚ等の耐熱性遮光材
（３”）が選択的に設けられ、マスクを構成している。
ここで集光光（２２−１）より選択的に一部の光（２２
−２）を選び、被加工面（１１）に照射している。
−２）を選び、被加工面（１１）に照射している。
かくして長さ３０ｃｍ、巾２０μ及び端部の長さ１０＋
ａｍ。
ａｍ。
巾１００μのスリット状のビーム（２２−２）を基板（
１０）上の被加工物（１１）に線状に照射し、加工を行
い、開溝（５）を形成した。
１０）上の被加工物（１１）に線状に照射し、加工を行
い、開溝（５）を形成した。
被加工面として、矩形のガラス上の透明導電膜（Ｅｇ
＝３．５ｅＶ）を有する基板（１０）に対し、エキシマ
レーザ（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。この
基板に対し、開溝形成作業を１つの画素が３００μｍの
場合に３００ μ毎に一方の端より他方の端に繰り返し
行い、開溝群を形成した。
＝３．５ｅＶ）を有する基板（１０）に対し、エキシマ
レーザ（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。この
基板に対し、開溝形成作業を１つの画素が３００μｍの
場合に３００ μ毎に一方の端より他方の端に繰り返し
行い、開溝群を形成した。
パルス光はＫｒＦ ２４８ｎｍとした。なぜなら、その
光学的エネルギバンド巾が５．ＯｅＶであるため、十分
光を吸収し、透明導電膜のみを選択的に加工し得るから
である。
光学的エネルギバンド巾が５．ＯｅＶであるため、十分
光を吸収し、透明導電膜のみを選択的に加工し得るから
である。
パルス巾２０ｎ秒、繰り返し周波数１〜１ｏＯＨｚ、例
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上のＣＴＦ
（透光性導電膜）である酸化スズ（ＳｎＯ□、を用いた
。
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上のＣＴＦ
（透光性導電膜）である酸化スズ（ＳｎＯ□、を用いた
。
この被膜に加工を行うと、１回のみの線状のパルス光の
照射でスリット（５）が完全に白濁化されＣＴＦが微粉
末になった。アセトン水溶液にての超音波洗浄（周波数
２９ＫＩＩｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを除去し
た。下地のソーダガラスはまったく損傷を受けていなか
った。
照射でスリット（５）が完全に白濁化されＣＴＦが微粉
末になった。アセトン水溶液にての超音波洗浄（周波数
２９ＫＩＩｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを除去し
た。下地のソーダガラスはまったく損傷を受けていなか
った。
第２図は第１図におけるレーザビーム光の状態を解説し
たものである。即ち、レーザ光より照射された状態は第
２図（Ａ）の矩形（２０）となる。これがエキスパンダ
にて長さ方向に拡大（２１）され、第２図（Ｂ）を得る
。さらにフォトマスクにより一部周辺（２２−１）が除
去され、極細の開溝（２２−２）が第２図（Ｃ−１）
・・・（Ｃ−４）に示された如くに形成される。ビー
ム光（２２−１）の巾は１００μｍとし、マスクで一部
が遮光されたビームの巾は（２２−２）の２０μｍとし
た。この時、単純に中央部のみマスクで選択すると第２
図（Ｃ−１）を得る。また端部を太（すると第２図（Ｃ
−２）を得る。この図面は端部にはマスクがない場合で
ある。端部を太くしつつもこの太さ、形状をマスクで規
定すると、第２図（Ｃ−３）となる。第２図（Ｃ−３）
、 （Ｃ−４）は第２図（Ｃ−１） 、 （Ｃ−２）
に比べわかりやすくするため、図面を拡大しである。更
に第２図（Ｃ−４）は１つの（２２−２）と隣の開溝（
２２’−２） とを有し、それらは太くした部分（２
３Ｌ（２４）にて一部を互いに重なり合わせて縦に連続
させたものである。この（２３） 、 （２４）の繰り
返しにより、縦方向の開溝をも作ることが可能となる。
たものである。即ち、レーザ光より照射された状態は第
２図（Ａ）の矩形（２０）となる。これがエキスパンダ
にて長さ方向に拡大（２１）され、第２図（Ｂ）を得る
。さらにフォトマスクにより一部周辺（２２−１）が除
去され、極細の開溝（２２−２）が第２図（Ｃ−１）
・・・（Ｃ−４）に示された如くに形成される。ビー
ム光（２２−１）の巾は１００μｍとし、マスクで一部
が遮光されたビームの巾は（２２−２）の２０μｍとし
た。この時、単純に中央部のみマスクで選択すると第２
図（Ｃ−１）を得る。また端部を太（すると第２図（Ｃ
−２）を得る。この図面は端部にはマスクがない場合で
ある。端部を太くしつつもこの太さ、形状をマスクで規
定すると、第２図（Ｃ−３）となる。第２図（Ｃ−３）
、 （Ｃ−４）は第２図（Ｃ−１） 、 （Ｃ−２）
に比べわかりやすくするため、図面を拡大しである。更
に第２図（Ｃ−４）は１つの（２２−２）と隣の開溝（
２２’−２） とを有し、それらは太くした部分（２
３Ｌ（２４）にて一部を互いに重なり合わせて縦に連続
させたものである。この（２３） 、 （２４）の繰り
返しにより、縦方向の開溝をも作ることが可能となる。
第３図、第４図は本発明の作成方法をさらに明らかにす
るため図解したものである。第３図（Ａ）において矩形
の透光性基板（１０）上に周辺部（１３）を除き透明導
電膜（１１）を全面に形成する。この周辺部（１３）は
例えばスパッタ法で導電膜例えば酸化インジューム・ス
ズ（ＩＴＯ）を形成する際、金属マスクの枠を設け、こ
の枠内には被膜が形成されないようにする。
るため図解したものである。第３図（Ａ）において矩形
の透光性基板（１０）上に周辺部（１３）を除き透明導
電膜（１１）を全面に形成する。この周辺部（１３）は
例えばスパッタ法で導電膜例えば酸化インジューム・ス
ズ（ＩＴＯ）を形成する際、金属マスクの枠を設け、こ
の枠内には被膜が形成されないようにする。
次に、第３図（Ｂ−１） 、 （Ｂ−２） 、 （Ｂ−
３）に示される如く、基板（１０）の−片（図面では左
端）と平行または概略平行に開溝（５） 、 （５’
）を形成する。するとその残された部分が電極・リード
（１６）例えば（１６−１）。
３）に示される如く、基板（１０）の−片（図面では左
端）と平行または概略平行に開溝（５） 、 （５’
）を形成する。するとその残された部分が電極・リード
（１６）例えば（１６−１）。
（１６−２） 、 （１６’ −１） 、 （１６”−
２）となる。
２）となる。
図面において、（１６）は単純マトリックスを構成させ
るための電極・リード群であり、（２４）は外部の周辺
回路と連結するための連結部である。
るための電極・リード群であり、（２４）は外部の周辺
回路と連結するための連結部である。
第２図（Ｃ−２）または（Ｃ−３）に示される如く、開
（ｒ４（５’）は開溝（５）に比べ巾広に形成されてい
る。
（ｒ４（５’）は開溝（５）に比べ巾広に形成されてい
る。
第３図（Ｂ−１）のＡ−Ａ’ 、 Ｂ−８’ の縦断面
図を（Ｂ−２）。
図を（Ｂ−２）。
（Ｂ−３）に示す。
第４図は第３図（Ｂ４）のパネルとこの電極・リードと
直交して設けられた他の電極・ＩＪ −１−とを互いに
一定の空隙を有して対抗してはりあわせたものである。
直交して設けられた他の電極・ＩＪ −１−とを互いに
一定の空隙を有して対抗してはりあわせたものである。
図面において、一対の基板（１）、（１’）その内側に
マトリックス構成をした電極・リード（１７） 、 （
１６） 。
マトリックス構成をした電極・リード（１７） 、 （
１６） 。
周辺部の封止用有機樹脂（６）よりなる。
さらに透明導電膜の連結部（２４）はフレキシブルリー
ド板（３１）と電気的にハンダボール（３３−１） 、
（３３−２）（有機樹脂中に微少個ボールを有し、加
熱をさせることにより連結部とリードとを連結させる）
により電極・リード（１６−１） 、 （１６−２）よ
り延在した連結部（１６”−１） 、 （１６’−２）
と（３１−１） 、 （３１−２）とを連結させる。こ
の時樹脂中にランダムに分布しているハンダホールが隣
あったリードがショートしないよう、即ち（３５）が２
０〜５０μの間隙を有するように連結部（２４）の間隙
（５゛）を太めにすることはきわめて重要である。第４
図において（八）のＡ−Ａ’の縦断面を（Ｂ）に示す。
ド板（３１）と電気的にハンダボール（３３−１） 、
（３３−２）（有機樹脂中に微少個ボールを有し、加
熱をさせることにより連結部とリードとを連結させる）
により電極・リード（１６−１） 、 （１６−２）よ
り延在した連結部（１６”−１） 、 （１６’−２）
と（３１−１） 、 （３１−２）とを連結させる。こ
の時樹脂中にランダムに分布しているハンダホールが隣
あったリードがショートしないよう、即ち（３５）が２
０〜５０μの間隙を有するように連結部（２４）の間隙
（５゛）を太めにすることはきわめて重要である。第４
図において（八）のＡ−Ａ’の縦断面を（Ｂ）に示す。
「効果」
本発明により多数のスリット状開溝を作製する場合、例
えば３２０μｍ間隔にて２０μの巾及び１００μｍの巾
の間隔を６４０本製造すると３０Ｈｚ／パルスならば、
０．６分で可能となった。その結果、従来のマスクアラ
イン方式でフォトレジストを用いてパターニーグを行う
場合に比べて、工程数が７エ程より２工程（光照射、洗
浄）となり、かつ全作業時間も５分〜１０分とすること
ができて、多数の直線状開溝を作る場合にきわめて低コ
スト、高生産性を図ることができた。
えば３２０μｍ間隔にて２０μの巾及び１００μｍの巾
の間隔を６４０本製造すると３０Ｈｚ／パルスならば、
０．６分で可能となった。その結果、従来のマスクアラ
イン方式でフォトレジストを用いてパターニーグを行う
場合に比べて、工程数が７エ程より２工程（光照射、洗
浄）となり、かつ全作業時間も５分〜１０分とすること
ができて、多数の直線状開溝を作る場合にきわめて低コ
スト、高生産性を図ることができた。
即ち、本発明は被加工面より十分離れた位置にフメトマ
スクを配設して用い、かつ被加工面上に密着してフォト
レジストを用いない方式であるたメ、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布）、プリベーク、露
光、エツチング、剥離等の工程がない。Ａ４判のパネル
を作るのにフォトエツチング方式においては約３０００
円の加工費（月産５にのパネルの場合）かかったが、こ
れを約１０００円で処理することが可能となった。加え
て電極・リードのオープン不良を皆無にすることが可能
となった。
スクを配設して用い、かつ被加工面上に密着してフォト
レジストを用いない方式であるたメ、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布）、プリベーク、露
光、エツチング、剥離等の工程がない。Ａ４判のパネル
を作るのにフォトエツチング方式においては約３０００
円の加工費（月産５にのパネルの場合）かかったが、こ
れを約１０００円で処理することが可能となった。加え
て電極・リードのオープン不良を皆無にすることが可能
となった。
また、本発明の光学系において、ビームエギスパンダと
被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イン
チグレー夕、コンデンサレンズおよび投影レンズを平行
に挿入してもよい。
被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イン
チグレー夕、コンデンサレンズおよび投影レンズを平行
に挿入してもよい。
第１図は本発明を実施するための光加工方法の概要を示
す。 第２図は光のパターンの変化を示す。 第３図及び第４図は本発明方法の工程およびその完成図
を示す。 特許出願人 、：へ（、。 茗１（２ 暑ヌｌ刀
す。 第２図は光のパターンの変化を示す。 第３図及び第４図は本発明方法の工程およびその完成図
を示す。 特許出願人 、：へ（、。 茗１（２ 暑ヌｌ刀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、矩形の絶縁基板上に周辺部を除き導電膜を形成する
工程と、前記基板の一片に平行または概略平行にレーザ
光を用いて線状の開溝群を形成せしめるとともに、前記
開溝の端部の一方は前記開溝に比べ太めの開溝を形成す
る工程とを有することを特徴とする基板上の導電膜の加
工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、レーザ光は４００
ｎｍ以下の波長のパルス光をビームエキスパンダにて長
面積化し、シリンドリカルレンズにより線状のパルス光
とせしめ、被加工面と前記シリンドリカルレンズとの間
にマスクを配設し、該マスクのパターンにより決められ
た前記レーザ光を前記被加工面に照射することにより、
前記被加工面に線状の開溝群を形成することを特徴とす
る基板上の導電膜の加工方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、絶縁基板はガラス
基板よりなり、その上の導電膜は酸化スズ、酸化インジ
ューム・スズ、酸化インジュームまたは酸化亜鉛より選
ばれた透光性導電膜よりなることを特徴とする基板上の
導電膜の加工方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、絶縁基板はガラス
基板またはセラミック基板よりなり、その上の導電膜は
クロム、モリブデン、アルミニューム、ニッケルまたは
それらの多層構造薄膜よりなることを特徴とする基板上
の導電膜の加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186202A JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
| US07/082,545 US4786358A (en) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186202A JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342364A true JPS6342364A (ja) | 1988-02-23 |
| JP2654566B2 JP2654566B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16184161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186202A Expired - Lifetime JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654566B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153171A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Corp | 透明導電膜のパターニング方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794482A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-11 | Hitachi Ltd | Pattern forming device by laser |
| JPS59191639A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-30 | Fujitsu Ltd | 座標入力パネル |
| JPS6095978A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186202A patent/JP2654566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794482A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-11 | Hitachi Ltd | Pattern forming device by laser |
| JPS59191639A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-30 | Fujitsu Ltd | 座標入力パネル |
| JPS6095978A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153171A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Corp | 透明導電膜のパターニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2654566B2 (ja) | 1997-09-17 |
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