JPS6342775B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は電荷発生層及び電荷移動層を有する積
層型電子写真感光体の改良に関する。 一般の積層型電子写真感光体として導電性支持
体上にSe、ペリレン、アゾ顔料等の電荷発生物
質を主成分とする電荷発生層を設け、更にその上
にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、フエナンスレ
ン等の電荷移動物質を主成分とする電荷移動層を
設けたものがある。このような感光体に画像を形
成するには帯電、画像状露光及び現像を基本工程
とするカールソンプロセスが採用されている。し
かしこのような多層構成の感光体を繰返し使用し
ていると、電荷発生層と電荷移動層との界面にお
ける電荷注入、電荷移動層内のトラツプなどによ
り残留電荷が蓄積し、残像となつて現われる傾向
がある。そこで従来はこれを防ぐため、電荷発生
層及び電荷移動層の各厚さをできるだけ薄くした
り、電荷移動層にピクリン酸を加える（特公昭51
−47621号）などの方法が採られて来た。しかし
これらの方法によつても積層型感光体における残
留電荷の蓄積は大であつた。 本発明の目的は繰返し使用時の残留電荷の蓄積
を軽減し得る積層型電子写真感光体を提供するこ
とである。 即ち本発明の感光体は導電性支持体上に電荷発
生層及び電荷移動層を設けた積層型電子写真感光
体において、電荷移動層中に微粉末の電荷発生物
質を含有することを特徴とするものである。 本発明では電荷発生層でも使用される微粉末の
電荷発生物質を電荷移動層にも使用することによ
り、繰返し使用時の残留電荷の蓄積を軽減するこ
とができる。その作用機構は詳細には明らかでは
ないが、露光により電荷移動層内に発生したトラ
ツプを、電荷発生物質の吸収波長の光により同時
に前記物質から発生したキヤリヤが打消すか、或
いは前述のように発生したキヤリヤが感光体表面
又は電荷発生層−電荷移動層界面に移動して電荷
を注入し易くすることによるものと考えられる。 このような電荷発生物質としては特公昭43−
16198号、特開昭50−57230号、同51−122448号、
同46−4484号等で提案されるようなSe、Se系合
金、CdS等の無機物質、特開昭47−30330号、同
47−30331号、同47−30332号、同47−37543号、
同48−43942号、同48−70538号、同49−1231号、
同47−18543号、同47−18544号、同49−105536
号、同49−48334号等で提案されるようなペリレ
ン、インジゴイド、キナクリドン、アゾ、アゾキ
シベンゼン、フタロシアニン、多環キノン、ベン
ズイミダゾール等の有機物質が挙げられる。その
粒径は1μｍ以下が適当である。添加量は通常、
電荷移動層重量の1/10以下、好ましくは1/50〜1/
１００の範囲であるが、使用される電荷発生物質の
種類によつて変化し得る。 電荷発生層には電荷発生物質及び必要あれば結
着剤が含まれる。ここで使用される電荷発生物質
は電荷移動層に用いられるものと同一でも異なつ
ていてもよい。電荷発生層は電荷発生物質の蒸着
によつて形成してもよいが、結着剤と共に支持体
上に塗布して形成してもよい。後者の場合、結着
剤としてはポリエステル、ポリビニルブチラー
ル、ポリアクリル酸メチル、ポリウルタン、ポリ
カーボネート、スチレン〜ブタジエン共重合体、
ポリビニルホルマール、塩化ビニル〜酢酸ビニル
共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニルトルエン等が使用できる。なお電
荷発生層の厚さは0.05〜1.5μｍ程度が適当であ
る。 電荷移動層には電荷発生物質の他、電荷移動物
質及び必要あれば結着剤が含まれる。電荷移動層
は通常、塗布法によつて電荷発生層上に形成され
る。ここで使用される電荷移動物質のうち、ドナ
ー性のものは特開昭48−52235号、同49−71941
号、同49−11136号、同50−34539号、同50−
39952号、同49−105537号等に、またアクセプタ
ー性のものは特開昭47−30329号等に夫々提案さ
れている。具体的にはドナー性物質としては多核
芳香族炭化水素を繰返し単位とする重合体があ
り、例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
−１−ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアントラ
セン、ポリ−９−ビニルフエニルアントラセン、
ポリアセナフタレン、ポリ−９−（４−ペンテニ
ル）カルバゾール、ポリ−９−（５−ヘキシル）
カルバゾール、ポリ−１−（ピレニル）ブタジエ
ン、或いはピレンのＮ位置換アクリル酸アミド重
合体及びこれら重合体のアルキル、ニトロ、アミ
ノ、ハロゲン又はヒドロキシ置換体が挙げられ
る。またＮ−ビニルカルバゾールとメチルアクリ
レートとの共重合体、１−ビニルピレンとホルム
アルデヒドとの縮重合体や１−ビニルピレンとブ
タジエンとのブロツク共重合体も使用できる。更
にまた以上のような重合体ではない単量体として
例えばカルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール、
ピレン、テトラフエン、１−アセチルピレン、
２，３−ベンゾクリセン、６，７−ベンゾピレ
ン、１−ブロモピレン、１−エチルピレン、１−
メチルピレン、ペリレン、２−フエニルインドー
ル、テトラセン、ピセン、１，３，６，８−テト
ラフエニルピレン、クリセン、フルオレン、フエ
ナンスレン、２，３−ベンゾピレン、アントラキ
ノン、ジベンゾチオフエン、ナフタレン及び１−
フエニルナフタレン、トリス（ジアルキルアミノ
フエニル）メタンロイコ体、ビス（ジアルキルア
ミノフエニル）メタン、ビス（ジアルキルアミノ
フエニル）エーテル、２，５−ビス（ジアルキル
アミノフエニル）−１，３，５−オキサジアゾー
ル、ピラゾリン誘導体等が挙げられる。 またアクセプター性の電荷移動物質としてはフ
ルオレノン、２−ニトロ−９−フルオレノン、
２，７−ジニトロ−９−フルオレノン、２，４，
７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，
５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、4H
−インデノ−〔１，２−ｂ〕−チオフエン−４−オ
ン、２−ニトロ−4H−インデノ−〔１，２−ｂ〕
−チオフエン−４−オン、２，６，８−トリニト
ロ−4H−インデノ−〔１，２−ｂ〕−チオフエン
−４−オン、8H−インデノ−〔２，１−ｂ〕−チ
オフエン−８−オン、２−ニトロ−8H−インデ
ノ−〔２，１−ｂ〕−チオフエン−８−オン、２−
ブロム−６，８−ジニトロ−4H−インデノ−
〔１，２−ｂ〕−チオフエン、６，８−ジニトロ−
4H−インデノ−〔１，２−ｂ〕−チオフエン、２
−ニトロジベンゾチオフエン、２，８−ジベンゾ
チオフエン−５−オキサイド、３，７−ジニトロ
−ジベンゾチオフエン−５−オキサイド、１，
３，７−トリニトロ−ジベンゾチオフエン−５，
５−ジオキサイド、３−ニトロ−ジベンゾチオフ
エン−５，５−ジオキサイド、３，７−ジニトロ
−ジベンゾチオフエン−５，５−ジオキサイド、
４，4′−ジシアノメチレン−4H−インデノ−
〔１，２−ｂ〕−チオフエン、６，８−ジニトロ−
４，4′−ジシアノメチレン−4H−インデノ−
〔１，２−ｂ〕−チオフエン、１，３，７，９−テ
トラニトロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−５−オキサ
イド、２，４，10−トリニトロベンゾ〔ｃ〕シン
ノリン−６−オキサイド、２，４，８−トリニト
ロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−６−オキサイド、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，
４，７−トリニトロ−９，10−フエナンスレンキ
ノン、１，４−ナフトキノンベンゾ〔ａ〕アンス
ラセン−７，12−ジオン、２，４，７−トリニト
ロ−９−シアノメチレンフルオレン等が挙げられ
る。 電荷移動層に用いられる結着剤としてはポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリアクリル酸メチ
ル、スチレン〜ブタジエン共重合体、ポリビニル
トルエン、ポリビニルブチラール、塩化ビニル〜
酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビ
ニル等の一般的な絶縁性樹脂が用いられる。 以下に実施例を示す。 実施例 １ 電荷発生物質として下記ジスアゾ顔料 ポリエステル 0.05ｇ テトラヒドロフラン 10ｇ よりなる混合物をボールミル中で３時間分散し、
これを75μｍ厚のアルミニウム蒸着ポリエステル
フイルムのアルミニウム面上にブレードで塗布
し、100℃で１分間乾燥して厚さ約0.3μｍの電荷
発生層を形成した。 電荷移動物質として ポリカーボネート ５ｇ テトラヒドロフラン 100ｇ 電荷発生物質として前記ジスアゾ顔料 0.1ｇ よりなる溶液を同様な手段で塗布し、100℃で５
分間乾燥して厚さ13μｍの電荷移動層を形成し、
積層型電子写真感光体を作成した。 また比較用として本実施例でジスアゾ顔料を除
いた電荷移動層を形成した他は同じ方法で積層型
電子写真感光体を作成した。 次に以上の感光体について初期静電特性及び繰
返し疲労特性を測定したところ、表−１の結果を
得た。

【表】

【表】 実施例 ２ ジスアゾ顔料を に代えた他は実施例１と同じ方法で電荷発生層を
形成した。その上に 実施例１と同じ電荷移動物質 ５ｇ ポリカーボネート ５ｇ 前記ジスアゾ顔料 0.16ｇ テトラヒドロフラン 50ｇ よりなる溶液を同様な手段で塗布し、100℃で５
分間乾燥して約13μｍ厚の電荷移動層を形成し
た。 また比較用として本実施例でジスアゾ顔料を除
いた電荷移動層を形成した他は同じ方法で積層型
電子写真感光体を作成した。 これらの感光体の初期静電特性及び繰返し疲労
特性は表−２の通りである。

【表】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 導電性支持体上に電荷発生層及び電荷移動層
   を設けた積層型電子写真感光体において、電荷移
   動層中に微粉末の電荷発生物質を電荷移動層重量
   の1/10以下含有することを特徴とする積層型電子
   写真感光体。