JPS6343156A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS6343156A JPS6343156A JP18799986A JP18799986A JPS6343156A JP S6343156 A JPS6343156 A JP S6343156A JP 18799986 A JP18799986 A JP 18799986A JP 18799986 A JP18799986 A JP 18799986A JP S6343156 A JPS6343156 A JP S6343156A
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- layer
- photoreceptor
- photosensitivity
- carrier
- carrier generation
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08292—Germanium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真法による印刷機などに用いる感光体
に関するものである。
に関するものである。
従来、電子写真法を用いた印刷機、例えば複写機などに
用いられる感光体の基本構造は、アルミニウム（ＡＩ）
、鉄（Ｆｅ） 、銅（Ｃｕ）、ステンレス或いは導電性
被膜処理が施されたガラスなど導電性を有する基手反上
に、Ｓｅ、 ５ｅ−Ｔｅ、 ５ｅ−Ａｓ、 ＺｎＯ，Ｃ
ｄＳ、 アモルファスＳｉなどの光導電性物質或いは
有機半専体などの有機光導電性物質を薄膜状に形成した
ものが知られている。この電子写真による画像の良否は
、感光体がもつ性能によって決定的に左右されるので、
感光体の性能、例えば帯電能光感度。
用いられる感光体の基本構造は、アルミニウム（ＡＩ）
、鉄（Ｆｅ） 、銅（Ｃｕ）、ステンレス或いは導電性
被膜処理が施されたガラスなど導電性を有する基手反上
に、Ｓｅ、 ５ｅ−Ｔｅ、 ５ｅ−Ａｓ、 ＺｎＯ，Ｃ
ｄＳ、 アモルファスＳｉなどの光導電性物質或いは
有機半専体などの有機光導電性物質を薄膜状に形成した
ものが知られている。この電子写真による画像の良否は
、感光体がもつ性能によって決定的に左右されるので、
感光体の性能、例えば帯電能光感度。
電荷保持能力、光減衰特性１機械的強度、温度安定性、
寿命などの技術的向上・改善が生産性などを考慮しなが
ら精力的に行われている。
寿命などの技術的向上・改善が生産性などを考慮しなが
ら精力的に行われている。
しかし、基板上の光導電性薄膜にＳｅやＣｄＳ等の材料
を用いた場合には、光感度を存する波長範囲が狭く、特
に長波長（６５０ｎｍ以上）の領域における光感度が低
いので、例えば半導体レーザーを光源とするレーザープ
リンタ用感光体としての性能が良くないだけでなく、こ
れらの材料は有害物質であるため、人体に悪影響を及ぼ
す危険性も存している。
を用いた場合には、光感度を存する波長範囲が狭く、特
に長波長（６５０ｎｍ以上）の領域における光感度が低
いので、例えば半導体レーザーを光源とするレーザープ
リンタ用感光体としての性能が良くないだけでなく、こ
れらの材料は有害物質であるため、人体に悪影響を及ぼ
す危険性も存している。
後者の問題点を避け、しかも感光体の光感度特性や生産
性などを向上させる方法として、最近では基板上の感光
層を二層の積層構造とし、それぞれに別々の機能をもた
せるようにした方法がとられるようになってきた。即ち
、基板側の層は前述した光導電性物質を主とした感光層
で、光源からの光によってキャリヤ（電荷）を発生する
機能を持たせ、この上の表面側の層はその発生したキャ
リヤを表面に輸送する機能を持たせた層である。
性などを向上させる方法として、最近では基板上の感光
層を二層の積層構造とし、それぞれに別々の機能をもた
せるようにした方法がとられるようになってきた。即ち
、基板側の層は前述した光導電性物質を主とした感光層
で、光源からの光によってキャリヤ（電荷）を発生する
機能を持たせ、この上の表面側の層はその発生したキャ
リヤを表面に輸送する機能を持たせた層である。
従って、この表面側のキャリヤ輸送層（以下、ＣＴＬと
略す）は、基板側のキャリヤ発生層（以下ＣＧＬと略す
）のキャリヤ発生効率を低下せしめないよう、露光の際
の光感度波長領域において可能な限り透明であることが
必要であり、且つ高い電荷保持能力を必要とする。また
、感光体の表面側に存在するということから機械的強度
も高いことが要求されている。
略す）は、基板側のキャリヤ発生層（以下ＣＧＬと略す
）のキャリヤ発生効率を低下せしめないよう、露光の際
の光感度波長領域において可能な限り透明であることが
必要であり、且つ高い電荷保持能力を必要とする。また
、感光体の表面側に存在するということから機械的強度
も高いことが要求されている。
このような機能分離型の積層構造を有する感光体は、基
本的には単層型の感光体に比し２性能において総合的に
優れてはいるが、ＣＧＬにＳｅやＣｄＳを用いた場合に
は、前述した６５０ｎｍ以上での長波長域の光感度は相
変わらず低いし、また製造段階での有害性も残る。さら
に、有機半導体のような光導電性材料を用いた場合には
、全般的に光感度が低い等の問題点がなお存在する。
本的には単層型の感光体に比し２性能において総合的に
優れてはいるが、ＣＧＬにＳｅやＣｄＳを用いた場合に
は、前述した６５０ｎｍ以上での長波長域の光感度は相
変わらず低いし、また製造段階での有害性も残る。さら
に、有機半導体のような光導電性材料を用いた場合には
、全般的に光感度が低い等の問題点がなお存在する。
また、ＣＧＬの光導電性材料は溶剤に溶けにくいので、
ビニール系などの樹脂に分散させて用いることが多い、
従って、積層構造にする場合、ＣＧＬ上に形成するＣＴ
Ｌの溶剤と前記樹脂とが相互作用を起こさないようにす
るには、樹脂や溶剤の種類が極めて制限されてしまうの
で、積層技術が非常にやっかいで、また所望の特性を有
するＣＴＬも得にくいという問題が存在していた。
ビニール系などの樹脂に分散させて用いることが多い、
従って、積層構造にする場合、ＣＧＬ上に形成するＣＴ
Ｌの溶剤と前記樹脂とが相互作用を起こさないようにす
るには、樹脂や溶剤の種類が極めて制限されてしまうの
で、積層技術が非常にやっかいで、また所望の特性を有
するＣＴＬも得にくいという問題が存在していた。
一方、掻く最近になってＳｉＨ１ガスを用いたプラズマ
ＣＶＤ法などでｉｔ性基板上に形成された水素化アモル
ファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと略す）薄膜が優れ
た光感度特性を有しているだけでなく耐熱性、化学安定
性、長寿命、無公害である等、優れた性能を有する感光
体として注目され、一部実用化も行われてきている。こ
のａ−３ｉ：８層を前述したＣＧＬとして用い、その上
にＣＴＬを形成する殿能分離型の積層構造を有する感光
体を製作すれば、ａ−３ｉ：Ｈは基板との密着性が良く
、有機溶剤に対して極めて安定であるため、ＣＴＬの溶
媒選定の範囲も広がることになり、塗布性も良く感光体
としての光特性の優れたＣＴＬが容易に得られる。しか
しながらこの感光体においても、ＣＧＬであるａ−３ｉ
：）Ｉ！ｌの実効禁制帯幅の関係で、６５０ｎｍ以上の
長波長領域の光の多くはこのＣＧＬを透過してしまって
キャリヤを発生させないので、がかる長波長領域での光
感度が低いという欠点が存する。
ＣＶＤ法などでｉｔ性基板上に形成された水素化アモル
ファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと略す）薄膜が優れ
た光感度特性を有しているだけでなく耐熱性、化学安定
性、長寿命、無公害である等、優れた性能を有する感光
体として注目され、一部実用化も行われてきている。こ
のａ−３ｉ：８層を前述したＣＧＬとして用い、その上
にＣＴＬを形成する殿能分離型の積層構造を有する感光
体を製作すれば、ａ−３ｉ：Ｈは基板との密着性が良く
、有機溶剤に対して極めて安定であるため、ＣＴＬの溶
媒選定の範囲も広がることになり、塗布性も良く感光体
としての光特性の優れたＣＴＬが容易に得られる。しか
しながらこの感光体においても、ＣＧＬであるａ−３ｉ
：）Ｉ！ｌの実効禁制帯幅の関係で、６５０ｎｍ以上の
長波長領域の光の多くはこのＣＧＬを透過してしまって
キャリヤを発生させないので、がかる長波長領域での光
感度が低いという欠点が存する。
本発明は以上の点に鑑み、ａ−３ｉ二〇を用いた６５０
ｎｍ以上の長波長領域でも高い光感度を有する、即ち光
感度波長領域が極めて広い積層構造を有する電子写真用
の感光体を提供することを目的としている。
ｎｍ以上の長波長領域でも高い光感度を有する、即ち光
感度波長領域が極めて広い積層構造を有する電子写真用
の感光体を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的は、
本発明によれば、導電性基板上にキャリヤ発生層及びキ
ャリヤ輸送層を順次積層した機能分離型電子写真用感光
体において、上記キャリヤ発生層を基板側から見て水素
化アモルファスゲルマニウム薄膜層の上に水素化アモル
ファスシリコン薄膜層を積層して二層構造とすることに
よって達成される。
本発明によれば、導電性基板上にキャリヤ発生層及びキ
ャリヤ輸送層を順次積層した機能分離型電子写真用感光
体において、上記キャリヤ発生層を基板側から見て水素
化アモルファスゲルマニウム薄膜層の上に水素化アモル
ファスシリコン薄膜層を積層して二層構造とすることに
よって達成される。
上記キャリヤ発生層は、好ましくはグロー放電。
プラズマＣＶＤ、反応性スパッタリングの何れかの手段
により形成され得る。
により形成され得る。
この発明によれば、キャリヤ発生層がａ −Ｇ ｅ ｓ
Ｈ層及びａ −Ｓ ｉ ： Ｉｔ層の二層に形成され
ていることにより短波長領域のみならず長波長域におい
ても充分な光感度を有し、分光感度の広い電子写真用感
光体が得られ、特に半導体レーザーを光源とするプリン
タに有意に使用され得る。
Ｈ層及びａ −Ｓ ｉ ： Ｉｔ層の二層に形成され
ていることにより短波長領域のみならず長波長域におい
ても充分な光感度を有し、分光感度の広い電子写真用感
光体が得られ、特に半導体レーザーを光源とするプリン
タに有意に使用され得る。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例を更に説明
する。
する。
図面は本発明による電子写真用感光体の基本構造の断面
を示すもので、感光体１は、＾ｌなどの導電性基板２上
に、光源からの光によってキャリヤを発生する機能をも
ったキャリヤ発生層（ＣＧＬ）３と、発生したキャリヤ
を表面に輸送する機能をもったキャリヤ輸送層（ＣＴＬ
）４とに分離された感光層でなっており、さらにＣＧＬ
３は２つのＦ１３ａと３ｂに形成されている。
を示すもので、感光体１は、＾ｌなどの導電性基板２上
に、光源からの光によってキャリヤを発生する機能をも
ったキャリヤ発生層（ＣＧＬ）３と、発生したキャリヤ
を表面に輸送する機能をもったキャリヤ輸送層（ＣＴＬ
）４とに分離された感光層でなっており、さらにＣＧＬ
３は２つのＦ１３ａと３ｂに形成されている。
このＣＧＬ３において、３ａはＧｅＨ４ガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ、反応性スパッタリングなどによって得ら
れる水素がとり込まれて局在準位が減少された水素化ア
モルファスゲルマニ、ウム、即ちａ−Ｇｅ：ＨＩ［であ
り、また３ｂはＳｉＨ４ガスを用いたプラズマＣＶＤ、
反応性スパッタリングなどによって得られる水素がとり
込まれて局在準位が減少された水素化アモルファスシリ
コン、即ちａ−Ｓｉ：）Ｉ薄層である。
ラズマＣＶＤ、反応性スパッタリングなどによって得ら
れる水素がとり込まれて局在準位が減少された水素化ア
モルファスゲルマニ、ウム、即ちａ−Ｇｅ：ＨＩ［であ
り、また３ｂはＳｉＨ４ガスを用いたプラズマＣＶＤ、
反応性スパッタリングなどによって得られる水素がとり
込まれて局在準位が減少された水素化アモルファスシリ
コン、即ちａ−Ｓｉ：）Ｉ薄層である。
本発明の感光体１は以上の積層構造で成っており、まず
導電性基板２上にＣＧＬ３の第一層であるａ−Ｇｅ：１
ｌｌＦ１３ａを形成するには、ＧｅＨａなどの水素化ゲ
ルマニウムガスを用いてグロー放電分解法などで行う。
導電性基板２上にＣＧＬ３の第一層であるａ−Ｇｅ：１
ｌｌＦ１３ａを形成するには、ＧｅＨａなどの水素化ゲ
ルマニウムガスを用いてグロー放電分解法などで行う。
その際、容量結合型プラズマＣＶＤによる製作条件例と
しては、真空度０．１〜５ Ｔｏｒｒ。
しては、真空度０．１〜５ Ｔｏｒｒ。
高周波電力（電極面積に対する高周波の進行波の電力＞
Ｉ Ｘｌ０−’ 〜Ｉ Ｘｌ０−”Ｗ／ａ！、基板
温度１００〜２００℃である。
Ｉ Ｘｌ０−’ 〜Ｉ Ｘｌ０−”Ｗ／ａ！、基板
温度１００〜２００℃である。
次いで、形成したａ−ｃｅ：ｎＦＥ４層３ａ上にＣＧＬ
の第二層であるａ−Ｓｉ：ＨＦｌｉ層３ｂを形成するの
であるが、５１ｇ４ガスで代表されるような水素化シリ
コンガスＳｌ＋＋ Ｈ＊ａ−ｔ（ｎ ＝１＋２＋ ・・
・）を用い、ａ−Ｇｅ：８２層３ａの形成の場合と同様
にグロー放電分解法などで行う。その際、容量結合型プ
ラズマＣＶＤによる製作条件例としては、真空度０．３
〜１．５Ｔｏｒｒ、高周波電力０．０５〜２誓／−１基
板温度２００〜３００℃である。
の第二層であるａ−Ｓｉ：ＨＦｌｉ層３ｂを形成するの
であるが、５１ｇ４ガスで代表されるような水素化シリ
コンガスＳｌ＋＋ Ｈ＊ａ−ｔ（ｎ ＝１＋２＋ ・・
・）を用い、ａ−Ｇｅ：８２層３ａの形成の場合と同様
にグロー放電分解法などで行う。その際、容量結合型プ
ラズマＣＶＤによる製作条件例としては、真空度０．３
〜１．５Ｔｏｒｒ、高周波電力０．０５〜２誓／−１基
板温度２００〜３００℃である。
本発明において、ａ−Ｇｅ：Ｈ層３ａ及びａ −Ｓ ｉ
： Ｈ層３ｂは同一装置内で連続して形成することが
可能であるので、ａ−Ｇｅ：Ｈ層３ａとａ−３ｉ：ＨＩ
ｉＪ３ｂとの境界領域において、Ｇｅ及びＳｉの含有量
を連続的に変化させたアモルファス層とすることもまた
可能である。尚、これらの層の膜厚は光源からの光の波
長特性を考慮して設計されるが、吸収係数などを考えれ
ば、それぞれ最大でもｌａｍ程度までである。
： Ｈ層３ｂは同一装置内で連続して形成することが
可能であるので、ａ−Ｇｅ：Ｈ層３ａとａ−３ｉ：ＨＩ
ｉＪ３ｂとの境界領域において、Ｇｅ及びＳｉの含有量
を連続的に変化させたアモルファス層とすることもまた
可能である。尚、これらの層の膜厚は光源からの光の波
長特性を考慮して設計されるが、吸収係数などを考えれ
ば、それぞれ最大でもｌａｍ程度までである。
また、必要に応じてこれら二層の導電型、抵抗率を制御
するために、ＢＪ＊、ＰＨ３，ＮＸ＋ Ｏ□などの不純
物ガスを１嗅形成時に添加してもよい。これらの導電型
、抵抗率の選択は帯電極性、キャリヤ移動度などを考慮
して決定される。
するために、ＢＪ＊、ＰＨ３，ＮＸ＋ Ｏ□などの不純
物ガスを１嗅形成時に添加してもよい。これらの導電型
、抵抗率の選択は帯電極性、キャリヤ移動度などを考慮
して決定される。
本発明実施例は以上のように構成されており、ａ−Ｓｉ
：８層３ｂは可視領域に於いて広い光感度特性を有し、
特に６５０ｎｍ以下の波長領域では量子効率がほぼ１に
近い高い光感度を有する。従って、６５０ｎｍ以上の長
波長の光の多くが吸収されないでこの層を透過したとし
ても、ａ−Ｓｉ：８層の実効禁制帯幅よりもａ−Ｇｅ：
ＨＩｌｉ１３ａの実効禁制帯幅が狭いので、ａ−Ｇｅ：
Ｈｒ’Ｊ３ａでこれらの光は吸収されキャリヤを発生さ
せることができることになる。かくして、ａ−Ｇｅ：■
層３ａ及びａ−Ｓｉ：８層３ｂの二層が積層されたＣＧ
Ｌ３を有する機能分離型の電子写真用感光体１は、６５
０ｎｍ以上の長波長領域にも充分な光感度を有し広い波
長領域に対して高い光感度を有することができるのであ
る。
：８層３ｂは可視領域に於いて広い光感度特性を有し、
特に６５０ｎｍ以下の波長領域では量子効率がほぼ１に
近い高い光感度を有する。従って、６５０ｎｍ以上の長
波長の光の多くが吸収されないでこの層を透過したとし
ても、ａ−Ｓｉ：８層の実効禁制帯幅よりもａ−Ｇｅ：
ＨＩｌｉ１３ａの実効禁制帯幅が狭いので、ａ−Ｇｅ：
Ｈｒ’Ｊ３ａでこれらの光は吸収されキャリヤを発生さ
せることができることになる。かくして、ａ−Ｇｅ：■
層３ａ及びａ−Ｓｉ：８層３ｂの二層が積層されたＣＧ
Ｌ３を有する機能分離型の電子写真用感光体１は、６５
０ｎｍ以上の長波長領域にも充分な光感度を有し広い波
長領域に対して高い光感度を有することができるのであ
る。
以上述べたように、本発明によれば、導電性基板上にＣ
ＧＬとＣＴＬとを設は且つＣＧＬをａ−Ｇｅ：Ｈ層とａ
−Ｓｉ：８層との二層に構成したので、可視域ばかりで
なく ６５０ｎｍ以上の長波長領域にも充分な光感度を
有し得るため、広い波長範囲に光感度を有する高性能の
感光体が得られ、特に半導体レーザーを光源として使用
するプリンタに用いる場合、従来にない高感度、高性能
の電子写真用窓光体が得られる。
ＧＬとＣＴＬとを設は且つＣＧＬをａ−Ｇｅ：Ｈ層とａ
−Ｓｉ：８層との二層に構成したので、可視域ばかりで
なく ６５０ｎｍ以上の長波長領域にも充分な光感度を
有し得るため、広い波長範囲に光感度を有する高性能の
感光体が得られ、特に半導体レーザーを光源として使用
するプリンタに用いる場合、従来にない高感度、高性能
の電子写真用窓光体が得られる。
また、上述したプラズマＣＶＤにより得られろＣＧＬは
基板に対する密着性が非常に優れているので、本感光体
を印刷機などに実装する場合にも剥離などが起こらず作
業性、保守管理が行いやすい。
基板に対する密着性が非常に優れているので、本感光体
を印刷機などに実装する場合にも剥離などが起こらず作
業性、保守管理が行いやすい。
さらに、ＣＧＬにおけるａ−３ｉ：１層は各種の有機溶
媒に対して極めて安定であるため、従来ＣＴＬ溶媒とし
て用いられているテトラヒドロフテン。
媒に対して極めて安定であるため、従来ＣＴＬ溶媒とし
て用いられているテトラヒドロフテン。
ジクロルエタン、ジクロルメタンなど以外にも多くの溶
媒が選択できることになり、ＣＴＬの機能を発揮させな
がら塗布性良く且つピンホールもないＣＴＬが形成され
得る。従って、感光体製作の歩留まりが向上する。しか
も、ＣＧＬを構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｇｅ：Ｈは、
いずれも無公害物質であることから作業性も良く、製作
時の残滓の回収処理も容易である。そのため、本発明の
感光体を印刷機などに実装して使用した場合、長時間使
用してＣＴＬに傷などが発生して性能が低下しても、Ｃ
ＴＬの結合剤を溶かす溶媒によってＣＴＬのみを除去す
ることができるので、再びＣＴＬを塗布することによっ
て感光体の再生使用が可能となり、経済的で且つ長寿命
の電子写真用感光体を得ることができる。
媒が選択できることになり、ＣＴＬの機能を発揮させな
がら塗布性良く且つピンホールもないＣＴＬが形成され
得る。従って、感光体製作の歩留まりが向上する。しか
も、ＣＧＬを構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｇｅ：Ｈは、
いずれも無公害物質であることから作業性も良く、製作
時の残滓の回収処理も容易である。そのため、本発明の
感光体を印刷機などに実装して使用した場合、長時間使
用してＣＴＬに傷などが発生して性能が低下しても、Ｃ
ＴＬの結合剤を溶かす溶媒によってＣＴＬのみを除去す
ることができるので、再びＣＴＬを塗布することによっ
て感光体の再生使用が可能となり、経済的で且つ長寿命
の電子写真用感光体を得ることができる。
図面は本発明による電子写真用感光体の基本構造を示す
断面図である。 １−・−感光体；２−・−導電性基板；３−・−キャリ
ヤ発生層 （ＣＧ Ｌ ） ； ３ａ−−一−−ａ−
Ｇｅ：Ｈ層； ３ｂ−ａ−Ｓｉ：１層；４・・−・キャ
リヤ輸送層（ＣＴＬ）。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −幸 同 ：弁理士 海 津 保 三 手続主甫正四 （自発） 昭和６２年７月２３日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示 昭和６１年特許願第１８７９９９号 ２、発明の名称 電子写真用、感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都目黒区中目黒２丁目９番１３号名称 （２
３０）スタンレー電気株式会社４、代理人 住所 〒１６０東京都新宿区四谷４−３０−２３ビルド
吉田９階 電話０３ （３５２） １８０８自
発 ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の欄 ７、補正の内容 「グロー放電分解法、」に訂正する。 （３）同第６頁第１７行の「プラグ７ＣＶＤ、」を削除
する。 ２、特許請求の範囲 （１）導電性基板上にキーリヤを発生させる機能を有す
るキャリヤ発生層とキャリヤを輸送する機能を有するキ
ャリヤ輸送層とが積層された機能分離型電子写真用感光
体において、該キャリヤ発生層をａ−Ｇｅ：８層とａ−
Ｓｉ：８層とが順次積層された構成としたことを特徴と
する電子写真用感光体。 （２）前記キャリヤ発生層を構成するａ−ＧｅｓＨ層と
ａ −Ｓ ｉ ｒ Ｈ層とがグロー放電豆麗夫によって
得られたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の電子写真用感光体。 （３）前記キャリヤ発生層を構成するａ−Ｇｅ：８層と
ａ −Ｓ ｉ ： Ｉｔ Ｆｌとが反応性スパッタリン
グによって得られたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の電子写真用感光体。
断面図である。 １−・−感光体；２−・−導電性基板；３−・−キャリ
ヤ発生層 （ＣＧ Ｌ ） ； ３ａ−−一−−ａ−
Ｇｅ：Ｈ層； ３ｂ−ａ−Ｓｉ：１層；４・・−・キャ
リヤ輸送層（ＣＴＬ）。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −幸 同 ：弁理士 海 津 保 三 手続主甫正四 （自発） 昭和６２年７月２３日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示 昭和６１年特許願第１８７９９９号 ２、発明の名称 電子写真用、感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都目黒区中目黒２丁目９番１３号名称 （２
３０）スタンレー電気株式会社４、代理人 住所 〒１６０東京都新宿区四谷４−３０−２３ビルド
吉田９階 電話０３ （３５２） １８０８自
発 ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の欄 ７、補正の内容 「グロー放電分解法、」に訂正する。 （３）同第６頁第１７行の「プラグ７ＣＶＤ、」を削除
する。 ２、特許請求の範囲 （１）導電性基板上にキーリヤを発生させる機能を有す
るキャリヤ発生層とキャリヤを輸送する機能を有するキ
ャリヤ輸送層とが積層された機能分離型電子写真用感光
体において、該キャリヤ発生層をａ−Ｇｅ：８層とａ−
Ｓｉ：８層とが順次積層された構成としたことを特徴と
する電子写真用感光体。 （２）前記キャリヤ発生層を構成するａ−ＧｅｓＨ層と
ａ −Ｓ ｉ ｒ Ｈ層とがグロー放電豆麗夫によって
得られたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の電子写真用感光体。 （３）前記キャリヤ発生層を構成するａ−Ｇｅ：８層と
ａ −Ｓ ｉ ： Ｉｔ Ｆｌとが反応性スパッタリン
グによって得られたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の電子写真用感光体。
Claims (4)
- （１）導電性基板上にキャリヤを発生させる機能を有す
るキャリヤ発生層とキャリヤを輸送する機能を有するキ
ャリヤ輸送層とが積層された機能分離型電子写真用感光
体において、該キャリヤ発生層をａ−Ｇｅ：Ｈ層とａ−
Ｓｉ：Ｈ層とが順次積層された構成としたことを特徴と
する電子写真用感光体。 - （２）前記キャリヤ発生層を構成するａ−Ｇｅ：Ｈ層と
ａ−Ｓｉ：Ｈ層とがグロー放電によって得られたことを
特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
感光体。 - （３）前記キャリヤ発生層を構成するａ−Ｇｅ：Ｈ層と
ａ−Ｓｉ：Ｈ層とがプラズマＣＶＤ法によって得られた
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真用感光体。 - （４）前記キャリヤ発生層を構成するａ−Ｇｅ：Ｈ層と
ａ−Ｓｉ：Ｈ層とが反応性スパッタリングによって得ら
れたことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の
電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18799986A JPS6343156A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18799986A JPS6343156A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343156A true JPS6343156A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16215866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18799986A Pending JPS6343156A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343156A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56121041A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS57101849A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor sensitive to near infrared ray |
| JPS6275536A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6275538A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18799986A patent/JPS6343156A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56121041A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS57101849A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor sensitive to near infrared ray |
| JPS6275536A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6275538A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
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