JPS634330B2 - - Google Patents
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- JPS634330B2 JPS634330B2 JP55038101A JP3810180A JPS634330B2 JP S634330 B2 JPS634330 B2 JP S634330B2 JP 55038101 A JP55038101 A JP 55038101A JP 3810180 A JP3810180 A JP 3810180A JP S634330 B2 JPS634330 B2 JP S634330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- electrodes
- temperature
- heat treatment
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
本発明は耐湿負荷寿命特性の安定したセラミツ
ク電気部品を容易にかつ安価に製造することがで
きる方法に関するものである。 従来から、誘電体素子や圧電素子、半導体素子
等の機能特性を利用したセラミツク電子部品の電
極には、磁器素体の表面にAg、Ag−Pd、Ag−
Pt、Ag−Ni等の貴金属を主体とした焼付電極が
使用されている。しかし、近年の貴金属の価格高
騰に伴ない、メツキによる電極の形成法が種々開
発されつつある。しかしながら、これら方法にも
多くの欠点がある。 たとえば、セラミツク素体表面に焼付銀電極を
形成し、その後ニツケル電極または銅電極を電解
メツキ法等により形成することも可能であるが、
この方法には、焼付金属表面が粗面で多くの小孔
が存在しているために、メツキ処理の際にメツキ
液がこの小孔内部に浸透し、焼付金属層とセラミ
ツク素体の付着強度を劣化させるという欠点があ
つた。 他の方法としては無電解ニツケルメツキ法が用
いられており、これは最初に塩化錫と塩化パラジ
ウムを化学的反応をさせて、素体表面に触媒活性
化処理をほどこすことが一般的であつた。しか
し、コンデンサや圧電体素子、半導体素子等のセ
ラミツク電子部品用の電極として使用する場合に
は多くの問題がある。すなわち、電極材料や関連
材料の種類、および取付方法によつて引張強度が
低下（銀焼付け電極に比べて1/2に低下）するだ
けでなく、特性の劣化、さらには特性のばらつき
の増大を生じるものである。無電解ニツケルメツ
キ方法は、その工法の性質上、基板全周表面上に
形成されやすく、その場合には周側面のメツキ膜
を研削除去して対向電極を形成するが、コンデン
サにおいては沿面耐電圧距離が基板の厚みで決定
され、電極周端部における短絡状態によつて絶縁
破壊が起こりやすく、基板をあまり薄くすること
ができなかつた。また、これらの方法に代えて部
分メツキ法の使用も考えられる。これは、セラミ
ツク素体表面に所要パターンの金属層を形成する
に際し、あらかじめセラミツク素体表面の所要個
所にメツキレジストを付与しておき、ついでその
表面を活性化したのち、メツキレジストを除去
し、その後無電解メツキを施してセラミツク素体
表面に金属層を形成する方法である。これ以外に
も、真空蒸着法やフオトエツチング法等種々の方
法があるが、いずれの方法によつてもセラミツク
電子部品用電極としては満足する結果が得られて
いない。すなわち、従来から知られているメツキ
付与方法では、メツキの密着性が悪く、特にま
た、コンデンサを例にとつた場合、小型大容量の
コンデンサは素体厚みが0.1〜0.3mmと薄く、その
直径が4.5〜16mmと種々あり、量産性を考慮した
場合、実施困難なものであつた。さらに容量値を
少しでも大きく得るために、素体の対向する二つ
の面全体にそれぞれ電極を形成した場合には、上
述したように寿命特性が極度に悪く、信頼性上か
らは問題点が多くあつた。 一方、プリント回路の形成法においては、特公
昭36−4873号公報に示されているように、絶縁基
板上に非電解メツキに際して活性を示すインクを
所定のパターンで塗布し、その後非電解メツキを
行なうことによりインクを塗布した部分に金属層
を形成することが知られているが、このような技
術においては、基板上に絶縁性のインク層を介し
て金属層を形成するものであり、セラミツク電子
部品の電極の形成には用いることができない。 本発明は、このような従来の方法にあつた数多
くの欠点を除去し、寿命特性がいちぢるしく安定
しているセラミツク電子部品の製造方法を提供す
るものである。すなわち、本発明の方法は、機能
特性を利用したセラミツク基板の必要局部個所に
Co、Ni、Fe等の化合物の１種あるいはそれ以上
の成分を含むペーストを付与し、その後非酸化性
雰囲気中で熱処理を施してCo、Ni、Feの金属あ
るいは合金粒子を析出させ、その後その上に無電
解メツキにより、ニツケル、コバルト、銅の電極
を形成するものである。この本発明の方法によつ
て得られたセラミツク電子部品は非常に良好な特
性を有し、十分な機能をもつものである。 以下、本発明の方法の詳細について述べる。 まず機能特性を利用したセラミツク電子部品の
素体としては、BaTiO3−BaZrO3系、TiO2系、
SrTiO3系（半導体）などの誘電体セラミツク素
体で、厚みの0.3mm、直径12mmの基板を用いた。
それぞれの基板の両面に１mmの縁が残るようなマ
スクを用いて、吹付法または印刷法によりCo、
Ni、Feの化合物が含まれているペーストを付与
した。このペーストは、Co、Ni、Feの硝酸塩、
酢酸塩、シユウ酸塩、ナフテン酸塩等を用い、成
分割合としては金属成分が0.01〜7.5重量％の割
合で含まれており、アミド系、フエノール系、セ
ルローズ系等の有機バインダー成分が３〜35重量
％、アルコール、トルエン等の溶剤成分が70〜97
重量％含まれているものを用いた。そして、印刷
用としては粘度40000CPSに、吹付用としては粘
度100〜300CPSに調整し、セラミツク基板の裏表
に膜厚１〜15μｍで付与した。これを80〜300℃
の範囲内の温度で乾燥させた後、電気炉を用い
て、N2あるいはH2−H2等の非酸化性ガスを流
し、350〜900℃の範囲内の温度で焼付けを行な
い、Co、Ni、Feの金属あるいは合金の微粒子を
形成し、それから硫酸ニツケルに次亜燐酸ナトリ
ウムを含むメツキ液に浸漬してニツケル膜を形成
した。次に、Pb−Sn系主体の半田材料を用い、
浸漬法により、リード線を取付け、その後フエノ
ール系被覆樹脂、ワツクス含浸を行ない、完成品
とした。なお誘電体材料については、ペーストを
80〜300℃の温度で乾燥した後、大気中で350〜
900℃の温度範囲で熱処理してペーストに含まれ
ている有機物を除去し、その後、非酸化性雰囲気
中で350〜900℃の範囲の温度で熱処理し、Co、
Ni、Feの金属、あるいは合金の微粒子を形成し
た。また圧電材料については、電極付与後大気雰
囲気で酸化処理を行なつた。 本発明において、Co、Ni、Feの化合物の１種
または２種以上の成分を含むペーストを付与し、
その後、非酸化性雰囲気で熱処理する必要性は、
セラミツク基板面に金属微粒子を形成するためで
ある。そして、この熱処理時の温度は350〜900℃
の温度範囲が望しいのであるが、これは350℃よ
り低い温度では樹脂成分が残り、メツキ後引張強
度が低下し、さらに圧電特性、抵抗特性、誘電特
性、バリスタ特性の諸特性が悪化するからであ
り、また、900℃より高い温度では圧電特性、抵
抗特性、誘電特性、バリスタ特性の低下および寿
命特性が悪化するからである。なお、実施例にお
いてはCo、Ni、Feの硝酸塩、酢酸塩、シユウ酸
塩、ナフテン酸塩等を用いたが、焼付後に金属微
粒子層として残るものであれば問題はない。ま
た、金属微粒子層を形成した後、無電解メツキに
より、ニツケル、銅、コバルトの電極を形成して
から、温度200〜400℃の間で熱処理をすると、接
着強度を高めることができる。 第１表、第２表および第３表に、本発明の方法
の実施例と比較例を対比させて示す。なお、第１
表〜第３表においては、Co、Ni、Feの化合物と
して硝酸ニツケルを用いたもので、ペースト中に
おけるCo、Fe、Ni成分の含有量とは、Ni成分の
含有量を示している。 第１表に誘電体材料について本発明の方法を適
用したときの実施例と比較例を対比させて示す。
表の誘電特性としての誘電率εおよび誘電正接
tanδは、20℃の温度下において1KHzの周波数で
測定した値で示しており、また寿命試験は温度85
℃、相対湿度85％の雰囲気中において、直流電圧
150Vを2000時間印加するという条件で実施した。
リード線と電極との引張強度は、0.6mmの太さの
リード線を５mm径の半田付けをしたものについて
調べた。
ク電気部品を容易にかつ安価に製造することがで
きる方法に関するものである。 従来から、誘電体素子や圧電素子、半導体素子
等の機能特性を利用したセラミツク電子部品の電
極には、磁器素体の表面にAg、Ag−Pd、Ag−
Pt、Ag−Ni等の貴金属を主体とした焼付電極が
使用されている。しかし、近年の貴金属の価格高
騰に伴ない、メツキによる電極の形成法が種々開
発されつつある。しかしながら、これら方法にも
多くの欠点がある。 たとえば、セラミツク素体表面に焼付銀電極を
形成し、その後ニツケル電極または銅電極を電解
メツキ法等により形成することも可能であるが、
この方法には、焼付金属表面が粗面で多くの小孔
が存在しているために、メツキ処理の際にメツキ
液がこの小孔内部に浸透し、焼付金属層とセラミ
ツク素体の付着強度を劣化させるという欠点があ
つた。 他の方法としては無電解ニツケルメツキ法が用
いられており、これは最初に塩化錫と塩化パラジ
ウムを化学的反応をさせて、素体表面に触媒活性
化処理をほどこすことが一般的であつた。しか
し、コンデンサや圧電体素子、半導体素子等のセ
ラミツク電子部品用の電極として使用する場合に
は多くの問題がある。すなわち、電極材料や関連
材料の種類、および取付方法によつて引張強度が
低下（銀焼付け電極に比べて1/2に低下）するだ
けでなく、特性の劣化、さらには特性のばらつき
の増大を生じるものである。無電解ニツケルメツ
キ方法は、その工法の性質上、基板全周表面上に
形成されやすく、その場合には周側面のメツキ膜
を研削除去して対向電極を形成するが、コンデン
サにおいては沿面耐電圧距離が基板の厚みで決定
され、電極周端部における短絡状態によつて絶縁
破壊が起こりやすく、基板をあまり薄くすること
ができなかつた。また、これらの方法に代えて部
分メツキ法の使用も考えられる。これは、セラミ
ツク素体表面に所要パターンの金属層を形成する
に際し、あらかじめセラミツク素体表面の所要個
所にメツキレジストを付与しておき、ついでその
表面を活性化したのち、メツキレジストを除去
し、その後無電解メツキを施してセラミツク素体
表面に金属層を形成する方法である。これ以外に
も、真空蒸着法やフオトエツチング法等種々の方
法があるが、いずれの方法によつてもセラミツク
電子部品用電極としては満足する結果が得られて
いない。すなわち、従来から知られているメツキ
付与方法では、メツキの密着性が悪く、特にま
た、コンデンサを例にとつた場合、小型大容量の
コンデンサは素体厚みが0.1〜0.3mmと薄く、その
直径が4.5〜16mmと種々あり、量産性を考慮した
場合、実施困難なものであつた。さらに容量値を
少しでも大きく得るために、素体の対向する二つ
の面全体にそれぞれ電極を形成した場合には、上
述したように寿命特性が極度に悪く、信頼性上か
らは問題点が多くあつた。 一方、プリント回路の形成法においては、特公
昭36−4873号公報に示されているように、絶縁基
板上に非電解メツキに際して活性を示すインクを
所定のパターンで塗布し、その後非電解メツキを
行なうことによりインクを塗布した部分に金属層
を形成することが知られているが、このような技
術においては、基板上に絶縁性のインク層を介し
て金属層を形成するものであり、セラミツク電子
部品の電極の形成には用いることができない。 本発明は、このような従来の方法にあつた数多
くの欠点を除去し、寿命特性がいちぢるしく安定
しているセラミツク電子部品の製造方法を提供す
るものである。すなわち、本発明の方法は、機能
特性を利用したセラミツク基板の必要局部個所に
Co、Ni、Fe等の化合物の１種あるいはそれ以上
の成分を含むペーストを付与し、その後非酸化性
雰囲気中で熱処理を施してCo、Ni、Feの金属あ
るいは合金粒子を析出させ、その後その上に無電
解メツキにより、ニツケル、コバルト、銅の電極
を形成するものである。この本発明の方法によつ
て得られたセラミツク電子部品は非常に良好な特
性を有し、十分な機能をもつものである。 以下、本発明の方法の詳細について述べる。 まず機能特性を利用したセラミツク電子部品の
素体としては、BaTiO3−BaZrO3系、TiO2系、
SrTiO3系（半導体）などの誘電体セラミツク素
体で、厚みの0.3mm、直径12mmの基板を用いた。
それぞれの基板の両面に１mmの縁が残るようなマ
スクを用いて、吹付法または印刷法によりCo、
Ni、Feの化合物が含まれているペーストを付与
した。このペーストは、Co、Ni、Feの硝酸塩、
酢酸塩、シユウ酸塩、ナフテン酸塩等を用い、成
分割合としては金属成分が0.01〜7.5重量％の割
合で含まれており、アミド系、フエノール系、セ
ルローズ系等の有機バインダー成分が３〜35重量
％、アルコール、トルエン等の溶剤成分が70〜97
重量％含まれているものを用いた。そして、印刷
用としては粘度40000CPSに、吹付用としては粘
度100〜300CPSに調整し、セラミツク基板の裏表
に膜厚１〜15μｍで付与した。これを80〜300℃
の範囲内の温度で乾燥させた後、電気炉を用い
て、N2あるいはH2−H2等の非酸化性ガスを流
し、350〜900℃の範囲内の温度で焼付けを行な
い、Co、Ni、Feの金属あるいは合金の微粒子を
形成し、それから硫酸ニツケルに次亜燐酸ナトリ
ウムを含むメツキ液に浸漬してニツケル膜を形成
した。次に、Pb−Sn系主体の半田材料を用い、
浸漬法により、リード線を取付け、その後フエノ
ール系被覆樹脂、ワツクス含浸を行ない、完成品
とした。なお誘電体材料については、ペーストを
80〜300℃の温度で乾燥した後、大気中で350〜
900℃の温度範囲で熱処理してペーストに含まれ
ている有機物を除去し、その後、非酸化性雰囲気
中で350〜900℃の範囲の温度で熱処理し、Co、
Ni、Feの金属、あるいは合金の微粒子を形成し
た。また圧電材料については、電極付与後大気雰
囲気で酸化処理を行なつた。 本発明において、Co、Ni、Feの化合物の１種
または２種以上の成分を含むペーストを付与し、
その後、非酸化性雰囲気で熱処理する必要性は、
セラミツク基板面に金属微粒子を形成するためで
ある。そして、この熱処理時の温度は350〜900℃
の温度範囲が望しいのであるが、これは350℃よ
り低い温度では樹脂成分が残り、メツキ後引張強
度が低下し、さらに圧電特性、抵抗特性、誘電特
性、バリスタ特性の諸特性が悪化するからであ
り、また、900℃より高い温度では圧電特性、抵
抗特性、誘電特性、バリスタ特性の低下および寿
命特性が悪化するからである。なお、実施例にお
いてはCo、Ni、Feの硝酸塩、酢酸塩、シユウ酸
塩、ナフテン酸塩等を用いたが、焼付後に金属微
粒子層として残るものであれば問題はない。ま
た、金属微粒子層を形成した後、無電解メツキに
より、ニツケル、銅、コバルトの電極を形成して
から、温度200〜400℃の間で熱処理をすると、接
着強度を高めることができる。 第１表、第２表および第３表に、本発明の方法
の実施例と比較例を対比させて示す。なお、第１
表〜第３表においては、Co、Ni、Feの化合物と
して硝酸ニツケルを用いたもので、ペースト中に
おけるCo、Fe、Ni成分の含有量とは、Ni成分の
含有量を示している。 第１表に誘電体材料について本発明の方法を適
用したときの実施例と比較例を対比させて示す。
表の誘電特性としての誘電率εおよび誘電正接
tanδは、20℃の温度下において1KHzの周波数で
測定した値で示しており、また寿命試験は温度85
℃、相対湿度85％の雰囲気中において、直流電圧
150Vを2000時間印加するという条件で実施した。
リード線と電極との引張強度は、0.6mmの太さの
リード線を５mm径の半田付けをしたものについて
調べた。
【表】
【表】
上表において、No.１〜20はBaTiO3−PbTiO3
−BaZrO3系を主体とした材料を用い、No.１〜11
は焼付温度を550℃一定とし、卑金属化合物の含
有量を変化させたものである。表より明らかなよ
うに、No.２〜10は良好な特性を示しており、特に
No.５〜７は寿命試験後においてもいちぢるしく良
好な特性を示している。No.12〜27は、卑金属成分
の含有量を1.0重量％一定とし、焼付温度を変化
させたもので、No.13〜19、No.22〜26は良好な特性
を示している。なお、No.21〜27はセラミツク材料
として粒界層型半導体材料を用いたものであり、
半導体セラミツクスの性質上、非酸化性雰囲気中
での焼付条件が適しており、No.24は特に優秀な特
性を示している。 第２表に圧電体材料について本発明の方法を適
用したときの実施例と比較例を示す。なお、誘電
率は温度20℃において1KHzの周波数で測定して
得た値である。
−BaZrO3系を主体とした材料を用い、No.１〜11
は焼付温度を550℃一定とし、卑金属化合物の含
有量を変化させたものである。表より明らかなよ
うに、No.２〜10は良好な特性を示しており、特に
No.５〜７は寿命試験後においてもいちぢるしく良
好な特性を示している。No.12〜27は、卑金属成分
の含有量を1.0重量％一定とし、焼付温度を変化
させたもので、No.13〜19、No.22〜26は良好な特性
を示している。なお、No.21〜27はセラミツク材料
として粒界層型半導体材料を用いたものであり、
半導体セラミツクスの性質上、非酸化性雰囲気中
での焼付条件が適しており、No.24は特に優秀な特
性を示している。 第２表に圧電体材料について本発明の方法を適
用したときの実施例と比較例を示す。なお、誘電
率は温度20℃において1KHzの周波数で測定して
得た値である。
【表】
上表において、No.１〜８は焼付温度を550℃一
定にし、Co、Bi、Feの化合物の含有量を変化さ
せた場合の例であり、特にNo.４は優秀な特性を示
している。No.９〜15は卑金属の量を1.0重量％一
定とし、焼付温度を変化させた例である。これら
のうちNo.９、15は範囲外の温度であり、その特性
は悪い。なお、No.12は電気機械結合係数および共
振抵抗のいずれもきわめて安定した特性を示して
いる。 第３表にBaTiO3系正特性サーミスタ材料につ
いて本発明の方法を適用したときの実施例と比較
例とを示す。比抵抗の欄において、正、負とは通
電方向が互いに反対方向であることを示し、正方
向と負方向の値が互いに異なるということはセラ
ミツク素体と電極とがオーム性接触をしていない
ことを意味する。なお、寿命試験は温度85℃、相
対湿度85％の雰囲気中に1000時間放置して行なつ
た。
定にし、Co、Bi、Feの化合物の含有量を変化さ
せた場合の例であり、特にNo.４は優秀な特性を示
している。No.９〜15は卑金属の量を1.0重量％一
定とし、焼付温度を変化させた例である。これら
のうちNo.９、15は範囲外の温度であり、その特性
は悪い。なお、No.12は電気機械結合係数および共
振抵抗のいずれもきわめて安定した特性を示して
いる。 第３表にBaTiO3系正特性サーミスタ材料につ
いて本発明の方法を適用したときの実施例と比較
例とを示す。比抵抗の欄において、正、負とは通
電方向が互いに反対方向であることを示し、正方
向と負方向の値が互いに異なるということはセラ
ミツク素体と電極とがオーム性接触をしていない
ことを意味する。なお、寿命試験は温度85℃、相
対湿度85％の雰囲気中に1000時間放置して行なつ
た。
【表】
【表】
上表において、No.１〜８は焼付温度を550℃一
定とし、卑金属化合物の含有量を変化させたもの
で、そのうちのNo.４、５が寿命特性後の特性もき
わめて安定しており、優秀なものである。また、
No.11〜16は卑金属成分の合計量を一定とし、焼付
温度を変化させたもので、No.12〜15の実施例は非
常に安定した特性値を示しており、従来から使用
している銀焼付電極材料に比べて全く遜色のない
ものであり、電極材料としても価格的には1/20以
下ですみ、特性的にもいちぢるしく安定なもので
ある。 以上のように本発明によれば、Co、Ni、Feの
化合物の１種あるいはそれ以上の成分を含むペー
ストを付与した後、非酸化性雰囲気中で熱処理し
てCo、Ni、Feの金属あるいは合金の粒子を析出
させ、その後無電解メツキにより金属電極を形成
するものであり、高価な電極材料を多く用いるこ
となく安価に、しかも従来から用いられている銀
焼付電極材料に比べて遜色のない特性を得ること
ができる。
定とし、卑金属化合物の含有量を変化させたもの
で、そのうちのNo.４、５が寿命特性後の特性もき
わめて安定しており、優秀なものである。また、
No.11〜16は卑金属成分の合計量を一定とし、焼付
温度を変化させたもので、No.12〜15の実施例は非
常に安定した特性値を示しており、従来から使用
している銀焼付電極材料に比べて全く遜色のない
ものであり、電極材料としても価格的には1/20以
下ですみ、特性的にもいちぢるしく安定なもので
ある。 以上のように本発明によれば、Co、Ni、Feの
化合物の１種あるいはそれ以上の成分を含むペー
ストを付与した後、非酸化性雰囲気中で熱処理し
てCo、Ni、Feの金属あるいは合金の粒子を析出
させ、その後無電解メツキにより金属電極を形成
するものであり、高価な電極材料を多く用いるこ
となく安価に、しかも従来から用いられている銀
焼付電極材料に比べて遜色のない特性を得ること
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 機能特性を利用したセラミツク基板の必要個
所に、Co、Ni、Feの化合物の１種あるいはそれ
以上の成分を含むペーストを付与し、その後非酸
化性雰囲気中で350〜900℃の範囲内の温度で熱処
理を施してCo、Ni、Feの金属あるいは合金の粒
子を析出させ、その後無電解メツキにより金属電
極を形成することを特徴とするセラミツク電子部
品の製造方法。 ２ 印刷あるいは吹付けの可能な樹脂ペースト中
に、金属成分として0.01〜7.5重量％含有するCo、
Ni、Feの化合物の１種あるいはそれ以上の成分
を含むペーストを基板上に付与し、350〜900℃の
範囲内の温度で熱処理により前記ペーストに含ま
れていた有機物を除去し、その後非酸化性雰囲気
中で熱処理を施してCo、Ni、Feの金属あるいは
合金の粒子を析出させ、その後無電解メツキによ
り金属電極を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のセラミツク電子部品の製造
方法。 ３ 印刷あるいは吹付けの可能な樹脂ペースト中
に、金属成分として0.01〜7.5重量％含有するCo、
Ni、Feの化合物の１種あるいはそれ以上の成分
を含むペーストを基板上に付与してから、非酸化
性雰囲気中において350〜900℃の範囲内の温度で
熱処理を施し、Co、Ni、Feの金属あるいは合金
の粒子を析出させ、その後無電解メツキによりニ
ツケル、コバルト、銅のいずれかの電極を形成
し、その後空気中で酸化処理することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のセラミツク電子
部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3810180A JPS56133814A (en) | 1980-03-24 | 1980-03-24 | Method of producing ceramic electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3810180A JPS56133814A (en) | 1980-03-24 | 1980-03-24 | Method of producing ceramic electronic part |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56133814A JPS56133814A (en) | 1981-10-20 |
| JPS634330B2 true JPS634330B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=12516075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3810180A Granted JPS56133814A (en) | 1980-03-24 | 1980-03-24 | Method of producing ceramic electronic part |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56133814A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874030A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品、導電皮膜組成物及び製造方法 |
| JPH084159B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1996-01-17 | オリンパス光学工業株式会社 | 圧電バイモルフおよびその製造方法 |
-
1980
- 1980-03-24 JP JP3810180A patent/JPS56133814A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56133814A (en) | 1981-10-20 |
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