JPS6344331A - 光メモリ−記録方法 - Google Patents
光メモリ−記録方法Info
- Publication number
- JPS6344331A JPS6344331A JP61188268A JP18826886A JPS6344331A JP S6344331 A JPS6344331 A JP S6344331A JP 61188268 A JP61188268 A JP 61188268A JP 18826886 A JP18826886 A JP 18826886A JP S6344331 A JPS6344331 A JP S6344331A
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- JP
- Japan
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- reflectance
- reflectivity
- power laser
- temp
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、光情報記録媒体を用いる光メモリー記録方法
に関するものであり、特に、記録密度を高めることが可
能な光メモリー記録方法に関する。
に関するものであり、特に、記録密度を高めることが可
能な光メモリー記録方法に関する。
（従来技術）
従来の光メモリー記録方法に用いられる光情報記録媒体
は、２値化された情報信号によってオン、オフするレー
ザー光束を照射することによってピントを形成し、ある
いは相転移による反射率変化を生ぜしめ、これによって
情報信号を記録するようになっている。何れにしても従
来の光メモリー記録方法に用いられる光情報記録媒体は
、ビットの有無あるいは反射率の変化の有無による２値
化信号が記録されるものである。
は、２値化された情報信号によってオン、オフするレー
ザー光束を照射することによってピントを形成し、ある
いは相転移による反射率変化を生ぜしめ、これによって
情報信号を記録するようになっている。何れにしても従
来の光メモリー記録方法に用いられる光情報記録媒体は
、ビットの有無あるいは反射率の変化の有無による２値
化信号が記録されるものである。
ここで、光情報記録媒体に３値の信号を記録することが
できれば、光情報記録媒体の記録密度を大幅に向上させ
ることができるはずである。
できれば、光情報記録媒体の記録密度を大幅に向上させ
ることができるはずである。
（目的）
本発明の目的は、光情報記録媒体に３値化された信号を
記録することを可能にすることにより記録密度を大幅に
向上させることを可能にした光メモリー記録方法を提供
することにある。
記録することを可能にすることにより記録密度を大幅に
向上させることを可能にした光メモリー記録方法を提供
することにある。
（構成）
本発明は、基板上にＡｕとＳｉの合金薄膜を形成した光
情報記録媒体を用い、上記光情報記録媒体に対する情報
書き込み用レーザーのパワーを２段階とし、高パワーの
レーザーを照射することによりＡｕを析出させて反射率
を大きくし、低パワーのレーザーを照射することにより
アモルファスから結晶への相転移を生ぜしめて反射率を
低下させ、もって、３値書き込みを可能にしたことを特
徴とする。
情報記録媒体を用い、上記光情報記録媒体に対する情報
書き込み用レーザーのパワーを２段階とし、高パワーの
レーザーを照射することによりＡｕを析出させて反射率
を大きくし、低パワーのレーザーを照射することにより
アモルファスから結晶への相転移を生ぜしめて反射率を
低下させ、もって、３値書き込みを可能にしたことを特
徴とする。
第１図は、Ａｕ Ｓｉ合金の温度に対する光の反射率
の変化を示す。ただし、サンプル全体を熱処理したとき
の現象ではなく、所定の温度分布をもつレーザー光束を
照射したときの上記温度分布に対応した反射率変化を示
す。また、各状態の反射率は、既知の反射率を持つＡ
Ｉ ＭＷに上記のように所定の温度分布を持つレーザー
光束を照射してその反射率を読み出し、これと比較して
求めたものである。
の変化を示す。ただし、サンプル全体を熱処理したとき
の現象ではなく、所定の温度分布をもつレーザー光束を
照射したときの上記温度分布に対応した反射率変化を示
す。また、各状態の反射率は、既知の反射率を持つＡ
Ｉ ＭＷに上記のように所定の温度分布を持つレーザー
光束を照射してその反射率を読み出し、これと比較して
求めたものである。
第１図に示されているように、室温から所定のある温度
Ｔ１未満まではＡｕ−Ｓｉ合金はアモルファス状態であ
り、上記温度Ｔ１においてアモルファスから結晶への相
転移を生ぜしめて反射率は低下する。
Ｔ１未満まではＡｕ−Ｓｉ合金はアモルファス状態であ
り、上記温度Ｔ１においてアモルファスから結晶への相
転移を生ぜしめて反射率は低下する。
さらに温度Ｔ１よりも高い所定の温度Ｔ２になるとＡｕ
が析出して反射率が増加する。上記アモルファス状態に
おける反射率をＲａ、結晶状態における反射率をＲｂ、
Ａｕの析出状態における反射率をＲｃとすると、Ｒｂ
＜ Ｒａ ＜ Ｒｃとなる。
が析出して反射率が増加する。上記アモルファス状態に
おける反射率をＲａ、結晶状態における反射率をＲｂ、
Ａｕの析出状態における反射率をＲｃとすると、Ｒｂ
＜ Ｒａ ＜ Ｒｃとなる。
第２図及び第３図は＾ＵとＳｉの合金に書き込み用のレ
ーザー光束を照射した場合における照射部分の反射率分
布を示すもので、第２図は高パワーのレーザー光束を照
射した場合、第３図は低パワーのレーザー光束を照射し
た場合を示す。高パワーのレーザー光束の場合、第２図
（ａ）（ｂ）に示されているように温度がＴ２よりも高
い中心部１の回りに温度がＴ２よりも低くＴｌよりも高
い部分２が分布し、さらにその外周部は温度Ｔ１よりも
低くなっている。これに対し低パワーのレーザー光束の
場合は第３図（ａ）（ｂ）に示されているように温度Ｔ
２よりも低く温度Ｔ１よりも高い部分３が分布し、その
外周部は温度Ｔ１よりも低くなっている。
ーザー光束を照射した場合における照射部分の反射率分
布を示すもので、第２図は高パワーのレーザー光束を照
射した場合、第３図は低パワーのレーザー光束を照射し
た場合を示す。高パワーのレーザー光束の場合、第２図
（ａ）（ｂ）に示されているように温度がＴ２よりも高
い中心部１の回りに温度がＴ２よりも低くＴｌよりも高
い部分２が分布し、さらにその外周部は温度Ｔ１よりも
低くなっている。これに対し低パワーのレーザー光束の
場合は第３図（ａ）（ｂ）に示されているように温度Ｔ
２よりも低く温度Ｔ１よりも高い部分３が分布し、その
外周部は温度Ｔ１よりも低くなっている。
第２図（Ｃ）は第２図（ａ）（ｂ）に示されているよう
な高パワーのレーザー光束をＡｕとＳｉの合金に照射し
た場合の反射率の変化を示しており、温度がＴ２よりも
高い部分ｌに対応する部分は第１図で説明したようにＡ
ｕが析出して反射率が高（なり、温度がＴ２よりも低く
Ｔｌよりも高い部分２に対応する部分は第１図で説明し
たようにアモルファスから結晶への相転移を生ぜしめ、
上記反射率の高い部分の周りに反射率の低い部分ができ
る。これに対して第３図（ａ）（ｂ）に示されているよ
うな低パワーのレーザー光束を照射した場合は、第３図
（ｃ）に示されているように温度Ｔ２よりも低く温度Ｔ
１よりも高い部分３に対応する部分の反射率が低（なる
だけであり、Ａｕの析出がないから反射率が高くなるこ
とはない。
な高パワーのレーザー光束をＡｕとＳｉの合金に照射し
た場合の反射率の変化を示しており、温度がＴ２よりも
高い部分ｌに対応する部分は第１図で説明したようにＡ
ｕが析出して反射率が高（なり、温度がＴ２よりも低く
Ｔｌよりも高い部分２に対応する部分は第１図で説明し
たようにアモルファスから結晶への相転移を生ぜしめ、
上記反射率の高い部分の周りに反射率の低い部分ができ
る。これに対して第３図（ａ）（ｂ）に示されているよ
うな低パワーのレーザー光束を照射した場合は、第３図
（ｃ）に示されているように温度Ｔ２よりも低く温度Ｔ
１よりも高い部分３に対応する部分の反射率が低（なる
だけであり、Ａｕの析出がないから反射率が高くなるこ
とはない。
以上のことから、基板上にＡｕとＳｉの合金薄膜を形成
した光情報記録媒体を用い、この媒体に対する情報書き
込み用のレーザーのパワーを２段階に切り換えるように
すれば、反射率の高い部分と反射率の低い部分と反射率
が変化しない中間部分とを形成することが可能であり、
もって、３値化された情報信号を記録することが可能で
ある。
した光情報記録媒体を用い、この媒体に対する情報書き
込み用のレーザーのパワーを２段階に切り換えるように
すれば、反射率の高い部分と反射率の低い部分と反射率
が変化しない中間部分とを形成することが可能であり、
もって、３値化された情報信号を記録することが可能で
ある。
なお、光学顕微鏡で確認した結果、第２図に示されてい
る高パワーのレーザー光束の場合、高パワーの部分１の
周りの低パワーの部分２を含めた書き込み径が、第３図
に示されている低パワーのレーザー光束の場合に比べて
約１．３倍となり、これに従ってビットピッチを大きく
しなければならないが、それ程大幅にピッチが拡大され
るものではなく、それよりも、３値化された信号を記録
することが可能であることにより、記録密度を大幅に拡
大することが可能である。
る高パワーのレーザー光束の場合、高パワーの部分１の
周りの低パワーの部分２を含めた書き込み径が、第３図
に示されている低パワーのレーザー光束の場合に比べて
約１．３倍となり、これに従ってビットピッチを大きく
しなければならないが、それ程大幅にピッチが拡大され
るものではなく、それよりも、３値化された信号を記録
することが可能であることにより、記録密度を大幅に拡
大することが可能である。
次に、本発明の実施例について説明する。
１ｍｍ厚のガラス基板に二元電子ビーム蒸着によりＡｕ
７０原子％、Ｓｉ３０原子％の組成でＡｕ −Ｓｉ合金
薄膜を２００人の厚さで設け、これを光情報記録媒体の
サンプルとして用いた。このサンプルを固定し、これに
、ビーム径を２μｍに絞ったＨｅ −Ｎｅレーザーを８
ｍ−及び５１で１００ｍ５ｅｃ照射して書き込みを行い
、次に１ｍＷのレーザー光束で読み出しを行った。アモ
ルファス状態の非書き込み部の読み出し電圧をＶａ、
Ａｕ析出部である８ｍｗＭき込み部の読み出し電圧をν
ｂ、結晶状態である５Ｉ書き込み邪の読み出し電圧をＶ
ｃとすると、νａ ： Ｖｂ ニジｃ＝５：２：８の信
号比が得られた。
７０原子％、Ｓｉ３０原子％の組成でＡｕ −Ｓｉ合金
薄膜を２００人の厚さで設け、これを光情報記録媒体の
サンプルとして用いた。このサンプルを固定し、これに
、ビーム径を２μｍに絞ったＨｅ −Ｎｅレーザーを８
ｍ−及び５１で１００ｍ５ｅｃ照射して書き込みを行い
、次に１ｍＷのレーザー光束で読み出しを行った。アモ
ルファス状態の非書き込み部の読み出し電圧をＶａ、
Ａｕ析出部である８ｍｗＭき込み部の読み出し電圧をν
ｂ、結晶状態である５Ｉ書き込み邪の読み出し電圧をＶ
ｃとすると、νａ ： Ｖｂ ニジｃ＝５：２：８の信
号比が得られた。
このように、上記実施例によれば、書き込み用レーザー
のパワーを２段階に切り換えることによって３値化され
た情報信号を記録することが可能であり、もって、記録
密度を大幅に向上させることができる。
のパワーを２段階に切り換えることによって３値化され
た情報信号を記録することが可能であり、もって、記録
密度を大幅に向上させることができる。
（効果）
本発明によれば、基板上にＡｕとＳｉの合金薄膜を形成
した光情報記録媒体を用い、この記録媒体に対する情報
信号の書き込み用レーザーのパワーを２段階に切り換え
ることにより３値書き込みを可能にしたため、記録密度
を大幅に向上させることが可能になった。
した光情報記録媒体を用い、この記録媒体に対する情報
信号の書き込み用レーザーのパワーを２段階に切り換え
ることにより３値書き込みを可能にしたため、記録密度
を大幅に向上させることが可能になった。
第１図は本発明の詳細な説明するためのＡｕ−Ｓｉ合金
の温度に対する反射率変化を示す線図、第２図は高パワ
ーのレーザー光束の温度及びパワー分布とこのレーザー
光束の照射によるＡｕ−Ｓｉ合金の反射率分布を示す線
図、第３図は低パワーのレーザー光束の温度及びパワー
分布とこのレーザー光束の照射によるＡｕ−Ｓｉ合金の
反射率分布を示す線図である。
の温度に対する反射率変化を示す線図、第２図は高パワ
ーのレーザー光束の温度及びパワー分布とこのレーザー
光束の照射によるＡｕ−Ｓｉ合金の反射率分布を示す線
図、第３図は低パワーのレーザー光束の温度及びパワー
分布とこのレーザー光束の照射によるＡｕ−Ｓｉ合金の
反射率分布を示す線図である。
Claims (1)
- 基板上にＡｕとＳｉの合金薄膜を形成した光情報記録媒
体を用いる光メモリー記録方法であって、上記光情報記
録媒体に対する情報書き込み用レーザーのパワーを２段
階とし、高パワーのレーザーを照射することによりＡｕ
を析出させて反射率を大きくし、低パワーのレーザーを
照射することによりアモルファスから結晶への相転移を
生ぜしめて反射率を低下させ、もって、３値書き込みを
行うことを可能にした光メモリー記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188268A JP2532068B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 光メモリ−記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188268A JP2532068B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 光メモリ−記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344331A true JPS6344331A (ja) | 1988-02-25 |
| JP2532068B2 JP2532068B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16220696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61188268A Expired - Fee Related JP2532068B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 光メモリ−記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532068B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251323A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-06 | Aiwa Co Ltd | 光ディスク再生装置 |
| JPH0214427A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP61188268A patent/JP2532068B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251323A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-06 | Aiwa Co Ltd | 光ディスク再生装置 |
| JPH0214427A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532068B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |