JPS6345189A - 高熱伝導性基板 - Google Patents
高熱伝導性基板Info
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- JPS6345189A JPS6345189A JP22758586A JP22758586A JPS6345189A JP S6345189 A JPS6345189 A JP S6345189A JP 22758586 A JP22758586 A JP 22758586A JP 22758586 A JP22758586 A JP 22758586A JP S6345189 A JPS6345189 A JP S6345189A
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- Japan
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- aluminum nitride
- conductive substrate
- substrate
- nitride layer
- high heat
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、電気絶縁材料の製造技術の分野に属する。
特に、高い熱伝導を必要とする電気回路用の基板を製造
する技術の分野に属する。さらには、セラミ’７りに関
する技術分野にも属する。
する技術の分野に属する。さらには、セラミ’７りに関
する技術分野にも属する。
ＩＣ等に代表される半導体素子の高集積化や大電力化が
進み、これに従って放熱性の良い電気絶縁材料が要求さ
れるようになった。これに応えて各種の高熱伝導性基板
が提案されている。これらのうちの代表的な例として多
層構造を有する基板が提案されている。たとえば、鉄ま
たはアルミニュウム素地板の面に樹脂層を形成して、放
熱性と絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニウム
素地板の面にアルマイト’Ｒを形成し、その上に樹脂層
を形成して構成した、電気絶縁性と高熱伝導性を具備さ
せた基板がそれに該当する。
進み、これに従って放熱性の良い電気絶縁材料が要求さ
れるようになった。これに応えて各種の高熱伝導性基板
が提案されている。これらのうちの代表的な例として多
層構造を有する基板が提案されている。たとえば、鉄ま
たはアルミニュウム素地板の面に樹脂層を形成して、放
熱性と絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニウム
素地板の面にアルマイト’Ｒを形成し、その上に樹脂層
を形成して構成した、電気絶縁性と高熱伝導性を具備さ
せた基板がそれに該当する。
一方、セラミックを素材として製造された基板として窒
化アルミニウムセラミック、酸化へリリウムセラミソク
、炭化ケイ素−酸化ベリリウムセラミック等が知られて
いる。
化アルミニウムセラミック、酸化へリリウムセラミソク
、炭化ケイ素−酸化ベリリウムセラミック等が知られて
いる。
しかし、上記の各基板は熱伝導性が充分でなく、あるい
は価格が高い等の欠点があり、この両面において満足さ
れるような基板は未だ提供されてはいない、そこで、熱
伝導、価格の両方の点で優れた高熱伝導性基板が、業界
において要望されていた。
は価格が高い等の欠点があり、この両面において満足さ
れるような基板は未だ提供されてはいない、そこで、熱
伝導、価格の両方の点で優れた高熱伝導性基板が、業界
において要望されていた。
この発明は、電気絶縁性を有すると共に、熱伝導性に優
れた基板を提供することを目的とする。
れた基板を提供することを目的とする。
σ発明の開示〕
この発明は、黒鉛素地板の表面に窒化アルミニウム層を
形成してなる点に特徴を有する。
形成してなる点に特徴を有する。
窒化アルミニウム層は、例えば、アルミニウム化合物の
電気から目的の物・質をたい積させる、いわゆるＣＶＤ
法により形成される。ただし、特に窒化アルミニウム層
の製法を限定する趣旨ではない。目的の層が得られれば
どのような方法によるのも自由である。たとえば、窒化
アルミニウム層を形成する場合、反応ガスとしてＡ／１
Ｂｒ３、Ｎ２、Ｈ２およびＡｒを使用し、反応管内圧力
を２〜１００トールとし、誘導コイルを使用してプラズ
マ放電を発生させ、素地板温度は６００〜８００℃にし
て窒化アルミニウム層を生成させる。ただし、この条件
は一例である。窒化アルミニウム層の厚みは、特に限定
する趣旨ではないが、４〜３００μが望ましい。４μを
下回ると電気絶縁性に難点があり、これより厚みが大き
い方では特性的には問題ないが、３００μ以上の層を形
成することは、黒鉛基体とのミスマツチによるはく離等
の問題が生じる。また、ドクターブレード法による窒化
アルミニウム基板の製法と比較しても特に優位性は見い
出せない。
電気から目的の物・質をたい積させる、いわゆるＣＶＤ
法により形成される。ただし、特に窒化アルミニウム層
の製法を限定する趣旨ではない。目的の層が得られれば
どのような方法によるのも自由である。たとえば、窒化
アルミニウム層を形成する場合、反応ガスとしてＡ／１
Ｂｒ３、Ｎ２、Ｈ２およびＡｒを使用し、反応管内圧力
を２〜１００トールとし、誘導コイルを使用してプラズ
マ放電を発生させ、素地板温度は６００〜８００℃にし
て窒化アルミニウム層を生成させる。ただし、この条件
は一例である。窒化アルミニウム層の厚みは、特に限定
する趣旨ではないが、４〜３００μが望ましい。４μを
下回ると電気絶縁性に難点があり、これより厚みが大き
い方では特性的には問題ないが、３００μ以上の層を形
成することは、黒鉛基体とのミスマツチによるはく離等
の問題が生じる。また、ドクターブレード法による窒化
アルミニウム基板の製法と比較しても特に優位性は見い
出せない。
（実施例）
窒化アルミニウム層は、ＣＶＤ法を採用して形成した。
すなわち反応ガスとしては、ＡｌＢｒ３、Ｎ２Ｈ２およ
びＡｒを使用し、反応管内圧力を１０トールとし、誘導
コイルを使用してプラズマ放電を発生させ、素地板温度
は７００ ’Ｃで、窒化アルミニウム層を作成すること
により、各種の層厚を有する高熱伝導性基板を作成した
。
びＡｒを使用し、反応管内圧力を１０トールとし、誘導
コイルを使用してプラズマ放電を発生させ、素地板温度
は７００ ’Ｃで、窒化アルミニウム層を作成すること
により、各種の層厚を有する高熱伝導性基板を作成した
。
第１表に、これらの基板の熱伝導性を、熱抵抗値で示し
た。
た。
なお、比較例としては、９６％アルミナ基板、窒化アル
ミニウム基板および樹脂／Ａ／２複合基板の熱抵抗値を
示した。
ミニウム基板および樹脂／Ａ／２複合基板の熱抵抗値を
示した。
なお、熱抵抗値は、３鶴×３鶴のシリコンチップを実装
した場合の値である。
した場合の値である。
この発明に係る熱伝導性基板は、黒鉛素地板面に窒化ア
ルミニウム層を形成したことを特徴とするので、電気絶
縁性と熱伝導性に優れているという特徴がある。
ルミニウム層を形成したことを特徴とするので、電気絶
縁性と熱伝導性に優れているという特徴がある。
［以下余白コ
第 １ 表
Claims (2)
- （１）黒鉛素地板上に窒化アルミニウム層を形成したこ
とを特徴とする熱伝導性基板。 - （２）窒化アルミニウム層の厚みが、４〜３００μであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の熱伝導
性基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-95045 | 1986-04-24 | ||
| JP9504586 | 1986-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345189A true JPS6345189A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0323513B2 JPH0323513B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=14127095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22758586A Granted JPS6345189A (ja) | 1986-04-24 | 1986-09-25 | 高熱伝導性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006522732A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-05 | スケルトン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ダイヤモンド複合材料の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3219545B2 (ja) * | 1993-06-16 | 2001-10-15 | 電気化学工業株式会社 | 銅回路を有する酸化アルミニウム基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22758586A patent/JPS6345189A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7959887B2 (en) | 2003-04-04 | 2011-06-14 | Element Six Limited | Method for manufacturing a diamond composite |
| JP2006522732A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-05 | スケルトン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ダイヤモンド複合材料の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323513B2 (ja) | 1991-03-29 |
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