JPS6345705A - 電気絶縁材料 - Google Patents
電気絶縁材料Info
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- JPS6345705A JPS6345705A JP18930186A JP18930186A JPS6345705A JP S6345705 A JPS6345705 A JP S6345705A JP 18930186 A JP18930186 A JP 18930186A JP 18930186 A JP18930186 A JP 18930186A JP S6345705 A JPS6345705 A JP S6345705A
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- Japan
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- ethylene
- copolymer
- insulating material
- aromatic compound
- phenyl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は衝撃電圧に対するすぐれた耐破壊強度を有し、
架橋特性にすぐれた電気絶縁材料に関するものである。
架橋特性にすぐれた電気絶縁材料に関するものである。
[従来技術]
従来から電カケープル用の絶縁材料としては種々のプラ
スチック材料が使用されている。特に高圧法ラジカル重
合による低密度ポリエチレンは安価で誘電旧失も少なく
加工性がよく、かつ架橋させて耐熱性を向上させ得るほ
かにイオン重合に比較して触媒残渣等の異物の混入によ
るトリー現象の懸念が少ない等の多くの利点を有してい
ることから、電カケープル用として広く利用されている
。
スチック材料が使用されている。特に高圧法ラジカル重
合による低密度ポリエチレンは安価で誘電旧失も少なく
加工性がよく、かつ架橋させて耐熱性を向上させ得るほ
かにイオン重合に比較して触媒残渣等の異物の混入によ
るトリー現象の懸念が少ない等の多くの利点を有してい
ることから、電カケープル用として広く利用されている
。
このような架橋ポリエチレン電カケープルの問題点の一
つは、絶縁耐力の不足であり、高電圧電カケープルの絶
縁層の肉厚化、即ちケーブル外径の増大をもたらし、ケ
ーブルの運搬、布設に対して大きな障害となる。
つは、絶縁耐力の不足であり、高電圧電カケープルの絶
縁層の肉厚化、即ちケーブル外径の増大をもたらし、ケ
ーブルの運搬、布設に対して大きな障害となる。
上記の絶縁耐力を改良する試みとして、エチレン重合体
に芳香族環を導入する方法が提案されている。
に芳香族環を導入する方法が提案されている。
例えば、
1) ポリエチレンまたはオレフィン重合体にポリスチ
レン等の芳香族重合体を配合する方法〈特公昭38−2
0717号、特開昭50−142651@、特開昭52
−54187号公報)、 2) ポリエチレンにスチレンと共役ジエン類とのブロ
ック共重合体を配合する方法(特開昭52−41884
号公報)、 3) ポリエチレンにスチレンをグラフト重合さVる方
法(特公昭54−18760号公報)、4) ポリエチ
レンに電気絶縁油を台浸させる方法(特開昭49−33
938号公報)、等の多くが開示されている。
レン等の芳香族重合体を配合する方法〈特公昭38−2
0717号、特開昭50−142651@、特開昭52
−54187号公報)、 2) ポリエチレンにスチレンと共役ジエン類とのブロ
ック共重合体を配合する方法(特開昭52−41884
号公報)、 3) ポリエチレンにスチレンをグラフト重合さVる方
法(特公昭54−18760号公報)、4) ポリエチ
レンに電気絶縁油を台浸させる方法(特開昭49−33
938号公報)、等の多くが開示されている。
しかしながら、上記のいずれの方法においても充分な絶
縁耐力を向上せしめるには至っていないばかりでなく、
1)の方法はポリエチレンもしくはポリオレフィンとス
チレン重合体との相溶性が悪い。2)の方法は耐熱性の
低下や押出加工性が悪化する。3)の方法はポリエチレ
ンの高温域での衝撃電圧に対する破壊強度を改良するた
めに、予め架橋したポリエチレンにスチレンをグラフト
重合するための繁雑な装置や工程を必要とするばかりで
なく、低温域での衝撃電圧による破壊強度が未処理の原
料ポリエチレンのそれよりも劣るという欠点を有する。
縁耐力を向上せしめるには至っていないばかりでなく、
1)の方法はポリエチレンもしくはポリオレフィンとス
チレン重合体との相溶性が悪い。2)の方法は耐熱性の
低下や押出加工性が悪化する。3)の方法はポリエチレ
ンの高温域での衝撃電圧に対する破壊強度を改良するた
めに、予め架橋したポリエチレンにスチレンをグラフト
重合するための繁雑な装置や工程を必要とするばかりで
なく、低温域での衝撃電圧による破壊強度が未処理の原
料ポリエチレンのそれよりも劣るという欠点を有する。
4)の方法は長期に使用した場合−1あるいは環境の変
化によって、練り込んだ電気絶縁油がブリードしてきた
り、効果が前記3者の方法より劣る等、いずれの方法に
おいても充分な方法とはいえず、長期にわたり安定で、
より性能の良い絶縁材料の出現が望まれている。
化によって、練り込んだ電気絶縁油がブリードしてきた
り、効果が前記3者の方法より劣る等、いずれの方法に
おいても充分な方法とはいえず、長期にわたり安定で、
より性能の良い絶縁材料の出現が望まれている。
また、耐熱性向上のための架橋処理においてポリエチレ
ンの架橋性が充分でなく、高耐熱性の絶縁層が得られな
い。また架橋速度が遅いために生産速度を大きくするこ
とが困難である。
ンの架橋性が充分でなく、高耐熱性の絶縁層が得られな
い。また架橋速度が遅いために生産速度を大きくするこ
とが困難である。
したがって、架橋特性に優れた絶縁材料が望まれている
。
。
[発明の目的]
本発明は上記の点に鑑み、従来の絶縁材料に比べ絶縁耐
力、架橋特性に優れた電気絶縁材料の提供を目的とする
ものである。
力、架橋特性に優れた電気絶縁材料の提供を目的とする
ものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明の前記目的は、1分子巾に炭素−炭素二重結合を
1個有する1〜3環芳香族化合物および非共役ジエンの
存在下、エチレンもしくはエチレンとエチレン性不飽和
単G体との混合物を重合圧力500〜4000Kg/
ci 1重合In li 50〜400℃の条件下にて
高圧ラジカル重合して得られたエチレン共重合体もしく
は該共重合体と他のエチレン光重合体を配合してなる組
成物であって、 該共重合体もしくは組成物中に芳香族化合物に由来する
単位を0.005〜1モル%含み、かつ該共重合体もし
くは組成物のヨウ素価が0.2〜20の節回にあること
を特徴とする電気絶縁材料の提供によって達成される。
1個有する1〜3環芳香族化合物および非共役ジエンの
存在下、エチレンもしくはエチレンとエチレン性不飽和
単G体との混合物を重合圧力500〜4000Kg/
ci 1重合In li 50〜400℃の条件下にて
高圧ラジカル重合して得られたエチレン共重合体もしく
は該共重合体と他のエチレン光重合体を配合してなる組
成物であって、 該共重合体もしくは組成物中に芳香族化合物に由来する
単位を0.005〜1モル%含み、かつ該共重合体もし
くは組成物のヨウ素価が0.2〜20の節回にあること
を特徴とする電気絶縁材料の提供によって達成される。
本発明で用いる1分子巾に炭素−炭素二重結合を1個有
する1〜3環芳香族化合物は各種のものが好ましく使用
できる。特に芳香族炭化水素化合物が好まししX。
する1〜3環芳香族化合物は各種のものが好ましく使用
できる。特に芳香族炭化水素化合物が好まししX。
代表的な化合物を以下に例示するが本発明はこれらに限
定されるものではない。
定されるものではない。
まず1分子巾に炭素−炭素二重結合およびベンゼン環を
各1個有する単環芳香族化合物の代表的なものとしては
スチレン系モノマーが挙げられる。
各1個有する単環芳香族化合物の代表的なものとしては
スチレン系モノマーが挙げられる。
たとえばスチレン、核置換スチレン(たとえばメチルス
チレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、メトキシ
スチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、ビニル
安息香酸メチル、ビニルベンジルアセテート、ヒドロキ
シスチレン、ジビニルベンゼン)、α−置換スチレン(
たとえばα−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α
−クロロスチレン)、β−置換スチレン(たとえばβ−
メチルスチレン、β−エチルスチレン、β−クロロスヂ
レン)等である。
チレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、メトキシ
スチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、ビニル
安息香酸メチル、ビニルベンジルアセテート、ヒドロキ
シスチレン、ジビニルベンゼン)、α−置換スチレン(
たとえばα−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α
−クロロスチレン)、β−置換スチレン(たとえばβ−
メチルスチレン、β−エチルスチレン、β−クロロスヂ
レン)等である。
この他下記一般式(I)および(II)で表わされるも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
一般式
〔式中、R4は炭素数が1または2のアルキレン基を表
わし、R2は水素原子、塩素原子、または炭素数1〜4
の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表わず。またnはO
〜3の整数である。〕上記式(I)の具体的な化合物と
してはフリルベンゼン、4−フェニル−1−ブテン、ア
リルトルエン、4−トリルブテン−1、アリル−3eC
−ブヂルベンゼン、クロロアリルベンゼン等が挙げられ
る。
わし、R2は水素原子、塩素原子、または炭素数1〜4
の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表わず。またnはO
〜3の整数である。〕上記式(I)の具体的な化合物と
してはフリルベンゼン、4−フェニル−1−ブテン、ア
リルトルエン、4−トリルブテン−1、アリル−3eC
−ブヂルベンゼン、クロロアリルベンゼン等が挙げられ
る。
一般式
〔式中、R1は水素原子またはメチル基を表わし、R2
は水素原子、塩素原子、または炭素数1〜4の直鎖もし
くは分岐のアルキル基を表わす。〕上記式(II)の具
体的な化合物としてはメタクリル酸ベンジル、メタクリ
ル酸メチルベンジル、メタクリル酸クロロベンジル、ア
クリル酸ベンジル、アクリル酸メチルベンジル、アクリ
ル酸クロロベンジル等が挙げられる。
は水素原子、塩素原子、または炭素数1〜4の直鎖もし
くは分岐のアルキル基を表わす。〕上記式(II)の具
体的な化合物としてはメタクリル酸ベンジル、メタクリ
ル酸メチルベンジル、メタクリル酸クロロベンジル、ア
クリル酸ベンジル、アクリル酸メチルベンジル、アクリ
ル酸クロロベンジル等が挙げられる。
さらにはインデンおよびその誘導体のごときインデン類
、アルケニルベンゼンおよびその誘導体、フェニルシク
ロヘキセンのとときアリールシクロアルケンおよびその
誘導体等が代表的なものである。
、アルケニルベンゼンおよびその誘導体、フェニルシク
ロヘキセンのとときアリールシクロアルケンおよびその
誘導体等が代表的なものである。
またこれらおよびスチレン系モノマー、上記(I)およ
び(II)の化合物の誘導体の置換体として塩素のごと
きハロゲンによるハロゲン置換体、メトキシ基、カルボ
キシル基、エーテル結合、エステル結合、フェノール性
水酸基、アルコール性水酸基、等を有する含酸素誘導体
、イオウ原子、窒素原子を有する誘導体等が挙げられる
。具体的にはメトキシ−β−メチルスチレン、クロルフ
ェニルシクロヘキセン、フェニルビニルエーテル等であ
る。
び(II)の化合物の誘導体の置換体として塩素のごと
きハロゲンによるハロゲン置換体、メトキシ基、カルボ
キシル基、エーテル結合、エステル結合、フェノール性
水酸基、アルコール性水酸基、等を有する含酸素誘導体
、イオウ原子、窒素原子を有する誘導体等が挙げられる
。具体的にはメトキシ−β−メチルスチレン、クロルフ
ェニルシクロヘキセン、フェニルビニルエーテル等であ
る。
1分子巾に炭素−炭素二重結合を1個有する2環芳香族
化合物としては、まず、縮合または非縮合型の2環芳香
族環を右するオレフィンが挙げられる。
化合物としては、まず、縮合または非縮合型の2環芳香
族環を右するオレフィンが挙げられる。
このオレフィンには、シクロペンテン、シクロヘキセン
などの環状オレフィン誘導体と鎖状オレフィン誘導体と
があり、たとえば、このようなオレノィンには、次の一
般式(III)ないしく IV )で表わされるような
化合物がある。
などの環状オレフィン誘導体と鎖状オレフィン誘導体と
があり、たとえば、このようなオレノィンには、次の一
般式(III)ないしく IV )で表わされるような
化合物がある。
〔式中、R1は不飽和二重結合を1個有するアルケニレ
ン基またはシクロアルケニレン基である。
ン基またはシクロアルケニレン基である。
また、mおよびnGio〜3の整数であり、m個のRお
よびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、それら
は水素原子またはアルキル基である〕 一般式 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
であり、R5はアルキレン基またはシクロアルキレン基
である。また、mおよびnは0〜3の整数であり、m個
のR2およびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり
、それらは水素原子またはアルキル基である〕 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
である。また、mおよびnは0〜3の整数であり、m個
のRおよびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、
それらは水素原子またはアルキル基である〕 一般式 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
である。また、mおよびnはO〜3の整数であり、m個
のRおよびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、
それらは水素原子またはアルキル基である〕 上記式(I[I)におけるR1のアルケニレン基もしく
はシクロアルケニレン基は、エチレン、プロピレン、ブ
テン、イソブチン、ペンテン、メチルペンテン、ヘキセ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセンまたはアルキルシ
クロヘキセン等から2個の水素原子を除いた2価の置換
基であり、また、アルキル基R2およびR3は、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソ
ブチル、5ec−ブチル、tert−ブチルおよびアミ
ル基等である。
よびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、それら
は水素原子またはアルキル基である〕 一般式 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
であり、R5はアルキレン基またはシクロアルキレン基
である。また、mおよびnは0〜3の整数であり、m個
のR2およびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり
、それらは水素原子またはアルキル基である〕 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
である。また、mおよびnは0〜3の整数であり、m個
のRおよびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、
それらは水素原子またはアルキル基である〕 一般式 〔式中、R4はアルケニル基またはシクロアルケニル基
である。また、mおよびnはO〜3の整数であり、m個
のRおよびn個のR3はそれぞれ同一もしくは異なり、
それらは水素原子またはアルキル基である〕 上記式(I[I)におけるR1のアルケニレン基もしく
はシクロアルケニレン基は、エチレン、プロピレン、ブ
テン、イソブチン、ペンテン、メチルペンテン、ヘキセ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセンまたはアルキルシ
クロヘキセン等から2個の水素原子を除いた2価の置換
基であり、また、アルキル基R2およびR3は、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソ
ブチル、5ec−ブチル、tert−ブチルおよびアミ
ル基等である。
式(III)の具体的な化合物としては1.1−ジフェ
ニルエチレン、1,1−ジトリルエチレン、1.1−ジ
クミルエチレン、1.1−ジ(ブチルフェニル)エチレ
ン、1.1−ジ(クロロフェニル)エチレン、1−フェ
ニル−1−トリルエチレン、1−フェニル−1−キシリ
ルエチレン、スチルベン、4−メチルスチルベン、1.
2−ジフェニルプロペン、1.3−ジフェニルプロペン
、1.4−ジフェニルブテン−1,1,4−ジフェニル
ブテン−2,1,1−ジフェニルプロペン−1,2,3
−ジフェニルプロペン、1.2−ジフェニルブテン−2
,1,3−ジフェニルブテン−1,2,4−ジフェニル
−゛4−メチルペンテンー1.2.4−ジフェニルブテ
ン−1,2,4−ジフェニルペンテン−1,2,4−ジ
トリルブテン−1,2,4−ジトリルペンテン−1,2
,4−ジトリル−4−メチルペンテン−1,1,2−ジ
フェニルシク、ロヘキセン、フェニルベンジルシクロヘ
キセン等がある。
ニルエチレン、1,1−ジトリルエチレン、1.1−ジ
クミルエチレン、1.1−ジ(ブチルフェニル)エチレ
ン、1.1−ジ(クロロフェニル)エチレン、1−フェ
ニル−1−トリルエチレン、1−フェニル−1−キシリ
ルエチレン、スチルベン、4−メチルスチルベン、1.
2−ジフェニルプロペン、1.3−ジフェニルプロペン
、1.4−ジフェニルブテン−1,1,4−ジフェニル
ブテン−2,1,1−ジフェニルプロペン−1,2,3
−ジフェニルプロペン、1.2−ジフェニルブテン−2
,1,3−ジフェニルブテン−1,2,4−ジフェニル
−゛4−メチルペンテンー1.2.4−ジフェニルブテ
ン−1,2,4−ジフェニルペンテン−1,2,4−ジ
トリルブテン−1,2,4−ジトリルペンテン−1,2
,4−ジトリル−4−メチルペンテン−1,1,2−ジ
フェニルシク、ロヘキセン、フェニルベンジルシクロヘ
キセン等がある。
これらは、スチレンまたはα−メチルスチレンやビニル
トルエン等のスチレン類の1m媒による二層化または共
二り化によって製造することができる。
トルエン等のスチレン類の1m媒による二層化または共
二り化によって製造することができる。
また、スチルベン等はペンズアルデ七ドと臭化ベンジル
マグネシウムとを反応させ、脱水させればよく、1.2
−ジフェニルプロペンも同□様である。さらに1,1−
ジフェニルエチレンはジフェニルケトンにヨウ化メチル
マグネシウム等のグリニヤール試薬を反応させ脱水づる
ことにより151られる。
マグネシウムとを反応させ、脱水させればよく、1.2
−ジフェニルプロペンも同□様である。さらに1,1−
ジフェニルエチレンはジフェニルケトンにヨウ化メチル
マグネシウム等のグリニヤール試薬を反応させ脱水づる
ことにより151られる。
式(IV)の化合物におけるR4は、ビニル、プロベニ
ル、イソプロペニル、フリル、ブテニル、シクロペンテ
ニル、シクロへキセニル等のアルケニル基またはシクロ
アルケニル基であり、R5は、鎖状飽和脂肪族炭化水素
またはシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ンなどの飽和脂環式炭化水素から水素原子が2個除かれ
た2価の置換基である。また、アルキル基であるR2お
よびR3は式(II)におけるR2およびR3と同様で
ある。
ル、イソプロペニル、フリル、ブテニル、シクロペンテ
ニル、シクロへキセニル等のアルケニル基またはシクロ
アルケニル基であり、R5は、鎖状飽和脂肪族炭化水素
またはシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ンなどの飽和脂環式炭化水素から水素原子が2個除かれ
た2価の置換基である。また、アルキル基であるR2お
よびR3は式(II)におけるR2およびR3と同様で
ある。
式(IV)の具体的な化合物としては1−フェニル−1
−スチリルエタン、1−フェニル−1−スチリルプロパ
ン、1−キシリル−1−スチリルエタン、1−3ec−
ブチルフェニル−1−スチリルエタン、1−クロロフェ
ニル−1−スチリルエタン、1−フェニル−1−(4−
ビニルフェニル)エタン、1−(4−メチルフェニル)
−1−(4−ビニルフェニル)エタン、1−フェニル−
1−(4−イソプロペニルフェニル)エタン、フエニル
ー(4−ビニルフェニル)メタン、フェニル−(シフD
へキセニルフェニル)メタン等である。
−スチリルエタン、1−フェニル−1−スチリルプロパ
ン、1−キシリル−1−スチリルエタン、1−3ec−
ブチルフェニル−1−スチリルエタン、1−クロロフェ
ニル−1−スチリルエタン、1−フェニル−1−(4−
ビニルフェニル)エタン、1−(4−メチルフェニル)
−1−(4−ビニルフェニル)エタン、1−フェニル−
1−(4−イソプロペニルフェニル)エタン、フエニル
ー(4−ビニルフェニル)メタン、フェニル−(シフD
へキセニルフェニル)メタン等である。
これらは種々の合成化学的手法で合成でき、たとえば、
フェニル−(ビニルフェニル)エタンなどは、ジフェニ
ルエタンにフリーデル・クラフッ触媒によりアセチルク
ロライドを反応させ、フェニル−(アセチルフェニル)
エタンを得て、次いで、水素化ホウ素ナトリウムなどで
還元した後に脱水させて得られる。フェニル−(イソプ
ロペニルフェニル)エタン等は、フェニル−(ホルミル
フェニル)エタンにヨウ化メチルマグネシウム等のグリ
ニヤール試薬を反応させ、その後脱水させることによっ
て得ることができる。
フェニル−(ビニルフェニル)エタンなどは、ジフェニ
ルエタンにフリーデル・クラフッ触媒によりアセチルク
ロライドを反応させ、フェニル−(アセチルフェニル)
エタンを得て、次いで、水素化ホウ素ナトリウムなどで
還元した後に脱水させて得られる。フェニル−(イソプ
ロペニルフェニル)エタン等は、フェニル−(ホルミル
フェニル)エタンにヨウ化メチルマグネシウム等のグリ
ニヤール試薬を反応させ、その後脱水させることによっ
て得ることができる。
また、式(’/)におけるアルケニル基またはシクロア
ルケニル基であるR4は、式(IV)におけるR4は同
様であり、また、アルキル基としてのR2およびR3も
式(IV)におけるR2およびR3と同様である。
ルケニル基であるR4は、式(IV)におけるR4は同
様であり、また、アルキル基としてのR2およびR3も
式(IV)におけるR2およびR3と同様である。
この式(V)の具体的化合物としては、アリルビフェニ
ル、ビニルビフェニル、2−イソプロペニルビフェニル
、4−イソブロベニルビフエ÷ル、2−イソプロペニル
−4′ −イソプロピルピフェニル、シクロへキセニル
ビフェニル、シクロペンテニルビフェニル等がある。こ
れらのうち、たとえば、イソプロペニルビフェニルは、
イソプロピルビフェニルの脱水素等により得ることがで
きる。
ル、ビニルビフェニル、2−イソプロペニルビフェニル
、4−イソブロベニルビフエ÷ル、2−イソプロペニル
−4′ −イソプロピルピフェニル、シクロへキセニル
ビフェニル、シクロペンテニルビフェニル等がある。こ
れらのうち、たとえば、イソプロペニルビフェニルは、
イソプロピルビフェニルの脱水素等により得ることがで
きる。
さらに11式(Vl)におけるアルケニル基またはシク
ロアルケニル基としてのR4も、式(IV)におけるR
4と同様であり、また、アルキル基としてのR2および
R3も、式(IV)におけるR2およびR3と同様であ
る。
ロアルケニル基としてのR4も、式(IV)におけるR
4と同様であり、また、アルキル基としてのR2および
R3も、式(IV)におけるR2およびR3と同様であ
る。
この式(Vl)の具体的化合物としては、α−ビニルナ
フタレン、イソプロベニルナフタレン、アリルナフタレ
ン、1−シクロペント−2−エニルナフタレン等がある
。これらのうち、たとえば、ビニルナフタレンはホルミ
ルナフタレンに]つ化メチルマグネシウム等のグリニヤ
ール試薬を反応させ、次いで脱水させることにより得る
ことができる。
フタレン、イソプロベニルナフタレン、アリルナフタレ
ン、1−シクロペント−2−エニルナフタレン等がある
。これらのうち、たとえば、ビニルナフタレンはホルミ
ルナフタレンに]つ化メチルマグネシウム等のグリニヤ
ール試薬を反応させ、次いで脱水させることにより得る
ことができる。
他の2環芳香族オレフインの例として、メタクリル酸フ
ェニルベンジル、アクリル酸フェニルベンジル、アリー
ルインデン類、アルキルインデン類、アセナフチレン類
が挙げられる。
ェニルベンジル、アクリル酸フェニルベンジル、アリー
ルインデン類、アルキルインデン類、アセナフチレン類
が挙げられる。
3環芳香族オレフインの例として次の一般式(■)〜(
XI)で示されるものが挙げられる。
XI)で示されるものが挙げられる。
〔式中、R,R2およびR3は水素原子または炭素数1
〜4のエチレン性二重粘1合を右することのある脂肪族
性炭化水素残塁であり、1.mは0〜3の整数であり、
nは0〜2の整数である。但し、1個のR、m個のR2
およびn個のR3の有するエチレン性二重結合の合計は
1である。〕 一般式(Vl )で表される具体的な化合物の例として
は、1−ビニルアンスラ井ン、2−ビニルアンスラセン
、9−ビニルアンスラセン、2−イソプロペニルアンス
ラセン1.9−プロペニル−10−〔式中、R、Rおよ
びR3は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二@
結合を有することのある脂肪族性炭化水素残基であり、
1.mはO〜3の整数であり、nはO〜2の整数である
。但し、1個のR、m個のR2およびnl1のR3の有
するエチレン性二重結合の合ilは1である。〕 一般式(■)で表される具体的な化合物の例としては、
2−ビニルフェナンスレン、3−イソプロベニルフェナ
ンスレン、3−ビニルフェナンスレン、9−ビニルフェ
ナンスレン等がある。
〜4のエチレン性二重粘1合を右することのある脂肪族
性炭化水素残塁であり、1.mは0〜3の整数であり、
nは0〜2の整数である。但し、1個のR、m個のR2
およびn個のR3の有するエチレン性二重結合の合計は
1である。〕 一般式(Vl )で表される具体的な化合物の例として
は、1−ビニルアンスラ井ン、2−ビニルアンスラセン
、9−ビニルアンスラセン、2−イソプロペニルアンス
ラセン1.9−プロペニル−10−〔式中、R、Rおよ
びR3は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二@
結合を有することのある脂肪族性炭化水素残基であり、
1.mはO〜3の整数であり、nはO〜2の整数である
。但し、1個のR、m個のR2およびnl1のR3の有
するエチレン性二重結合の合ilは1である。〕 一般式(■)で表される具体的な化合物の例としては、
2−ビニルフェナンスレン、3−イソプロベニルフェナ
ンスレン、3−ビニルフェナンスレン、9−ビニルフェ
ナンスレン等がある。
(R2)、(R3)。
〔式中、R1は炭素数1〜4のエチレン性二重結合を有
することのある脂肪族炭化水素残塁であり、R2−R4
は水素原子もしくは炭素数1〜4のエチレン性二重結合
を含むことのある脂肪族炭化水素残基である。k G、
t Oまたは1であり、1、m、nはそれぞれO〜3の
整数である。但し、R,1@のR1m個のR3およびn
個のR4のエチレン性二重結合の合J1は1である〕一
般式<IX)で表される具体的な化合物の例としては、 1−フェニル−2−(1−ナフチル)エチレン、1−フ
ェニル−2−(2−ナフチル)エチレン、1−フェニル
−1〜(1−ナフチル)エチレン、1−フェニル−1−
(2−ナフチル)エチレン、1−フェニル−1−(1−
ナフチル)プロペン、1−フェニル−1−(2−ナフチ
ル)プロペン、1−フェニル−2−(2−ナフチル)プ
ロペン、1−(1−ナフチル)−2−0−トリルエチレ
ン等がある。
することのある脂肪族炭化水素残塁であり、R2−R4
は水素原子もしくは炭素数1〜4のエチレン性二重結合
を含むことのある脂肪族炭化水素残基である。k G、
t Oまたは1であり、1、m、nはそれぞれO〜3の
整数である。但し、R,1@のR1m個のR3およびn
個のR4のエチレン性二重結合の合J1は1である〕一
般式<IX)で表される具体的な化合物の例としては、 1−フェニル−2−(1−ナフチル)エチレン、1−フ
ェニル−2−(2−ナフチル)エチレン、1−フェニル
−1〜(1−ナフチル)エチレン、1−フェニル−1−
(2−ナフチル)エチレン、1−フェニル−1−(1−
ナフチル)プロペン、1−フェニル−1−(2−ナフチ
ル)プロペン、1−フェニル−2−(2−ナフチル)プ
ロペン、1−(1−ナフチル)−2−0−トリルエチレ
ン等がある。
一般式
〔式中、RおよびR2は炭素数1〜4のエヂレン性二重
結合を有することのある脂肪族炭化水素残塁であり、R
3−R5は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二
重結合を有することのある脂肪族炭化水素残基である。
結合を有することのある脂肪族炭化水素残塁であり、R
3−R5は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二
重結合を有することのある脂肪族炭化水素残基である。
jおよびkは0または1であり、1.mおよびnはO〜
3の整数である。但し、R,R2,1個のR3、m個の
R4およびn個のR5のエチレン性二重結合の合計は1
である〕 上記一般式(X)で表される具体的な化合物の例として
は、2−フェニルスチルベン、4−フェニルスチルベン
、1−フェニル−1−ビフェニルエチレン、4−ベンジ
ルスチルベン、1−ビフェニル−4−イル−1−p−ト
リルエチレン、1−ビフェニル−4−イル−2−フェニ
ルプロペン、1−フェニル−2−(4−ベンジルフェニ
ル)プロペン、1−フェニル−1−(ベンジルフェニル
)エチレン、1−トリル−1−(ベンジルフェニル)エ
チレン、1−フェニル−1−(フェニルニブル−フェニ
ル)エチレン等がある。
3の整数である。但し、R,R2,1個のR3、m個の
R4およびn個のR5のエチレン性二重結合の合計は1
である〕 上記一般式(X)で表される具体的な化合物の例として
は、2−フェニルスチルベン、4−フェニルスチルベン
、1−フェニル−1−ビフェニルエチレン、4−ベンジ
ルスチルベン、1−ビフェニル−4−イル−1−p−ト
リルエチレン、1−ビフェニル−4−イル−2−フェニ
ルプロペン、1−フェニル−2−(4−ベンジルフェニ
ル)プロペン、1−フェニル−1−(ベンジルフェニル
)エチレン、1−トリル−1−(ベンジルフェニル)エ
チレン、1−フェニル−1−(フェニルニブル−フェニ
ル)エチレン等がある。
〔式中、R1は炭素数1〜4の□エチレン性二重結合を
′riすることのある脂肪族炭化水素残基であり、1(
〜R4は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二重
結合を有することのある脂肪族炭化水素残塁である。ま
た、1.mお゛よびnはO〜3の整数である。但し R
11個のR1m個のRおよびn個のR4のエチレン性二
重結合の合計は1である〕 上記一般式(XI)で表される具体的な化合物の例とし
ては、1,1.2−トリフェニルエチレン、1.1.2
−トリフェニルプロペン、1.1.3−トリフェニルブ
テン、1.1−ジフェニル−2−0−トリルエチレン、
1.1−ジフェニル−2−p−トリルエチレンおよび3
.3.3−トリフェニルプロペン−1等がある。
′riすることのある脂肪族炭化水素残基であり、1(
〜R4は水素原子または炭素数1〜4のエチレン性二重
結合を有することのある脂肪族炭化水素残塁である。ま
た、1.mお゛よびnはO〜3の整数である。但し R
11個のR1m個のRおよびn個のR4のエチレン性二
重結合の合計は1である〕 上記一般式(XI)で表される具体的な化合物の例とし
ては、1,1.2−トリフェニルエチレン、1.1.2
−トリフェニルプロペン、1.1.3−トリフェニルブ
テン、1.1−ジフェニル−2−0−トリルエチレン、
1.1−ジフェニル−2−p−トリルエチレンおよび3
.3.3−トリフェニルプロペン−1等がある。
上記の化合物は、本発明の電気絶縁材料の製造に適用し
得るものを例示したものであり、本発明はこれらのみに
よって限定されるものではない。
得るものを例示したものであり、本発明はこれらのみに
よって限定されるものではない。
これらの芳香族オレフィンは、種々の合成化学的手法、
例えばグリニヤール反応を利用してアルコールを製造し
、これを脱水することにより得ることができる。
例えばグリニヤール反応を利用してアルコールを製造し
、これを脱水することにより得ることができる。
例えば、1−フェニル−1−ナフチルエチレンは、ブロ
モナフタレンからのグリニヤール試薬を7セトフエノン
に反応させ、得られた1−フェニル−1−ナフチルエタ
ノールを脱水することにより得られる。また、ビニルア
ンスラセンは、ブロモアンスラセンからのグリニヤール
1tlFiとアセトアルデヒドとを反応させ、得られた
ヒドロキシエチルアンスラセンを脱水することにより得
ることができる。
モナフタレンからのグリニヤール試薬を7セトフエノン
に反応させ、得られた1−フェニル−1−ナフチルエタ
ノールを脱水することにより得られる。また、ビニルア
ンスラセンは、ブロモアンスラセンからのグリニヤール
1tlFiとアセトアルデヒドとを反応させ、得られた
ヒドロキシエチルアンスラセンを脱水することにより得
ることができる。
さらに前記の芳香族オレフィンは、飽和、すなわちエチ
レン性二市結合を有しない芳香族炭化水素を脱水糸する
ことによっても製造することができる。
レン性二市結合を有しない芳香族炭化水素を脱水糸する
ことによっても製造することができる。
すなわち、脱水素反応を利用する方法としては、綜合も
しくは非縮合型の芳香族環を三つ以上有する飽和芳香族
炭化水素を、適宜の脱水素触媒を用いて脱水素すること
により製造することができる。
しくは非縮合型の芳香族環を三つ以上有する飽和芳香族
炭化水素を、適宜の脱水素触媒を用いて脱水素すること
により製造することができる。
なお、ジオレフィンはモノオレフィンからも製造するこ
とができる。脱水素の際は、重合などの副反応は抑制す
るが、縮合もしくは非縮合型の芳香族環を三つ有する芳
香族炭化水素が生成するならば、分解反応などの副反応
が生じてもよい。
とができる。脱水素の際は、重合などの副反応は抑制す
るが、縮合もしくは非縮合型の芳香族環を三つ有する芳
香族炭化水素が生成するならば、分解反応などの副反応
が生じてもよい。
脱水素触媒は、特に限定されず任意の触媒を使用できる
。例えば、Cr 、 Fe 、 Cu 、 K、 MI
J 。
。例えば、Cr 、 Fe 、 Cu 、 K、 MI
J 。
Caなどの金BM化物の1種もしくは2種以上の混合物
、Pt 、Pd等の貴金属、またはこれら金属酸化物や
貴金属をアルミナ等の担体に担持させた脱水素触媒等が
ある。
、Pt 、Pd等の貴金属、またはこれら金属酸化物や
貴金属をアルミナ等の担体に担持させた脱水素触媒等が
ある。
脱水素反応の温度は、350〜650℃、好ましくは4
00〜600℃である。L HS V ハ、0.2〜1
0、好マしくは0.5〜3.0である。また脱水素に際
しては、分圧を下げるためや、炭素の析出を防止するた
めに、水蒸気、窒素、水素などのガスを存在させること
もできる。また必要に応じて、適宜の希釈剤を使用する
こともできる。しかしながら、通常は脱水素率をそれ程
高くせずに行なえば、原料自体Iが希釈剤になり得るの
で好都合である。
00〜600℃である。L HS V ハ、0.2〜1
0、好マしくは0.5〜3.0である。また脱水素に際
しては、分圧を下げるためや、炭素の析出を防止するた
めに、水蒸気、窒素、水素などのガスを存在させること
もできる。また必要に応じて、適宜の希釈剤を使用する
こともできる。しかしながら、通常は脱水素率をそれ程
高くせずに行なえば、原料自体Iが希釈剤になり得るの
で好都合である。
上記の脱水素により、エチルアンスラセンからごニルア
ンスラセンが、また、フェニルナフチルエタンからはフ
ェニルナフチルエチレンが、さらに、フェニルビフェニ
リルエタンからはフェニルスチルベンがそれぞれ製造さ
れる。
ンスラセンが、また、フェニルナフチルエタンからはフ
ェニルナフチルエチレンが、さらに、フェニルビフェニ
リルエタンからはフェニルスチルベンがそれぞれ製造さ
れる。
上記例示の他に、3環芳香族オレフインとしては、ジア
リールインデン類、ジアラルキルインデン類、ターフェ
ニル類等が挙げられる。
リールインデン類、ジアラルキルインデン類、ターフェ
ニル類等が挙げられる。
上記した2〜3環芳香族オレフインの誘導体として塩素
、臭素のごときハロゲン置換体、メトキシ基、カルボキ
シル 結合、エステル結合、フェノール性水酸基、アルコール
性水酸基等を有する含酸素誘導体、イオウ原子、窒素原
子を有する誘導体が挙げられる。
、臭素のごときハロゲン置換体、メトキシ基、カルボキ
シル 結合、エステル結合、フェノール性水酸基、アルコール
性水酸基等を有する含酸素誘導体、イオウ原子、窒素原
子を有する誘導体が挙げられる。
上記式(I)〜(Xりの芳香族オレフィンおよびその誘
導体のほかに、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸
、フマル酸のごとき不飽和のカルボン酸、あるいはビニ
ルエステル等のごとき二重結合を11Ilil有する基
にビフェニル、ナフタレン、ジアリールアルカン リアリールシアルカン スレン、アリールナフタレン、7ラルキルナフタレン、
ターフェニル等の2〜3環の芳香FA環t¥i位もしく
はこれらの誘導体が結合した芳香族化合物も使用できる
。
導体のほかに、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸
、フマル酸のごとき不飽和のカルボン酸、あるいはビニ
ルエステル等のごとき二重結合を11Ilil有する基
にビフェニル、ナフタレン、ジアリールアルカン リアリールシアルカン スレン、アリールナフタレン、7ラルキルナフタレン、
ターフェニル等の2〜3環の芳香FA環t¥i位もしく
はこれらの誘導体が結合した芳香族化合物も使用できる
。
上記した各種の芳香族化合物はいずれも、エチレンもし
くはエチレンを主成分とする他の単拳体との混合物の高
圧ラジカル重合によって、生成した重合体鎖中に重合体
成分として含まれうる構造的特徴を有している。
くはエチレンを主成分とする他の単拳体との混合物の高
圧ラジカル重合によって、生成した重合体鎖中に重合体
成分として含まれうる構造的特徴を有している。
またこれら各種の芳香族化合物の中でも単環芳香族化合
物が好ましい。この単環芳香族化合物の中でも特にスチ
レン系化合物が最も好ましい。
物が好ましい。この単環芳香族化合物の中でも特にスチ
レン系化合物が最も好ましい。
本発明で用いられる非共役ジエンとは炭素数5〜15の
ものであり、具体的にはシクロへキサジエン、ジシクロ
ペンタジェン、メチルテトラヒドロインデン、5−ビニ
ル−2−ノルボルネンのごときアルケニルノルボルネン
、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メチレン−
2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボ
ルネンのごときアルキリデンノルボルネン、6−クロロ
メチル−5−イソブ0ベニルー2ーノルボルネン、ノル
ボルナジェン、4−ビニルシクロヘキセンのごときアル
ケニルシクロヘキセン等のような環状非共役ジエン、1
.4−へキサジエン、1.6−オクタジエン、2−メチ
ル−1,5−ヘキサジエン、6−メチル−1,5−へブ
タジェン、7−メチル−1,6−オクタジエン、1.5
−ヘキサジエン等のような鎖状非共役ジエン等を例示す
ることができる。
ものであり、具体的にはシクロへキサジエン、ジシクロ
ペンタジェン、メチルテトラヒドロインデン、5−ビニ
ル−2−ノルボルネンのごときアルケニルノルボルネン
、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メチレン−
2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボ
ルネンのごときアルキリデンノルボルネン、6−クロロ
メチル−5−イソブ0ベニルー2ーノルボルネン、ノル
ボルナジェン、4−ビニルシクロヘキセンのごときアル
ケニルシクロヘキセン等のような環状非共役ジエン、1
.4−へキサジエン、1.6−オクタジエン、2−メチ
ル−1,5−ヘキサジエン、6−メチル−1,5−へブ
タジェン、7−メチル−1,6−オクタジエン、1.5
−ヘキサジエン等のような鎖状非共役ジエン等を例示す
ることができる。
上記非共役ジエンのうち、環状非共役ジエンが好ましく
、特に、5−ビニル−2−ノルボルネン、5−1チリデ
ン−2−ノルボルネンが好ましい。
、特に、5−ビニル−2−ノルボルネン、5−1チリデ
ン−2−ノルボルネンが好ましい。
また本発明のエチレン性不飽和単量体とは、プロピレン
、ブテン−1、ヘキセン−1,4−メチルペンテン−1
、オクテン−1、デセン−1等の炭素数3〜10のオレ
フィン類、スチレン、C2〜C3アルカンカルボン酸の
ビニルエステ□ル類、アー・グリル酸またはメタアクリ
ル酸メチル、アクリル酸またはメタアクリル酸エチル、
アクリル酸またはメタアクリル酸プロピル、グリシジル
アクリレートまたはグリシジルメタアクリレート等のア
クリル酸またはメタアクリル酸エステル類、アクリル酸
、メタアクリル酸、マレイン酸、フマル酸および無水マ
レイン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸またはその無
水物類、アクリル酸アミド、メタアクリル酸アミド、マ
レイン酸アミドおよびフマル酸アミド等のエチレン性不
飽和カルボン酸アミド等の群から選ばれた少なくとも1
種である。
、ブテン−1、ヘキセン−1,4−メチルペンテン−1
、オクテン−1、デセン−1等の炭素数3〜10のオレ
フィン類、スチレン、C2〜C3アルカンカルボン酸の
ビニルエステ□ル類、アー・グリル酸またはメタアクリ
ル酸メチル、アクリル酸またはメタアクリル酸エチル、
アクリル酸またはメタアクリル酸プロピル、グリシジル
アクリレートまたはグリシジルメタアクリレート等のア
クリル酸またはメタアクリル酸エステル類、アクリル酸
、メタアクリル酸、マレイン酸、フマル酸および無水マ
レイン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸またはその無
水物類、アクリル酸アミド、メタアクリル酸アミド、マ
レイン酸アミドおよびフマル酸アミド等のエチレン性不
飽和カルボン酸アミド等の群から選ばれた少なくとも1
種である。
上記エチレン性不飽和単量体の含有量は0〜10モル%
、好ましくは0〜7モル%、更に好ましくは0〜5モル
%の範囲で使用される。
、好ましくは0〜7モル%、更に好ましくは0〜5モル
%の範囲で使用される。
本発明のエチレン共重合体は、高圧下におけるラジカル
重合法により製造される。すなわち、高圧下におけるラ
ジカル重合法とは、重合圧力500〜4000Kg/
cd、好ましくは1000〜3500に!F / cj
、反応温度50〜400℃、好゛ましくG、1100〜
350℃の条件下、遊離基触媒および連鎖移動剤、必要
ならば助剤の存在下に種型または管型反応器内でエチレ
ンおよび芳香族化合物、さらに所望により他の単量体を
同時に、あるいは段階的に接触、重合させる方法をいう
。該芳香族化合物が固体の場合は溶剤に溶解して供給す
る。
重合法により製造される。すなわち、高圧下におけるラ
ジカル重合法とは、重合圧力500〜4000Kg/
cd、好ましくは1000〜3500に!F / cj
、反応温度50〜400℃、好゛ましくG、1100〜
350℃の条件下、遊離基触媒および連鎖移動剤、必要
ならば助剤の存在下に種型または管型反応器内でエチレ
ンおよび芳香族化合物、さらに所望により他の単量体を
同時に、あるいは段階的に接触、重合させる方法をいう
。該芳香族化合物が固体の場合は溶剤に溶解して供給す
る。
上記遊離基触媒としてはペルオキシド、ヒドロペルオキ
シド、アゾ化合物、アミンオキシド化合物、酸素等の通
例の開始剤が挙げられる。
シド、アゾ化合物、アミンオキシド化合物、酸素等の通
例の開始剤が挙げられる。
また連鎖移動剤としては水素、プロピレン、ブテン−1
、c −C2゜またはそれ以上の飽和脂肪族炭化水素
およびハロゲン置換炭化水素、例えば、メタン、エタン
、ブOパン、ブタン、イソブタン、n−ヘキサン、n−
へブタン、シクロパラフィン類、クロロホルムおよび四
塩化炭素、01〜”20またはぞれ以上の飽和脂肪族ア
ルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパツー
ルおよびイソプロパツール、C−C2oまたはそれ以上
の飽和服肪族カルボニル化合物、例えばアセトンおよび
メチルエチルケトンのような化合物等が挙げられる。
、c −C2゜またはそれ以上の飽和脂肪族炭化水素
およびハロゲン置換炭化水素、例えば、メタン、エタン
、ブOパン、ブタン、イソブタン、n−ヘキサン、n−
へブタン、シクロパラフィン類、クロロホルムおよび四
塩化炭素、01〜”20またはぞれ以上の飽和脂肪族ア
ルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパツー
ルおよびイソプロパツール、C−C2oまたはそれ以上
の飽和服肪族カルボニル化合物、例えばアセトンおよび
メチルエチルケトンのような化合物等が挙げられる。
本発明におけるエチレン共重合体中の芳香族化合物の含
mtよエチレン100モルに対して0□005〜1モル
、好ましくは0.01〜0.7モルが適当である。
・ 上記芳香族化合物が0005モル未満においては絶縁耐
力の改良効果がほとんどみられヂ、1.0モルを越える
場合には芳香族化合物を含まないときよりも絶縁耐力は
かえって低下するのみならず、高圧ラジカル重合用開始
剤の消費が大きいことおよび高価な芳香族化合物を多量
に使用することのために不経済であるし、連鎖移動反応
が激しくなりエチレン共重合体の分子量の低下が著しく
、電気絶縁材料として不適当な重合体になる。
mtよエチレン100モルに対して0□005〜1モル
、好ましくは0.01〜0.7モルが適当である。
・ 上記芳香族化合物が0005モル未満においては絶縁耐
力の改良効果がほとんどみられヂ、1.0モルを越える
場合には芳香族化合物を含まないときよりも絶縁耐力は
かえって低下するのみならず、高圧ラジカル重合用開始
剤の消費が大きいことおよび高価な芳香族化合物を多量
に使用することのために不経済であるし、連鎖移動反応
が激しくなりエチレン共重合体の分子量の低下が著しく
、電気絶縁材料として不適当な重合体になる。
また本発明におけるエチレン共重合体のヨウ素価は0.
2〜20が適当である。該ヨウ素価が0.2未満である
場合には架橋性の改良はみられず、したがって耐熱性も
向上しない。また20を超えた場合には架橋効率は飽和
に達してしまい耐熱性もそれ以上は改良されない。一 本発明におけるエチレン共重合体の密度は0.890〜
0.950g/ as3の範囲が望ましい。またメルト
インデックス(以下Mlと略す)は0.05〜50g/
10分、好ましくは0.1〜20g/10分、さらに好
ましくは0.2〜109/10分の範囲である。
2〜20が適当である。該ヨウ素価が0.2未満である
場合には架橋性の改良はみられず、したがって耐熱性も
向上しない。また20を超えた場合には架橋効率は飽和
に達してしまい耐熱性もそれ以上は改良されない。一 本発明におけるエチレン共重合体の密度は0.890〜
0.950g/ as3の範囲が望ましい。またメルト
インデックス(以下Mlと略す)は0.05〜50g/
10分、好ましくは0.1〜20g/10分、さらに好
ましくは0.2〜109/10分の範囲である。
本発明のエチレン共重合体は他の芳香族単位および非共
役ジエンを含まないエチレン系重合体を配合して使用す
ることができる。他のエチレン系重合体を配合した組成
物も、本発明の好ましい実施態様であり、組成物中の芳
香族単位含量およびヨウ素価が上記範囲にあることによ
り、組成物の絶縁耐力、耐熱性が改良される。
役ジエンを含まないエチレン系重合体を配合して使用す
ることができる。他のエチレン系重合体を配合した組成
物も、本発明の好ましい実施態様であり、組成物中の芳
香族単位含量およびヨウ素価が上記範囲にあることによ
り、組成物の絶縁耐力、耐熱性が改良される。
本発明のエチレン共重合体に配合する他のエチレン系重
合体としては、エチレン単独重合体、エチレンとプロピ
レン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘキセン−1,4−
メチルペンテン−1、オクテン−1、デセン−1等の炭
素数3〜12のα−オレフィンとの共重合体、エチレン
と酢酸ビニル、アクリル酸、アクリル酸エチル、メタク
リル酸、メタアクリル酸エチル、マレイン酸、無水マレ
イン酸等の極性基含有モノマーとの共重合体、あるいは
前記エチレン単独重合体もしくはエチレンとα−オレフ
ィン共重合体をアクリル酸、マレイン酸等の不飽和カル
ボンまたはその誘導体で変性した重合体等およびそれら
の混合物が挙げられる。
合体としては、エチレン単独重合体、エチレンとプロピ
レン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘキセン−1,4−
メチルペンテン−1、オクテン−1、デセン−1等の炭
素数3〜12のα−オレフィンとの共重合体、エチレン
と酢酸ビニル、アクリル酸、アクリル酸エチル、メタク
リル酸、メタアクリル酸エチル、マレイン酸、無水マレ
イン酸等の極性基含有モノマーとの共重合体、あるいは
前記エチレン単独重合体もしくはエチレンとα−オレフ
ィン共重合体をアクリル酸、マレイン酸等の不飽和カル
ボンまたはその誘導体で変性した重合体等およびそれら
の混合物が挙げられる。
[作用および発明の効果]
上述の如くしてWg造されるエチレン共重合体もしくは
該エチレン共重合体を含む組成物は電気絶縁材料として
絶縁耐力にすぐれ、架橋率架橋効率が高く、耐熱性にす
ぐれるので超高圧電カケ−プル用絶縁材料として非常に
有用である。
該エチレン共重合体を含む組成物は電気絶縁材料として
絶縁耐力にすぐれ、架橋率架橋効率が高く、耐熱性にす
ぐれるので超高圧電カケ−プル用絶縁材料として非常に
有用である。
また、本発明は、高圧ラジカル重合という比較的簡単な
プロセスで製造ができ、従来の複雑なグラフト、ブレン
ド工程を要しないという点においても、非常に優れるも
のである。
プロセスで製造ができ、従来の複雑なグラフト、ブレン
ド工程を要しないという点においても、非常に優れるも
のである。
本発明においては、エチレン共重合体またはエチレン系
重合体組成物の性質を著しく損わない範囲において、前
記他のエチレン系重合体以外のオレフィン重合体(共重
合体も含む)、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ABS樹脂、ポリスチレン、ポリフェ
ニレンオキサイド、ポリビニルアルコール系樹脂、塩化
ビニル系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂、ポリエステル系
樹脂等の熱可塑性樹脂、石油樹脂、クマロン−インデン
樹脂、エチレン−プロピレン系共重合体ゴム(EPR,
EPDM等) 、SBR,NBR。
重合体組成物の性質を著しく損わない範囲において、前
記他のエチレン系重合体以外のオレフィン重合体(共重
合体も含む)、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ABS樹脂、ポリスチレン、ポリフェ
ニレンオキサイド、ポリビニルアルコール系樹脂、塩化
ビニル系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂、ポリエステル系
樹脂等の熱可塑性樹脂、石油樹脂、クマロン−インデン
樹脂、エチレン−プロピレン系共重合体ゴム(EPR,
EPDM等) 、SBR,NBR。
ブタジェンゴム、IIR,クロロプレンゴム、イソプレ
ンゴム、スチレン−ブタジェン−スチレンブロック共重
合体等の合成ゴムまたは天然ゴム等の少なくとも1種と
混合して用いることができる。
ンゴム、スチレン−ブタジェン−スチレンブロック共重
合体等の合成ゴムまたは天然ゴム等の少なくとも1種と
混合して用いることができる。
一方、本発明では、有機・無機系のフィラー、酸化防止
剤、滑剤、有機・無機系の各種顔料、紫外線防止剤、分
散剤、銅害防止剤、中和剤、発泡剤、可塑剤、気泡防止
剤、難燃剤、架橋剤、流れ性改良剤、ウェルド強度改良
剤、核剤等の添加剤を本発明の効果を著しく損わない範
囲で添加しても差支えない。
剤、滑剤、有機・無機系の各種顔料、紫外線防止剤、分
散剤、銅害防止剤、中和剤、発泡剤、可塑剤、気泡防止
剤、難燃剤、架橋剤、流れ性改良剤、ウェルド強度改良
剤、核剤等の添加剤を本発明の効果を著しく損わない範
囲で添加しても差支えない。
また、本発明のエチレン共重合体またはエチレン系重合
体組成物は未架橋のまま用いてもよく、あるいは必要な
らば架橋処理を施して用いることができる。その架橋方
法は通常の架橋方法が適用される。
体組成物は未架橋のまま用いてもよく、あるいは必要な
らば架橋処理を施して用いることができる。その架橋方
法は通常の架橋方法が適用される。
[実 施 例]
以下、本発明を実施例によって詳述するが、本発明の要
旨を逸脱しない限り、これらの実施例のみに限定される
ものではない。なお、この明細書を通して、一度は全て
℃であり、部および%は特記しない限り重量基準である
。
旨を逸脱しない限り、これらの実施例のみに限定される
ものではない。なお、この明細書を通して、一度は全て
℃であり、部および%は特記しない限り重量基準である
。
実施例 1〜15
窒素およびエチレンで充分に置換した内容積3゜8jの
攪拌機付きの金JiilJオートクレーブ型反応器に約
1 、7009のエチレン、第1表に示した芳香族化合
物および非共役ジエンおよび所定量のn−ヘキサンを仕
込み、更に重合開始剤であるジー tert−ブチルペ
ルオキシドを注入し、重合温度170℃、重合圧力16
000 / cd、重合時gA60分間の重合を行ない
、第1表に示すような各種エチレン系重合体を調製した
。
攪拌機付きの金JiilJオートクレーブ型反応器に約
1 、7009のエチレン、第1表に示した芳香族化合
物および非共役ジエンおよび所定量のn−ヘキサンを仕
込み、更に重合開始剤であるジー tert−ブチルペ
ルオキシドを注入し、重合温度170℃、重合圧力16
000 / cd、重合時gA60分間の重合を行ない
、第1表に示すような各種エチレン系重合体を調製した
。
生成したポリマーの一部を加熱四塩化炭素に溶解し、こ
れを多量のアセトン中に投入して再沈し、この操作を数
回繰返して生成した後真空乾燥した。
れを多量のアセトン中に投入して再沈し、この操作を数
回繰返して生成した後真空乾燥した。
精製したポリマーを加熱圧縮により厚さ500μmのシ
ートに成形し、対照に同一厚さのエチレン単独重合体の
シートを用いた補償法による赤外分光分析によって、各
生成ポリマー中の芳香族化合物に由来する単位の定量を
行なった。
ートに成形し、対照に同一厚さのエチレン単独重合体の
シートを用いた補償法による赤外分光分析によって、各
生成ポリマー中の芳香族化合物に由来する単位の定量を
行なった。
各生成ポリマー中に含まれる芳香族化合物に由来する単
位の定量は、主として1600cII−’付近の芳香環
に帰属される吸収の吸光度より行なった。また、各生成
ポリマーのメルトインデックスの測定はJISに−67
60に準拠して行なった。
位の定量は、主として1600cII−’付近の芳香環
に帰属される吸収の吸光度より行なった。また、各生成
ポリマーのメルトインデックスの測定はJISに−67
60に準拠して行なった。
またインパルス破壊強度の測定は以下の方法で行なった
。試料は加熱圧縮成形により厚さ50μmのシートとし
た。電極系には固定電極、いわゆるマツケオン電極(第
1図)を使用した。電極系の基板4はポリメチルメタク
リレート類でその中央部には直径1/2インチの穴がお
いている。電極は1X2インチのステンレス球1を用い
た。試料2は約8〜10jWl角に切ったものを電極の
間にはさんだ。試料2と電極の間には脱気したエポキシ
樹脂3を充てんし硬化させた。このようなマツケオン電
極をシリコーンオイルで満たされた容器に浸し、これを
20℃および80℃の恒温槽に入れて測定を行なった。
。試料は加熱圧縮成形により厚さ50μmのシートとし
た。電極系には固定電極、いわゆるマツケオン電極(第
1図)を使用した。電極系の基板4はポリメチルメタク
リレート類でその中央部には直径1/2インチの穴がお
いている。電極は1X2インチのステンレス球1を用い
た。試料2は約8〜10jWl角に切ったものを電極の
間にはさんだ。試料2と電極の間には脱気したエポキシ
樹脂3を充てんし硬化させた。このようなマツケオン電
極をシリコーンオイルで満たされた容器に浸し、これを
20℃および80℃の恒温槽に入れて測定を行なった。
破壊に用いた電圧波形は負穫性、1X 40JIsのイ
ンパルス波形で、波形をオシロスコープで観察し、波頭
で破壊したものをデータとして採用し、20点以上の平
均値をとった。
ンパルス波形で、波形をオシロスコープで観察し、波頭
で破壊したものをデータとして採用し、20点以上の平
均値をとった。
ゲル分率はエチレン共重合体100重量部にジクミルペ
ルオキシド1.5重量部を添加し厚さ1JIIIIのシ
ートを成形し165℃で30分架橋しその後20メツシ
ユパスに粉砕し、キシレンで120℃、10時11Il
hb出し残率を求めた。
ルオキシド1.5重量部を添加し厚さ1JIIIIのシ
ートを成形し165℃で30分架橋しその後20メツシ
ユパスに粉砕し、キシレンで120℃、10時11Il
hb出し残率を求めた。
加熱変形率はゲル分率を求める際と同様の方法で架橋処
理した、直径10a*φ厚さ6Mの円筒形試料を120
℃のオイルバス中で荷重2.64幻で加圧し、30分後
の変形率を求めた。
理した、直径10a*φ厚さ6Mの円筒形試料を120
℃のオイルバス中で荷重2.64幻で加圧し、30分後
の変形率を求めた。
以上の結果を表1に示した。
比較例 1
実施例1と同様の条件で低密度ポリエチレンを製造しそ
のポリマーの物性を実施例1と同様に測定しその結果を
表1に示した。
のポリマーの物性を実施例1と同様に測定しその結果を
表1に示した。
友11一旦
実施例1と同様の条件でエチレン−スチレン−5−ビニ
ル−2−ノルボルネン共重合体を[iし、該エチレン共
重合体5重量部と比較例1で用いた低密度ポリエチレン
95重a部をブラストグラフを用いて混練し、スチレン
含ii1 G、09モル%、ヨウ素価0.7のエチレン
共重合体組成物を得た。物性測定の結果を表1に示した
。
ル−2−ノルボルネン共重合体を[iし、該エチレン共
重合体5重量部と比較例1で用いた低密度ポリエチレン
95重a部をブラストグラフを用いて混練し、スチレン
含ii1 G、09モル%、ヨウ素価0.7のエチレン
共重合体組成物を得た。物性測定の結果を表1に示した
。
1直N 17
実施例16と同様の方法でメタクリル酸ベンジル含ff
l 0.13モル%、ヨウ素価0.9のエチレン共重合
体組成物を得た。物性測定の結果を表1に示した。
l 0.13モル%、ヨウ素価0.9のエチレン共重合
体組成物を得た。物性測定の結果を表1に示した。
監旦M2ヱl
実施例1と同様の重合条件で表1に示すエチレン共重合
体を調製し、物性測定を行なった。
体を調製し、物性測定を行なった。
[評価結果]
表1から明らかなように実施例1〜17は本発明の共重
合体が従来の轟圧法低密度ポリエチレン(比較例1)よ
り、インパルス破壊強度が特に高温領域で優れ、ゲル分
率、加熱変形率においてもまさっていることを示すもの
である。
合体が従来の轟圧法低密度ポリエチレン(比較例1)よ
り、インパルス破壊強度が特に高温領域で優れ、ゲル分
率、加熱変形率においてもまさっていることを示すもの
である。
一方比較例2〜7において芳香族化合物の含量、ヨウ素
価を本発明の範囲外としたところ改良効果はみられなか
った。
価を本発明の範囲外としたところ改良効果はみられなか
った。
第1図は本発明におけるインパルス破壊試験用マツケオ
ン電極を示す略側面図である。 1・・・ステンレス球 2・・・試 料3・・・
エポキシ樹脂
ン電極を示す略側面図である。 1・・・ステンレス球 2・・・試 料3・・・
エポキシ樹脂
Claims (5)
- (1)1分子巾に炭素−炭素二重結合を1個有する1〜
3環芳香族化合物および非共役ジエンの存在下、エチレ
ンもしくはエチレンとエチレン性不飽和単量体との混合
物を重合圧力500〜4000kg/cm^2、重合温
度50〜400℃の条件下にて高圧ラジカル重合して得
られたエチレン共重合体もしくは該共重合体と他のエチ
レン系重合体を配合してなる組成物であって、 該共重合体もしくは組成物中に芳香族化合物に由来する
単位を0.005〜1モル%含み、かつ該共重合体もし
くは組成物のヨウ素価が0.2〜20の範囲にあること
を特徴とする電気絶縁材料。 - (2)前記芳香族化合物が単環芳香族化合物である特許
請求の範囲第1項記載の電気絶縁材料。 - (3)前記単環芳香族化合物がスチレン系化合物である
特許請求の範囲第2項記載の電気絶縁材料。 - (4)前記非共役ジエンが環状非共役ジエンである特許
請求の範囲第1項〜第3項記載の電気絶縁材料。 - (5)前記環状非共役ジエンが5−ビニル−2−ノルボ
ルネンもしくは5−エチリデン−2−ノルボルネンであ
る特許請求の範囲第4項記載の電気絶縁材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18930186A JPS6345705A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 電気絶縁材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18930186A JPS6345705A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 電気絶縁材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345705A true JPS6345705A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16239042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18930186A Pending JPS6345705A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 電気絶縁材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345705A (ja) |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP18930186A patent/JPS6345705A/ja active Pending
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