JPS6345803A - 感湿素子 - Google Patents

感湿素子

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JPS6345803A
JPS6345803A JP61189763A JP18976386A JPS6345803A JP S6345803 A JPS6345803 A JP S6345803A JP 61189763 A JP61189763 A JP 61189763A JP 18976386 A JP18976386 A JP 18976386A JP S6345803 A JPS6345803 A JP S6345803A
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JP
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moisture
thin film
electrical resistance
mol
sensitive element
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JP61189763A
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透 木練
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 本発明は、感湿素子、特に、新規組成の非晶質薄膜の電
気抵抗変化を利用する感湿素子に関する。
先行技術とその問題点 一近年、例えば感湿材料としては、雰囲気に対して物理
的、化学的に安定であり、強度も高い金属酸化物系セラ
ミックが用いられるようになってきている。
従来のセラミック感湿材料は、水蒸気が多孔質セラミッ
ク表面で解離し、これによって生じた水素イオン(H+
)の濃度が周囲の相対湿度によって変化して、感湿部の
電気抵抗値か変化することを利用するものである。
一方、感湿材料を感湿素子として空調機の自動湿度コン
トロール等の用途に使用する場合、駆動および検知回路
上の使い易さの点で、より低い電気抵抗値を有する感湿
材料が要望されている。
しかし、従来のH+の電気伝導を利用する感湿材料では
、良好な感度を維持しての電気抵抗の低減は困難である
。 また、使用によりOH基が感湿材料表面に安定吸着
され、電気抵抗値が経時的に変化し、これを防止するた
めに、ヒーターにより500〜600℃以、トに加熱し
、初期特性にまで復帰させる操作が必要である。
このような問題を解決するものとして、有機ケイ素化合
物重合体およびアルカリ金属化合物を含有する焼成残留
物から成る感湿材料(特開昭59−132352号)、
および金属アルコキシドを加水分解した後いわゆるゾル
−ゲル法を用いて得た成形体(ゲル硬化体)を焼成し、
それに一対の電極を形成することによって得られる感湿
素子(特開昭59−147402号)が報告されている
。 上記の感湿材料および感湿素子は、従来の感湿材料
および感湿素子に比べ、電気抵抗が低く、経時劣化防W
用の加熱装置が不安であり、比較的低温での焼成で製造
できるものである。
しかし、これらの電気抵抗は、未だ105Ω以上であり
、また、焼成も500〜1300℃で0.5〜10時間
必要である。
このため、より電気抵抗が低く、かつ製造が容易で、安
定した特性を有する新規な感湿素子が望まれている。
■ 発明の目的 本発明の目的は、感湿範囲が広く、電気抵抗が低くまた
、経時安定性に優れ、かつ、製造がきわめて容易な感湿
素子を提供することにある。
■ 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、基板上に電極および5in2−P2
O,−Tie2系非晶質薄膜を有することを特徴とする
感湿素子である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の感湿素子は、第1図に示されるように、基板l
上にくし形電極2を存し、くし形電極2とリード線4と
を銀電極−3等を用いて接続固定し、くし形電極2の上
に5in2−P 20 s  T i O2系非晶質薄
膜5を有する感湿素子である。
本発明で用いる5in2−P、08− TiO2系非晶質薄膜5は、シリコンアルコキシドとリ
ン酸とチタンアルコキシドとの加水分解塗膜である。
この場合、シリコンアルコキシドとしては、シコンメト
キシド[S i (OCH3)4 ]、シリコンエトキ
シド[S i  (OC2H5)4 ]、シリコンイソ
プロポキシド[5i(0−iso C3H7)4 ]等
を使用することができる。
また、リン酸としては、正リン酸 (H3po4)またはピロリン酸 (H4P207)を使用することができる。
また、チタンアルコキシドとしては、チタンイソプロポ
キシド[Ti(0−is。
C3H7)4]、チタンn−ブトキシド[Ti(0−n
C4)(、l )4 ]等を使用することができる。
これらシリコンアルコキシド、リン酸およびチタンアル
コキシドを所望の最終組成となるようなモル比にて、所
定の溶媒に溶解し、加水分解し、これを塗設し乾燥して
非晶質薄膜とする。
用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、ブタノール等のアルコール系を用いる。 濃度
は上記各原料化合物の総計が20〜60%程度となるよ
うにすればよい。
より具体的には、シリコンアルコキシドとアルコール、
リン酸と水、チタンアルコキシドとアルコールとを混合
して用いればよい。
加水分解は、通常、常温にて溶液を攪拌して行えばよい
。
この場合、チタンアルコキシドに対して安定化剤を用い
ることもできる。
この加水分解によフて、通常はゾル状のネットワークが
形成される。
次いで、所定の基板−Lにこれを塗布する。
塗布には、ディッピング法やスピンコード法を用いれば
よい。
このような−液塗布にかえ、二液塗布を行うこともでき
る。 二液塗布により、より安定な成膜が可能となる。
二液塗布では、シリコンアルコキシドにメチルアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルア
ルコール等のアルコールを添加して攪拌し、さらに正リ
ン酸(H3PO4)またはピロリン酸 (84P207)および純水を加え、通常、常温にて攪
拌して加水分解を行ない溶液Iを得る。
これにより、5i−P結合をもつゾル状のネットワーク
が形成される。
この場合、シリコンアルコキシド1モルに対し、アルコ
ールは5〜10モル程度、リン酸は0.5〜7モル程度
、純水は4〜10モル程度添加することが好ましい。
他方、チタンアルコキシドにプロピルアルコール、ブチ
ルアルコール等のアルコールを添加して溶液■を得る。
この場合、上記のように安定化剤を加えることもできる
。
次に、基板上にこれら溶液Iおよび溶液■を用いて塗布
を行なう。
この場合の塗布は前記の一液塗布として、これら溶液を
塗布直訂に混合して行なうこともできるが、より好まし
くは両温液の塗布を別々に行なう二液塗布を用いる。
塗布の順序は特に制限はないが、成膜性からすると溶液
工の塗布を先にすることが好ましい。
この場合の塗布も、スピンコード法やディッピング法を
用いればよい。
その後乾燥を行なう。 乾燥は、200℃以下、より好
ましくは120〜150℃で10〜30分程度行えばよ
い。
乾燥時の雰囲気には特に制限はない。
本発明では、このように低い温度の乾燥で良好な非晶質
薄膜が得られるものであり、焼成は必要としない。
この場合、−液塗布および二液塗布とも、これら塗布を
くりかえす多層塗りとしてもよい。
また、二液塗布においては、乾燥は、上記溶液工、■の
塗布後に行う。 多層塗りの場合は、乾燥を各回ごとに
行っても、最終段階で行ってもよい。
なお、前記の二液塗布を行いこれを乾燥すると、膜厚方
向に組成の均一なきわめて均等な膜ができる。
このようにして得られる膜は、非晶質状態にある。
そして、SiO2、P2O5、TiO2から形成され、
その酸系量は、実質的に化学量論的な量である。 さら
に、5i−P、Ti−Pの結合も観察されるものである
。
また、本発明の非晶質薄膜の組成としては、5in23
0〜90モル%、22055〜60モル%、TiO25
〜40モル%であることが好ましい。
上記範囲に対し、SiO2過剰となると感湿特性が鋭敏
でなくなり、逆に5in2が少なくなると成膜性に問題
がある。 P2O5過剰となると耐水性が劣化し、逆に
2205が少なくなると感湿特性が鋭敏でなくなる。
また、形成されたSiO2  P2O5−Tie2系非
晶11薄膜の厚さは1〜5μm、好ましくは1〜3μm
程度が好ましい。
また、センサ而は0.5cm2〜2 cm2程度の大き
さとする。
本発明に用いる基板1の材質は特に制限はないが、好ま
しくはアルミナ等のセラミック基板や、ガラス基板等の
絶縁性基板が好ましい。
また、くし形電極2の材質、形状は公知のものであって
よく、厚膜法、薄膜法いずれによりて形成されたもので
あってよく、好ましくは、材質はRuO2系、Au系%
Cr−Au系、Ag−Pd系等であり、また形状は、電
極対の数が5〜10対程度、電極間隔0.1〜0.5f
flffl程度であることが好ましい。
■ 発明の具体的作用効果 本発明の感湿素子は、くし形等の電極を有する基板上に
5in2−P2 o5−TiO2系非晶質薄Iqを有す
るものである。
このため、湿度変化に対する電気抵抗の変化中が大きく
、かつ、電気抵抗が従来の感湿素子に比べ大巾に低ドし
たものとなる。
また、経時劣化および湿度と電気抵抗との間のヒステリ
シスがほとんどないきわめて安定な感湿素子である。
さらに、S i 02−P2O3−T i 02系非晶
質薄膜はシリコンアルコキシドとリン酸とチタンアルコ
キシドの加水分解薄膜であるので従来の粉体プロセスで
は得られない新規組成の非晶質材料であり、かつ乾燥は
きわめて低い温度にて短時間で行うことができ、焼成を
必要としない。
■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
実施例1 第1図に示されるように、アルミナ製の基板1−11に
Rub2系ペーストにて0.5ma+間隔で10対のく
し形電極2をスクリーン印刷し、さらにリード線4の取
り付は部分は銀電極3をスクリーン印刷し焼付けを行っ
た。
次に、シリコンエトキシド [S i (Ocz H5)411モルに対し、メチル
アルコール6モルを加え攪拌し、次に純水5モルと正リ
ン酸(83PO4)  0.7モルを加え攪拌して加水
分解を生じさせ、溶液Iを調製し、ゾル状のネットワー
クを形成した。
また、チタンイソプロポキシド[Ti(0−iso C
3H7)411モルをイソプロピルアルコールで20倍
希釈し、溶液■を調製した。
この溶液■および■を用いて、基板l上に溶液■、■の
順で塗布し、SiO258モル%、P2O,1,26モ
ル%、TiO217モル%のS 102  P 20 
s  T iO2系非晶質薄膜5を形成し、感湿素子を
作成した。
薄膜形成はスピンコード法により行い、乾燥条件は15
0℃で10分であった。 また、薄膜のHさは2μmで
あった。
また、化学分析の結果、各酸化物は化学量論組成を有し
、EPMA、IR,X線回折分析では5i−P、Ti−
Pの結合が確認された。
さらに、膜は、膜厚方向に均質な組成を有していた。
この感湿素子について、下記の測定を行った。
(t)tV、IKIIzの交流印加電圧における相対湿
度の変化に対する電気抵抗値の変化を測定する。 雰囲
気温度は25℃および50℃とした。
結果を第2図に示す。
(2)IV、1にtlz交流印加電圧における相対湿度
の増加→減少による電気抵抗のヒステリシスを測定する
。 雰囲気温度は25℃とした。
結果を第3図に示す。
(3)各相対湿度における電気抵抗の周波数依存性を測
定する。 印加電圧は1v、雰囲気温度は25℃とした
。
結果を第4図に示す。
(4)IV、1KHzの交流印加電圧において、相対湿
度60%、80%とした場合の電気抵抗値の経時変化を
測定する。 雰囲気温度は25℃とした。
結果を第5図に示す。
第2図〜第5図に示される結果より本発明の感湿素子は
相対湿度の変化に対し、電気抵抗値が103〜105Ω
ときわめて低い領域で大きな変化を示し、また相対湿度
と電気抵抗との間にビステリシスはほとんどみられず、
かつ、周波数特性、経時安定性がきわめてすぐれた感湿
素子であることが明らかである。
このような特性は、S i 0230〜90モル%、P
2O55〜60モル%、TiO25〜40モル%で同等
に実現した。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の感湿素子の1実施例を示す透視斜視
図である。 第2図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の相
対湿度依存性と温度依存性を示す線図である。 第3図は、第1図に示される感湿素子の相対湿度と電気
抵抗とのヒステリシスを示す線図である。 第4図は、第1図に示される感湿素子の各練和対湿度に
おける電気抵抗値の周波数依存性を示す線図である。 第5図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の経
時安定性を示す線図である。 符号の説明 1・・・基板、    2−< L、形電極、3・・・
銀電極、  4・・・リード線、5−−−S i O2
−P2O5−T i O2系非晶質薄膜 出願人 ティーデイ−ケイ株式会1 代理人 弁理士 石 井 陽 − FIG、1 FIG、2 0  20  40  60  8Q   100p)
−1t%) F I G、 3 FIG、4 f(H7) FIG、5 日   数

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に電極およびSiO_2−P_2O_5−
    TiO_2系非晶質薄膜を有することを特徴とする感湿
    素子。
  2. (2)非晶質薄膜の組成がSiO_230〜90モル%
    、P_2O_55〜60モル%、TiO_25〜40モ
    ル%である特許請求の範囲第1項に記載の感湿素子。
  3. (3)非晶質薄膜の厚さが1〜5μmである特許請求の
    範囲第1項または第2項に記載の感湿素子。
  4. (4)非晶質薄膜がシリコンアルコキシド、リン酸およ
    びチタンアルコキシドの加水分解塗膜である特許請求の
    範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の感湿素子。
  5. (5)加水分解塗膜が塗設後200℃以下にて乾燥され
    たものである特許請求の範囲第4項に記載の感湿素子。
JP61189763A 1986-08-13 1986-08-13 感湿素子 Pending JPS6345803A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01217252A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 湿度センサ
JPH03238349A (ja) * 1990-02-16 1991-10-24 Koroido Res:Kk 湿度センサー

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JPH01217252A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 湿度センサ
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