JPS6345833A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6345833A JPS6345833A JP61190805A JP19080586A JPS6345833A JP S6345833 A JPS6345833 A JP S6345833A JP 61190805 A JP61190805 A JP 61190805A JP 19080586 A JP19080586 A JP 19080586A JP S6345833 A JPS6345833 A JP S6345833A
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- JP
- Japan
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- potential
- wiring
- wirings
- electron beam
- secondary electron
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に配線の位置検出を容
易にした半導体装置に関する。
易にした半導体装置に関する。
近年、半導体装置の微細化・高集積化の進歩に伴ない、
外部端子からの故障解析・診断が困難を極めている。こ
のため従来、半導体チップ上に金属探針を接触せしめ、
配線等の電位ｉ測を行なう手法が取られて来たが、素子
の微細化や接続配線の多層化により、金属探針の接触自
体が困難となり、さらには取り扱う信号の高速化により
、電荷の移動量に対する金属探針自体の容量負荷性が大
となり、電位観測が本質的に不可能となりつつある。
外部端子からの故障解析・診断が困難を極めている。こ
のため従来、半導体チップ上に金属探針を接触せしめ、
配線等の電位ｉ測を行なう手法が取られて来たが、素子
の微細化や接続配線の多層化により、金属探針の接触自
体が困難となり、さらには取り扱う信号の高速化により
、電荷の移動量に対する金属探針自体の容量負荷性が大
となり、電位観測が本質的に不可能となりつつある。
この問題を解決する手段として、電子ビームを用いる電
位観測手法が開発され用いられている。
位観測手法が開発され用いられている。
この電位観測手法は、電子ビームを試料となる半導体チ
ップ表面に照射する事によって発生する２次電子の検出
量が、発生部分の電位によって異なる事を利用したもの
である。即ち、電子ビームを走査しチップ表面の電位観
測を行なえば、電位が高い箇所は２次電子の検出量が少
なくて黒く見え、反対に電位の低い箇所は２次電子の検
出量が多くなり白く見える事を利用したものである。こ
の手法によれば、半導体チップ表面の電位分布や電位波
形ｆｉｎを非接触で能率よく行うことが可能である。
ップ表面に照射する事によって発生する２次電子の検出
量が、発生部分の電位によって異なる事を利用したもの
である。即ち、電子ビームを走査しチップ表面の電位観
測を行なえば、電位が高い箇所は２次電子の検出量が少
なくて黒く見え、反対に電位の低い箇所は２次電子の検
出量が多くなり白く見える事を利用したものである。こ
の手法によれば、半導体チップ表面の電位分布や電位波
形ｆｉｎを非接触で能率よく行うことが可能である。
然しながら上述した電子ビームによる電位観測手法を、
例えば第５図に示すように多数の配線３（３Ａ〜３Ｌ）
が平行して配置される、言わゆるパスライン等の電位観
測に用いた場合、その多くの配線が高電位であり（即ち
配線間と同様黒い像として観測される）、一部の配線の
みが低電位である（即ち白い像として観測される）時は
、その２次電子像は第６図に示されるようになり、２次
電子像３Ｄ’ 、３Ｈ’が配線３（３八〜３Ｌ）のうち
どの配線によるものかを迅速に特定することが難しいと
いう問題点があった。
例えば第５図に示すように多数の配線３（３Ａ〜３Ｌ）
が平行して配置される、言わゆるパスライン等の電位観
測に用いた場合、その多くの配線が高電位であり（即ち
配線間と同様黒い像として観測される）、一部の配線の
みが低電位である（即ち白い像として観測される）時は
、その２次電子像は第６図に示されるようになり、２次
電子像３Ｄ’ 、３Ｈ’が配線３（３八〜３Ｌ）のうち
どの配線によるものかを迅速に特定することが難しいと
いう問題点があった。
本発明の目的は、電子ビームを用いた非接触電位観測時
に、配線の電位状態とその位置を容易に確認することの
できる半導体装置を提供することにある。
に、配線の電位状態とその位置を容易に確認することの
できる半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された互い
に平行な部分を有する複数の配線と、前記複数の配線の
近傍に設けられた位置表示マークを有する電位観測用配
線とを含んで構成される。
に平行な部分を有する複数の配線と、前記複数の配線の
近傍に設けられた位置表示マークを有する電位観測用配
線とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
第１図において、半導体基板５上には互いに平行な部分
を有し同一平面上に形成された複数の配３１１（ＩＡ〜
ＩＬ）が設けられている。そして、これらの配線１の近
傍には配線の幾何学的位置を検出する為の位置表示マー
ク１１．ＩＩＡを有し、所定の電位、例えば最低電位印
加端子に接続された電位観測用配線１０が設けられてい
る。
を有し同一平面上に形成された複数の配３１１（ＩＡ〜
ＩＬ）が設けられている。そして、これらの配線１の近
傍には配線の幾何学的位置を検出する為の位置表示マー
ク１１．ＩＩＡを有し、所定の電位、例えば最低電位印
加端子に接続された電位観測用配線１０が設けられてい
る。
尚、位置表示マーク１１Ａは、位置表示マークを数えや
すくする為のものであり、位置表示マーク１１と区別で
きればよい。
すくする為のものであり、位置表示マーク１１と区別で
きればよい。
このように構成された本実施例に所定の電圧を印加して
動作させ、その表面を電子ビームで走査し、電位１１１
測を行った時の２次電子像を第２図に示す。
動作させ、その表面を電子ビームで走査し、電位１１１
測を行った時の２次電子像を第２図に示す。
第２図から明らかなように、２次電子像ＩＤ’及びＩＨ
’は、位置表示マークの２次電子像１１’、１２Ａ’よ
り配線ＩＤ及びＩＨからのものであることが容易に確認
できる。
’は、位置表示マークの２次電子像１１’、１２Ａ’よ
り配線ＩＤ及びＩＨからのものであることが容易に確認
できる。
第３図は本発明の第２の実施例の平面図であり、電位観
測用配線１０を配線２の上層に設けた場合を示している
。
測用配線１０を配線２の上層に設けた場合を示している
。
すなわち、第３図において、半導体基板ら上には互に平
行な部分を有し同一平面上に形成された複数の配線２（
２Ａ〜２Ｌ）が設けられている。
行な部分を有し同一平面上に形成された複数の配線２（
２Ａ〜２Ｌ）が設けられている。
そしてこの上には、絶縁膜６を介し、配線２に直交する
ように位置表示マーク１２．１２Ａを有し、最低電位印
加端子に接続する電位観測用配線１０が設けられている
。
ように位置表示マーク１２．１２Ａを有し、最低電位印
加端子に接続する電位観測用配線１０が設けられている
。
第４図は第３図に示した第２の実施例の２次電子線像の
平面図である。第４図から明らかなように、２次電子線
像２Ｅ’及び２１’は配線２Ｅ及び２Ｉからのものであ
ることが位置表示マークの２次電子線像１２’、１２Ａ
’により容易に確認することができる。
平面図である。第４図から明らかなように、２次電子線
像２Ｅ’及び２１’は配線２Ｅ及び２Ｉからのものであ
ることが位置表示マークの２次電子線像１２’、１２Ａ
’により容易に確認することができる。
尚、上記実施例においては、電位観測用配線が最低電位
印加端子に接続された場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、電位観測用配線に印加される
電位は、その２次電子像が確認できる程度のものであれ
ばよい。
印加端子に接続された場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、電位観測用配線に印加される
電位は、その２次電子像が確認できる程度のものであれ
ばよい。
以上説明したように本発明は、互いに平行な部分を有す
る複数の配線の近傍に、位置表示マークを有する電位ａ
ｍ用配線を設けることにより、電子ビームを用いた非接
触電位観測時に、配線の電位状態とその位置を容易に確
認できるという効果がある。
る複数の配線の近傍に、位置表示マークを有する電位ａ
ｍ用配線を設けることにより、電子ビームを用いた非接
触電位観測時に、配線の電位状態とその位置を容易に確
認できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図は第１
図の実施例の２次電子線像の平面図、第３図は本発明の
第２の実施例の平面図、第４図は第３図の実施例の２次
電子線像の平面図、第５図は従来の半導体装置の平面図
、第６″図は第４図の半導体装置の２次電子線像の平面
図である。 １．２．３・・・配線、５・・・半導体基板、６・・・
絶縁膜、１０・・・電位観測用配線、１１．ＩＩＡ、１
２，１２Ａ・・・位置表示マーク。 １“０１ｚ−ｙ牛、ヨ ｌθ′ ′ｌ′ 羊２ 密 章３ 研 牛４ 凹 第ｒ回 磐６ 図
図の実施例の２次電子線像の平面図、第３図は本発明の
第２の実施例の平面図、第４図は第３図の実施例の２次
電子線像の平面図、第５図は従来の半導体装置の平面図
、第６″図は第４図の半導体装置の２次電子線像の平面
図である。 １．２．３・・・配線、５・・・半導体基板、６・・・
絶縁膜、１０・・・電位観測用配線、１１．ＩＩＡ、１
２，１２Ａ・・・位置表示マーク。 １“０１ｚ−ｙ牛、ヨ ｌθ′ ′ｌ′ 羊２ 密 章３ 研 牛４ 凹 第ｒ回 磐６ 図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された互いに平行な部分を有する
複数の配線と、前記複数の配線の近傍に設けられた位置
表示マークを有する電位観測用配線とを含むことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190805A JPS6345833A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190805A JPS6345833A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345833A true JPS6345833A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16264038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190805A Pending JPS6345833A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173218A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法 |
| JP2007165633A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Sharp Corp | 半導体装置、外観検査方法、外観検査装置 |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP61190805A patent/JPS6345833A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173218A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法 |
| JP2007165633A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Sharp Corp | 半導体装置、外観検査方法、外観検査装置 |
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