JPS634686A - 光電素子 - Google Patents
光電素子Info
- Publication number
- JPS634686A JPS634686A JP61147197A JP14719786A JPS634686A JP S634686 A JPS634686 A JP S634686A JP 61147197 A JP61147197 A JP 61147197A JP 14719786 A JP14719786 A JP 14719786A JP S634686 A JPS634686 A JP S634686A
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- Japan
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- doped
- doping
- amount
- film
- photoelectric
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、光電素子に関し、特に、複写機、ファクシミ
リ装置等における画像読取のための、アモルファスシリ
コン層を光導？１ｙ／ＩＪとする光読取素子に関するも
のである。
リ装置等における画像読取のための、アモルファスシリ
コン層を光導？１ｙ／ＩＪとする光読取素子に関するも
のである。
（従来技術）
従来、感光体や、太陽電池の光電変換層とじてのアモル
ファスシリコン（以下ａ−８Ｌと記す）層には０．１〜
ｔｏｏ ｐｐ讃のボロン（Ｂ）がドープされている。そ
のドープ量の最適値は、それぞれのデバイスの光電特性
、劣化特性から決定される。Ｂのドーピングによりａ−
５ｉ層の高抵抗化が図られ、その結果、光電特性が向上
し、かつ劣化の防止につながる。
ファスシリコン（以下ａ−８Ｌと記す）層には０．１〜
ｔｏｏ ｐｐ讃のボロン（Ｂ）がドープされている。そ
のドープ量の最適値は、それぞれのデバイスの光電特性
、劣化特性から決定される。Ｂのドーピングによりａ−
５ｉ層の高抵抗化が図られ、その結果、光電特性が向上
し、かつ劣化の防止につながる。
しかしながら、本発明の主対象である光導電型光読取素
子においては、上記Ｂのドープ量は適用できない、それ
は光照射時の抵抗値が高すぎて光電流を正しく信号とし
て検出できないからである。
子においては、上記Ｂのドープ量は適用できない、それ
は光照射時の抵抗値が高すぎて光電流を正しく信号とし
て検出できないからである。
−方、ノンドープのａ−８ｉは、その構造物性が示す特
徴から、光が照射されると高抵抗化する。
徴から、光が照射されると高抵抗化する。
即ち光劣化を起こすという欠点がある。この光劣化現象
の原因の一つは、ａ−８ｉ膜形成時に膜中に入り込むＨ
，Ｏ，Ｏ□、Ｎ２等の影響があげられる。
の原因の一つは、ａ−８ｉ膜形成時に膜中に入り込むＨ
，Ｏ，Ｏ□、Ｎ２等の影響があげられる。
膜中において、（ＯＨ）基、あるいはＯ，Ｎ［子がＳＬ
原子と結合すると、第３図に示したように、ダングリン
グボンド（不対電子対）が生成されるためと思われる。
原子と結合すると、第３図に示したように、ダングリン
グボンド（不対電子対）が生成されるためと思われる。
Ｂのドーピングは、上記不純物によるダングリングボン
ドの生成を抑制しようとするものであり、これを−般に
コンペンセイションと呼んでいる。第４図はこの様子を
示している。
ドの生成を抑制しようとするものであり、これを−般に
コンペンセイションと呼んでいる。第４図はこの様子を
示している。
Ｂのドープ量があまり多いとｐ型の伝導を示し。
それに適する電極がほとんどない点で問題となる。
上記のことから、ａ−Ｓｉ層を光導電層とする光読取素
子においては、０．１〜１００ ｐｐｍのＢドープ量で
は所要の特性が得られず、また、ノンドープでは光劣化
が大きいという問題があった。
子においては、０．１〜１００ ｐｐｍのＢドープ量で
は所要の特性が得られず、また、ノンドープでは光劣化
が大きいという問題があった。
（発明の目的）
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するもので、光
導電層の抵抗値をあまり高めることなく。
導電層の抵抗値をあまり高めることなく。
従って所要の光電流が得られ、しかも光劣化が軽減され
た光電素子、中でも光読取素子を提供するものである。
た光電素子、中でも光読取素子を提供するものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するために１本発明は、活性層としての
ａ−Ｓｉ層に、 （１０” 〜１０１ｓ）／Ｌ０ｉの範
囲でボロンをドープするものである。
ａ−Ｓｉ層に、 （１０” 〜１０１ｓ）／Ｌ０ｉの範
囲でボロンをドープするものである。
第１図は、Ｂのドープ量と光電流との関係を示したもの
で、この図からＢドープ量は、Ｂ２Ｈ，／Ｓ ｉ Ｈ４
（ｐｐｍ）で、１０−”〜１１０−３ｐｐが適当である
。特に１０−２〜１０−”ｐｐｍの範囲では電流値もノ
ンドープの場合と比べて見劣りせず、好ましい、なおこ
のときの成膜条件は、ＳｉＨ，の流量： １０１０５ｃ
、パワー；ＩＯＷ、圧力； Ｏ，１Ｔｏｒｒ、 Ｂ、Ｈ
ａ／Ｈｚ ；ドーピング条件により流量変化、基板温度
；３００℃であるｅ Ｂ ２ Ｈｓ ／ Ｓ Ｉ Ｈ４
（ｐｐ■）の流量に対して実際膜中にドープされたＢの
量をＳＩＭＳで評価した結果を第２図に示す、これから
、１０−１〜１１０−３ｐｐのＢ、Ｈ，／ＳｉＨ４に対
して膜中にドープされたＢノ量ハ、 （１０１ｓ〜１０
１３）／ａｊニ対応Ｌ、好マシイＢドープ量は（４ｏ１
４〜１０１２）／ｃｏ＆であるといえる。
で、この図からＢドープ量は、Ｂ２Ｈ，／Ｓ ｉ Ｈ４
（ｐｐｍ）で、１０−”〜１１０−３ｐｐが適当である
。特に１０−２〜１０−”ｐｐｍの範囲では電流値もノ
ンドープの場合と比べて見劣りせず、好ましい、なおこ
のときの成膜条件は、ＳｉＨ，の流量： １０１０５ｃ
、パワー；ＩＯＷ、圧力； Ｏ，１Ｔｏｒｒ、 Ｂ、Ｈ
ａ／Ｈｚ ；ドーピング条件により流量変化、基板温度
；３００℃であるｅ Ｂ ２ Ｈｓ ／ Ｓ Ｉ Ｈ４
（ｐｐ■）の流量に対して実際膜中にドープされたＢの
量をＳＩＭＳで評価した結果を第２図に示す、これから
、１０−１〜１１０−３ｐｐのＢ、Ｈ，／ＳｉＨ４に対
して膜中にドープされたＢノ量ハ、 （１０１ｓ〜１０
１３）／ａｊニ対応Ｌ、好マシイＢドープ量は（４ｏ１
４〜１０１２）／ｃｏ＆であるといえる。
この微量ドープされたＢは、ａ−５Ｌ膜の光劣化の低減
に大きな役割を果たす、 １０”／ｃｄ程度のＢのドー
プサンプルと従来のノンドープサンプルとの光劣化を比
較すると、第５図に示したように、ドープサンプルの方
が残存率が高い（光劣化が小さい）ことが判る。なおこ
の場合、光照射はグリーン光源（λ＝ ５５０ｎｍ）に
よる連続照射である。
に大きな役割を果たす、 １０”／ｃｄ程度のＢのドー
プサンプルと従来のノンドープサンプルとの光劣化を比
較すると、第５図に示したように、ドープサンプルの方
が残存率が高い（光劣化が小さい）ことが判る。なおこ
の場合、光照射はグリーン光源（λ＝ ５５０ｎｍ）に
よる連続照射である。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、光導電層として
のａ −Ｓ ｉｌＷに、 （１０１３〜１０”）／ａＪ
の範囲でボロンをドープすることにより、必要な光電流
を得ることができるとともに、光劣化を軽減することが
でき、複写機やファクシミリ装置等の実使用に十分適合
する光読取素子を実現することが可能となる。
のａ −Ｓ ｉｌＷに、 （１０１３〜１０”）／ａＪ
の範囲でボロンをドープすることにより、必要な光電流
を得ることができるとともに、光劣化を軽減することが
でき、複写機やファクシミリ装置等の実使用に十分適合
する光読取素子を実現することが可能となる。
なお、光読取素子に限らず、感光体あるいは太陽電池で
も、上記Ｂのドープ量で光キャリアが大きくとれる点で
、十分適用可能である。
も、上記Ｂのドープ量で光キャリアが大きくとれる点で
、十分適用可能である。
第１図は、ａ−３ｉ膜に対するＢのドープ量（Ｂ、Ｈ！
／ＳｉＨ４ｐｐｍ）と光電流との関係を示す図、第２図
は、ＢｚＨ，／ＳｉＨ４の流量に対する膜中にドープさ
れるＢの量を示す図、第３図は、光劣化の原因の一つで
あるダングリングボンドを示す図、第４図は、Ｂドープ
の効果を示す図、第５図は。 Ｂドープサンプルとノンドープサンプルの光劣化特性を
示す図である。 第１図
／ＳｉＨ４ｐｐｍ）と光電流との関係を示す図、第２図
は、ＢｚＨ，／ＳｉＨ４の流量に対する膜中にドープさ
れるＢの量を示す図、第３図は、光劣化の原因の一つで
あるダングリングボンドを示す図、第４図は、Ｂドープ
の効果を示す図、第５図は。 Ｂドープサンプルとノンドープサンプルの光劣化特性を
示す図である。 第１図
Claims (2)
- （１）アモルファスシリコン層を活性層とする光電素子
において、前記アモルファスシリコン層は、ボロンが（
１０＾１＾３〜１０＾１＾５）／ｃｍ＾３の範囲でドー
プされていることを特徴とする光電素子。 - （２）ボロンが（１０＾１＾３〜１０＾１＾５）／ｃｍ
＾３の範囲でドープされたアモルファスシリコン層を用
いて光導電型読取素子が構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の光電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147197A JPH07123168B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147197A JPH07123168B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634686A true JPS634686A (ja) | 1988-01-09 |
| JPH07123168B2 JPH07123168B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=15424751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61147197A Expired - Fee Related JPH07123168B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123168B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929157A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | シリコーンエラストマー被覆布の製造方法 |
| JPS5954275A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61147197A patent/JPH07123168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929157A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | シリコーンエラストマー被覆布の製造方法 |
| JPS5954275A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07123168B2 (ja) | 1995-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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