JPH03218683A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPH03218683A JPH03218683A JP2014011A JP1401190A JPH03218683A JP H03218683 A JPH03218683 A JP H03218683A JP 2014011 A JP2014011 A JP 2014011A JP 1401190 A JP1401190 A JP 1401190A JP H03218683 A JPH03218683 A JP H03218683A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、多結晶シリコン（以下、ｐ−Ｓｉと称す）膜
と非品質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）膜または微
結晶シリコン（以下、μｃ−Ｓｉと称す）膜との接合を
備える光起電力素子に関する。
と非品質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）膜または微
結晶シリコン（以下、μｃ−Ｓｉと称す）膜との接合を
備える光起電力素子に関する。
（口）従来の技術
ａ−Ｓｉ膜のみからなる光起電力素子より光電変換効率
が高くなるとして、ｐ−Ｓｉ膜とａ−Ｓｉ膜との接合を
備える光起電力素子が、Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ＼’ｏｌ２
２ （１９８３） ｐｐ．Ｌ６０５に記載されているよ
うに、既に知られている。
が高くなるとして、ｐ−Ｓｉ膜とａ−Ｓｉ膜との接合を
備える光起電力素子が、Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ＼’ｏｌ２
２ （１９８３） ｐｐ．Ｌ６０５に記載されているよ
うに、既に知られている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
この光起電力素子は、ｐ−Ｓｉウエハを用いているため
、コストが高くなる。
、コストが高くなる。
また、このような光起電力素子においても、従来十分な
光電変換効率は得られていなかった。
光電変換効率は得られていなかった。
そこで、本発明の目的は、ｐ−Ｓｉ膜とａ−Ｓｉ膜また
はμｃ−Ｓｉ膜との接合を備える光起電力素子を安価に
製造することができ、かつ高変換効率を備える光起電力
素子を提供するものである。
はμｃ−Ｓｉ膜との接合を備える光起電力素子を安価に
製造することができ、かつ高変換効率を備える光起電力
素子を提供するものである。
（二）課題を解決するための手段
本発明は、固相成長法により形成したｐ−Ｓｉ膜と、ａ
−Ｓｉ膜またはｐｃ−Ｓｉ膜との接合を備える光起電力
素子において、上記ｐ−Ｓｉ膜の上記ａ−Ｓｉ膜または
μｃ−Ｓｉ膜との接合面に、高さ約２０００人以上の凸
凹が形成されていることを特徴とする。
−Ｓｉ膜またはｐｃ−Ｓｉ膜との接合を備える光起電力
素子において、上記ｐ−Ｓｉ膜の上記ａ−Ｓｉ膜または
μｃ−Ｓｉ膜との接合面に、高さ約２０００人以上の凸
凹が形成されていることを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、ｐ−Ｓｉ膜上に高さ約２０００人以上
の凸凹を形成することにより、その上に形成したａ−Ｓ
ｉ層にも凸凹が形成され、光起電力素子の光入射面に６
凸凹が形成されることになる。従って、入射光は入射面
にて屈折し、発電層内に斜めに入るため、発電層内での
光路長が長くなり、光の吸収量が多くなるため光電変換
効率が向上する。
の凸凹を形成することにより、その上に形成したａ−Ｓ
ｉ層にも凸凹が形成され、光起電力素子の光入射面に６
凸凹が形成されることになる。従って、入射光は入射面
にて屈折し、発電層内に斜めに入るため、発電層内での
光路長が長くなり、光の吸収量が多くなるため光電変換
効率が向上する。
（へ）実施例
第１図は、本発明の一実施例の光起電力素子の構造を示
す概略的断面図である。
す概略的断面図である。
この光起電力素子は、２つの単位発電素子を積層した、
所謂タンデム型光起電力素子であり、１は基板、２は基
板ｌ上に固相成長法により形成された膜厚５〜５０μｍ
のｎ型ｐ−Ｓｉ層であり、その表面に約２０００人以上
の凹凸が形成されている。３は膜厚１００ − ５００
人のｐ型ｌＩｃ−Ｓｉ層、４は膜厚１００ − ５００
人のｎ型ａ−Ｓｉ層、５は膜厚１０００ − ８０００
人のｉ型ａ一Ｓｌ層、６は膜厚１００ − ３００人の
ｐ型ａ−Ｓｉ層である。
所謂タンデム型光起電力素子であり、１は基板、２は基
板ｌ上に固相成長法により形成された膜厚５〜５０μｍ
のｎ型ｐ−Ｓｉ層であり、その表面に約２０００人以上
の凹凸が形成されている。３は膜厚１００ − ５００
人のｐ型ｌＩｃ−Ｓｉ層、４は膜厚１００ − ５００
人のｎ型ａ−Ｓｉ層、５は膜厚１０００ − ８０００
人のｉ型ａ一Ｓｌ層、６は膜厚１００ − ３００人の
ｐ型ａ−Ｓｉ層である。
これらｐ型μｃ−Ｓｉ層３、ｎ型ａ−Ｓｉ層４、ｉ型ａ
−Ｓｉ層５及びｐ型ａ−Ｓｉ層６は、周知のプラズマＣ
ＶＤ法によりｎ型ｐ−Ｓｉ層２上に順に形成される。７
はＩＴＯ （酸化インジウム） 、ＳｎＯｚ （酸化錫
）等のＴＣＯ（透光性導電酸化物冫からなる膜厚１００
０〜２０００人の透明電極である。
−Ｓｉ層５及びｐ型ａ−Ｓｉ層６は、周知のプラズマＣ
ＶＤ法によりｎ型ｐ−Ｓｉ層２上に順に形成される。７
はＩＴＯ （酸化インジウム） 、ＳｎＯｚ （酸化錫
）等のＴＣＯ（透光性導電酸化物冫からなる膜厚１００
０〜２０００人の透明電極である。
なお、ｐ型ｐｃ−Ｓｉ層３に代えて、ｐ型ａ−Ｓｉ層３
を用いてもよい。
を用いてもよい。
第２図は、ｎ型ｐ−Ｓｉ層２表面の凸凹の高さと光起電
力素子の変換効率との関係を示す。なお、同図は、凸凹
がない場合の変換効率を１としたときの相対値を示して
いる。
力素子の変換効率との関係を示す。なお、同図は、凸凹
がない場合の変換効率を１としたときの相対値を示して
いる。
第２図から明らかなように、ｎ型ｐ−Ｓｉ層２の表面に
２０００人以上の凸凹を形成することにより、凸凹がな
い場合と比べ変換効率を向上し得ることが分かる。これ
はｎ型ｐ−Ｓｉ層２の表面に２０００人以上の凸凹を形
成することにより、光起電力素子の短絡電流が増加した
ためである。なお、２０００人以下で変換効率がほとん
ど変化しないのは、凸凹が小さすぎるため、その効果が
少ないためであると考えられる。
２０００人以上の凸凹を形成することにより、凸凹がな
い場合と比べ変換効率を向上し得ることが分かる。これ
はｎ型ｐ−Ｓｉ層２の表面に２０００人以上の凸凹を形
成することにより、光起電力素子の短絡電流が増加した
ためである。なお、２０００人以下で変換効率がほとん
ど変化しないのは、凸凹が小さすぎるため、その効果が
少ないためであると考えられる。
次に、本発明の実施例の光起電力素子のｎ型ｐ−Ｓｉ層
２の具体的な形成方法について、３つの例を示す。
２の具体的な形成方法について、３つの例を示す。
（第１例ラ
基板１としては、石英もしくはセラミック等を用いる。
アセトン中に８１もしくはＳｉｎ，の結晶粉末（粒径２
０ ０ ０〜１００ＱＱ人）をイ容かして撹拌し、こ
の溶液中に基板１を入れ、１０〜３０分超音波洗浄する
。そうすることにより、基板１上に粉末が吸着される。
０ ０ ０〜１００ＱＱ人）をイ容かして撹拌し、こ
の溶液中に基板１を入れ、１０〜３０分超音波洗浄する
。そうすることにより、基板１上に粉末が吸着される。
こうして粉末が吸着した基板１上に、下記の条件による
プラズマＣＶＤ法により、リンドープのｎ型ａ−Ｓｉ層
を形成する。
プラズマＣＶＤ法により、リンドープのｎ型ａ−Ｓｉ層
を形成する。
＊ Ｃ Ｖ Ｄ形成条件
ガス流量比： ＰＩ−１，，／’ ＳｉＨ． ＝ １〜
３％基板温度 ゜４００〜７００℃ 膜厚 ：５〜５０μｍ その後、このｎ型ａ−Ｓｉ層を、６００ 〜８００℃の
Ｎ２ガス雰囲気中にｌＯ〜３０時間曝して固相成長させ
ることにより、表面に２０００〜１００００人の凸凹を
持ったｎ型ｐ−Ｓｉ層２が形成される。
３％基板温度 ゜４００〜７００℃ 膜厚 ：５〜５０μｍ その後、このｎ型ａ−Ｓｉ層を、６００ 〜８００℃の
Ｎ２ガス雰囲気中にｌＯ〜３０時間曝して固相成長させ
ることにより、表面に２０００〜１００００人の凸凹を
持ったｎ型ｐ−Ｓｉ層２が形成される。
（第２例）
基板Ｉ （第１例と同じ基板）の表面を研摩し、表面に
２ｏ Ｏ Ｃｌ人〜１．５μｍの凸凹を形成する。その
上に第１例と同じ条件でｎ型ａ−Ｓｉ層を形成した後、
これを第１例と同じ条件で固相成長させる。これにより
、表面に２０００人〜１μｍの凸凹を有するｎ型ｐ−Ｓ
ｉ層２が形成される。
２ｏ Ｏ Ｃｌ人〜１．５μｍの凸凹を形成する。その
上に第１例と同じ条件でｎ型ａ−Ｓｉ層を形成した後、
これを第１例と同じ条件で固相成長させる。これにより
、表面に２０００人〜１μｍの凸凹を有するｎ型ｐ−Ｓ
ｉ層２が形成される。
（第３例）
基板１ （第１例と同じ基板）上に第１例と同じ条件で
ａ−Ｓｉ層を形成した後、これを第１例と同じ条件で固
相成長させ、ｎ型ｐ−Ｓｉ層を形成する。
ａ−Ｓｉ層を形成した後、これを第１例と同じ条件で固
相成長させ、ｎ型ｐ−Ｓｉ層を形成する。
その後、その表面を下記に示す条件で、Ａｒガスもしく
はＣＦ． ＋ ｏｔガス中でスパッタする。
はＣＦ． ＋ ｏｔガス中でスパッタする。
＊貸の場合のスパッタ条件
Ａｒ流量 ： １０ − １００ＳＣＣＭ圧力 ：
０．５−５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ基板温度：室温 ＲＦパワー：１０〜１００Ｗ 時間 ：１０〜１００分 ＊（Ｆ４＋Ｏｓの場合のスパッタ条件 総流量 ：１０〜ＩＯＯＳＣＣＭ 流量比 ： ＣＦ． ：Ｏ． ＝ ９： １圧力 ：
０． ５− ５Ｘ Ｉｔ）−’Ｔｏｒｒ基板温度：室
温 ＲＦノマワ ー ： １０〜 １００〜〜′時間 ：
１〜３０分 これらスパッタにより、表面に２０００人〜ＩＩＩｎ＋
の凸凹が形成されたｎ型ｐ−Ｓｉ層２が形成される。
０．５−５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ基板温度：室温 ＲＦパワー：１０〜１００Ｗ 時間 ：１０〜１００分 ＊（Ｆ４＋Ｏｓの場合のスパッタ条件 総流量 ：１０〜ＩＯＯＳＣＣＭ 流量比 ： ＣＦ． ：Ｏ． ＝ ９： １圧力 ：
０． ５− ５Ｘ Ｉｔ）−’Ｔｏｒｒ基板温度：室
温 ＲＦノマワ ー ： １０〜 １００〜〜′時間 ：
１〜３０分 これらスパッタにより、表面に２０００人〜ＩＩＩｎ＋
の凸凹が形成されたｎ型ｐ−Ｓｉ層２が形成される。
（ト）発明の効果
本発明によれば、固相成長法により形成した多結晶シリ
コン膜と、非晶質シリコン膜または微結晶シリコン膜と
の接合を備える光起電力素子において、上記多結晶シリ
コン膜の上記非品質シリコン膜または微結晶シリコン膜
との接合面に、高さ約２０００人以上の凸凹が形成され
ているので、発電層内での光の吸４又が多くなり、光起
電力素子の変換効率を向上することができる。
コン膜と、非晶質シリコン膜または微結晶シリコン膜と
の接合を備える光起電力素子において、上記多結晶シリ
コン膜の上記非品質シリコン膜または微結晶シリコン膜
との接合面に、高さ約２０００人以上の凸凹が形成され
ているので、発電層内での光の吸４又が多くなり、光起
電力素子の変換効率を向上することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略的断面図、第２図
はｐ−Ｓｉ層表面の凸凹の高さと光起電力素子の変換効
率の関係を示す特性図である。 Ｏ ２０００ ４０００ ６０００ ８０００ ＋００００ 凸凹０高さｌス）
はｐ−Ｓｉ層表面の凸凹の高さと光起電力素子の変換効
率の関係を示す特性図である。 Ｏ ２０００ ４０００ ６０００ ８０００ ＋００００ 凸凹０高さｌス）
Claims (1)
- （１）固相成長法により形成した多結晶シリコン膜と、
非晶質シリコン膜または微結晶シリコン膜との接合を備
える光起電力素子において、上記多結晶シリコン膜の上
記非晶質シリコン膜または微結晶シリコン膜との接合面
に、高さ約２０００Å以上の凸凹が形成されていること
を特徴とする光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014011A JPH03218683A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014011A JPH03218683A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218683A true JPH03218683A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11849259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014011A Pending JPH03218683A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4315959A1 (de) * | 1993-05-12 | 1994-11-24 | Max Planck Gesellschaft | Elektronische Einrichtung mit mikrostrukturierten Elektroden und Verfahren zur Herstellung einer solchen Einrichtung |
| US7075002B1 (en) | 1995-03-27 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50158290A (ja) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 | ||
| JPS5760875A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-13 | Sharp Corp | Photoelectric conversion element |
| JPS60216585A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池素子 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2014011A patent/JPH03218683A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50158290A (ja) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 | ||
| JPS5760875A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-13 | Sharp Corp | Photoelectric conversion element |
| JPS60216585A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4315959A1 (de) * | 1993-05-12 | 1994-11-24 | Max Planck Gesellschaft | Elektronische Einrichtung mit mikrostrukturierten Elektroden und Verfahren zur Herstellung einer solchen Einrichtung |
| US5810945A (en) * | 1993-05-12 | 1998-09-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of fabricating an electronic micropatterned electrode device |
| US7075002B1 (en) | 1995-03-27 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same |
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