JPS63482A - グロ−放電分解装置 - Google Patents
グロ−放電分解装置Info
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- JPS63482A JPS63482A JP62075001A JP7500187A JPS63482A JP S63482 A JPS63482 A JP S63482A JP 62075001 A JP62075001 A JP 62075001A JP 7500187 A JP7500187 A JP 7500187A JP S63482 A JPS63482 A JP S63482A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow discharge
- substrates
- amorphous semiconductor
- reaction chamber
- electrode plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス半導体層を生成するグロー放電分
解装置に関し、詳しくは単一の反応室により複数個の筒
状基板（ドラム）の表面に同時にアモルファス半導体層
を形成する量産性に優れたグロー放電分解装置に関する
ものである。
解装置に関し、詳しくは単一の反応室により複数個の筒
状基板（ドラム）の表面に同時にアモルファス半導体層
を形成する量産性に優れたグロー放電分解装置に関する
ものである。
近時、アモルファスシリコン（以下、 ａ−Ｓｉと略す
）などのアモルファス半導体から成る光電部材が電子写
真感光体や太陽電池などに利用されており、その優れた
光電変換特性並びに効率よくアモルファス半導体層が生
成されるなどの利点を有し、非常に注目されている。例
えば、電子写真感光体の分野ではａ−Ｓｉを光キヤリア
発生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用いて高
品質な感光体を得るに至っており、現在、グロー放電分
解法によるａ−３ｉ悪感光用量産装置の開発が進めるれ
ている。
）などのアモルファス半導体から成る光電部材が電子写
真感光体や太陽電池などに利用されており、その優れた
光電変換特性並びに効率よくアモルファス半導体層が生
成されるなどの利点を有し、非常に注目されている。例
えば、電子写真感光体の分野ではａ−Ｓｉを光キヤリア
発生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用いて高
品質な感光体を得るに至っており、現在、グロー放電分
解法によるａ−３ｉ悪感光用量産装置の開発が進めるれ
ている。
例えば特開昭６０−２１５７６７号公報によれば、単一
の反応室を用いて同時に４個のａ−Ｓｉ感光体を製作す
るためのグロー放電分解装置が提案されている。
の反応室を用いて同時に４個のａ−Ｓｉ感光体を製作す
るためのグロー放電分解装置が提案されている。
しかしながら、この提案の装置によれば、電極板の上端
が開放されており、これによってグロー放電領域がその
上端面よりはみ出して放電領域が拡大し、その結果、そ
のはみ出た放電領域によって生成する分解ガスは成膜形
成に十分に寄与せず、そのまま排出される傾向にある。
が開放されており、これによってグロー放電領域がその
上端面よりはみ出して放電領域が拡大し、その結果、そ
のはみ出た放電領域によって生成する分解ガスは成膜形
成に十分に寄与せず、そのまま排出される傾向にある。
また、反応室内部に複数の電極板が設置されている場合
、成膜用基板と電極板の間以外にも放電が発生するとい
う問題がある。
、成膜用基板と電極板の間以外にも放電が発生するとい
う問題がある。
即ち、グロー放電を行った場合、基板と電極板の間以外
に、電極板と反応室壁の間、或いは基板と反応室壁の間
にも放電し易くなり、これによって成膜用ガスは成膜さ
れないで無駄に分解され、そのまま排出されることにな
る。
に、電極板と反応室壁の間、或いは基板と反応室壁の間
にも放電し易くなり、これによって成膜用ガスは成膜さ
れないで無駄に分解され、そのまま排出されることにな
る。
更に上記のように余分な放電が発生すると基板間で均等
な放電条件が設定されなくなり、そのために均質な成膜
形成ができなくなるという問題が生じる。
な放電条件が設定されなくなり、そのために均質な成膜
形成ができなくなるという問題が生じる。
本発明は上記事情に鑑みて完成され、その目的は個々の
基板上に同時にアモルファス半導体層を生成してその品
質を均一にし、成膜の信頼性を高めた量産型のグロー放
電分解装置を提供することにある。
基板上に同時にアモルファス半導体層を生成してその品
質を均一にし、成膜の信頼性を高めた量産型のグロー放
電分解装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、個々の基板に余分な放電領域を生
成させず、また、基板とグロー放電用電極板の間以外で
放電を発生させず、これによってアモルファス半導体層
生成用ガスを無駄に消費せず、それに伴う消費電力をな
くし、その結果、製造効率及び製造コストを改善せしめ
たグロー放電分解装置を提供することにある。
成させず、また、基板とグロー放電用電極板の間以外で
放電を発生させず、これによってアモルファス半導体層
生成用ガスを無駄に消費せず、それに伴う消費電力をな
くし、その結果、製造効率及び製造コストを改善せしめ
たグロー放電分解装置を提供することにある。
本発明によれば、アモルファス半導体層生成用ガスが導
入される反応室の内部に複数個の筒状基板が所定の間隔
で設置され、各々の基板の周囲にそれぞれグロー放電用
電極板が対向し、該基板と該電極板の間で発生したグロ
ー放電により複数個の基板表面に同時にアモルファス半
導体層を生成するようにしたグロー放電分解装置におい
て、前記電極板はその上端が閉塞された筒状であり、且
つその周面にガス噴出口が形成されていることを特徴と
するグロー放電分解装置が提供される。
入される反応室の内部に複数個の筒状基板が所定の間隔
で設置され、各々の基板の周囲にそれぞれグロー放電用
電極板が対向し、該基板と該電極板の間で発生したグロ
ー放電により複数個の基板表面に同時にアモルファス半
導体層を生成するようにしたグロー放電分解装置におい
て、前記電極板はその上端が閉塞された筒状であり、且
つその周面にガス噴出口が形成されていることを特徴と
するグロー放電分解装置が提供される。
以下、本発明の装置をａ−５ｉ悪感光を製造するグロー
放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
第１図は４個のａ−Ｓｉ感光体を同時に製造できるグロ
ー放電分解装置を示す上面図であり、第２図は第１図中
切断面線Ａ−Ａによる断面図である。
ー放電分解装置を示す上面図であり、第２図は第１図中
切断面線Ａ−Ａによる断面図である。
この装置によれば、反応室ｌの内部に同じサイズの上端
が閉塞された円筒状グロー放電用電極板２が４個設置さ
れるに当たって各々の電極板２が実質上円周上に且つ等
間隔に配置されており、この円周の中心部に対応して反
応室上面１ａにガス導入口３が形成されており、更に電
極板２の内部に同心円状の筒状基板４が基板支持体５に
設置されている。ａ−３ｉ層生成用ガスはガス導入口３
から反応室１の内部へ入り、電極板２に形成されたガス
噴出口６よりガスが基板４へ向かって噴き出すようにな
っている。
が閉塞された円筒状グロー放電用電極板２が４個設置さ
れるに当たって各々の電極板２が実質上円周上に且つ等
間隔に配置されており、この円周の中心部に対応して反
応室上面１ａにガス導入口３が形成されており、更に電
極板２の内部に同心円状の筒状基板４が基板支持体５に
設置されている。ａ−３ｉ層生成用ガスはガス導入口３
から反応室１の内部へ入り、電極板２に形成されたガス
噴出口６よりガスが基板４へ向かって噴き出すようにな
っている。
グロー放電用の電力は１個の高周波型ａ７から１個のマ
ツチングボックス８を介して反応室１の外側に設けた端
子９．１０より供給される。端子９は反応室１の周壁１
ｂ及び上面１ａよりリード１１を介して電極板２と導通
しており、他方の端子１０は反応室１の底面１ｃより基
板支持体５を介して基板４と導通しているので基板４と
電極板２の間にグロー放電が生じる。尚、１２は周壁１
ｂと底面ＩＣを電気的に絶縁する絶縁リングであり、１
３はガス排出口である。
ツチングボックス８を介して反応室１の外側に設けた端
子９．１０より供給される。端子９は反応室１の周壁１
ｂ及び上面１ａよりリード１１を介して電極板２と導通
しており、他方の端子１０は反応室１の底面１ｃより基
板支持体５を介して基板４と導通しているので基板４と
電極板２の間にグロー放電が生じる。尚、１２は周壁１
ｂと底面ＩＣを電気的に絶縁する絶縁リングであり、１
３はガス排出口である。
また、反応室１の内部に基板４と電気的に導通した第１
導電体１４と、電極Ｆｉ、２と電気的に導通した第２導
電体１５が形成されており、この第１導電体１４と第２
導電体１５との間で放電が可能になるように設定する。
導電体１４と、電極Ｆｉ、２と電気的に導通した第２導
電体１５が形成されており、この第１導電体１４と第２
導電体１５との間で放電が可能になるように設定する。
このような構成のグロー放電分解装置によれば、放電領
域を電極板２によって閉じ込めており、そのために無駄
な放電領域が生成されないので分解ガスは成膜形成に存
効に供与されることになる。
域を電極板２によって閉じ込めており、そのために無駄
な放電領域が生成されないので分解ガスは成膜形成に存
効に供与されることになる。
また、反応室１と電極板２の間は同電位となっており、
そのために反応室内部に導入されたａ−Ｓｉ層生成用ガ
スは両者間で分解されないで電極板内部へ導入される。
そのために反応室内部に導入されたａ−Ｓｉ層生成用ガ
スは両者間で分解されないで電極板内部へ導入される。
更に上記実施例の装置においては、ガス導入口３から各
々の電極板２へ至る間隔が同しとなり、これにより、各
々の電極板内部へ噴出されるガス量は均等になり、その
結果、各基板すべてに均質なａ−５ｉＦＪが形成される
こととなる。また、ａ−Ｓｉ層の生成を終えた残余ガス
はガス排出口１３へ向かい、そこから排出されることに
なる。この場合、各基板からガス排出口１３へ至る間隔
が同じとなり、これによって各基板に対するガス排出量
が均等となってより一層均質なａ−Ｓｉが形成される。
々の電極板２へ至る間隔が同しとなり、これにより、各
々の電極板内部へ噴出されるガス量は均等になり、その
結果、各基板すべてに均質なａ−５ｉＦＪが形成される
こととなる。また、ａ−Ｓｉ層の生成を終えた残余ガス
はガス排出口１３へ向かい、そこから排出されることに
なる。この場合、各基板からガス排出口１３へ至る間隔
が同じとなり、これによって各基板に対するガス排出量
が均等となってより一層均質なａ−Ｓｉが形成される。
更に上記装置においては、第１導電体１４（底面１ｃに
相当する）と対向して第２導電体１５が形成されている
ので、基板４と電極板２とが対向して成る４個の主放電
領域１６は第１導電体１４と第２導電体１５が対向して
成る予備放電領域１７を介して実質上放電領域が一体化
する。従って、高周波電源７より高周波電力が印加され
ると基板４と電極板２の間もしくは第１導電体１４と第
２導電体１５の間のうち、ある一箇所で放電が開始する
と、ａ−Ｓｉｊ５生成ガスは解離して種々の中性ラジカ
ル、イオン又は電子となって拡散し、瞬時にして基板−
電極板間並びに第１導電体−第２導電体間の全域に亘っ
て放電が発生する。その結果、基板４と電極板２の間で
生じる放電条件は４種類とも同じとなり、４個の基板４
のなかで成膜上の品質ムラがなくなる。
相当する）と対向して第２導電体１５が形成されている
ので、基板４と電極板２とが対向して成る４個の主放電
領域１６は第１導電体１４と第２導電体１５が対向して
成る予備放電領域１７を介して実質上放電領域が一体化
する。従って、高周波電源７より高周波電力が印加され
ると基板４と電極板２の間もしくは第１導電体１４と第
２導電体１５の間のうち、ある一箇所で放電が開始する
と、ａ−Ｓｉｊ５生成ガスは解離して種々の中性ラジカ
ル、イオン又は電子となって拡散し、瞬時にして基板−
電極板間並びに第１導電体−第２導電体間の全域に亘っ
て放電が発生する。その結果、基板４と電極板２の間で
生じる放電条件は４種類とも同じとなり、４個の基板４
のなかで成膜上の品質ムラがなくなる。
以上の通り、一度の操作で複数個の基板上に成膜する本
発明のグロー放電分解装置によれば、個々の基板上に同
時にアモルファス半導体層を生成でき、その結果、信頼
性の高い優れたアモルファス半導体層か得られる。
発明のグロー放電分解装置によれば、個々の基板上に同
時にアモルファス半導体層を生成でき、その結果、信頼
性の高い優れたアモルファス半導体層か得られる。
更に本発明の装置によれば、グロー放電用電極板によっ
て放電領域を閉塞しており、これにより、アモルファス
半導体層生成用ガス及び放電電力を無駄に消費せず、そ
の結果、製造効率及び製造コストを改善することができ
る。
て放電領域を閉塞しており、これにより、アモルファス
半導体層生成用ガス及び放電電力を無駄に消費せず、そ
の結果、製造効率及び製造コストを改善することができ
る。
また、本発明の装置を用いてａ−Ｓｉ層を形成した場合
、グロー放電に伴って反応生成物が反応室内部に付着す
るが、それによる汚染区域がグロー放電用電極板の内部
に限定される。従って、この電極板だけを洗浄すればよ
く、例えばこの洗浄を行うに当たってＣＦａ等のグロー
放電によるガスエツチングによって上記汚染物質を分解
する場合であれば、このクリーニング洗浄を有利に行う
ことができる。
、グロー放電に伴って反応生成物が反応室内部に付着す
るが、それによる汚染区域がグロー放電用電極板の内部
に限定される。従って、この電極板だけを洗浄すればよ
く、例えばこの洗浄を行うに当たってＣＦａ等のグロー
放電によるガスエツチングによって上記汚染物質を分解
する場合であれば、このクリーニング洗浄を有利に行う
ことができる。
また本発明の装置を用いれば、グロー放電用のマツチン
グボックス及び高周波電源がそれぞれ１個でよく、これ
により、製造コストの低減が達成される。
グボックス及び高周波電源がそれぞれ１個でよく、これ
により、製造コストの低減が達成される。
尚、本発明は実施例に限定されるものではなく、内部に
複数個の基板を備え、それぞれにグロー放電用電極板を
設けて複数個の基板上に同時にアモルファス半導体層を
形成するグロー放電分解装置であれば、すべてに適用さ
れることは当業者には容易に理解されよう。
複数個の基板を備え、それぞれにグロー放電用電極板を
設けて複数個の基板上に同時にアモルファス半導体層を
形成するグロー放電分解装置であれば、すべてに適用さ
れることは当業者には容易に理解されよう。
第１図は本発明実施例に示すグロー放電分解装置を示す
上面図、第２図は第１図中切断面線Ａ−Ａによる断面図
である。 １ ・・・反応室 ２ ・・・グロー放電用電極板 ３ ・ ・ ・ 基讐反 ４ ・・・ガス導入口
上面図、第２図は第１図中切断面線Ａ−Ａによる断面図
である。 １ ・・・反応室 ２ ・・・グロー放電用電極板 ３ ・ ・ ・ 基讐反 ４ ・・・ガス導入口
Claims (1)
- （１）アモルファス半導体層生成用ガスが導入される反
応室の内部に複数個の筒状基板が所定の間隔で設置され
、各々の基板の周囲にそれぞれグロー放電用電極板が対
向し、該基板と該電極板の間で発生したグロー放電によ
り複数個の基板表面に同時にアモルファス半導体層を生
成するようにしたグロー放電分解装置において、前記電
極板はその上端が閉塞された筒状であり、且つその周面
にガス噴出口が形成されていることを特徴とするグロー
放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075001A JP2551428B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075001A JP2551428B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロ−放電分解装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60298552A Division JP2551404B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | グロ−放電分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63482A true JPS63482A (ja) | 1988-01-05 |
| JP2551428B2 JP2551428B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13563533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075001A Expired - Lifetime JP2551428B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551428B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215767A (ja) * | 1984-04-07 | 1985-10-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | グロ−放電分解装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075001A patent/JP2551428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215767A (ja) * | 1984-04-07 | 1985-10-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | グロ−放電分解装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551428B2 (ja) | 1996-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |