JPS6029470A - 量産型グロ−放電分解装置 - Google Patents
量産型グロ−放電分解装置Info
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- JPS6029470A JPS6029470A JP58138132A JP13813283A JPS6029470A JP S6029470 A JPS6029470 A JP S6029470A JP 58138132 A JP58138132 A JP 58138132A JP 13813283 A JP13813283 A JP 13813283A JP S6029470 A JPS6029470 A JP S6029470A
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- Japan
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- gas
- electrode
- electrode plate
- glow discharge
- drums
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は量産型グロー放電分解装置の改良に関する。
近時、アモルファスシリコン（以下、ａ−８１と略す）
などのアモルファス（非晶質）材料から成る光電部材が
電子写真感光体、太陽電池及び光センサーなどに利用さ
れ、優れた光電適性と共に、効率よく非晶質薄膜が生成
されるなどの利点を有し、非常に注目されている。例え
ば、電子写真感光体の分野ではａ −８１を光キヤリア
発生層とし、その成膜に、グロー放電分解装置を利用す
ることにより高品質な感光体を得るに至っており、現在
、グロー放電分解方式によるａ −Ｓｉ感光体の量産装
置の開発が進められている。
などのアモルファス（非晶質）材料から成る光電部材が
電子写真感光体、太陽電池及び光センサーなどに利用さ
れ、優れた光電適性と共に、効率よく非晶質薄膜が生成
されるなどの利点を有し、非常に注目されている。例え
ば、電子写真感光体の分野ではａ −８１を光キヤリア
発生層とし、その成膜に、グロー放電分解装置を利用す
ることにより高品質な感光体を得るに至っており、現在
、グロー放電分解方式によるａ −Ｓｉ感光体の量産装
置の開発が進められている。
そこで、先に本発明者は、非晶質層生成ガスが導入され
る反応室内部に、所定の間隔を置いて設けられ且つ導入
されたガスが反応室内部に拡散されるように複数個のガ
ス通過孔が貫設された複数個の電極板から成る外部電極
板と、ガス吸引部を有した円筒状内部電極板が同心円状
に配置されると共に、両電極板が非晶質層形成用表面を
有する複数個の筒状基板を介して対向し、該反応室内に
発生したグロー放電により該基板の表面上に非晶質層を
生成するようにした量産型グロー放電分解液６を提案し
た。
る反応室内部に、所定の間隔を置いて設けられ且つ導入
されたガスが反応室内部に拡散されるように複数個のガ
ス通過孔が貫設された複数個の電極板から成る外部電極
板と、ガス吸引部を有した円筒状内部電極板が同心円状
に配置されると共に、両電極板が非晶質層形成用表面を
有する複数個の筒状基板を介して対向し、該反応室内に
発生したグロー放電により該基板の表面上に非晶質層を
生成するようにした量産型グロー放電分解液６を提案し
た。
即ち、この量産型グロー放電分解装置によれば、第１図
に示すように、反応室（１）には、三重構造から成る円
筒状の外部電極板（２）と、円筒状の内部電極板（３）
が同心円状となるように配置されると共に、外部電極板
（２）は内側からガス噴出用電極板（４）、ガス拡散用
電極板（５）並びに反応室（１）の外壁を構成する周壁
用電極板（６）から成り、適当なスペーサ（図示せず）
により間隔を置いて順次周設され、そして、ガス噴出用
電極板（４）と内部電極板（３）の間には、回転駆動さ
れる８木の感光体ドラム（７）が正八角形の各頂点に位
置するように配置される。
に示すように、反応室（１）には、三重構造から成る円
筒状の外部電極板（２）と、円筒状の内部電極板（３）
が同心円状となるように配置されると共に、外部電極板
（２）は内側からガス噴出用電極板（４）、ガス拡散用
電極板（５）並びに反応室（１）の外壁を構成する周壁
用電極板（６）から成り、適当なスペーサ（図示せず）
により間隔を置いて順次周設され、そして、ガス噴出用
電極板（４）と内部電極板（３）の間には、回転駆動さ
れる８木の感光体ドラム（７）が正八角形の各頂点に位
置するように配置される。
また、前記電極板＋３１ ＋４１’ ＋５１ ＋６）は
同電位とするだめ導通されており、外部の高周波電源（
図示せず）から印加され、ガス噴出用電極板（４）と感
光体ドラム（７）の表面、及び内部電極板（３１と感光
体ドラム（７）の表面間にグロー放電が発生し、それぞ
れの感光体ドラム（７）には均一な高周波電界が生成さ
れることになる。
同電位とするだめ導通されており、外部の高周波電源（
図示せず）から印加され、ガス噴出用電極板（４）と感
光体ドラム（７）の表面、及び内部電極板（３１と感光
体ドラム（７）の表面間にグロー放電が発生し、それぞ
れの感光体ドラム（７）には均一な高周波電界が生成さ
れることになる。
そして、ガス噴出用電極板（４）及びガス拡散用電極板
（５）にはそれぞれ複数個の噴出孔（８）及び拡散孔（
９）が各板面全体に亘って均一に貫設され、しかも、ａ
−Ｓｉ層生成ガスの導入管αα４本が反応室（１）の
中心軸に対し直交すると共に、反応室（１）の円周を四
等分するように、周壁用電極板（６）に貫設された４個
の導入口（１１１のそれぞれに接続されており、導入管
αＧを介して反応室（１）内に導入したａ−Ｓｉ層生成
ガスがガス拡散用電極板（５）の拡散孔（９）を通過す
る際に、ガスの拡散が十分に行われ、ガス噴出用電極板
（４）の全面に亘って実質上均一にガスが噴出されるよ
うに孔の大きさや孔の数を適宜設定するようにしである
。
（５）にはそれぞれ複数個の噴出孔（８）及び拡散孔（
９）が各板面全体に亘って均一に貫設され、しかも、ａ
−Ｓｉ層生成ガスの導入管αα４本が反応室（１）の
中心軸に対し直交すると共に、反応室（１）の円周を四
等分するように、周壁用電極板（６）に貫設された４個
の導入口（１１１のそれぞれに接続されており、導入管
αＧを介して反応室（１）内に導入したａ−Ｓｉ層生成
ガスがガス拡散用電極板（５）の拡散孔（９）を通過す
る際に、ガスの拡散が十分に行われ、ガス噴出用電極板
（４）の全面に亘って実質上均一にガスが噴出されるよ
うに孔の大きさや孔の数を適宜設定するようにしである
。
上記の構成によれば、導入管００を通して反応室（１）
の内部に導入したａ −Ｓｉ層生成ガスはガス拡散用電
極板（５）を介して拡散が著しく進行するため、ガス噴
出用電極板（４）から反応室（１）の中心軸へ向かって
、その板面全体に亘り、ガスがほぼ均等量噴出され、す
べての感光体ドラムには均等量のガスが吹きつけられる
ことになる。
の内部に導入したａ −Ｓｉ層生成ガスはガス拡散用電
極板（５）を介して拡散が著しく進行するため、ガス噴
出用電極板（４）から反応室（１）の中心軸へ向かって
、その板面全体に亘り、ガスがほぼ均等量噴出され、す
べての感光体ドラムには均等量のガスが吹きつけられる
ことになる。
また、前記反応室（１）の場合、円筒状内部電極板（３
）に複数個のガス吸引孔０２が設けられ、該ガス吸引孔
ａｈを通してガスを吸引するようになっている。
）に複数個のガス吸引孔０２が設けられ、該ガス吸引孔
ａｈを通してガスを吸引するようになっている。
しかしながら、この構成によれば、感光体ドラムの全面
に亘って均等に吸引することができない。
に亘って均等に吸引することができない。
即ち、例えば円筒状内部電極板（３）の下方から吸引し
た場合、その吸引部に近い下方に位置する吸引孔（１２
）から吸引するガスの量は内部電極板（３）の上方に位
置する吸引孔ａ２から吸引するガスの量よりも多くなる
。このように、感光体ドラム表面に対するガスの吸引量
が不均等になると、感光体ドラムる。
た場合、その吸引部に近い下方に位置する吸引孔（１２
）から吸引するガスの量は内部電極板（３）の上方に位
置する吸引孔ａ２から吸引するガスの量よりも多くなる
。このように、感光体ドラム表面に対するガスの吸引量
が不均等になると、感光体ドラムる。
そこで、本発明者は感光体ドラム全面に亘ってガスが均
等に吸引されるように更に鋭意研究した結果、複数個の
ガス吸引孔が設けられた内部電極板を多重構造にするこ
とにより解決できることを知−見した。
等に吸引されるように更に鋭意研究した結果、複数個の
ガス吸引孔が設けられた内部電極板を多重構造にするこ
とにより解決できることを知−見した。
本発明は上記知見に基づき、すべての基板相互間、並び
に個々の基板全面ｔこ亘って均等なガス流通状態が形成
され、その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を均一
にし、製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上すること
ができる量産型グロー放電分解装置を提供することにあ
る。
に個々の基板全面ｔこ亘って均等なガス流通状態が形成
され、その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を均一
にし、製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上すること
ができる量産型グロー放電分解装置を提供することにあ
る。
木兄明によれば、上記目的を達成するために、非晶質層
生成ガスが導入される反応室内部に、ガス噴出部を有し
た外部電極板及びガス吸引部を有した円筒状内部電極板
が同心円状に配置されると共に、両電極板が非晶質層形
成用表面を有する複数個の筒状基板を介して対向し、該
反応室内に発生したグロー放電により該基板の表面上に
非晶質置において、前記内部電極板は複数個のガス吸引
孔が設けられ且つ所定の間隔を置いて設けられた複数個
の電極板から成ることを特徴とする量産型グロー放電分
解装置が提供される。
生成ガスが導入される反応室内部に、ガス噴出部を有し
た外部電極板及びガス吸引部を有した円筒状内部電極板
が同心円状に配置されると共に、両電極板が非晶質層形
成用表面を有する複数個の筒状基板を介して対向し、該
反応室内に発生したグロー放電により該基板の表面上に
非晶質置において、前記内部電極板は複数個のガス吸引
孔が設けられ且つ所定の間隔を置いて設けられた複数個
の電極板から成ることを特徴とする量産型グロー放電分
解装置が提供される。
以下、本発明を感光体ドラム上にａ −Ｓ＞層を成層す
るためのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明す
る。
るためのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明す
る。
第２図は本発明による内部電極板の実施例を示すもので
あり、内部電極板（３）は外側のガス吸引用円筒状電極
板（１３及び内側のガス排出用円筒状電極板（１４１か
ら成り、両電極板（１３１（１４１は所定の間隔をおい
て同心円状に配置されている。ガス吸引用円筒状電極板
（１３１はその上方部（１３ａ）、並びにガス排出用円
筒状電極板＋１４１の貫通部分を除いた下方部（１３１
））が密封されており、ガス排出用円筒状電極板Ｃ１４
１はその上方部が密封され、下方部はガス吸引用回転ポ
ンプ（図示せず）に接続され、外部にガスが吸引、排気
されるようになっている。
あり、内部電極板（３）は外側のガス吸引用円筒状電極
板（１３及び内側のガス排出用円筒状電極板（１４１か
ら成り、両電極板（１３１（１４１は所定の間隔をおい
て同心円状に配置されている。ガス吸引用円筒状電極板
（１３１はその上方部（１３ａ）、並びにガス排出用円
筒状電極板＋１４１の貫通部分を除いた下方部（１３１
））が密封されており、ガス排出用円筒状電極板Ｃ１４
１はその上方部が密封され、下方部はガス吸引用回転ポ
ンプ（図示せず）に接続され、外部にガスが吸引、排気
されるようになっている。
前記ガス吸引用円筒状電極板（１３１及び前記ガス排出
用円筒状電極板α４には、それぞれ複数個の吸引孔ａ９
及び排出孔ａ６１が各板面全体に亘って均一に貫設され
ている。吸引孔α９及び排出孔ａＧｌはいずれも円形、
四角形など任意の形状でよく、それぞれの孔径或いは孔
の大きさ及び孔数は、ガス吸引用回転ポンプの吸引力が
ガス吸引用円筒状電極板（Ｉ３１の板面全体に対しほぼ
均等に作用し、その板面全体に亘って実質上均一にガス
が吸引されるように適宜設定すればよい。例えば、吸引
孔（１５１及び排出孔（１ｅが円形の場合、吸引孔（１
５１ノ孔径を０．５〜１．５ ＨＩＭ ％排出孔［１ｅ
の孔径を１〜３１１１！Ｒの範囲で、排出孔叫の孔径を
吸引孔−に比べて大きくすることが好適である。また、
排出孔ａＱを吸引孔（１５１よりも多く設けることが好
適である。
用円筒状電極板α４には、それぞれ複数個の吸引孔ａ９
及び排出孔ａ６１が各板面全体に亘って均一に貫設され
ている。吸引孔α９及び排出孔ａＧｌはいずれも円形、
四角形など任意の形状でよく、それぞれの孔径或いは孔
の大きさ及び孔数は、ガス吸引用回転ポンプの吸引力が
ガス吸引用円筒状電極板（Ｉ３１の板面全体に対しほぼ
均等に作用し、その板面全体に亘って実質上均一にガス
が吸引されるように適宜設定すればよい。例えば、吸引
孔（１５１及び排出孔（１ｅが円形の場合、吸引孔（１
５１ノ孔径を０．５〜１．５ ＨＩＭ ％排出孔［１ｅ
の孔径を１〜３１１１！Ｒの範囲で、排出孔叫の孔径を
吸引孔−に比べて大きくすることが好適である。また、
排出孔ａＱを吸引孔（１５１よりも多く設けることが好
適である。
かくして、ガス吸引用電極板θＪの板面全体に亘り、ガ
スが一層均等量吸引されるため、すべての感光体ドラム
（７）相互間、並びに個々の感光体ドラム（７）の全面
に亘って均等なガス流通状態が形成され、すべての感光
体ドラム（７）にはその表面全面に亘って均質なａ −
Ｓｉ層が形成されることになる。
スが一層均等量吸引されるため、すべての感光体ドラム
（７）相互間、並びに個々の感光体ドラム（７）の全面
に亘って均等なガス流通状態が形成され、すべての感光
体ドラム（７）にはその表面全面に亘って均質なａ −
Ｓｉ層が形成されることになる。
以上の通り、一度の操作で複数個の基板上に成膜する本
発明の量産型グロー放電分解装置によれば、グロー放電
領域が均一な高周波電界となり、且つ各基板の周囲に均
一なガス流通状態が形成され、その結果、各基板上に均
質な非晶質層が形成されることになり、製造歩留りが顕
著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層が得られる。
発明の量産型グロー放電分解装置によれば、グロー放電
領域が均一な高周波電界となり、且つ各基板の周囲に均
一なガス流通状態が形成され、その結果、各基板上に均
質な非晶質層が形成されることになり、製造歩留りが顕
著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層が得られる。
尚、本発明は実施例に示した二重構造の円筒状内部電極
板に限定されるものではなく、これを三重構造や四重構
造にすることも可能である。
板に限定されるものではなく、これを三重構造や四重構
造にすることも可能である。
第１図は本発明の実施例に使われる反応室の破断面図、
第２図は本発明量産型グロー放電分解装置の内部電極板
を示す破断面図である。 １・・・反応室、２・・・外部電極板、３・・・内部電
極板、１３・・・ガス吸引用円筒状電極板、１４・・・
ガス排出用円筒状電極板、１５・・・吸引孔、１６・・
・排出孔特許出願人 京セ ラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第１図 ２ 第２図
第２図は本発明量産型グロー放電分解装置の内部電極板
を示す破断面図である。 １・・・反応室、２・・・外部電極板、３・・・内部電
極板、１３・・・ガス吸引用円筒状電極板、１４・・・
ガス排出用円筒状電極板、１５・・・吸引孔、１６・・
・排出孔特許出願人 京セ ラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第１図 ２ 第２図
Claims (3)
- （１）非晶質層生成ガスが導入される反応室内部に、ガ
ス噴出部を有した外部電極板及びガス吸引部を有した円
筒状内部電極板が同心円状に配置されると共に、両電極
板が非晶質層形成用表面を有する複数個の筒状基板を介
して対向し、該反応室内に発生したグロー放電により該
基板の表面上に非晶質層を生成するようにした量産型グ
ロー放電分解装置において、前記内部電極板は複数個の
ガス吸引孔が設けられ且つ所定の間隔を置いて設けられ
た複数個の電極板から成ることを特徴とする量産型グロ
ー放電分解装置。 - （２）前記複数個の内部電極板のうち、内側に配置され
た電極板に設けられたガス通過孔の大きさを外側に配置
された電極板に設けられたガス通過孔よりも大きくした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の量産型グ
ロー放電分解装置。 - （３） 前記複数個の内部電極板のうち、内側に配置さ
れた電極板に設けられたガス通過孔の孔数を外側に配置
された電極板に設けられたガス通過孔の孔数よりも少な
くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の量
産型グロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138132A JPS6029470A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138132A JPS6029470A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029470A true JPS6029470A (ja) | 1985-02-14 |
| JPH0545672B2 JPH0545672B2 (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=15214730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138132A Granted JPS6029470A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142772A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
| JPS62146267A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6024378A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-07 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP58138132A patent/JPS6029470A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6024378A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-07 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142772A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
| JPS62146267A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545672B2 (ja) | 1993-07-09 |
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