JPS6348805B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6348805B2 JPS6348805B2 JP55075657A JP7565780A JPS6348805B2 JP S6348805 B2 JPS6348805 B2 JP S6348805B2 JP 55075657 A JP55075657 A JP 55075657A JP 7565780 A JP7565780 A JP 7565780A JP S6348805 B2 JPS6348805 B2 JP S6348805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- temperature
- metalloids
- oxides
- metals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
- C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
- C01B13/20—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、出発物質として金属の蒸発可能なハ
ロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発可能な
ハロゲン化合物を使用し、かつ金属酸化物及び／
又はメタロイド酸化物が形成する間に副生成物と
して形成した元素状ハロゲンを反応生成物を冷却
する間に付加的に導入したガス状水素と、付加的
に導入したガス状水素及び反応ガス中に含有され
る酸素からなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反
応させてハロゲン化水素にすることによつて金属
の微粒子状酸化物及び／又はメタロイドの微粒子
状酸化物を高熱法で製造する方法に関する。
ロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発可能な
ハロゲン化合物を使用し、かつ金属酸化物及び／
又はメタロイド酸化物が形成する間に副生成物と
して形成した元素状ハロゲンを反応生成物を冷却
する間に付加的に導入したガス状水素と、付加的
に導入したガス状水素及び反応ガス中に含有され
る酸素からなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反
応させてハロゲン化水素にすることによつて金属
の微粒子状酸化物及び／又はメタロイドの微粒子
状酸化物を高熱法で製造する方法に関する。
金属の微粒子状酸化物及び／又はメタロイドの
微粒子状酸化物を高熱法で製造する場合には、金
属の揮発性か又は蒸発可能な化合物及び／又はメ
タロイドの揮発性か又は蒸発可能な化合物と、可
燃性か又は水蒸気を形成するガスとを、別々にあ
るいは混合物で燃焼装置に供給する。
微粒子状酸化物を高熱法で製造する場合には、金
属の揮発性か又は蒸発可能な化合物及び／又はメ
タロイドの揮発性か又は蒸発可能な化合物と、可
燃性か又は水蒸気を形成するガスとを、別々にあ
るいは混合物で燃焼装置に供給する。
この場合、可燃性ガス及び酸素含有ガスは、可
燃性ガスの完全燃焼ならびに金属の蒸発可能な化
合物及び／又はメタロイドの蒸発可能な化合物の
加水分解を保証するような量比で供給される。
燃性ガスの完全燃焼ならびに金属の蒸発可能な化
合物及び／又はメタロイドの蒸発可能な化合物の
加水分解を保証するような量比で供給される。
出発物質として金属の無機か又は有機のハロゲ
ン化合物及び／又はメタロイドの無機か又は有機
のハロゲン化合物を使用する場合、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物はハロゲン化水素含有
廃ガス（これは適当な分離装置中で金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物から分離される）と一
緒に生成する。副反応では、元素状ハロゲンが形
成される。金属酸化物及び／又はメタロイド酸化
物の形成に関する反応条件に相応して、形成した
ハロゲン化水素量に対して６〜10重量％の元素状
ハロゲンが生成される。
ン化合物及び／又はメタロイドの無機か又は有機
のハロゲン化合物を使用する場合、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物はハロゲン化水素含有
廃ガス（これは適当な分離装置中で金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物から分離される）と一
緒に生成する。副反応では、元素状ハロゲンが形
成される。金属酸化物及び／又はメタロイド酸化
物の形成に関する反応条件に相応して、形成した
ハロゲン化水素量に対して６〜10重量％の元素状
ハロゲンが生成される。
金属酸化物及び／又はメタロイド酸化物を高熱
法で製造する方法において、水素と反応廃ガス中
に含有される酸素との反応温度以下に反応生成物
を冷却する間に形成した元素状ハロゲンを水素で
還元することにより、生成する元素状ハロゲン、
例えば塩素、を反応廃ガスから除去することは公
知である（西ドイツ国特許公開公報第2533925
号）。
法で製造する方法において、水素と反応廃ガス中
に含有される酸素との反応温度以下に反応生成物
を冷却する間に形成した元素状ハロゲンを水素で
還元することにより、生成する元素状ハロゲン、
例えば塩素、を反応廃ガスから除去することは公
知である（西ドイツ国特許公開公報第2533925
号）。
SiCl4（四塩化珪素）を二酸化珪素製造の出発物
質として使用するこの公知方法では、反応廃ガス
と二酸化珪素からなる混合物は、比較的長い冷却
区間内で冷却する間に1000℃〜200℃の温度勾配
を通過する。付加的に水素を、反応廃ガスがなお
500℃〜700℃の温度を有する冷却区間の範囲内に
導入する。温度700℃よりも高い温度での水素の
添加は、この場合すでに水素と酸素との反応が生
じているので、望ましいものではない。温度500
℃よりも低い温度での水素の添加は同様に、この
場合水素と元素状塩素との反応速度が緩慢すぎる
ので、望ましいものではない。
質として使用するこの公知方法では、反応廃ガス
と二酸化珪素からなる混合物は、比較的長い冷却
区間内で冷却する間に1000℃〜200℃の温度勾配
を通過する。付加的に水素を、反応廃ガスがなお
500℃〜700℃の温度を有する冷却区間の範囲内に
導入する。温度700℃よりも高い温度での水素の
添加は、この場合すでに水素と酸素との反応が生
じているので、望ましいものではない。温度500
℃よりも低い温度での水素の添加は同様に、この
場合水素と元素状塩素との反応速度が緩慢すぎる
ので、望ましいものではない。
最高の結果は、元素状水素を550℃〜630℃の温
度で導入する場合に達成することができる。
度で導入する場合に達成することができる。
冷却区間内での元素状水素に対する正確な導入
個所は、負荷に依存する。すなわち、生産次第で
流動速度を変える場合には、冷却区間内での元素
状水素に対する導入個所も変えなければならな
い。
個所は、負荷に依存する。すなわち、生産次第で
流動速度を変える場合には、冷却区間内での元素
状水素に対する導入個所も変えなければならな
い。
水素を導入するには、全長が冷却区間の直径に
相応する管を使用する。該管は壁に２列に穿孔を
有し、該穿孔を通して水素を反応廃ガス中に導入
する。この種の導入管の縦断面図を第１図に示
す。
相応する管を使用する。該管は壁に２列に穿孔を
有し、該穿孔を通して水素を反応廃ガス中に導入
する。この種の導入管の縦断面図を第１図に示
す。
従前の西ドイツ国特許出願第P2849851号の目
的は、金属の微粒子状酸化物及び／又はメタロイ
ドの微粒子状酸化物を高熱法で製造する方法に関
し、該方法により、出発物質として金属に蒸発可
能なハロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発
可能なハロゲン化合物を使用し、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物が形成する間に形成し
た元素状ハロゲンを反応生成物を冷却する間に付
加的に導入したガス状水素と、付加的に導入した
ガス状水素と反応廃ガス中に含有される酸素とか
らなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反応させて
ハロゲン化水素にし、その際にガス状水素を少な
くとも１つの二重ジヤケツト管を用いて冷却区間
内に導入し、二重ジヤケツト管の外部ジヤケツト
と内部ジヤケツトとの間に導かれる不活性ガスを
付加的に同じ二重ジヤケツト管を用いて導入す
る。
的は、金属の微粒子状酸化物及び／又はメタロイ
ドの微粒子状酸化物を高熱法で製造する方法に関
し、該方法により、出発物質として金属に蒸発可
能なハロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発
可能なハロゲン化合物を使用し、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物が形成する間に形成し
た元素状ハロゲンを反応生成物を冷却する間に付
加的に導入したガス状水素と、付加的に導入した
ガス状水素と反応廃ガス中に含有される酸素とか
らなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反応させて
ハロゲン化水素にし、その際にガス状水素を少な
くとも１つの二重ジヤケツト管を用いて冷却区間
内に導入し、二重ジヤケツト管の外部ジヤケツト
と内部ジヤケツトとの間に導かれる不活性ガスを
付加的に同じ二重ジヤケツト管を用いて導入す
る。
本発明の目的は、出発物質として金属の蒸発可
能なハロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発
可能なハロゲン化合物を使用し、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物が形成する間に形成し
た元素状ハロゲンを反応生成物を冷却する間に付
加的に導入したガス状水素と、付加的に導入した
ガス状水素及び反応廃ガス中に含有される酸素か
らなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反応させて
ハロゲン化水素にする、金属の微粒子状酸化物及
び／又はメタロイドの微粒子状酸化物を高熱法で
製造する方法に関し、該方法は、ガス状水素に不
活性ガスを混合し、混合物を単一管を用い温度
500〜700℃で冷却区間に導入することを特徴とす
る。
能なハロゲン化合物及び／又はメタロイドの蒸発
可能なハロゲン化合物を使用し、金属酸化物及
び／又はメタロイド酸化物が形成する間に形成し
た元素状ハロゲンを反応生成物を冷却する間に付
加的に導入したガス状水素と、付加的に導入した
ガス状水素及び反応廃ガス中に含有される酸素か
らなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反応させて
ハロゲン化水素にする、金属の微粒子状酸化物及
び／又はメタロイドの微粒子状酸化物を高熱法で
製造する方法に関し、該方法は、ガス状水素に不
活性ガスを混合し、混合物を単一管を用い温度
500〜700℃で冷却区間に導入することを特徴とす
る。
付加的な水素量は、製造すべき特別な金属酸化
物又はメタロイド酸化物に対する反応条件に左右
される。この場合、最終的に得られる廃ガス中に
水素量1.6〜2.0容量％が測定される程度の水素を
添加することができる。
物又はメタロイド酸化物に対する反応条件に左右
される。この場合、最終的に得られる廃ガス中に
水素量1.6〜2.0容量％が測定される程度の水素を
添加することができる。
導入管としては、例えば第１図に図示されてい
るように多数の開口を有する管を使用することが
できる。
るように多数の開口を有する管を使用することが
できる。
水素―不活性ガス混合物は、全冷却区間にわた
り若干の、例えば３〜６個所で添加することがで
き、この場合各個所に１個の単一管が使用され
る。
り若干の、例えば３〜６個所で添加することがで
き、この場合各個所に１個の単一管が使用され
る。
本発明の優れた実施態様では、水素―不活性ガ
ス混合物を550℃〜630℃の温度で冷却区間に導入
する。
ス混合物を550℃〜630℃の温度で冷却区間に導入
する。
不活性ガスとしては、稀ガス類元素、二酸化炭
素又は殊に窒素を使用することができる。不活性
ガスは、20〜200m3／ｈ、有利に50〜150m3／ｈの
量で使用することができる。
素又は殊に窒素を使用することができる。不活性
ガスは、20〜200m3／ｈ、有利に50〜150m3／ｈの
量で使用することができる。
金属酸化物又はメタロイド酸化物を製造するた
めの出発物質としては、金属であるアルミニウム
又はチタンの蒸発可能なハロゲン化合物、又はメ
タロイド（半金属性元素）である珪素又はゲルマ
ニウムの蒸発可能なハロゲン化合物を使用するこ
とができる。
めの出発物質としては、金属であるアルミニウム
又はチタンの蒸発可能なハロゲン化合物、又はメ
タロイド（半金属性元素）である珪素又はゲルマ
ニウムの蒸発可能なハロゲン化合物を使用するこ
とができる。
種々の元素の混合酸化物を製造するためには、
出発物質として相当する元素の蒸発可能なハロゲ
ン化合物の混合物を使用することができる。
出発物質として相当する元素の蒸発可能なハロゲ
ン化合物の混合物を使用することができる。
優れた実施態様では、ハロゲン化合物として出
発物質である金属又はメタロイドの相当する塩化
物を使用することができる。しかし、有機ハロゲ
ン化合物を使用してもよい。すなわち、二酸化珪
素を製造するには、SiHCl3、SiCl2H2、SiCl4、
CH3―SiCl3、（CH3）2SiCl2、（CH3）3―SiCl、
CH3―CH2―SiCl3、又は（CH3―CH2）2SiCl2を
使用することも可能である。
発物質である金属又はメタロイドの相当する塩化
物を使用することができる。しかし、有機ハロゲ
ン化合物を使用してもよい。すなわち、二酸化珪
素を製造するには、SiHCl3、SiCl2H2、SiCl4、
CH3―SiCl3、（CH3）2SiCl2、（CH3）3―SiCl、
CH3―CH2―SiCl3、又は（CH3―CH2）2SiCl2を
使用することも可能である。
不活性ガスと水素とを同時に添加することによ
つて導入個所の温度を調節することができ、した
がつて流れの変化で導入個所の転置を回避するこ
とができる。すなわち、水素の不活性ガス混合物
の導入は、反応廃ガスの温度が水素が酸素で直ち
に燃焼するような高さである個所で、この好まし
からぬ燃焼が起きることのないようにして行なう
ことができる。更に、不活性ガスを導入すること
によつて水素に対する導入管を冷却し、したがつ
て長時間安定であり、かつ腐蝕を抑制することが
できることは有利である。不活性ガスを導入する
ことによつて、付加的に金属酸化物又はメタロイ
ド酸化物の導入管上での堆積も回避される。
つて導入個所の温度を調節することができ、した
がつて流れの変化で導入個所の転置を回避するこ
とができる。すなわち、水素の不活性ガス混合物
の導入は、反応廃ガスの温度が水素が酸素で直ち
に燃焼するような高さである個所で、この好まし
からぬ燃焼が起きることのないようにして行なう
ことができる。更に、不活性ガスを導入すること
によつて水素に対する導入管を冷却し、したがつ
て長時間安定であり、かつ腐蝕を抑制することが
できることは有利である。不活性ガスを導入する
ことによつて、付加的に金属酸化物又はメタロイ
ド酸化物の導入管上での堆積も回避される。
本発明方法を次の図面につき詳説しかつ記載す
る： 第１図により、導入管は冷却区間２の壁に、そ
の全長が冷却区間の直径に一致するように固定さ
れている。導入管１は、壁に２列の穿孔３を有し
ている。水素・窒素混合物は、フランジ４に固定
された導管を介して導入管１中に導入され、かつ
穿孔３を通して冷却区間に流入する。
る： 第１図により、導入管は冷却区間２の壁に、そ
の全長が冷却区間の直径に一致するように固定さ
れている。導入管１は、壁に２列の穿孔３を有し
ている。水素・窒素混合物は、フランジ４に固定
された導管を介して導入管１中に導入され、かつ
穿孔３を通して冷却区間に流入する。
第１図は、水素―不活性ガス混合物に対する導
入管を示す略示縦断面図である。 １……導入管、２……冷却区間、３……２列の
穿孔、４……フランジ。
入管を示す略示縦断面図である。 １……導入管、２……冷却区間、３……２列の
穿孔、４……フランジ。
Claims (1)
- １ 出発物質として金属及び／又はメタロイドの
蒸発可能なハロゲン化合物を使用し、かつ金属及
び／又はメタロイドの酸化物が形成する間に形成
した元素状ハロゲンを反応生成物を冷却する間に
付加的に導入したガス状水素と、付加的に導入し
たガス状水素及び反応廃ガス中に含有される酸素
からなる爆鳴気混合物の反応温度以下で反応させ
てハロゲン化水素にすることによつて金属及び／
又はメタロイドの微粒子状酸化物を高熱法で製造
する方法において、ガス状水素に不活性ガスを混
合し、混合物を単一管を用い500〜700℃の温度で
冷却区間に導入することを特徴とする、金属及
び／又はメタロイドの微粒子状酸化物を高熱法で
製造する方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792923182 DE2923182A1 (de) | 1979-06-08 | 1979-06-08 | Verfahren zur pyrogenen herstellung von feinstteiligem oxid eines matalls und/oder eines metalloids |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55167106A JPS55167106A (en) | 1980-12-26 |
| JPS6348805B2 true JPS6348805B2 (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=6072731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7565780A Granted JPS55167106A (en) | 1979-06-08 | 1980-06-06 | Method of producing fine granular oxide of metal and*or metalloid by high temperature process |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4347229A (ja) |
| EP (1) | EP0021127B1 (ja) |
| JP (1) | JPS55167106A (ja) |
| BR (1) | BR8003431A (ja) |
| DD (1) | DD151295A5 (ja) |
| DE (2) | DE2923182A1 (ja) |
| SU (1) | SU1170966A3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04110808U (ja) * | 1991-03-08 | 1992-09-25 | 清水建設株式会社 | 石貼り構法における突出部の排水装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3101720C2 (de) * | 1981-01-21 | 1982-11-04 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Entfernung von Halogen aus den Reaktionsabgasen bei der pyrogenen Herstellung von Siliciumdioxid |
| DE3203743A1 (de) * | 1982-02-04 | 1983-08-04 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur aufbereitung von bei der siliciumherstellung anfallenden abgasen |
| US5089248A (en) * | 1990-05-14 | 1992-02-18 | Masud Akhtar | Production of metallic oxides |
| EP0558606B1 (en) * | 1990-11-13 | 1996-06-05 | Cabot Corporation | A process for reducing free halogens in residual gases |
| DE19624392A1 (de) * | 1996-06-19 | 1998-01-08 | Degussa | Boroxid-Siliciumdioxid-Mischoxid |
| US6083859A (en) * | 1996-06-19 | 2000-07-04 | Degussa-Huls Ag | Boron oxide-silicon dioxide mixed oxide |
| DE10135452A1 (de) * | 2001-07-20 | 2003-02-06 | Degussa | Pyrogen hergestellte Aluminium-Silicium-Mischoxide |
| US7662476B2 (en) * | 2008-06-13 | 2010-02-16 | The Worthington Group of Tennessee, LLC | Metal surface-modified silica-titania composites and methods for forming the same |
| RU2468993C1 (ru) * | 2011-03-30 | 2012-12-10 | Открытое Акционерное Общество "Российский научно-исследовательский и проектный институт титана и магния" (ОАО "РИТМ") | Способ переработки отходящих газов, образующихся в процессе получения пирогенного диоксида кремния высокотемпературным гидролизом хлоридов кремния |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL113022C (ja) * | 1957-11-20 | |||
| DE1244125B (de) * | 1964-08-01 | 1967-07-13 | Degussa | Verfahren zur Herstellung feinstteiliger Oxide |
| US3416890A (en) * | 1965-12-16 | 1968-12-17 | Owens Illinois Inc | Process of producing oxides of metals and metalloids |
| DE2005010B2 (de) * | 1970-02-04 | 1979-08-02 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Vorrichtung zum Abkühlen und Naßabscheiden heißer metalloxidhaltiger Reaktionsgase |
| BE790704A (fr) * | 1971-10-28 | 1973-02-15 | Degussa | Procede pour la fabrication d'oxydes finement |
| DE2533925C3 (de) * | 1975-07-30 | 1980-12-11 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von feinstteiligen Oxiden von Metallen und/oder des Siliciums |
| JPS5288573A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Removal of chlorine in gas |
| DE2849851C3 (de) * | 1978-11-17 | 1981-11-05 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur pyrogenen Herstellung von feinstteiligem Oxid eines Metalls und/oder eines Metalloids |
-
1979
- 1979-06-08 DE DE19792923182 patent/DE2923182A1/de not_active Ceased
-
1980
- 1980-04-22 SU SU802911997A patent/SU1170966A3/ru active
- 1980-05-30 BR BR8003431A patent/BR8003431A/pt unknown
- 1980-05-31 DE DE8080103043T patent/DE3069343D1/de not_active Expired
- 1980-05-31 EP EP80103043A patent/EP0021127B1/de not_active Expired
- 1980-06-03 US US06/156,082 patent/US4347229A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-06-05 DD DD80221616A patent/DD151295A5/de unknown
- 1980-06-06 JP JP7565780A patent/JPS55167106A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04110808U (ja) * | 1991-03-08 | 1992-09-25 | 清水建設株式会社 | 石貼り構法における突出部の排水装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55167106A (en) | 1980-12-26 |
| DE2923182A1 (de) | 1980-12-18 |
| EP0021127B1 (de) | 1984-10-03 |
| DE3069343D1 (en) | 1984-11-08 |
| BR8003431A (pt) | 1981-01-05 |
| EP0021127A1 (de) | 1981-01-07 |
| DD151295A5 (de) | 1981-10-14 |
| US4347229A (en) | 1982-08-31 |
| SU1170966A3 (ru) | 1985-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4836997A (en) | Plasma production of trichorosilane, SiHCl3 | |
| US2635946A (en) | Process and apparatus for the production of finely divided metallic oxides useful as pigments | |
| JPS6348805B2 (ja) | ||
| US2980509A (en) | Vapor phase process for the production of titanium dioxide | |
| US4399115A (en) | Synthesis of silicon nitride | |
| JPH06340423A (ja) | 酸化チタンの製造方法 | |
| JPS6335567B2 (ja) | ||
| JPH0264006A (ja) | 太陽のシリコンの製造方法 | |
| US4499063A (en) | Preparation of silane, SiH4 | |
| US3105742A (en) | Process for producing titanium oxide pigments | |
| US4206190A (en) | Plasma arc production of silicon nitride | |
| GB2037266A (en) | Vapour phase oxidation of titanium tetrachloride | |
| US2618531A (en) | Method of purifying zirconium tetrachloride vapors | |
| US4572827A (en) | Process for preparing finely-divided silicon dioxide in good yield | |
| JPS586682B2 (ja) | 高熱法による金属及び／又は半金属の微細酸化物の製法 | |
| US4106928A (en) | Chlorination process for producing aluminum | |
| JPH06226085A (ja) | 酸化物微粒子の製造装置および製造方法 | |
| JPH0229750B2 (ja) | ||
| US3063803A (en) | Turbulent flow flame synthesis of hydrogen cyanide | |
| JPH0297415A (ja) | 塩化水素又は塩化水素と塩素との混合物と金属珪素含有物質との反応の際に四塩化珪素の量を上昇させるための方法 | |
| US3224836A (en) | Process for producing titanium oxide pigments | |
| JP3225073B2 (ja) | 金属酸化物粉末の製造方法 | |
| JPH03218917A (ja) | 三塩化ホウ素の製造方法 | |
| US5242668A (en) | Process and device for reducing free halogens in residual gasses | |
| US4676965A (en) | Process for producing high purity silicon nitride |