JPS6348832A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6348832A JPS6348832A JP19339386A JP19339386A JPS6348832A JP S6348832 A JPS6348832 A JP S6348832A JP 19339386 A JP19339386 A JP 19339386A JP 19339386 A JP19339386 A JP 19339386A JP S6348832 A JPS6348832 A JP S6348832A
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- JP
- Japan
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- chamber
- cleaning
- etching plasma
- quartz
- etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｆ発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置に配置され、
石英、シリコン、ポリシリコン等からなるチャンバ内を
クリーニングする方法に関する。
石英、シリコン、ポリシリコン等からなるチャンバ内を
クリーニングする方法に関する。
（従来の技術）
一般にＣＶＤ装置等の半導体Ｍ５聞装置の反応チャンバ
は、石英、シリコン、ポリシリコン等から構成されてい
るものが多い。例えばパッチ式によりＣＶＤを行なうＣ
ＶＤ装置では、第４図に示すように石英、シリコン、ポ
リシリコン等から構成され円筒状に形成されたチャンバ
１内に、多数のウェハ２を保持するウェハボート３が配
置され、ＣｖＤが行なわれる。
は、石英、シリコン、ポリシリコン等から構成されてい
るものが多い。例えばパッチ式によりＣＶＤを行なうＣ
ＶＤ装置では、第４図に示すように石英、シリコン、ポ
リシリコン等から構成され円筒状に形成されたチャンバ
１内に、多数のウェハ２を保持するウェハボート３が配
置され、ＣｖＤが行なわれる。
このような半導体製造装置のチャンバ１内には、例えば
ＣＶＤ’Ｂ置では、ＣＶＤ膜が形成される等、種々の物
質か被着するため、一定期間毎にクリーニングを行なう
必要か必る。
ＣＶＤ’Ｂ置では、ＣＶＤ膜が形成される等、種々の物
質か被着するため、一定期間毎にクリーニングを行なう
必要か必る。
従来このようなチャンバ１のクリーニングは、フッ酸等
の化学薬品を使用してケミカルウェットエツチングを行
なう方法、あるいは、第５図に示すように石英等からな
るクリーニング電Ａ・シバ４内に配置された投数の細板
状の金属、仮からなるクリーニング電４ｆ！５をチャン
バ１内へ挿入し、クリーニング電、）へ５間に高周波電
力を印加することによって、クリーニングチャンバ４外
側とチャンバ１内壁との間にエツチングプラズマを発生
させ、ケミカルドライエツチングを行なう方法によって
行なわれている。
の化学薬品を使用してケミカルウェットエツチングを行
なう方法、あるいは、第５図に示すように石英等からな
るクリーニング電Ａ・シバ４内に配置された投数の細板
状の金属、仮からなるクリーニング電４ｆ！５をチャン
バ１内へ挿入し、クリーニング電、）へ５間に高周波電
力を印加することによって、クリーニングチャンバ４外
側とチャンバ１内壁との間にエツチングプラズマを発生
させ、ケミカルドライエツチングを行なう方法によって
行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら上記説明の従来のチャンバのクリーニング
方法のうちケミカルウェットエツチングを行なう方法で
は、円筒状のチャンバを半導体製造装置から取外し、ト
ラフトチセンバー内等で処理を行なう必要が有り、クリ
ーニングに時間を要し、また半導体製造装置からの着脱
の際にチャンバに破損が生じたり、酸等の廃液が発生す
るという問題がある。また、ケミカルドライエツチング
による方法では金属からなるクリーニング電（兎から発
生するナトリウムイオン等の半導体デバイスに悪影響を
与える物質が、チャンバ内に付着することを防止するた
め、クリーニングチャンバ内に配置されたクリーニング
電極によりクリーニングチャンバの外側にエツチングプ
ラズマを発生させるため、エツチングプラズマの密度が
低く、クリーニングに時間を要する等の問題かめる。
方法のうちケミカルウェットエツチングを行なう方法で
は、円筒状のチャンバを半導体製造装置から取外し、ト
ラフトチセンバー内等で処理を行なう必要が有り、クリ
ーニングに時間を要し、また半導体製造装置からの着脱
の際にチャンバに破損が生じたり、酸等の廃液が発生す
るという問題がある。また、ケミカルドライエツチング
による方法では金属からなるクリーニング電（兎から発
生するナトリウムイオン等の半導体デバイスに悪影響を
与える物質が、チャンバ内に付着することを防止するた
め、クリーニングチャンバ内に配置されたクリーニング
電極によりクリーニングチャンバの外側にエツチングプ
ラズマを発生させるため、エツチングプラズマの密度が
低く、クリーニングに時間を要する等の問題かめる。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
チャンバの半導体製造装置からの脱着等を必要とじず、
短時間でクリーニングを行なうことができ、半導体製造
装置の稼動率の向上を図ることのできる半導体製造装置
のチャンバのクリーニング方法を提供しようとするもの
である。
チャンバの半導体製造装置からの脱着等を必要とじず、
短時間でクリーニングを行なうことができ、半導体製造
装置の稼動率の向上を図ることのできる半導体製造装置
のチャンバのクリーニング方法を提供しようとするもの
である。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、半導体製造装置のチャンバ内をクリ
ーニングする方法において、前記チャンバの内側および
外側の少なくとも一方に、少なくとも一対のシリコンカ
ーバイドからなるクリーニング電）亜を配置し、前記チ
レ゛ンバ内を所定の反応カス雰囲気とし、前記クリーニ
ング電極間に高周波電力を印加してエツチングプラズマ
を発生ざＵ、このエツチングプラズマによって前記チャ
ンバ内をクリーニングすることを特徴とする。
ーニングする方法において、前記チャンバの内側および
外側の少なくとも一方に、少なくとも一対のシリコンカ
ーバイドからなるクリーニング電）亜を配置し、前記チ
レ゛ンバ内を所定の反応カス雰囲気とし、前記クリーニ
ング電極間に高周波電力を印加してエツチングプラズマ
を発生ざＵ、このエツチングプラズマによって前記チャ
ンバ内をクリーニングすることを特徴とする。
（作 用）
本発明の半導体製造装置では、半導体デバイスに悪影響
を及ぼ寸す１〜リウムイオン等が発生することのないシ
リコンカーバイトからなるクリーニング電極をチャンバ
の内側および外側の少なくとも一方に配置し、チャンバ
内を所定の反応ガス雰囲気として、クリーニング電極に
高周波電力を印加し、エツチングプラズマを発生さｌて
ドライエツヂング（列えばクミカルドライエッチングに
よりクリーニングを行なうので、チャンバの脱着を必要
とせず、また、エツチングプラズマ密度を高くすること
がでさ゛、短時間でクリーニングを行なうことができる
。
を及ぼ寸す１〜リウムイオン等が発生することのないシ
リコンカーバイトからなるクリーニング電極をチャンバ
の内側および外側の少なくとも一方に配置し、チャンバ
内を所定の反応ガス雰囲気として、クリーニング電極に
高周波電力を印加し、エツチングプラズマを発生さｌて
ドライエツヂング（列えばクミカルドライエッチングに
よりクリーニングを行なうので、チャンバの脱着を必要
とせず、また、エツチングプラズマ密度を高くすること
がでさ゛、短時間でクリーニングを行なうことができる
。
（実施例〉
以下、本発明のチャンバのクリーニング方法の実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
円筒状の石英、シリコンカーバイド、ポリシリコン等か
らなるチャンバ１１内に、シリコンカーバイド（Ｓ＋
Ｃ）からなり、チＸ・シバ１１仝長の半分程度以上の長
さを有する細板状のλ１向する３対のクリーニング電Ｊ
１１２ａ、１２ｂ、１２Ｃを配置する。そして、石英チ
ャンバ１１内に例えば、ＮＦ３ 、 ＣＦ４ 、
ＣＨＦ ３ 、 ＣＣＪ２４ 、 Ｃｊｈ 等の反応
カスを流通させ、クリーニング電極１２ａ、１２ｂ、１
２ｃの間に１０Ｋｔｌｚの高周波電力例えば１３、５６
）ＩＨ２程度の高周波電力を印加してエツチングプラズ
マを発生さけ、エツチングプラズマによるケミカルドラ
イエツチングにより半導体製造装置１１内のクリーニン
グを行なう。
らなるチャンバ１１内に、シリコンカーバイド（Ｓ＋
Ｃ）からなり、チＸ・シバ１１仝長の半分程度以上の長
さを有する細板状のλ１向する３対のクリーニング電Ｊ
１１２ａ、１２ｂ、１２Ｃを配置する。そして、石英チ
ャンバ１１内に例えば、ＮＦ３ 、 ＣＦ４ 、
ＣＨＦ ３ 、 ＣＣＪ２４ 、 Ｃｊｈ 等の反応
カスを流通させ、クリーニング電極１２ａ、１２ｂ、１
２ｃの間に１０Ｋｔｌｚの高周波電力例えば１３、５６
）ＩＨ２程度の高周波電力を印加してエツチングプラズ
マを発生さけ、エツチングプラズマによるケミカルドラ
イエツチングにより半導体製造装置１１内のクリーニン
グを行なう。
上記説明のこの実施例方法では、シリコンカーバイドか
らなり、半導体デバイスに悪影響をちえるナトリウムイ
オン等が発生することのないクリーニング電極１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを直接半々体製迄装置の石英チャンバ１
１内へ挿入してケミカルドライエツチングによりクリー
ニングを行なうので、石英チャンバ１１の脱着を必要と
ぜず、またエツチングプラズマの密度を高くすることが
でき、短時間でクリーニングを行なうことかでさる。
らなり、半導体デバイスに悪影響をちえるナトリウムイ
オン等が発生することのないクリーニング電極１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを直接半々体製迄装置の石英チャンバ１
１内へ挿入してケミカルドライエツチングによりクリー
ニングを行なうので、石英チャンバ１１の脱着を必要と
ぜず、またエツチングプラズマの密度を高くすることが
でき、短時間でクリーニングを行なうことかでさる。
なおりリーニング電ｈ’Ｔｈ １２ ａ、１２ｂ、１２
Ｃは、石英チャンバ１１の軸を中心に回転さけることに
より石英チャンバ１１内のエッチングブラズマの均一化
を図ることができる。また、これらのクリーニング電（
勇は、第２図に示すように石英チャンバ１１の周囲へ配
置してら、あるいは第３図に示すように石英チャンバの
内側および周囲の両方へ配置してもよく、その形状およ
び故等はどのようにしても良いことはもちろんである。
Ｃは、石英チャンバ１１の軸を中心に回転さけることに
より石英チャンバ１１内のエッチングブラズマの均一化
を図ることができる。また、これらのクリーニング電（
勇は、第２図に示すように石英チャンバ１１の周囲へ配
置してら、あるいは第３図に示すように石英チャンバの
内側および周囲の両方へ配置してもよく、その形状およ
び故等はどのようにしても良いことはもちろんである。
［発明の効果］
以上述べたように本発明の石英ブトンバのり１ノーニン
グ方法では、石英チャンバの脱この必要がなく、かつ、
エツチングプラズマの密度を高くすることができるので
、短時間でケミカルドライエツチングによりクリーニン
グを行なうことができ、半導体製造装置の稼動率の向上
を図ることができる。
グ方法では、石英チャンバの脱この必要がなく、かつ、
エツチングプラズマの密度を高くすることができるので
、短時間でケミカルドライエツチングによりクリーニン
グを行なうことができ、半導体製造装置の稼動率の向上
を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例方法を説明するための石英チ
ャンバの正面図、第２図および第３図は第１図に示す方
法の変形例を説明するための石英チャンバの正面図、第
４図は第１図乃至第３図石英チャンバの側面図、第５図
は従来の方法を説明するための石英ヂＡ・ンハの正面図
である。 １１−５英フセンハ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ・・・ク
リーニング電怖。
ャンバの正面図、第２図および第３図は第１図に示す方
法の変形例を説明するための石英チャンバの正面図、第
４図は第１図乃至第３図石英チャンバの側面図、第５図
は従来の方法を説明するための石英ヂＡ・ンハの正面図
である。 １１−５英フセンハ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ・・・ク
リーニング電怖。
Claims (1)
- （１）半導体製造装置のチャンバ内をクリーニングする
方法において、前記チャンバの内側および外側の少なく
とも一方に、少なくとも一対のシリコンカーバイドから
なるクリーニング電極を配置し、前記チャンバ内を所定
の反応ガス雰囲気とし、前記クリーニング電極間に高周
波電力を印加してエッチングプラズマを発生させ、この
エッチングプラズマによつて前記チャンバ内をクリーニ
ングすることを特徴とするチャンバのクリーニング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19339386A JPS6348832A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19339386A JPS6348832A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｃｖｄ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29816494A Division JPH0828338B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348832A true JPS6348832A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0588539B2 JPH0588539B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=16307195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19339386A Granted JPS6348832A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354175A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐凍害性に優れた軽量気泡コンクリート |
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615044A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Toshiba Corp | Plasma cleaning method |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
| JPS5846639A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JPS60110123A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体エッチング方法 |
| JPS6167920A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Ushio Inc | 光化学反応装置 |
| JPS6177379A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | ガスレ−ザ−管 |
| JPS61216327A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPS6324826U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19339386A patent/JPS6348832A/ja active Granted
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615044A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Toshiba Corp | Plasma cleaning method |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
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| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JPS60110123A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体エッチング方法 |
| JPS6167920A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Ushio Inc | 光化学反応装置 |
| JPS6177379A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | ガスレ−ザ−管 |
| JPS61216327A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPS6324826U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354175A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐凍害性に優れた軽量気泡コンクリート |
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588539B2 (ja) | 1993-12-22 |
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