JPS5846639A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS5846639A JPS5846639A JP14385981A JP14385981A JPS5846639A JP S5846639 A JPS5846639 A JP S5846639A JP 14385981 A JP14385981 A JP 14385981A JP 14385981 A JP14385981 A JP 14385981A JP S5846639 A JPS5846639 A JP S5846639A
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- JP
- Japan
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- electrode
- counter electrode
- plasma
- processing chamber
- cleaning
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ処理装置のクリーニング方法及び誼ク
リーニング方法を実施するに好適なプラズマ処理装置に
関するものである。
リーニング方法を実施するに好適なプラズマ処理装置に
関するものである。
先ず、従来の平行平板電極を有するプラズマ処理装置の
構成を説明し、つづいて、そのクリーニング方法の関題
点について述べる。
構成を説明し、つづいて、そのクリーニング方法の関題
点について述べる。
第１図社従来の平行平板電極を有するプラズマ処理装置
の構成図である。処理Ｗ１１内には被処理物を載置する
載置１！極２とこれに対向する対向電極４が設けられて
いる。載置電極２は処理１ｆｔと絶縁材５によシ絶縁さ
れ、高周波電源に接続されている。対同電極４及び処理
室は接地されてｂる。処理ｇＩ内は排気口６より排気基
れ、ガス供給ロアより処理用のガスが供給される。
の構成図である。処理Ｗ１１内には被処理物を載置する
載置１！極２とこれに対向する対向電極４が設けられて
いる。載置電極２は処理１ｆｔと絶縁材５によシ絶縁さ
れ、高周波電源に接続されている。対同電極４及び処理
室は接地されてｂる。処理ｇＩ内は排気口６より排気基
れ、ガス供給ロアより処理用のガスが供給される。
このＷ＆置によるフ“ラズマ処置に１し、では、載置電
極６に高周波電源５よｐ高周波電圧を印加し、プラズマ
領域８に示すように電極間にプラズマを発生させて行う
ため、プラズマにさらされない処理室１の内壁や対向域
シ４の裏側に反応生成物が付着する。従来、これら反応
生成物の除去は、凱塩室内の圧力を低くシ、プラズマ領
域を拡大させ、プラズマが処ｍ１ｉｉ内壁に接するよう
にして行っていた。しかしながら、このような方法では
、発生するプラズマの主な部分が、先に示したプラズマ
領域８と同じ両電極の平行平板間であり、プラズマが処
理室内壁に接する部分も拡大プラズマ発止領域９に示す
ように限られるため、反応生成物を十分に除去すること
はできなかった。
極６に高周波電源５よｐ高周波電圧を印加し、プラズマ
領域８に示すように電極間にプラズマを発生させて行う
ため、プラズマにさらされない処理室１の内壁や対向域
シ４の裏側に反応生成物が付着する。従来、これら反応
生成物の除去は、凱塩室内の圧力を低くシ、プラズマ領
域を拡大させ、プラズマが処ｍ１ｉｉ内壁に接するよう
にして行っていた。しかしながら、このような方法では
、発生するプラズマの主な部分が、先に示したプラズマ
領域８と同じ両電極の平行平板間であり、プラズマが処
理室内壁に接する部分も拡大プラズマ発止領域９に示す
ように限られるため、反応生成物を十分に除去すること
はできなかった。
そのため、最終的には処理室を大気に開放し、人手によ
り掃除する必要があシ、掃除自体に多大の時間を要する
と共に、処理室を大気に開放するため、処理室内壁に大
気中の水分等が吸着され、掃除後処理室内を真空に排気
するのに約１２時間もの多大の時間を必要としていた。
り掃除する必要があシ、掃除自体に多大の時間を要する
と共に、処理室を大気に開放するため、処理室内壁に大
気中の水分等が吸着され、掃除後処理室内を真空に排気
するのに約１２時間もの多大の時間を必要としていた。
更に、プラズマ処理中にも壁面よシ水分等が放出される
ためプラズマ処理自体が不安定となり、例えば安定稼動
状１ＩＩＫなるまで１日要す、などよ）、従来のりＩＪ
−ユング方法は装置の安定稼動、稼動率向上を計る上で
大きな問題となっていた。
ためプラズマ処理自体が不安定となり、例えば安定稼動
状１ＩＩＫなるまで１日要す、などよ）、従来のりＩＪ
−ユング方法は装置の安定稼動、稼動率向上を計る上で
大きな問題となっていた。
本発明の目的、プラズマ処理室内のクリーニング作業を
処理室を大気に開放せず行い、且つ自動化も可能なりリ
ーニング方法及び腋方法を実施するに好適なプラズマ処
理装置を提供するＫある。
処理室を大気に開放せず行い、且つ自動化も可能なりリ
ーニング方法及び腋方法を実施するに好適なプラズマ処
理装置を提供するＫある。
本発明によるプラズマ処理装置のクリー二／グ方法は、
プラズマ処纏装置の被処理物を載置する電極”（載置電
極という。以下同じ。）を処理時と反対に接地し、前記
載置電極に対向する電極（対向電極という。以下同じ。
プラズマ処纏装置の被処理物を載置する電極”（載置電
極という。以下同じ。）を処理時と反対に接地し、前記
載置電極に対向する電極（対向電極という。以下同じ。
）を処理室全体と電気的に絶縁して高周波電源に接続し
、更に処理室全体を接地し、排気口より排気しながらガ
ス供給口よりクリーニングガスを送給し、前記対向電極
に高周波電圧を印加して行うことを特徴とする方法であ
る。
、更に処理室全体を接地し、排気口より排気しながらガ
ス供給口よりクリーニングガスを送給し、前記対向電極
に高周波電圧を印加して行うことを特徴とする方法であ
る。
本発明によるプラズマ処理装置のクリーニング方法の好
ましい態様において祉、前記対向電極に処理室内壁に４
対向する面を設けて行う。
ましい態様において祉、前記対向電極に処理室内壁に４
対向する面を設けて行う。
本発明によるプラズマ処理装置のクリーニング方法の他
の好ましいＵＳにおいては、前記対向電極を載置電極に
向かう方向に移動させながら行う。
の好ましいＵＳにおいては、前記対向電極を載置電極に
向かう方向に移動させながら行う。
本発明によるプラズマ処理装置は前記方法を行なうに好
適な装置であり、対向電極を処理室に対して絶縁し、対
向電極と載置電極と電源間の電気的結合状態を切換え石
手段及びクリーニング用ガスを導入する手段を有するこ
とを特徴とするプラズマ処理装置である。
適な装置であり、対向電極を処理室に対して絶縁し、対
向電極と載置電極と電源間の電気的結合状態を切換え石
手段及びクリーニング用ガスを導入する手段を有するこ
とを特徴とするプラズマ処理装置である。
本発明によるプラズマ処理装置の好ましい態様において
は、前記対向電極が処理室内壁にも対向する面を有する
。
は、前記対向電極が処理室内壁にも対向する面を有する
。
本発明によるプラズマ処理装置の他の好ましい態様にお
いては、前記対向電極が載置電極に対して一厘方向に動
き得るようにしである。
いては、前記対向電極が載置電極に対して一厘方向に動
き得るようにしである。
以下、本発明によるプラズマ処理装置のクリーニング方
法及びプラズマ処理装置を詳述するＫＴｏ九９、先ず本
発明のプラズマ処理装置を実施の図面の絡２図に基づい
て説明する。
法及びプラズマ処理装置を詳述するＫＴｏ九９、先ず本
発明のプラズマ処理装置を実施の図面の絡２図に基づい
て説明する。
処理室１Ａは胴部１０、底ぶた１１、上ぶた１２によシ
密閉構造としである。胴部１０に排気口６及びガス供給
ロアが取付けである。排気口６よシ図示しない真空ポン
プによシ処理呈１Ａ内を排気し、ガス供給ロアより処理
用ガス及びクリーニングガスを図示しない供給Ｖ＆置及
び切換装置から供給で龜るようになっている。底ぶた１
１には載置電ＩｄｊＡ２が絶縁材３を介して固定されて
いる。上ぶた１２の中央には孔があけられ、孔を取巻い
てベローズ１３が固着され、ベローズ１５の上端には円
形りング１４を固着し、円形リング１４の上面には下端
に円筒を付したねじ付シャフト１５が取付けである。ね
じ付シャフト１５は上ぶた１２に固定した支枠１６の孔
に挿通され、その上側で上下ノ１ンドル１７のめねじ孔
に螺合せしめられて、支持されている。
密閉構造としである。胴部１０に排気口６及びガス供給
ロアが取付けである。排気口６よシ図示しない真空ポン
プによシ処理呈１Ａ内を排気し、ガス供給ロアより処理
用ガス及びクリーニングガスを図示しない供給Ｖ＆置及
び切換装置から供給で龜るようになっている。底ぶた１
１には載置電ＩｄｊＡ２が絶縁材３を介して固定されて
いる。上ぶた１２の中央には孔があけられ、孔を取巻い
てベローズ１３が固着され、ベローズ１５の上端には円
形りング１４を固着し、円形リング１４の上面には下端
に円筒を付したねじ付シャフト１５が取付けである。ね
じ付シャフト１５は上ぶた１２に固定した支枠１６の孔
に挿通され、その上側で上下ノ１ンドル１７のめねじ孔
に螺合せしめられて、支持されている。
ベローズ１５上部の円形リング１４の内側には、絶縁材
５を介して対向電極４Ａの支持桿が固定されている。従
って、上ぶた１２の孔は、ベローズ１３、円形りング１
４、絶縁材３及び対向電極４Ａの支持桿によ〕密閉され
、対向電極４Ａは上下ノ１ンドル１７を廻すことによ〕
、載置電極２に対して１１ｉ１方向に移動する。
５を介して対向電極４Ａの支持桿が固定されている。従
って、上ぶた１２の孔は、ベローズ１３、円形りング１
４、絶縁材３及び対向電極４Ａの支持桿によ〕密閉され
、対向電極４Ａは上下ノ１ンドル１７を廻すことによ〕
、載置電極２に対して１１ｉ１方向に移動する。
対向電極４Ａは従来の電極のように載置電極２に対向し
これに平行な面を有すると共に、処理１ｉＬ４の内壁、
即ち胴部１０にも対向する図１ａ ［ｇを有する。
これに平行な面を有すると共に、処理１ｉＬ４の内壁、
即ち胴部１０にも対向する図１ａ ［ｇを有する。
載置電極２と対向ＩＥ極４Ａとは切換スイッチ１８を介
して高周波電源５およびアースに接続されている。また
処理Ｗｉ１Ａ全１Ａアース電位に接続されている。
して高周波電源５およびアースに接続されている。また
処理Ｗｉ１Ａ全１Ａアース電位に接続されている。
次に本発明のプラズマ処理装置のクリーニング方法ｔ−
第２図の装置のクリーニング方法の実施例に基づｂて説
明する。
第２図の装置のクリーニング方法の実施例に基づｂて説
明する。
処理１ｉ１１，４内を排気口６より図示しない真空ポン
プで排気しながら、ガス供給管７よりクリーニング用の
ガス、例えば酸素等、を供給する。
プで排気しながら、ガス供給管７よりクリーニング用の
ガス、例えば酸素等、を供給する。
切換スイッチ１８を操作し、載置電極２をアースに接続
し、対向電極４Ａを高周波電源５に接−するＯ 以上の状態に設定後、高周波電源をオンにすると、対向
電極４Ａと載置電極２の間だけでなく、胴部１０内壁の
間、及び対向電極４Ａ裏面と上ぶた１２０間でプラズマ
が発生し、処理室全体をプラズマによ如クリーニングす
ることができる。また、胴部１０の対向電極４Ａの４ａ
部分に平行になった部分と対向電極４Ａとの間には強い
プラズマを発生させることができるため、該部分を十分
クリーニングすることができるが、上下ハンドル１７を
回転させ対同電極４Ａ、即ち対向電極４Ａの４ａ部分を
上下に＄動させることにより、胴部１０の内壁全面をク
リーニングすることができる。
し、対向電極４Ａを高周波電源５に接−するＯ 以上の状態に設定後、高周波電源をオンにすると、対向
電極４Ａと載置電極２の間だけでなく、胴部１０内壁の
間、及び対向電極４Ａ裏面と上ぶた１２０間でプラズマ
が発生し、処理室全体をプラズマによ如クリーニングす
ることができる。また、胴部１０の対向電極４Ａの４ａ
部分に平行になった部分と対向電極４Ａとの間には強い
プラズマを発生させることができるため、該部分を十分
クリーニングすることができるが、上下ハンドル１７を
回転させ対同電極４Ａ、即ち対向電極４Ａの４ａ部分を
上下に＄動させることにより、胴部１０の内壁全面をク
リーニングすることができる。
以上、詳述したように、本発明によるプラズマ処理装置
のクリーニング方法は、大気に開放することなく！Ｉ！
施することができ、作業を容易とし、プラズマ処理装置
の稼動率の向上及び安定稼動を計ることができる。また
クリーニング作業の自動化も可能とする。また、本発明
のプラズマ処理装置は上記クリーニング方法を実施する
に好適な装置である。
のクリーニング方法は、大気に開放することなく！Ｉ！
施することができ、作業を容易とし、プラズマ処理装置
の稼動率の向上及び安定稼動を計ることができる。また
クリーニング作業の自動化も可能とする。また、本発明
のプラズマ処理装置は上記クリーニング方法を実施する
に好適な装置である。
第１図は従来のプラズマ処理装置の構成図、第２図は本
発明のプラズマ処理装置の実施例の断面図である。 １．１Ａ・・・処！１１１ ２・・・載置電極ト
１．絶縁材 ４．４Ａ・・・対向電極５・・・
高周波電源 ６・・・排気ロア・・・ガス供給口
１ト・ベローズ１５・・・ねじ付シャフト １７・
・・上下）・ンドル１Ｂ・・・切換スイッチ 第１７ 第２Ｍ ７
発明のプラズマ処理装置の実施例の断面図である。 １．１Ａ・・・処！１１１ ２・・・載置電極ト
１．絶縁材 ４．４Ａ・・・対向電極５・・・
高周波電源 ６・・・排気ロア・・・ガス供給口
１ト・ベローズ１５・・・ねじ付シャフト １７・
・・上下）・ンドル１Ｂ・・・切換スイッチ 第１７ 第２Ｍ ７
Claims (2)
- （１） プラズマ処理装置の被処理物を載置する電極（
載置電極という。以下同じ。）を処理時と反対に接地し
、前記載置電極に対向する電極（対向電極という。以下
同じ°。）を処理室全体と電気的に絶縁して高周波電源
に接続し、更に処理室全体を接地し、排気口より排気し
ながらガス供給口よりクリーニングガスを送給し、前記
対向電極に高周波電圧を印加して行なうことを特徴とす
るプラズマ処理装置のクリーニング方法。 伐） 前記対向電極に処理室内壁にも対向する面を設け
て行う特許請求の範囲第１項のクリーニング方法。 Ｕ） 前記対向電極を載置電極に向かう方向に移動させ
ながら行う特許請求の範囲第１項又は第２項のクリーニ
ング方法。 、 （４載置電極と対向電極を有する処理室と、該旭ｍｉｉ
内の排気を行う排気手段と、誼旭理室内に処理のための
ガスを供給する給気手段と、前記電極間でプラズマを発
生させる電源を備えたグツズｉ魁理装置において、対向
電極を処理室に対し電気的に絶縁し対向電極及び載置電
極と電源間の電気的結合状態を切換える手段並びにクリ
ーニング用ガスを導入する手段を有することを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - （２） 前記対向電極が処理室内壁にも対向する面を有
する特許請求の範囲第４項のプラズマ処理装置。 （勾 前記対向電極が載置電極に対して画直方向Ｋ１１
ｌｌうるようにしである特許請求の範囲第４項又は第５
］Ｊのプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385981A JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385981A JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846639A true JPS5846639A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0423823B2 JPH0423823B2 (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=15348627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14385981A Granted JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846639A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348832A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
| JPS63221620A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2008518429A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システムのｒｆアーススイッチ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2453475T3 (es) | 2009-03-30 | 2014-04-07 | Kuraray Co., Ltd. | Composición de resina y estructura multicapa |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119175A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Toshiba Corp | Reactive ion etching method |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP14385981A patent/JPS5846639A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119175A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Toshiba Corp | Reactive ion etching method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348832A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
| JPS63221620A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2008518429A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システムのｒｆアーススイッチ |
| JP4913740B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2012-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0423823B2 (ja) | 1992-04-23 |
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