JPH02148647A - イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 - Google Patents
イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法Info
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- JPH02148647A JPH02148647A JP63302563A JP30256388A JPH02148647A JP H02148647 A JPH02148647 A JP H02148647A JP 63302563 A JP63302563 A JP 63302563A JP 30256388 A JP30256388 A JP 30256388A JP H02148647 A JPH02148647 A JP H02148647A
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- Japan
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特にイオン注入装置のイオン
ソースの洗浄治具と洗浄方法に関する。
ソースの洗浄治具と洗浄方法に関する。
従来、この種のイオン注入装置のイオンソースは第２図
に示すような構成になっており、イオンソースの洗浄方
法は、イオンソースチャンバー４から、イオンソースヘ
ッド３、ブッシング５、電極サポート２及びエクストラ
クション電極１等の各部品を装置より取りはずし、これ
らの表面に１寸着した堆積物、絶縁層を機械的に除去す
る方法であった。
に示すような構成になっており、イオンソースの洗浄方
法は、イオンソースチャンバー４から、イオンソースヘ
ッド３、ブッシング５、電極サポート２及びエクストラ
クション電極１等の各部品を装置より取りはずし、これ
らの表面に１寸着した堆積物、絶縁層を機械的に除去す
る方法であった。
イオン注入装置のイオンソース部は、イオンソースヘッ
ドでのプラズマの発生及びエクストラクション電極によ
るそのプラズマの引き出しにより、容易にエクストラク
ション電極及び電極サポート表面に堆積物や絶縁層を生
成する。これらが形成されると、ソースヘッドとエクス
トラクション電極間の電界及びプラズマの相互作用によ
り、ソースヘッドとエクストラクション電極との間に放
電が生じるようになる。そのため、イオンソース内は定
期的に洗浄を行う必要がある。
ドでのプラズマの発生及びエクストラクション電極によ
るそのプラズマの引き出しにより、容易にエクストラク
ション電極及び電極サポート表面に堆積物や絶縁層を生
成する。これらが形成されると、ソースヘッドとエクス
トラクション電極間の電界及びプラズマの相互作用によ
り、ソースヘッドとエクストラクション電極との間に放
電が生じるようになる。そのため、イオンソース内は定
期的に洗浄を行う必要がある。
従来のイオンソース洗浄方法は、イオンソースの各構成
部品を取りはずし、プラスターまたはやずりがけによる
表面の研削等の機械的な洗浄を行うために、イオンソー
ス部が長時間大気にさらされ、その後の真空引きに時間
を要する。さらにイオンソース内の残留ガス（特にＨ，
Ｏ）分圧が下がらないうちに、フッ素ガス系のプラズマ
を発生させると、エクストラクション電極表面にわずか
な時間でフルオロカーボンのポリマー等の絶縁層が生成
し、電極の導電性を失い、イオンソース内の放電が起こ
りやすくなるため、再度洗浄作業を行う必要が生じると
いう欠点がある。またイオンソース部に付着した堆積物
８絶縁層は非常に有害な物質であることが多く、それら
の機械的な洗浄には安全上にも大きな問題がある。
部品を取りはずし、プラスターまたはやずりがけによる
表面の研削等の機械的な洗浄を行うために、イオンソー
ス部が長時間大気にさらされ、その後の真空引きに時間
を要する。さらにイオンソース内の残留ガス（特にＨ，
Ｏ）分圧が下がらないうちに、フッ素ガス系のプラズマ
を発生させると、エクストラクション電極表面にわずか
な時間でフルオロカーボンのポリマー等の絶縁層が生成
し、電極の導電性を失い、イオンソース内の放電が起こ
りやすくなるため、再度洗浄作業を行う必要が生じると
いう欠点がある。またイオンソース部に付着した堆積物
８絶縁層は非常に有害な物質であることが多く、それら
の機械的な洗浄には安全上にも大きな問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決したイオン注入装置のイ
オンソース洗浄治具及び洗浄方法を提供することにある
。
オンソース洗浄治具及び洗浄方法を提供することにある
。
上述した従来のイオンソース洗浄方法に対し、本発明は
イオンソース洗浄用電極と高周波電源とを用いることに
より、イオンソース内において電気的、物理的にイオン
ソースヘッドを洗浄できるという相違点を有する。
イオンソース洗浄用電極と高周波電源とを用いることに
より、イオンソース内において電気的、物理的にイオン
ソースヘッドを洗浄できるという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係るイオン注入装置
のイオンソース洗浄治具においては、イオン注入装置の
イオンソース部に、脱着可能な洗浄用電極と、該電極に
高周波電圧を印加する電源と、ガスリークシステムとを
有するものである。
のイオンソース洗浄治具においては、イオン注入装置の
イオンソース部に、脱着可能な洗浄用電極と、該電極に
高周波電圧を印加する電源と、ガスリークシステムとを
有するものである。
また、本発明に係るイオン注入装置のイオンソース洗浄
方法においては、イオンソース内部にプラズマ放電を発
生させ、電気的及び物理的にイオンソース部を洗浄する
ものである。
方法においては、イオンソース内部にプラズマ放電を発
生させ、電気的及び物理的にイオンソース部を洗浄する
ものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
図において、イオンソースチャンバー４内に、ブッシン
グ５、電極サポート２に支持されたエクストラクション
電極１と、脱着可能なイオンソース洗浄用電極６とを有
し、さらに、前記電極１及び６に高周波電圧を供給する
高周波電源８とガスリークシステム７とを装（１！ｉ
したものである。
グ５、電極サポート２に支持されたエクストラクション
電極１と、脱着可能なイオンソース洗浄用電極６とを有
し、さらに、前記電極１及び６に高周波電圧を供給する
高周波電源８とガスリークシステム７とを装（１！ｉ
したものである。
イオンソースチャンバー４内を大気圧にし、イオンソー
スヘッド３を取りはずした後、イオンソース洗浄用電極
６を取り付け、イオンソースチャンバー４内を真空引き
する。イオンソース洗浄用電極６は電極サポート２及び
エクストラクション電極１と５０〜８０市程度の間隔を
保つ形状をしている。
スヘッド３を取りはずした後、イオンソース洗浄用電極
６を取り付け、イオンソースチャンバー４内を真空引き
する。イオンソース洗浄用電極６は電極サポート２及び
エクストラクション電極１と５０〜８０市程度の間隔を
保つ形状をしている。
ガスリークシステム７よりＡｒのガスを導入し、イオン
ソースチャンバー４内の真空度を２００＋ｅｔｏｒｒ程
度に維持し、高周波電源８より数１００Ｗ程度の電力を
電極サポート２に印加する。
ソースチャンバー４内の真空度を２００＋ｅｔｏｒｒ程
度に維持し、高周波電源８より数１００Ｗ程度の電力を
電極サポート２に印加する。
これにより、電極サポート２及びエクストラクション電
極１とイオンソース洗浄用電極６との間にプラズマ放電
が発生し、その結果電極サポート２及びエクストラクシ
ョン電極１表面の堆積物。
極１とイオンソース洗浄用電極６との間にプラズマ放電
が発生し、その結果電極サポート２及びエクストラクシ
ョン電極１表面の堆積物。
絶縁層を物理的にスパッタし、除去することが可能とな
る。
る。
以上説明したように本発明はイオンソース洗浄用電極と
高周波電源とガスリークシステムとを用いることにより
、イオンソース各部を取りはずし、それらをＲ械的に洗
浄する必要がなく、またイオンソースチャンバー内を長
時間大気にさらすことなく、イオンソース内部の堆積物
、絶縁層を除去できる効果がある。
高周波電源とガスリークシステムとを用いることにより
、イオンソース各部を取りはずし、それらをＲ械的に洗
浄する必要がなく、またイオンソースチャンバー内を長
時間大気にさらすことなく、イオンソース内部の堆積物
、絶縁層を除去できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は従
来例を示す縦断面図である。 １・・・エクストラクション”Ｓ ｆｆ２・・・電極サ
ポート ３・・・イオンソースヘッド ４・・・イオンソースチャンバー ５・・・ブッシング ６・・・イオンソース洗浄用電極 ７・・・ガスリークシステム ８・・・高周波電源 ｄ″ ！、ニゲ久トラクシヲン電琢 ２１ζサホ゛−ト ４：イオンゾースチッ〉・八′− ５ニブ〕、シンク″ ６：イはンソー久舅を扉用電キタ ７：ガ又リークシステム ａ；高周→皮電隠 第１図 第２図
来例を示す縦断面図である。 １・・・エクストラクション”Ｓ ｆｆ２・・・電極サ
ポート ３・・・イオンソースヘッド ４・・・イオンソースチャンバー ５・・・ブッシング ６・・・イオンソース洗浄用電極 ７・・・ガスリークシステム ８・・・高周波電源 ｄ″ ！、ニゲ久トラクシヲン電琢 ２１ζサホ゛−ト ４：イオンゾースチッ〉・八′− ５ニブ〕、シンク″ ６：イはンソー久舅を扉用電キタ ７：ガ又リークシステム ａ；高周→皮電隠 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）イオン注入装置のイオンソース部に、脱着可能な
洗浄用電極と、該電極に高周波電圧を印加する電源と、
ガスリークシステムとを有することを特徴とするイオン
ソース洗浄治具。 - （２）イオンソース内部にプラズマ放電を発生させ、電
気的及び物理的にイオンソース部を洗浄することを特徴
とするイオンソース洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302563A JPH02148647A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302563A JPH02148647A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148647A true JPH02148647A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17910482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302563A Pending JPH02148647A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148647A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100528089B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2006-02-13 | 삼성전자주식회사 | 이온주입장치의플러싱방법 |
| US7947129B2 (en) * | 2003-06-06 | 2011-05-24 | Sen Corporation, An Shi And Axcelis Company | Ion source apparatus and cleaning optimized method thereof |
| WO2023053437A1 (ja) * | 2021-10-01 | 2023-04-06 | 株式会社日立ハイテク | イオンミリング装置 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63302563A patent/JPH02148647A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100528089B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2006-02-13 | 삼성전자주식회사 | 이온주입장치의플러싱방법 |
| US7947129B2 (en) * | 2003-06-06 | 2011-05-24 | Sen Corporation, An Shi And Axcelis Company | Ion source apparatus and cleaning optimized method thereof |
| TWI394196B (zh) * | 2003-06-06 | 2013-04-21 | Sen Corp | 離子源設備及其最佳清潔方法 |
| WO2023053437A1 (ja) * | 2021-10-01 | 2023-04-06 | 株式会社日立ハイテク | イオンミリング装置 |
| JPWO2023053437A1 (ja) * | 2021-10-01 | 2023-04-06 |
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