JPS6349219B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6349219B2
JPS6349219B2 JP25925886A JP25925886A JPS6349219B2 JP S6349219 B2 JPS6349219 B2 JP S6349219B2 JP 25925886 A JP25925886 A JP 25925886A JP 25925886 A JP25925886 A JP 25925886A JP S6349219 B2 JPS6349219 B2 JP S6349219B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
auxiliary
reticle
blocks
exposure
Prior art date
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Expired
Application number
JP25925886A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63113458A (ja
Inventor
Izumi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61259258A priority Critical patent/JPS63113458A/ja
Publication of JPS63113458A publication Critical patent/JPS63113458A/ja
Publication of JPS6349219B2 publication Critical patent/JPS6349219B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ステツプ・アンド・レピート露光のマスクとし
て使用されるレチクルにおいて、 製品領域を占めるパターンのブロツクを複数に
し、製品製造の際の補助的に使用される補助パタ
ーンを上記ブロツクの相互間に配置することによ
り、 ステツプ・アンド・レピート露光の際に補助パ
ターンの露光が無効になるのを防止するため設け
るカバーパターンを省略させたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ステツプ・アンド・レピート露光の
マスクとして使用されるレチクルに係り、特に、
パターンの配置構成に関す。
回路を具えて半導体装置に用いられる半導体チ
ツプは、複数個分がウエーハにマトリツクス状に
配置されて回路が形成された後、切断して製造さ
れる。
この回路形成は、ホトマスクの用いられるホト
リソグラフイ技術を含んだウエーハプロセスによ
つてなされるが、上記レチクルはそのホトマスク
の基になるものである。
そしてレチクルの製作は、なるべく単純である
のが望ましい。
〔従来の技術〕
第2図はレチクルにおけるパターン配置の従来
例を示す平面図である。
レチクルに配置されるパターンには、ウエーハ
の半導体チツプとなる部分に投影される領域(製
品領域)を占めて主として回路の形成に使用され
るパターンと、製品領域外を占めて製品製造の際
に補助的に使用される補助パターンとがある。補
助パターンには、露光の際の位置合わせ用マーク
などが該当する。
第2図において、1は製品領域を占めるパター
ンのブロツク、2は補助パターンである。ブロツ
ク1は1個であり、補助パターン2は、ステツ
プ・アンド・レピート露光により横並びして転写
されるブロツク1の間に転写される位置即ちブロ
ツク1の外側に沿つた位置に配置されている。
そして、ブロツク1および補助パターン2の上
記配置のみでは、ステツプ・アンド・レピート露
光を図の左右方向に移動させて行つた際に、補助
パターン2の転写位置が全面露光となつて補助パ
ターン2の露光が無効となるので、その防止のた
め、ブロツク1を挟んだ補助パターン2の反対側
には、補助パターン2をカバーする大きさのカバ
ーパターン3が配置されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
一般に、レチクルのパターン形成には、例えば
電子ビーム露光の描画による方法が用いられ、そ
の描画は、パターン設計の内容をデータ化して収
納した磁気テープからの出力信号によつて行つて
いる。
このため転写パターンに直接必要のないカバー
パターン3も上記データ化の対象になるので、上
記従来例のパターン配置は、パターン形成用デー
タを複雑にしてレチクルの製造を複雑化させてい
る問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、製品領域を占めるパターンのブ
ロツクが互いに隣接して複数個配置され、製品製
造の際に補助的に使用される補助パターンが上記
ブロツクの相互間に配置されてなる本発明のレチ
クルによつて解決される。
〔作用〕
従来例において、先に述べた補助パターンの転
写位置の全面露光は、補助パターンがステツプ・
アンド・レピート露光の隣接部に配置されている
ことに起因する。
本レチクルは、補助パターンの配置位置が上記
ブロツクの外側に沿う条件を満たしながらステツ
プ・アンド・レピート露光の内部にあるので、従
来例で必要としたカバーパターンが不要である。
このことから、パターン形成用データが従来例
の場合より単純になる。なお上記ブロツクが複数
になるためデータ量が増大するも、その内容は一
つのブロツクの繰り返しとなるため、上記単純化
は阻害されない。
〔実施例〕
以下、レチクルにおけるパターン配置の本発明
による実施例について第1図に平面図を用い説明
する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
製品領域を占めるパターンのブロツク1は、相
隣る4個(縦横各2個)が配置され、補助パター
ン2は、横方向に並ぶブロツク1の間に配置され
ている。そして、従来例の場合に配置されたカバ
ーパターン3は除去されている。
カバーパターン3が不要なのは、補助パターン
2がステツプ・アンド・レピート露光の内部に位
置するからである。
従つて、このレチクルのパターン形成用データ
は、カバーパターン3が除去されている分だけ従
来例の場合より単純になる。この場合、ブロツク
1が複数になるためデータ量が増大するが、その
内容は一つのブロツクの繰り返しとなるため、上
記単純化は阻害されない。そしてこのことは、パ
ターン設計からレチクル完成までの製造を単純化
させる。
なお上記のパターン配置でステツプ・アンド・
レピート露光を行うと、補助パターン2の転写
は、ブロツク1に対して一つ置きになるが、補助
パターン2の使用目的からしてウエーハプロセス
に支障を来すことはない。
またこの実施例の場合には、縦方向に並ぶブロ
ツク1の間に補助パターンを配置しても同様の結
果を得ることが出来る。
更に本実施例ではブロツク1を4個にしたが、
本発明はその数を4個に限定するものではない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の構成によれば、ス
テツプ・アンド・レピート露光のマスクとして使
用されるレチクルにおいて、ステツプ・アンド・
レピート露光の際に補助パターンの露光が無効に
なるのを防止するため設けるカバーパターンを省
略することが出来て、レチクルのパターン形成用
データが単純になり、レチクルの製造を単純化さ
せる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例を示す平面図、第2図は
従来例を示す平面図、である。 図において、1は製品領域を占めるパターンの
ブロツク、2は補助パターン、3はカバーパター
ン、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 製品領域を占めるパターンのブロツクが互い
    に隣接して複数個配置され、製品製造の際に補助
    的に使用される補助パターンが上記ブロツクの相
    互間に配置されてなり、ステツプ・アンド・レピ
    ート露光のマスクとして使用されることを特徴と
    するレチクル。
JP61259258A 1986-10-30 1986-10-30 レチクル Granted JPS63113458A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61259258A JPS63113458A (ja) 1986-10-30 1986-10-30 レチクル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61259258A JPS63113458A (ja) 1986-10-30 1986-10-30 レチクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63113458A JPS63113458A (ja) 1988-05-18
JPS6349219B2 true JPS6349219B2 (ja) 1988-10-04

Family

ID=17331605

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JP61259258A Granted JPS63113458A (ja) 1986-10-30 1986-10-30 レチクル

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JP (1) JPS63113458A (ja)

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Publication number Publication date
JPS63113458A (ja) 1988-05-18

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