JPS6349841B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6349841B2 JPS6349841B2 JP56158621A JP15862181A JPS6349841B2 JP S6349841 B2 JPS6349841 B2 JP S6349841B2 JP 56158621 A JP56158621 A JP 56158621A JP 15862181 A JP15862181 A JP 15862181A JP S6349841 B2 JPS6349841 B2 JP S6349841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- tin
- transparent conductive
- organic
- acac
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スクリーン印刷と焼成によりガラス
等の基板上に金属酸化物よりなる透明導電性被膜
を所望の形状に形成するための透明導電性被膜形
成用ペーストの製法に関する。
等の基板上に金属酸化物よりなる透明導電性被膜
を所望の形状に形成するための透明導電性被膜形
成用ペーストの製法に関する。
ガラス、セラミツクなどの基板上に形成したカ
ドミウム、インジウム、スズ、アンチモン等の酸
化物被膜は透明で良好な導電性を示すことはよく
知られており、半導体素子や液晶表示装置に使用
されたり、エレクトロクロミツク表示素子、エレ
クトロルミネツセンス素子等の透明電極、または
窓ガラス等の永結防止用導電膜として利用された
りして近年益々応用範囲が拡大している。この金
属酸化物透明導電性被膜の形成方法としては、ガ
ラス等の基板に、酸化スズ、酸化インジウム、酸
化インジウム一酸化スズ、酸化スズ一酸化アンチ
モンから成る透明導電膜を化学スプレー法、真空
蒸着法、スクリーン印刷法により形成するものが
ある。
ドミウム、インジウム、スズ、アンチモン等の酸
化物被膜は透明で良好な導電性を示すことはよく
知られており、半導体素子や液晶表示装置に使用
されたり、エレクトロクロミツク表示素子、エレ
クトロルミネツセンス素子等の透明電極、または
窓ガラス等の永結防止用導電膜として利用された
りして近年益々応用範囲が拡大している。この金
属酸化物透明導電性被膜の形成方法としては、ガ
ラス等の基板に、酸化スズ、酸化インジウム、酸
化インジウム一酸化スズ、酸化スズ一酸化アンチ
モンから成る透明導電膜を化学スプレー法、真空
蒸着法、スクリーン印刷法により形成するものが
ある。
化学スプレー法は、比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のを得るには、フオトエツチングなど余分な工程
が必要となり経済的ではない。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達しフオトエツチング処理は
必要でなくなつたが、同時に多量の蒸着ができな
いので量産向きではない。スクリーン印刷法で
は、かかる問題がなく、目的形状のものを印刷焼
成することができ、エツチング処理にともなう廃
液処理の必要もないという利点がある。しかし、
従来は、透明導電性被膜形成用ペースト自体の安
定性が良くないため、スクリーン印刷時の作業性
が悪く、形成された被膜の導電性の良否にもバラ
ツキが大きいという欠点があつた。
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のを得るには、フオトエツチングなど余分な工程
が必要となり経済的ではない。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達しフオトエツチング処理は
必要でなくなつたが、同時に多量の蒸着ができな
いので量産向きではない。スクリーン印刷法で
は、かかる問題がなく、目的形状のものを印刷焼
成することができ、エツチング処理にともなう廃
液処理の必要もないという利点がある。しかし、
従来は、透明導電性被膜形成用ペースト自体の安
定性が良くないため、スクリーン印刷時の作業性
が悪く、形成された被膜の導電性の良否にもバラ
ツキが大きいという欠点があつた。
本発明の目的は、上記の欠点をなくし、低抵抗
で透明度が良い被膜が形成でき、更にペースト自
体の安定性も高く、ポツトライフの長い透明導電
性被膜形成用ペーストの製法を提供するにある。
で透明度が良い被膜が形成でき、更にペースト自
体の安定性も高く、ポツトライフの長い透明導電
性被膜形成用ペーストの製法を提供するにある。
本発明の特色は、焼成により金属酸化物被膜を
与える化合物として有機スズ錯体に着目したこと
にある。従来、この種のペーストにおいては、オ
クチル酸インジウム（C7H15CO2）3In等のイオン
結合性の強い有機酸インジウムを主体に用いてい
たり、製造コストの高い有機インジウム錯体を使
用したりしていたが、これらの有機インジウム化
合物をペーストとした場合、ペーストのゲル化を
捉進する等比較的容易に化学変化するという欠点
を持つているため、ペースト自体の寿命を短かく
し、スクリーン印刷時の作業性を悪くする原因と
なつていた。
与える化合物として有機スズ錯体に着目したこと
にある。従来、この種のペーストにおいては、オ
クチル酸インジウム（C7H15CO2）3In等のイオン
結合性の強い有機酸インジウムを主体に用いてい
たり、製造コストの高い有機インジウム錯体を使
用したりしていたが、これらの有機インジウム化
合物をペーストとした場合、ペーストのゲル化を
捉進する等比較的容易に化学変化するという欠点
を持つているため、ペースト自体の寿命を短かく
し、スクリーン印刷時の作業性を悪くする原因と
なつていた。
そこで本発明では、有機スズ錯体として、ジメ
チルスズアセトーブ（CH3）2Sn（acac）2やオプチ
ル酸スズアセトープ等を使用することによりペー
スト化に成功した。（CH3）2Sn（acac）2は、400℃
以上で熱分解し、500℃程度でほぼ完全に金属酸
化物となるが酸化スズのみの膜では、低抵抗にす
るのが困難で、形成された膜中に微量の酸化アン
チモンを含有させ抵抗値を調整するのが一般的で
ある。即ち、焼成して酸化アンチモンとなる有機
アンチモン化合物が必要である。常温での安定性
と500℃程度でほぼ完全に酸化アンチモンとなる
等の特性を考慮してトリフエニルアンチモン、テ
トラブトキシアンチモン等が適用できる。
チルスズアセトーブ（CH3）2Sn（acac）2やオプチ
ル酸スズアセトープ等を使用することによりペー
スト化に成功した。（CH3）2Sn（acac）2は、400℃
以上で熱分解し、500℃程度でほぼ完全に金属酸
化物となるが酸化スズのみの膜では、低抵抗にす
るのが困難で、形成された膜中に微量の酸化アン
チモンを含有させ抵抗値を調整するのが一般的で
ある。即ち、焼成して酸化アンチモンとなる有機
アンチモン化合物が必要である。常温での安定性
と500℃程度でほぼ完全に酸化アンチモンとなる
等の特性を考慮してトリフエニルアンチモン、テ
トラブトキシアンチモン等が適用できる。
次に、ペースト化に必要な粘性剤及び溶媒につ
いて述べる。
いて述べる。
まず、粘性剤としては、エチルセルローズ、ニ
トロセルローズ、アセチルセルローズ、ベンジル
セルローズなどが適用できる。次に溶媒である
が、有機スズ錯体や有機アンチモン化合物に対し
て反応性が乏しく、前記粘性剤に対して溶解能が
良く蒸気圧が常温で１mmHg以下で、沸点180〜
350℃の性質があるものでなくてはならない。こ
の溶媒として、２−エチルヘキシルアルコール、
ベンジルアルコール、α−４−テルピネノール等
の高沸点アルコール、アセト酢酸エチル、酢酸ベ
ンジル、安息香酸メチル、フタル酸ジメチル、フ
タル酸ジエチル、フタル酸ジブチル等の高沸点エ
ステル、アセトニルアセトン、イソホロン等の高
沸点ケトン、メチルカルビトール、カルビトー
ル、ブチルカルビトール、ジブチルカルビトー
ル、カルビトールアセテート等のカルビトール群
等が適用できる。これら溶媒は単独で、又は二種
以上混合して使用してよい。
トロセルローズ、アセチルセルローズ、ベンジル
セルローズなどが適用できる。次に溶媒である
が、有機スズ錯体や有機アンチモン化合物に対し
て反応性が乏しく、前記粘性剤に対して溶解能が
良く蒸気圧が常温で１mmHg以下で、沸点180〜
350℃の性質があるものでなくてはならない。こ
の溶媒として、２−エチルヘキシルアルコール、
ベンジルアルコール、α−４−テルピネノール等
の高沸点アルコール、アセト酢酸エチル、酢酸ベ
ンジル、安息香酸メチル、フタル酸ジメチル、フ
タル酸ジエチル、フタル酸ジブチル等の高沸点エ
ステル、アセトニルアセトン、イソホロン等の高
沸点ケトン、メチルカルビトール、カルビトー
ル、ブチルカルビトール、ジブチルカルビトー
ル、カルビトールアセテート等のカルビトール群
等が適用できる。これら溶媒は単独で、又は二種
以上混合して使用してよい。
次にペーストの製造方法について説明する。こ
のペーストの製造方法は、本発明の中でも重要で
あり、まず、従来のこの種のペーストの製造方法
を述べ、次に本発明の製造方法について述べる。
のペーストの製造方法は、本発明の中でも重要で
あり、まず、従来のこの種のペーストの製造方法
を述べ、次に本発明の製造方法について述べる。
従来の方法では、（CH3）2Sn（acac）2及びトリフ
エニルアンチモンを秤量し、これに前記各溶媒を
添加し、これらを130〜180℃の温度で２〜３時間
加熱する。次に粘性剤であるセルローズ化合物を
添加し、撹拌装置を用いて撹拌する。このような
方法でペーストを作成すると、ゲル化が激しく、
撹拌している間にペースト粘度が上昇していき完
全にゲルになつてしまう。
エニルアンチモンを秤量し、これに前記各溶媒を
添加し、これらを130〜180℃の温度で２〜３時間
加熱する。次に粘性剤であるセルローズ化合物を
添加し、撹拌装置を用いて撹拌する。このような
方法でペーストを作成すると、ゲル化が激しく、
撹拌している間にペースト粘度が上昇していき完
全にゲルになつてしまう。
そこで、本発明では、（CH3）2Sn（acac）2を秤量
し、これに前記各溶媒を添加し、130〜180℃の温
度で加熱する。次に粘性剤であるセルローズ化合
物を添加し、撹拌装置を用いて撹拌する。このよ
うにして作成したペーストをＡペーストとする。
また、これとは別に、トリフエニルアンチモンを
秤量し、これに前記各溶媒を添加し、130〜180℃
の温度で２〜３時間加熱する。このようにして作
成した溶液をＢ液とする。最後に、Ａペーストと
Ｂ液の一定量を混合、撹拌してＣペーストが完成
する。
し、これに前記各溶媒を添加し、130〜180℃の温
度で加熱する。次に粘性剤であるセルローズ化合
物を添加し、撹拌装置を用いて撹拌する。このよ
うにして作成したペーストをＡペーストとする。
また、これとは別に、トリフエニルアンチモンを
秤量し、これに前記各溶媒を添加し、130〜180℃
の温度で２〜３時間加熱する。このようにして作
成した溶液をＢ液とする。最後に、Ａペーストと
Ｂ液の一定量を混合、撹拌してＣペーストが完成
する。
このようにして作成したＣペーストは、スクリ
ーン印刷法で目的形状に印刷し、130〜170℃で予
備乾燥後、500〜600℃で焼成することにより、透
明で良導電体の被膜を得ることができる。
ーン印刷法で目的形状に印刷し、130〜170℃で予
備乾燥後、500〜600℃で焼成することにより、透
明で良導電体の被膜を得ることができる。
以下、実施例により更に詳しく説明する。
実施例
Ａペーストの作成
まず、（CH3）2Sn（acac）2を15ｇ秤量し、セパラ
ブルフラスコに入れ、次にブチルカルビトール
170ｇ、ブチルセロソルブ85ｇ、酢酸ベンジル85
ｇ、フタル酸ジメチル85ｇの各溶媒を添加し、
130〜180℃で２〜３時間加熱する。この溶液が常
温になつていることを確認した後、遊離処理を施
こしたニトロセルローズ（太平化学社製 製品名
H80）を60ｇ加え、撹拌装置を用いて５〜８時間
加熱してＡペーストを作成した。
ブルフラスコに入れ、次にブチルカルビトール
170ｇ、ブチルセロソルブ85ｇ、酢酸ベンジル85
ｇ、フタル酸ジメチル85ｇの各溶媒を添加し、
130〜180℃で２〜３時間加熱する。この溶液が常
温になつていることを確認した後、遊離処理を施
こしたニトロセルローズ（太平化学社製 製品名
H80）を60ｇ加え、撹拌装置を用いて５〜８時間
加熱してＡペーストを作成した。
Ｂ液の作成
トリフエニルアンチモン7.5ｇを秤量し、セパ
ラブルフラスコに入れる。次にブチルカルビトー
ルを45.5ｇ、ブチルセロソルブを23ｇ、酢酸ベン
ジルを23ｇ、フタル酸ジメチルを23ｇの各溶媒を
添加し、130〜180℃で２〜３時間加熱する。この
ようにしてＢ液を作成する。
ラブルフラスコに入れる。次にブチルカルビトー
ルを45.5ｇ、ブチルセロソルブを23ｇ、酢酸ベン
ジルを23ｇ、フタル酸ジメチルを23ｇの各溶媒を
添加し、130〜180℃で２〜３時間加熱する。この
ようにしてＢ液を作成する。
以上のようにして、ＡペーストとＢ液を作成し
た後、ＡペーストとＢ液を混合して撹拌してＣペ
ーストを完成した。
た後、ＡペーストとＢ液を混合して撹拌してＣペ
ーストを完成した。
ここで、抵抗値調整用としてのＢ液の混合比率
を変化させることにより、Ｃペーストを焼成して
得られる透明導電性被膜のシート抵抗値を調べた
結果が、第１図である。この図はＣペースト中で
のトリフエニルアンチモン（C6H5）3Sbのジメチ
ルスズアセトーブ（CH3）2Sn（acac）2に対する重
量比を横軸にシート抵抗を縦軸にとつたもので、
図から明らかなように（C6H5）3Sb／（CH3）2Sn（acac
）2が2/98 〜10/90の範囲ではシート抵抗値が20kΩ／口以下
となり、良好な導電性を有している。
を変化させることにより、Ｃペーストを焼成して
得られる透明導電性被膜のシート抵抗値を調べた
結果が、第１図である。この図はＣペースト中で
のトリフエニルアンチモン（C6H5）3Sbのジメチ
ルスズアセトーブ（CH3）2Sn（acac）2に対する重
量比を横軸にシート抵抗を縦軸にとつたもので、
図から明らかなように（C6H5）3Sb／（CH3）2Sn（acac
）2が2/98 〜10/90の範囲ではシート抵抗値が20kΩ／口以下
となり、良好な導電性を有している。
なお、前記シート抵抗値は、Ｃペーストをパイ
レツクスガラス板上にスクリーン印刷し、150℃，
20分間、予備乾燥後、500℃で30分焼成した時に
得られたものであり、被膜厚は1000Åである。最
小抵抗値を示した被膜の光透過率は、日本分光
製、CT−25N分光器により測定したところ、第
２図のグラフに示すように可視光域の波波長
400nm〜800nmまでの平均値で97％以上であつ
た。
レツクスガラス板上にスクリーン印刷し、150℃，
20分間、予備乾燥後、500℃で30分焼成した時に
得られたものであり、被膜厚は1000Åである。最
小抵抗値を示した被膜の光透過率は、日本分光
製、CT−25N分光器により測定したところ、第
２図のグラフに示すように可視光域の波波長
400nm〜800nmまでの平均値で97％以上であつ
た。
本発明は前述したように、ジメチルスズアセト
ープなどの有機スズ錯体を主成分とするペースト
と、トリフエニルアンチモンなどの有機アンチモ
ン化合物溶液とを別々に作成し、この両者を混合
して透明導電性被膜形成用ペーストとすることを
特徴とするものである。この発明により低抵抗で
透明度が高い被膜が形成され、さらにペースト自
体の安定性も良好である。
ープなどの有機スズ錯体を主成分とするペースト
と、トリフエニルアンチモンなどの有機アンチモ
ン化合物溶液とを別々に作成し、この両者を混合
して透明導電性被膜形成用ペーストとすることを
特徴とするものである。この発明により低抵抗で
透明度が高い被膜が形成され、さらにペースト自
体の安定性も良好である。
第１図は本発明の実施例で得られた透明導電性
被膜のシート抵抗値特性図、第２図はその透明導
電性被膜の光波長に対する透過率を示す特性図で
ある。
被膜のシート抵抗値特性図、第２図はその透明導
電性被膜の光波長に対する透過率を示す特性図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機スズ錯体を溶剤に溶解してスズ原液を作
成し、そのスズ原液に粘性剤を添加し、撹拌して
スズ含有ペーストを作成する第１の工程と、 このスズ含有ペーストとは別に、有機アンチモ
ン化合物を溶剤に溶解してアンチモン原液を作成
する第２の工程と、 このアンチモン原液と前記スズ含有ペーストと
を所定の割合に混合し、撹拌して被膜形成用ペー
ストとする第３の工程とを有していることを特徴
とする透明導電性被膜形成用ペーストの製法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載において、前記有
機スズ錯体としてジメチルスズアセトープ
（CH3）2Sn（acac）2が、前記有機アンチモン化合物
としてトリフエニルアンチモン（C6H5）3Sbがそ
れぞれ用いられることを特徴とする透明導電性被
膜形成用ペーストの製法。 ３ 特許請求の範囲第２項記載において、前記ジ
メチルスズアセトープ（CH3）2Sn（acac）2とトリ
フエニルアンチモン（C6H5）3Sbの混合重量比
〔（C6H5）3Sb〕／〔（CH3）2Sn（acac）2〕が２／98
〜10／90の範囲に規制されていることを特徴とす
る透明導電性被膜形成用ペーストの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15862181A JPS5861504A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 透明導電性被膜形成用ペ−ストの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15862181A JPS5861504A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 透明導電性被膜形成用ペ−ストの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861504A JPS5861504A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS6349841B2 true JPS6349841B2 (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=15675705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15862181A Granted JPS5861504A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 透明導電性被膜形成用ペ−ストの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861504A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150371725A1 (en) * | 2013-02-04 | 2015-12-24 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Inorganic material paste for electronic components such as resistors and dielectrics, and method of producing same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767674A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-24 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Solution forming transparent electro-conductive film |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP15862181A patent/JPS5861504A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5861504A (ja) | 1983-04-12 |
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