JPS6349902B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6349902B2 JPS6349902B2 JP56097072A JP9707281A JPS6349902B2 JP S6349902 B2 JPS6349902 B2 JP S6349902B2 JP 56097072 A JP56097072 A JP 56097072A JP 9707281 A JP9707281 A JP 9707281A JP S6349902 B2 JPS6349902 B2 JP S6349902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal outer
- outer ring
- lead wire
- glass
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金メツキ層を有する気密端子の製造
方法に関する。
方法に関する。
気密端子は各種の分野に広く応用されており、
その形状、構造も用途に応じて各種のものがある
が、基本的には第１図に示すように、金属外環１
内にガラス２を介してリード線３を気密絶縁的に
封着したものである。この種気密端子において
は、圧縮封止型と称されるものと、整合封止型と
称されるものとがある。前者は、金属外環１を鉄
または低炭素鋼で構成し、ガラス２としてソーダ
バリウムガラスまたはソーダライムガラス等のソ
ーダガラスを用い、リード線３として鉄・ニツケ
ル合金（Fe50％、Ni50％）を用いたもので、金
属外環１の線膨脹係数α1とガラス２の線膨脹係数
α2とをα1＞α2の関係にして、金属外環１によつて
ガラス２に強い圧縮応力が加えられるようにした
ものである。一方、後者は、金属外環１とリード
線３とを鉄・ニツケル・コバルト合金（Fe53％、
Ni28％、Co18％）で構成し、ガラス２としてホ
ウケイ酸ガラスを使用したもので、金属外環１お
よびリード線３の線膨脹係数α1，α3とガラス２の
線膨脹係数α2とをα1＝α3≒α2の関係に設定したも
のである。そして、前者は安価で機械的強度が大
きいという長所がある反面、ガラス２に同心円状
の圧縮歪が入る、封着部分に設計上の制約があ
る、ガラス２の表面の絶縁性が温度によつて変化
しやすいといつた短所がある。一方、後者は、広
い温度範囲で無歪のため安定である、形状が任意
に設計できる、気密性の信頼性が大きい、ガラス
２の表面の絶縁性の安定性が良い等の長所を有す
る反面、鉄・ニツケル・コバルト合金が非常に高
価なので原価高となる、比較的機械的強度が劣る
といつた短所を有する。
その形状、構造も用途に応じて各種のものがある
が、基本的には第１図に示すように、金属外環１
内にガラス２を介してリード線３を気密絶縁的に
封着したものである。この種気密端子において
は、圧縮封止型と称されるものと、整合封止型と
称されるものとがある。前者は、金属外環１を鉄
または低炭素鋼で構成し、ガラス２としてソーダ
バリウムガラスまたはソーダライムガラス等のソ
ーダガラスを用い、リード線３として鉄・ニツケ
ル合金（Fe50％、Ni50％）を用いたもので、金
属外環１の線膨脹係数α1とガラス２の線膨脹係数
α2とをα1＞α2の関係にして、金属外環１によつて
ガラス２に強い圧縮応力が加えられるようにした
ものである。一方、後者は、金属外環１とリード
線３とを鉄・ニツケル・コバルト合金（Fe53％、
Ni28％、Co18％）で構成し、ガラス２としてホ
ウケイ酸ガラスを使用したもので、金属外環１お
よびリード線３の線膨脹係数α1，α3とガラス２の
線膨脹係数α2とをα1＝α3≒α2の関係に設定したも
のである。そして、前者は安価で機械的強度が大
きいという長所がある反面、ガラス２に同心円状
の圧縮歪が入る、封着部分に設計上の制約があ
る、ガラス２の表面の絶縁性が温度によつて変化
しやすいといつた短所がある。一方、後者は、広
い温度範囲で無歪のため安定である、形状が任意
に設計できる、気密性の信頼性が大きい、ガラス
２の表面の絶縁性の安定性が良い等の長所を有す
る反面、鉄・ニツケル・コバルト合金が非常に高
価なので原価高となる、比較的機械的強度が劣る
といつた短所を有する。
そこで、本件出願人は先に、第２図に示すよう
に、42合金と称される鉄・ニツケル合金（Fe58
％、Ni42％）よりなる金属外環４内にホウケイ
酸ガラス５を介して鉄・ニツケル・コバルト合金
よりなるリード線６を気密絶縁的に封着してなる
気密端子を提案した。この気密端子は、鉄・ニツ
ケル合金が鉄・ニツケル・コバルト合金に比較し
て格段に安価であるため、整合封止型の気密端子
よりも原価低減が可能で、しかも金属外環４の線
膨脹係数α4（52×10-7／℃）とガラス５の線膨脹
係数α5（47×10-7／℃）とがα4＞α5の関係になる
ので、ガラス４に圧縮応力が加わり、機械的強度
も向上するという利点がある。
に、42合金と称される鉄・ニツケル合金（Fe58
％、Ni42％）よりなる金属外環４内にホウケイ
酸ガラス５を介して鉄・ニツケル・コバルト合金
よりなるリード線６を気密絶縁的に封着してなる
気密端子を提案した。この気密端子は、鉄・ニツ
ケル合金が鉄・ニツケル・コバルト合金に比較し
て格段に安価であるため、整合封止型の気密端子
よりも原価低減が可能で、しかも金属外環４の線
膨脹係数α4（52×10-7／℃）とガラス５の線膨脹
係数α5（47×10-7／℃）とがα4＞α5の関係になる
ので、ガラス４に圧縮応力が加わり、機械的強度
も向上するという利点がある。
さて、このような気密端子においては、金属外
環４とリード線６との素地を露出したまゝにして
おくと、発錆を生じ各種問題発生の原因となる。
そこで、金属外環４とリード線６の表面に防錆メ
ツキが施されている。この防錆メツキとしては電
気ニツケルメツキ、化学ニツケルメツキまたは金
メツキが一般的である。
環４とリード線６との素地を露出したまゝにして
おくと、発錆を生じ各種問題発生の原因となる。
そこで、金属外環４とリード線６の表面に防錆メ
ツキが施されている。この防錆メツキとしては電
気ニツケルメツキ、化学ニツケルメツキまたは金
メツキが一般的である。
しかしながら、金メツキの場合、金属外環４お
よびリード線６に直接金メツキを施すと、特にリ
ード線６においては曲げ応力が加わりやすく応力
腐蝕割れを生じるので、下地にニツケルメツキ等
を施すのが普通である。
よびリード線６に直接金メツキを施すと、特にリ
ード線６においては曲げ応力が加わりやすく応力
腐蝕割れを生じるので、下地にニツケルメツキ等
を施すのが普通である。
従来は、第３図および第４図に示すように、金
属外環４内にガラス５を介してリード線６を気密
絶縁的に封着したのち、金属外環４およびリード
線６の表面にニツケルメツキ層７，８および金メ
ツキ層９，１０を形成しているので、次の問題点
があつた。すなわち、ニツケルメツキ層７，８を
電気メツキ法で形成する場合は、金属外環４とリ
ード線６とがガラス５を介して絶縁されているの
で、両者にメツキするためにはこれら両者を線縛
等により同電位にしておく必要があり、線縛、取
り外し等の作業が極めて煩雑である。またバレル
メツキを実施すると、リード線６が折れ曲つた
り、ガラス５にクラツクが生じるという問題点が
ある。一方、ニツケルメツキ層７，８を化学メツ
キ法で形成すると、金属外環４とリード線６とを
同電位にするための線縛作業が不要になるので、
メツキ作業は著しく容易であるが、金属外環４と
リード線６上に直接化学ニツケルメツキを施す
と、この気密端子をロウ付けしたり、気密端子上
に他の物品をロウ付けする熱の加熱工程で化学ニ
ツケルメツキ層が硬化しかつその線膨脹係数が
130×10-7／℃程度もあり、金属外環４およびリ
ード線６を構成する鉄・ニツケル・コバルト合金
の線膨脹係数（47×10-7／℃）との極端な差によ
る歪により化学ニツケルメツキ層が割れて、半田
のなじみ不良や変色、シミ等の不良が発生すると
いう問題点がある。
属外環４内にガラス５を介してリード線６を気密
絶縁的に封着したのち、金属外環４およびリード
線６の表面にニツケルメツキ層７，８および金メ
ツキ層９，１０を形成しているので、次の問題点
があつた。すなわち、ニツケルメツキ層７，８を
電気メツキ法で形成する場合は、金属外環４とリ
ード線６とがガラス５を介して絶縁されているの
で、両者にメツキするためにはこれら両者を線縛
等により同電位にしておく必要があり、線縛、取
り外し等の作業が極めて煩雑である。またバレル
メツキを実施すると、リード線６が折れ曲つた
り、ガラス５にクラツクが生じるという問題点が
ある。一方、ニツケルメツキ層７，８を化学メツ
キ法で形成すると、金属外環４とリード線６とを
同電位にするための線縛作業が不要になるので、
メツキ作業は著しく容易であるが、金属外環４と
リード線６上に直接化学ニツケルメツキを施す
と、この気密端子をロウ付けしたり、気密端子上
に他の物品をロウ付けする熱の加熱工程で化学ニ
ツケルメツキ層が硬化しかつその線膨脹係数が
130×10-7／℃程度もあり、金属外環４およびリ
ード線６を構成する鉄・ニツケル・コバルト合金
の線膨脹係数（47×10-7／℃）との極端な差によ
る歪により化学ニツケルメツキ層が割れて、半田
のなじみ不良や変色、シミ等の不良が発生すると
いう問題点がある。
そのため、この発明の主な目的は、下地ニツケ
ルメツキ層の形成が容易でしかも割れを生じな
い、金メツキ層を有する気密端子の製造方法を提
供することである。
ルメツキ層の形成が容易でしかも割れを生じな
い、金メツキ層を有する気密端子の製造方法を提
供することである。
この発明の上記の目的およびその他の目的と特
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
第５図はこの発明の一実施例方法を説明するた
めの工程ブロツク図を示し、第６図は上記方法に
よつて製造した気密端子の要部拡大断面図を示
す。第６図において、第４図と同一部分には同一
参照符号を付している。まず、42合金（Fe58％、
Ni42％）よりなる金属外環４および鉄・ニツケ
ル・コバルト合金（Fe53％、Ni28％、Co18％）
よりなるリード線６の全面に1.5〜8μｍ程度の電
気ニツケルメツキ層９，１０を形成し、前記金属
外環４内にホウケイ酸ガラス５を介してリード線
６を気密絶縁的に封着したのち、金属外環４およ
びリード線６の表面に厚さが0.2〜2.0μｍ程度の
金メツキ層１１，１２を形成する。
めの工程ブロツク図を示し、第６図は上記方法に
よつて製造した気密端子の要部拡大断面図を示
す。第６図において、第４図と同一部分には同一
参照符号を付している。まず、42合金（Fe58％、
Ni42％）よりなる金属外環４および鉄・ニツケ
ル・コバルト合金（Fe53％、Ni28％、Co18％）
よりなるリード線６の全面に1.5〜8μｍ程度の電
気ニツケルメツキ層９，１０を形成し、前記金属
外環４内にホウケイ酸ガラス５を介してリード線
６を気密絶縁的に封着したのち、金属外環４およ
びリード線６の表面に厚さが0.2〜2.0μｍ程度の
金メツキ層１１，１２を形成する。
上記の製造方法によれば、封着前に金属外環４
とリード線６を単体で電気ニツケルメツキ層９，
１０を形成するので、バレルメツキ法を利用して
簡単にメツキでき、封着後に電気ニツケルメツキ
層７，８を形成する場合に比較して、金属外環４
とリード線６とを同電位にするための線縛が不要
であるのみならず、リード線６の折れ曲りやガラ
スクラツクも発生しない。また化学ニツケルメツ
キ層を形成する場合に比較して、後の加熱によつ
て硬度が増し金属外環４およびリード線６とニツ
ケルメツキ層との線膨脹係数差による応力でニツ
ケルメツキ層に割れが発生することもない。
とリード線６を単体で電気ニツケルメツキ層９，
１０を形成するので、バレルメツキ法を利用して
簡単にメツキでき、封着後に電気ニツケルメツキ
層７，８を形成する場合に比較して、金属外環４
とリード線６とを同電位にするための線縛が不要
であるのみならず、リード線６の折れ曲りやガラ
スクラツクも発生しない。また化学ニツケルメツ
キ層を形成する場合に比較して、後の加熱によつ
て硬度が増し金属外環４およびリード線６とニツ
ケルメツキ層との線膨脹係数差による応力でニツ
ケルメツキ層に割れが発生することもない。
なお、上記実施例は説明の便宜上単純なフラン
ジ付き円筒状の金属外環４内に単一のリード線６
を封着する場合について説明したが、円筒状の金
属外環４内に複数のリード線６を封着するように
してもよいし、あるいは半導体装置用ステムにお
けるステム基板のように、平板状の金属外環に複
数の透孔を穿設して、これら各透孔にそれぞれ１
本または複数本のリード線を封着するようにして
もよい。
ジ付き円筒状の金属外環４内に単一のリード線６
を封着する場合について説明したが、円筒状の金
属外環４内に複数のリード線６を封着するように
してもよいし、あるいは半導体装置用ステムにお
けるステム基板のように、平板状の金属外環に複
数の透孔を穿設して、これら各透孔にそれぞれ１
本または複数本のリード線を封着するようにして
もよい。
また、上記実施例では金属外環４を特定の組成
の鉄・ニツケル合金で構成する場合について説明
したが、450℃以下の温度範囲における線膨脹係
数が75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環お
よびリード線においては同様の問題が生じるの
で、この発明を適用することができる。
の鉄・ニツケル合金で構成する場合について説明
したが、450℃以下の温度範囲における線膨脹係
数が75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環お
よびリード線においては同様の問題が生じるの
で、この発明を適用することができる。
この発明は以上のように、450℃以下の温度範
囲における線膨脹係数が75×10-7／℃以下の材料
よりなる金属外環およびリード線に電気ニツケル
メツキ層を形成する工程と、前記金属外環内にホ
ウケイ酸ガラスを介して前記リード線を気密絶縁
的に封着する工程と、前記金属外環およびリード
線の表面に金メツキ層を形成する工程とを含むも
のであるから、下地ニツケルメツキ層を線縛作業
を必要としないで容易に形成でき、リード線の折
れ曲りやガラスのクラツクも発生せず、しかも後
工程で加熱しても化学ニツケルメツキ層のように
硬度が増大して割れることもない、金メツキ層を
有する気密端子が得られるという効果を奏する。
囲における線膨脹係数が75×10-7／℃以下の材料
よりなる金属外環およびリード線に電気ニツケル
メツキ層を形成する工程と、前記金属外環内にホ
ウケイ酸ガラスを介して前記リード線を気密絶縁
的に封着する工程と、前記金属外環およびリード
線の表面に金メツキ層を形成する工程とを含むも
のであるから、下地ニツケルメツキ層を線縛作業
を必要としないで容易に形成でき、リード線の折
れ曲りやガラスのクラツクも発生せず、しかも後
工程で加熱しても化学ニツケルメツキ層のように
硬度が増大して割れることもない、金メツキ層を
有する気密端子が得られるという効果を奏する。
第１図は典型的な気密端子の断面図、第２図は
この発明の背景となる気密端子の断面図、第３図
はこの発明に先行する気密端子の製造方法を説明
するための工程ブロツク図、第４図はその方法に
よつて製造された気密端子の要部拡大断面図、第
５図はこの発明の一実施例方法を説明するための
工程ブロツク図、第６図はその方法によつて製造
された気密端子の要部拡大断面図である。 ４……金属外環、５……ガラス、６……リード
線、９，１０……電気ニツケルメツキ層、１１，
１２……金メツキ層。
この発明の背景となる気密端子の断面図、第３図
はこの発明に先行する気密端子の製造方法を説明
するための工程ブロツク図、第４図はその方法に
よつて製造された気密端子の要部拡大断面図、第
５図はこの発明の一実施例方法を説明するための
工程ブロツク図、第６図はその方法によつて製造
された気密端子の要部拡大断面図である。 ４……金属外環、５……ガラス、６……リード
線、９，１０……電気ニツケルメツキ層、１１，
１２……金メツキ層。
Claims (1)
- １ 450℃以下の温度範囲における線膨脹係数が
75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環および
鉄・ニツケル・コバルト合金よりなるリード線に
電気ニツケルメツキ層を形成する工程と、これら
金属外環とリード線とをホウケイ酸ガラスを介し
て気密絶縁的に封着する工程と、前記金属外環お
よびリード線に金メツキ層を形成する工程とを含
むことを特徴とする気密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097072A JPS57211255A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of airtight terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097072A JPS57211255A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of airtight terminal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211255A JPS57211255A (en) | 1982-12-25 |
| JPS6349902B2 true JPS6349902B2 (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=14182432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56097072A Granted JPS57211255A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of airtight terminal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57211255A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006036100B3 (de) * | 2006-08-02 | 2008-01-24 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers |
| JP6217226B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2017-10-25 | 日立金属株式会社 | 熱式質量流量計、質量流量制御装置、及び熱式質量流量計の製造方法 |
| WO2021065529A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日立金属株式会社 | 気密接続用ユニット、気密接続用アセンブリ、気密容器及び気化器、並びに気密接続用アセンブリの製造方法 |
-
1981
- 1981-06-22 JP JP56097072A patent/JPS57211255A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57211255A (en) | 1982-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3035372A (en) | Method for making a glass to metal seal | |
| JPS64795B2 (ja) | ||
| JPS63121693A (ja) | コネクタ−用端子 | |
| US5013615A (en) | Glass to metal seal | |
| US4795866A (en) | Vacuum tube switch which uses low temperature solder | |
| US3631589A (en) | Method for sealing glass to metal | |
| US1140136A (en) | Low-expansion wire. | |
| US3193920A (en) | Pressure sealing of plated envelope sections | |
| JP3012255B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| US3743895A (en) | Copper plated base plate with nickel plated insert for semiconductor component housing | |
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| JPS6114637B2 (ja) | ||
| JP5036280B2 (ja) | 気密端子およびその製造方法 | |
| JPH02502304A (ja) | 真空容器用の冶金的改良されたチップオフ管 | |
| JP3269420B2 (ja) | 気密端子およびその製造方法 | |
| US20060273694A1 (en) | Low temperature conductive coating for piezoceramic materials | |
| JPS60120048A (ja) | 結合治具 | |
| US3464725A (en) | Hermetic electrical lead-in assembly | |
| JPH02144864A (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JP7467273B2 (ja) | 気密端子 | |
| JPH0238382Y2 (ja) | ||
| JPH06298551A (ja) | シ−ル構造 | |
| JPS6030543A (ja) | 複合金属線の製造方法 | |
| JPS6333332Y2 (ja) | ||
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム |