JPS6350038A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS6350038A JPS6350038A JP61194546A JP19454686A JPS6350038A JP S6350038 A JPS6350038 A JP S6350038A JP 61194546 A JP61194546 A JP 61194546A JP 19454686 A JP19454686 A JP 19454686A JP S6350038 A JPS6350038 A JP S6350038A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板上に高融点金属のシリサイド層また
はポリサイド層を備える半導体装置の製造装置に関する
。
はポリサイド層を備える半導体装置の製造装置に関する
。
（従来の接触）
最近の半導体装置では配線その他の導電膜材として高融
点金属のシリサイドまたはポリサイド人どの低抵抗組成
材が従来のポリシリコン材に代わって用いられる。この
高融点金属のシリサイドまたはポリサイドからなる低抵
抗組成材はシリコン膜またはポリシリコン膜にタングス
テン（５）或いはモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を
被着し更に熱処理を加えて化合させることによって形成
される。
点金属のシリサイドまたはポリサイド人どの低抵抗組成
材が従来のポリシリコン材に代わって用いられる。この
高融点金属のシリサイドまたはポリサイドからなる低抵
抗組成材はシリコン膜またはポリシリコン膜にタングス
テン（５）或いはモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を
被着し更に熱処理を加えて化合させることによって形成
される。
この高融点金属のシリコン膜またはポリシリコン膜上へ
の被着およびその後の熱処理は、通常、冷陰極放電によ
る金属スパッタ装置および電気炉装置によってそれぞれ
行なわれる。従来の半導体製造装置によればこ牡ら２つ
の装置は互いに独立して設けられ半導体基板は高融点金
属をスパッタされた後−旦外部に取出され改めて電気炉
装置内に収容される。
の被着およびその後の熱処理は、通常、冷陰極放電によ
る金属スパッタ装置および電気炉装置によってそれぞれ
行なわれる。従来の半導体製造装置によればこ牡ら２つ
の装置は互いに独立して設けられ半導体基板は高融点金
属をスパッタされた後−旦外部に取出され改めて電気炉
装置内に収容される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、このように半導体基板が高融点金属のスパッタ
金堂けた後外部に取出されると、電気炉装置内に空気中
の酸素を混在せしめるようになり高融点金属が酸化して
シリコンまたはポリシリコンの化合物を部分的にしか形
成しないという好ましからざる事態をしばしば起こす。
金堂けた後外部に取出されると、電気炉装置内に空気中
の酸素を混在せしめるようになり高融点金属が酸化して
シリコンまたはポリシリコンの化合物を部分的にしか形
成しないという好ましからざる事態をしばしば起こす。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、高融点金属の酸化
を防止することによって高融点金属がシリコンまたはポ
リシリコンとの間に化合物を均一に形成し得るようにし
た半導体製造装置を捉供することである。
を防止することによって高融点金属がシリコンまたはポ
リシリコンとの間に化合物を均一に形成し得るようにし
た半導体製造装置を捉供することである。
本発明の半導体製造装置は、半導体基板上に高融点金属
のシリサイド層またはポリサイド層を形成する工程を備
える半導体製造装置において、前記高融点金属のシリコ
ン膜またはポリシリコン膜に対する被着室および被着後
の熱処理室が真空内に互いに隣接して設けられることを
含む。
のシリサイド層またはポリサイド層を形成する工程を備
える半導体製造装置において、前記高融点金属のシリコ
ン膜またはポリシリコン膜に対する被着室および被着後
の熱処理室が真空内に互いに隣接して設けられることを
含む。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明によれば、冷陰極放電による高融点金
属のスパッタ装置および電気炉装置金それぞれ収納する
被着室および熱処理室は高真空度に排気された真空室内
に互いに隣接して配置される０ （作用） 被着室および熱処理室をこのように配置せしめると高融
点金属の被着を終えた半導体基板は外気に曝されること
なく搬送ベルト全弁し直ちに熱処理室に移されるので外
気による高融点金属の酸化は完全に防止される。以下図
面を参照して本発明の詳細な説明する。
属のスパッタ装置および電気炉装置金それぞれ収納する
被着室および熱処理室は高真空度に排気された真空室内
に互いに隣接して配置される０ （作用） 被着室および熱処理室をこのように配置せしめると高融
点金属の被着を終えた半導体基板は外気に曝されること
なく搬送ベルト全弁し直ちに熱処理室に移されるので外
気による高融点金属の酸化は完全に防止される。以下図
面を参照して本発明の詳細な説明する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図である。本
実施例によ詐ば、本発明の半導体装置はウェハ・ローダ
室１．前段予備排気室２．高融点金属スパッタ室３．熱
処理室４．後段予備排気室５およびウェハ・アンローダ
室６の互いに縦続する６つの室から成る。ここで、高融
点金属スパッタ室３と熱処理室４は特に前段および後段
の各予備排気室２およば５の間に互いに隣接するように
金属スパッタ装置７および電気炉装置８ （ａ 、 ｂ
は電源端子）をそれぞれ備えて配置され、更に排気装置
９，１０．１１および１２を介し各予備排気室と共に約
１ｘｌＯｔｏｒｒの真空にそれぞれ保持さ扛る。従って
、これら６つの室の間は真空仕切弁１３，１４，１５，
１６および１７によって相互に間仕切シされシリコン・
ウェハ１８はウェハ載置台１９と共に搬送ベルト（図示
しない）によって順次移動さｎる。
実施例によ詐ば、本発明の半導体装置はウェハ・ローダ
室１．前段予備排気室２．高融点金属スパッタ室３．熱
処理室４．後段予備排気室５およびウェハ・アンローダ
室６の互いに縦続する６つの室から成る。ここで、高融
点金属スパッタ室３と熱処理室４は特に前段および後段
の各予備排気室２およば５の間に互いに隣接するように
金属スパッタ装置７および電気炉装置８ （ａ 、 ｂ
は電源端子）をそれぞれ備えて配置され、更に排気装置
９，１０．１１および１２を介し各予備排気室と共に約
１ｘｌＯｔｏｒｒの真空にそれぞれ保持さ扛る。従って
、これら６つの室の間は真空仕切弁１３，１４，１５，
１６および１７によって相互に間仕切シされシリコン・
ウェハ１８はウェハ載置台１９と共に搬送ベルト（図示
しない）によって順次移動さｎる。
本実施例によむ、ばシリコン・ウェハ１８はウェハ載置
台１９と共にウェハ・ローダ室１内に先ず格納さｊ、つ
いで真空仕切弁１３１通って前段予備排気室２内に搬送
でれる。この前段予備排気室２内が所定の真空度を快復
したとき真空仕切弁１４は開閉されシリコン・ウェハ１
８は載置台１９と共に搬送ベルトに乗って高融点金属ス
パッタ室３内に入る。ここでシリコン・ウェハ１８には
金属スパッタ装置７の金属ターゲットからタングステン
尚またはモリブデン（Ｍｅ）などの高融点金属がシリコ
ン膜またはポリシリコン膜にそれぞれスパッタされる。
台１９と共にウェハ・ローダ室１内に先ず格納さｊ、つ
いで真空仕切弁１３１通って前段予備排気室２内に搬送
でれる。この前段予備排気室２内が所定の真空度を快復
したとき真空仕切弁１４は開閉されシリコン・ウェハ１
８は載置台１９と共に搬送ベルトに乗って高融点金属ス
パッタ室３内に入る。ここでシリコン・ウェハ１８には
金属スパッタ装置７の金属ターゲットからタングステン
尚またはモリブデン（Ｍｅ）などの高融点金属がシリコ
ン膜またはポリシリコン膜にそれぞれスパッタされる。
すなわち、ウェハ１８の半導体基板上にはシリコン膜ま
たはポリシリコン膜を下地とする高融点金属の被着膜が
それぞれ生成される。
たはポリシリコン膜を下地とする高融点金属の被着膜が
それぞれ生成される。
ここで用いる金属スパッタ装置７はアルゴン（Ａｒ ）
ガス金マグネトロン放電させた通常の冷陰極放電装置で
よい。このように高融点金属膜を被着されたシリコン・
ウェハ１８は隣接する熱処理室４内に直ちに搬送され被
着工程にひき続き熱処理される。すなわち、高融点金属
の被着工程と熱処理工程が連続的に実施され高融点金属
はシリコンまたはポリシリコンの下地物質と化合して高
融点金属のシリサイド層またはポリサイド層がそれぞれ
形成される。この際、高融点金属と下地物質は電気炉装
置８により９００〜１０００℃の熱処理を約１０秒間に
わたって受けることとなるが、高融点金属スパッタ室３
と熱処理室４とは真空内で互いに隣接して設けられシリ
コン・ウェハ１８は真空仕切弁１５の開閉手段によって
のみ移送されて米るので高融点金属膜の酸化現象は完全
に防止される。
ガス金マグネトロン放電させた通常の冷陰極放電装置で
よい。このように高融点金属膜を被着されたシリコン・
ウェハ１８は隣接する熱処理室４内に直ちに搬送され被
着工程にひき続き熱処理される。すなわち、高融点金属
の被着工程と熱処理工程が連続的に実施され高融点金属
はシリコンまたはポリシリコンの下地物質と化合して高
融点金属のシリサイド層またはポリサイド層がそれぞれ
形成される。この際、高融点金属と下地物質は電気炉装
置８により９００〜１０００℃の熱処理を約１０秒間に
わたって受けることとなるが、高融点金属スパッタ室３
と熱処理室４とは真空内で互いに隣接して設けられシリ
コン・ウェハ１８は真空仕切弁１５の開閉手段によって
のみ移送されて米るので高融点金属膜の酸化現象は完全
に防止される。
従って、熱処理４内における高融点金属と下地物質との
化合反応は被着面上で均一に進行し所望の高融点金属シ
リサイド層またはポリサイド層を備えたシリコン・ウェ
ハ１８を後段予備排気室５を経て常に清浄な状態でウェ
ハ・アンローダ室６から取出すことができる。
化合反応は被着面上で均一に進行し所望の高融点金属シ
リサイド層またはポリサイド層を備えたシリコン・ウェ
ハ１８を後段予備排気室５を経て常に清浄な状態でウェ
ハ・アンローダ室６から取出すことができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、高融点金
属の被着室および被着後の熱処理室を真空内に互いに隣
接して設けることにより高融点金属膜の生成と熱処理の
２つの処理工程とを真空内で連続的に行ない得るように
したので、従来問題とされた高融点金属の酸化による下
地物質との部分的化合物゛の生成現象の発生は完全に解
決される。
属の被着室および被着後の熱処理室を真空内に互いに隣
接して設けることにより高融点金属膜の生成と熱処理の
２つの処理工程とを真空内で連続的に行ない得るように
したので、従来問題とされた高融点金属の酸化による下
地物質との部分的化合物゛の生成現象の発生は完全に解
決される。
従って、本発明に従えば所望とする高品質の高融点金属
シリサイド層またはポリサイド層を備えた半導体装置ｆ
ｔきわめて歩溜りよく生産することができる。
シリサイド層またはポリサイド層を備えた半導体装置ｆ
ｔきわめて歩溜りよく生産することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図である。
１・・・・・・ウェハ・ローダ室、２・・・・・・前段
予備排気室、３・・・・・・高融点金属スパッタ室（被
着室）、４・・・・・・熱処理室、５・・・・・・後段
予備排気室、６・・・・・・ウェハ・アンローダ室、７
・・・・・・金属スパッタ装置、８・・・・・・電気炉
装置、９〜１２・・・・・・排気装置、１３〜１７・・
・・・・真空仕切弁、１８・・印・シリコン・ウェハ、
１９・・・・・・ウェハ・載置台。
予備排気室、３・・・・・・高融点金属スパッタ室（被
着室）、４・・・・・・熱処理室、５・・・・・・後段
予備排気室、６・・・・・・ウェハ・アンローダ室、７
・・・・・・金属スパッタ装置、８・・・・・・電気炉
装置、９〜１２・・・・・・排気装置、１３〜１７・・
・・・・真空仕切弁、１８・・印・シリコン・ウェハ、
１９・・・・・・ウェハ・載置台。
Claims (1)
- 半導体基板上に高融点金属のシリサイド層またはポリサ
イド層を形成する工程を備える半導体製造装置において
、前記高融点金属のシリコン膜またはポリシリコン膜に
対する被着室および被着後の熱処理室が真空内に互いに
隣接して設けられることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194546A JPH0611048B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194546A JPH0611048B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350038A true JPS6350038A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0611048B2 JPH0611048B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16326331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194546A Expired - Lifetime JPH0611048B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611048B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
| US5877085A (en) * | 1995-12-25 | 1999-03-02 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219517A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194546A patent/JPH0611048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219517A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
| US5877085A (en) * | 1995-12-25 | 1999-03-02 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0611048B2 (ja) | 1994-02-09 |
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