JPS6350842A - フオトマスク洗浄方法 - Google Patents
フオトマスク洗浄方法Info
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- JPS6350842A JPS6350842A JP61196048A JP19604886A JPS6350842A JP S6350842 A JPS6350842 A JP S6350842A JP 61196048 A JP61196048 A JP 61196048A JP 19604886 A JP19604886 A JP 19604886A JP S6350842 A JPS6350842 A JP S6350842A
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- JP
- Japan
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- mask
- photomask
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- reticle
- dust
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において用いるフォ
トマスクあるいはレティクルの洗浄方法に関するもので
ある。
トマスクあるいはレティクルの洗浄方法に関するもので
ある。
半導体装置の製造においてリソグラフィー工程は重要な
工程である。この工程では、ステッパーやアライナ−装
置を用いてウェハ上にレティクルまたはマスクパターン
を転写し、パターンを形成するが、レティクルまたはマ
スク上にゴミが付着していると露光時にウェハ上に欠陥
として転写される。そこで、レティクルまたはマスク上
のゴミを皆無にする洗浄方法が重要となる。なお、以後
レティクルとマスクをマスクという言葉で代表する。
工程である。この工程では、ステッパーやアライナ−装
置を用いてウェハ上にレティクルまたはマスクパターン
を転写し、パターンを形成するが、レティクルまたはマ
スク上にゴミが付着していると露光時にウェハ上に欠陥
として転写される。そこで、レティクルまたはマスク上
のゴミを皆無にする洗浄方法が重要となる。なお、以後
レティクルとマスクをマスクという言葉で代表する。
従来マスクの洗浄方法としては、水洗が主に用いられて
いる。
いる。
第２図はこの水洗方法を示す図であり、図において、１
はマスク基板、２はＣ−ｒからなるパターン、３は純水
、５はゴミである。
はマスク基板、２はＣ−ｒからなるパターン、３は純水
、５はゴミである。
第２図（ａ）に示すように、保管中のマスク上には、多
くのゴミ５が付着する。そこでこのマスクを洗浄する必
要があるが、通常、マスクを回転しながら第２図（ｂ）
に示すように純水３を吹きつけて洗浄し、さらに赤外ラ
ンプを照射しながら高速回転乾燥する。乾燥後、露光装
置にとりつけて露光を行い、再度保管する。なお、汚れ
がひどい場合は、洗剤（ママレモン（ライオン株式会社
裂、商品名）水）を含む布あるいはブラシなどでスクラ
ブ洗浄する。
くのゴミ５が付着する。そこでこのマスクを洗浄する必
要があるが、通常、マスクを回転しながら第２図（ｂ）
に示すように純水３を吹きつけて洗浄し、さらに赤外ラ
ンプを照射しながら高速回転乾燥する。乾燥後、露光装
置にとりつけて露光を行い、再度保管する。なお、汚れ
がひどい場合は、洗剤（ママレモン（ライオン株式会社
裂、商品名）水）を含む布あるいはブラシなどでスクラ
ブ洗浄する。
また水洗方法以外に、第３図に示すようにマスクに保護
膜ペリクル７を取りつけ、直接マスク基板１にゴミ５が
付着しないようにする方法もある。
膜ペリクル７を取りつけ、直接マスク基板１にゴミ５が
付着しないようにする方法もある。
半導体装置の高集積化が進むにつれて、マスク上のパタ
ーンはより微細となり、高い解像力を有する露光装置を
用いて転写するようになる。そして、解像力が向上する
につれて、より微細なゴミも転写に影響するようになる
。ところが微細なゴミはどファンデルワールス力は大き
くなり、吸着したゴミを除去することは困難になる。そ
こで、スクラブ洗浄によって強制的に除去しようとする
と、マスク材として用いられているＣｒやＭｏＳ；ユの
剥離が生じ、別の欠陥を発生するなどの問題があった。
ーンはより微細となり、高い解像力を有する露光装置を
用いて転写するようになる。そして、解像力が向上する
につれて、より微細なゴミも転写に影響するようになる
。ところが微細なゴミはどファンデルワールス力は大き
くなり、吸着したゴミを除去することは困難になる。そ
こで、スクラブ洗浄によって強制的に除去しようとする
と、マスク材として用いられているＣｒやＭｏＳ；ユの
剥離が生じ、別の欠陥を発生するなどの問題があった。
また、ペリクルを用いる方法では、ペリクルは高価であ
り、さらに、完全にゴミを除去したマスクにペリクルを
取り付けることは困難であるなどの問題があった。
り、さらに、完全にゴミを除去したマスクにペリクルを
取り付けることは困難であるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、フォトマスク又はレティクルにパターン剥離
を生じないようなフォトマスク洗浄方法を得ることを目
的とする。
たもので、フォトマスク又はレティクルにパターン剥離
を生じないようなフォトマスク洗浄方法を得ることを目
的とする。
この発明に係るフォトマスク洗浄方法は、露光直後のフ
ォトマスク又はレティクル上に有機保護膜をスピンコー
ドし、露光直前にその保Ｍ’！！膜を適当な溶剤で洗い
流すようにしたものである。
ォトマスク又はレティクル上に有機保護膜をスピンコー
ドし、露光直前にその保Ｍ’！！膜を適当な溶剤で洗い
流すようにしたものである。
この発明においては、フォトマスク又はレティクル上の
有機保護膜はゴミが直接基板に付着することを防止し、
さらにその保護膜を適当な溶剤で洗い流すことにより同
時に保護膜上に付着したゴミが除去される。
有機保護膜はゴミが直接基板に付着することを防止し、
さらにその保護膜を適当な溶剤で洗い流すことにより同
時に保護膜上に付着したゴミが除去される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１はマスク基板、２はこのマスク基板１上
にパターン化されたクロム膜、３は純水、４は有機保護
膜、５はゴミ、６は保護膜４を洗い流す溶剤である。
図において、１はマスク基板、２はこのマスク基板１上
にパターン化されたクロム膜、３は純水、４は有機保護
膜、５はゴミ、６は保護膜４を洗い流す溶剤である。
以下、マスクの洗浄工程について説明する。マスク基板
１上にＣｒ２のパターニングを行った（第１図（ａ））
。このマスクを従来のように純水３を用いてスクラブ洗
浄し、ゴミを除去した（第１図（ｂ））。その後、露光
プロセスでマスクを使用した直後に、ナフタレンのイソ
プロピルアルコール溶液を滴下して０．１〜１．０μｍ
の厚さに保護膜４をスピンコードした（第１図（Ｃ１）
、このマスクをそのまま、室温で保管した（第１図（
ｄ））。露光直前に、エタノール６でナフタレン膜４と
その上のゴミ５を除去した（第１図（ｅ））。そして第
１図における露光＋（Ｃ）→＋ｃｏ ＝ ＋ｅ）のサイ
クルをくり返した。
１上にＣｒ２のパターニングを行った（第１図（ａ））
。このマスクを従来のように純水３を用いてスクラブ洗
浄し、ゴミを除去した（第１図（ｂ））。その後、露光
プロセスでマスクを使用した直後に、ナフタレンのイソ
プロピルアルコール溶液を滴下して０．１〜１．０μｍ
の厚さに保護膜４をスピンコードした（第１図（Ｃ１）
、このマスクをそのまま、室温で保管した（第１図（
ｄ））。露光直前に、エタノール６でナフタレン膜４と
その上のゴミ５を除去した（第１図（ｅ））。そして第
１図における露光＋（Ｃ）→＋ｃｏ ＝ ＋ｅ）のサイ
クルをくり返した。
なお、保護膜としてショウノウを上記と同様に０．１〜
１．０μｍの厚さにスピンコードしてもよい。
１．０μｍの厚さにスピンコードしてもよい。
又、ナフタレン、ショウノウ以外の有機化合物、及び有
機低分子ポリマーを用いても同様の効果が得られた。
機低分子ポリマーを用いても同様の効果が得られた。
また、上記実施例では、Ｃｒマスクについて示したが、
Ｍｏ Ｓｒ２マスクを用いても同様の効果が得られた。
Ｍｏ Ｓｒ２マスクを用いても同様の効果が得られた。
以上のように、この発明に係るフォトマスク洗浄方法に
よれは、除去しやすい有機保護膜を形成したので、保護
膜が非常に安価であり、ゴミが直接基板に付着すること
がなく、８易に洗浄を行なうことができ、パターンの剥
離を生じることなく、フォトマスク又はレティクルの耐
久性が向上する効果がある。
よれは、除去しやすい有機保護膜を形成したので、保護
膜が非常に安価であり、ゴミが直接基板に付着すること
がなく、８易に洗浄を行なうことができ、パターンの剥
離を生じることなく、フォトマスク又はレティクルの耐
久性が向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す洗浄プロセス断面図
、第２図は従来の洗浄プロセス断面図、第３図は従来使
用されているペリクル付マスクの断面図である。 １はマスク基板、２はＣｒパターン、３は純水、４は保
ｆｆｉ膜、５はゴミ、６は洗浄溶媒、７はペリクル。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図は従来の洗浄プロセス断面図、第３図は従来使
用されているペリクル付マスクの断面図である。 １はマスク基板、２はＣｒパターン、３は純水、４は保
ｆｆｉ膜、５はゴミ、６は洗浄溶媒、７はペリクル。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体装置の製造に用いられるフォトマスク又は
レティクルの洗浄方法において、 ステッパー又はアライナーによる露光に使用した直後の
フォトマスク又はレティクルに有機膜を塗布する工程と
、 上記フォトマスク又はレティクルを再び露光に使用する
直前に上記有機膜を適当な溶剤で除去する工程とからな
るフォトマスク洗浄方法。 - （２）上記有機膜がナフタレン、又はショウノウからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォト
マスク洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196048A JPS6350842A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | フオトマスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196048A JPS6350842A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | フオトマスク洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350842A true JPS6350842A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16351326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61196048A Pending JPS6350842A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | フオトマスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350842A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088416A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | フォトマスクのパターンサイズ測定検査方法 |
| JP2008010638A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Ulvac Seimaku Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| CN111128678A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-05-08 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种去除掩模保护膜上颗粒的方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61196048A patent/JPS6350842A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088416A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | フォトマスクのパターンサイズ測定検査方法 |
| JP2008010638A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Ulvac Seimaku Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| CN111128678A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-05-08 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种去除掩模保护膜上颗粒的方法 |
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