JPS6095543A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6095543A JPS6095543A JP58204583A JP20458383A JPS6095543A JP S6095543 A JPS6095543 A JP S6095543A JP 58204583 A JP58204583 A JP 58204583A JP 20458383 A JP20458383 A JP 20458383A JP S6095543 A JPS6095543 A JP S6095543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- layer
- etching
- pattern
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
２べ一″
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造などにおいて用いられるフ
ォトマスクを高精度に製作することを可能にするととも
に、さらに、フォトマスクを能率よく製作することがで
きるフヤトマスクの製造方法に関する。
ォトマスクを高精度に製作することを可能にするととも
に、さらに、フォトマスクを能率よく製作することがで
きるフヤトマスクの製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
フォトマスクは、半導体装置の製作に際して不可欠の写
真食刻工程で多用されており、このフォトマスクの良否
がそのまま製作される半導体装置の特性の良否に関係す
る。このため、フォトマスクとして高品質のものが強く
要求される。昨今のように、半導体集積回路の高集積化
が進むと、これにつれてパターンの微細化が進み、その
製作のために用いられるフヤトマスクのパターンも微細
になる。また、このパターンは、塵埃の付着による悪影
響が小さいネガ型のパターンになる。ネガ型パターンの
マスクは、９割以上が不透明部分であり、塵埃等の付着
による悪影響は小さいものの、このようなマスクパター
ンを製造する場合、わず３ ′ −゛ かなエツチングの過剰、まだはエツチング不足がマスク
の仕上りパターン寸法に大きな影響を与える。
真食刻工程で多用されており、このフォトマスクの良否
がそのまま製作される半導体装置の特性の良否に関係す
る。このため、フォトマスクとして高品質のものが強く
要求される。昨今のように、半導体集積回路の高集積化
が進むと、これにつれてパターンの微細化が進み、その
製作のために用いられるフヤトマスクのパターンも微細
になる。また、このパターンは、塵埃の付着による悪影
響が小さいネガ型のパターンになる。ネガ型パターンの
マスクは、９割以上が不透明部分であり、塵埃等の付着
による悪影響は小さいものの、このようなマスクパター
ンを製造する場合、わず３ ′ −゛ かなエツチングの過剰、まだはエツチング不足がマスク
の仕上りパターン寸法に大きな影響を与える。
以下に、第１図を参照してマスク層としてクロムを用い
たフォトマスク（クロムマスク）を製作する従来の一方
法について説明する。先ず、第１図（ａ）で示すように
、マスク基板となるガラス板１の主表面に所定の厚みで
マスク層となるクロム層２を形成し、この上にレジスト
層３を塗布形成する。この後、熱処理（プレベーク）を
施す。次いでフォトリピータ−（縮小投影露光装置）ま
たは、電子線露光装置で所定のマスクパターンを露光し
、さらに現像する。第１図（ｂ）は、その過程を終えた
状態を示し、４は残存しているレジスト層、６は上部の
レジスト層３が除去されたクロム露出部でする。そして
、最後に、第１図（ｄ）で示すように、レジスト層４を
除去することにより、クロムパターン６が形成される。
たフォトマスク（クロムマスク）を製作する従来の一方
法について説明する。先ず、第１図（ａ）で示すように
、マスク基板となるガラス板１の主表面に所定の厚みで
マスク層となるクロム層２を形成し、この上にレジスト
層３を塗布形成する。この後、熱処理（プレベーク）を
施す。次いでフォトリピータ−（縮小投影露光装置）ま
たは、電子線露光装置で所定のマスクパターンを露光し
、さらに現像する。第１図（ｂ）は、その過程を終えた
状態を示し、４は残存しているレジスト層、６は上部の
レジスト層３が除去されたクロム露出部でする。そして
、最後に、第１図（ｄ）で示すように、レジスト層４を
除去することにより、クロムパターン６が形成される。
第１図（ｅ）は完成したマスクの斜視図である。
従来の方法では、以上説明した基本製作過程を経てフォ
トマスクの製作が行われていた。この方法によれば、基
本的には、第１図（ｅ）で示したフォトマスクを製作す
ることができる。しかしながら、係であり、このクロム
露出部のエツチング時における適正エツチングの目視判
定が困難である０６〜１０秒のエツチング時間の差は０
．１μｍの寸法誤差を発生させる。（クロム層の厚みは
９００八）、ところで、クロム層をエツチングする場合
、膜付は方法、膜厚のばらつきおよびエツチング方法に
よってマスク基板ごとに、エツチング時間が異なり、６
〜１０秒のばらつきが生じる。このばらつきによる寸法
誤差を排除して正確なエツチングを行なうには、判定が
困難ではあるものの目視判定にたよらざるを得ない。
トマスクの製作が行われていた。この方法によれば、基
本的には、第１図（ｅ）で示したフォトマスクを製作す
ることができる。しかしながら、係であり、このクロム
露出部のエツチング時における適正エツチングの目視判
定が困難である０６〜１０秒のエツチング時間の差は０
．１μｍの寸法誤差を発生させる。（クロム層の厚みは
９００八）、ところで、クロム層をエツチングする場合
、膜付は方法、膜厚のばらつきおよびエツチング方法に
よってマスク基板ごとに、エツチング時間が異なり、６
〜１０秒のばらつきが生じる。このばらつきによる寸法
誤差を排除して正確なエツチングを行なうには、判定が
困難ではあるものの目視判定にたよらざるを得ない。
発明の目的
本発明は、以上説明した従来の方法の問題点、６ページ
すなわち、エツチングされるマスク層部分の面積がマス
ク基板全体の面積の数チであることに起因する寸法精度
の低下を排除し、フォトマスクのパターン精度を上げる
ことを目的とした。フォトマスクの製造方法を提供する
ものである。
ク基板全体の面積の数チであることに起因する寸法精度
の低下を排除し、フォトマスクのパターン精度を上げる
ことを目的とした。フォトマスクの製造方法を提供する
ものである。
発明の構成
本発明のフォトマスク製造方法は、マスク基板上のマス
ク層を覆うポジ型レジスト層に対する所定のマスクパタ
ーンの露光段階において、マスクとして使用しない部分
、すなわち、マスク基板の周辺部も併せて露光する方法
である。このような本発明の方法によると、レジスト層
をマスクとしてエツチングされる。クロム層部分の面積
が大巾に増加し、エツチングにおける目視判定が容易に
なり、エツチング不良もなくなり、高精度なマスクパタ
ーンの形成ができる。
ク層を覆うポジ型レジスト層に対する所定のマスクパタ
ーンの露光段階において、マスクとして使用しない部分
、すなわち、マスク基板の周辺部も併せて露光する方法
である。このような本発明の方法によると、レジスト層
をマスクとしてエツチングされる。クロム層部分の面積
が大巾に増加し、エツチングにおける目視判定が容易に
なり、エツチング不良もなくなり、高精度なマスクパタ
ーンの形成ができる。
実施例の説明
以下に、第２図を参照して、本発明の製造方法の一実施
例であるクロムマスクの製造方法について説明する。
例であるクロムマスクの製造方法について説明する。
６ペーーミ゛
マスク基板である厚さ約２．３ｍｍのガラス板１に、ク
ロム層、酸化クロム層を連続的に蒸着し、全体の厚みが
約９００人のマスク層２１を形成し、さらに、この−に
にポジ型のレジスト層３１（例えば、ヘキスト社製のＡ
Ｚ１３５０レジスト）・を約５０ｏＯ人の厚みに、スピ
ンナーで塗布する。次いで、レジスト層３１に対して９
０℃の温度で約４０分間のプレベークを施す（第２図ａ
）。こののち、フォトリピータ−を用いて所定のマスク
パターン（例えば、ＩＣパターン）を露光し、次に、同
一フォトリピータ−で、ガラス板１の周辺部に位置する
レジスト層部分を、所定のパターンに露光する。このパ
ターンは例えば、６ｍｍ角の矩形であり、マスク基板周
辺部をステップアンドリピート露光する。この矩形が小
さければ、マスク基板周辺部の露光面積が小さくなり、
且つ、ステップアンドリピート時間が長くなる。この矩
形パターンの望ましい大きさは５〜ｓｍｎ角程度である
０第７ ′ 出したマスク層パターン部、そして６２が周辺部に露出
したマスク層部分である。次に、エツチング処理を行う
。エツチングに際しては、ガラス板１を回転させ、この
ガラス基板の全面にエツチング液をシャワー状態にして
作用させる。このエツチング処理によれば、マスクパタ
ーン部とガラス板１の周辺部に対するエツチングが同時
に開始され、同一のエツチング速度で進行する。したが
って、マスクパターン部のエツチングが終了したか否か
を目視判定することは困難であるが、マスク基板周辺部
のエツチングの終了は面積が大きいため目視で容易に判
定できる。特に、エツチングされるマスク層パターン部
６１の面積が少いマスクパターンの形成には、極めて効
果的であり、エツチング作業を正確に、且つ、高能率に
おこなうことが容易となる。第２図（Ｃ）は、エツチン
グ処理が終了した直後の状態を示す図であり、周辺部に
露出したマスク層部分６２が除去された領域６３が、上
記の目視判定のために利用される領域である。次いで、
エツチングのマスクとして作用した、レジスト層４１を
全て除去することによって、フォトマスクの製造が終了
する（第２図ｄ）。第２図（ｅ）は、以上の過程を経て
形成されたフォトマスク斜視図を示したものである。
ロム層、酸化クロム層を連続的に蒸着し、全体の厚みが
約９００人のマスク層２１を形成し、さらに、この−に
にポジ型のレジスト層３１（例えば、ヘキスト社製のＡ
Ｚ１３５０レジスト）・を約５０ｏＯ人の厚みに、スピ
ンナーで塗布する。次いで、レジスト層３１に対して９
０℃の温度で約４０分間のプレベークを施す（第２図ａ
）。こののち、フォトリピータ−を用いて所定のマスク
パターン（例えば、ＩＣパターン）を露光し、次に、同
一フォトリピータ−で、ガラス板１の周辺部に位置する
レジスト層部分を、所定のパターンに露光する。このパ
ターンは例えば、６ｍｍ角の矩形であり、マスク基板周
辺部をステップアンドリピート露光する。この矩形が小
さければ、マスク基板周辺部の露光面積が小さくなり、
且つ、ステップアンドリピート時間が長くなる。この矩
形パターンの望ましい大きさは５〜ｓｍｎ角程度である
０第７ ′ 出したマスク層パターン部、そして６２が周辺部に露出
したマスク層部分である。次に、エツチング処理を行う
。エツチングに際しては、ガラス板１を回転させ、この
ガラス基板の全面にエツチング液をシャワー状態にして
作用させる。このエツチング処理によれば、マスクパタ
ーン部とガラス板１の周辺部に対するエツチングが同時
に開始され、同一のエツチング速度で進行する。したが
って、マスクパターン部のエツチングが終了したか否か
を目視判定することは困難であるが、マスク基板周辺部
のエツチングの終了は面積が大きいため目視で容易に判
定できる。特に、エツチングされるマスク層パターン部
６１の面積が少いマスクパターンの形成には、極めて効
果的であり、エツチング作業を正確に、且つ、高能率に
おこなうことが容易となる。第２図（Ｃ）は、エツチン
グ処理が終了した直後の状態を示す図であり、周辺部に
露出したマスク層部分６２が除去された領域６３が、上
記の目視判定のために利用される領域である。次いで、
エツチングのマスクとして作用した、レジスト層４１を
全て除去することによって、フォトマスクの製造が終了
する（第２図ｄ）。第２図（ｅ）は、以上の過程を経て
形成されたフォトマスク斜視図を示したものである。
図示するフォトマスクは、マスク基板周辺部分のマスク
層部分をマスクパターンとともにエツチングするように
して形成−されたものであり、エツチング状態の判定が
容易であるため、マスク層の性質、エツチング方法の影
響を受けることのない高精度のマスクパターンが形成さ
れたものとなる。
層部分をマスクパターンとともにエツチングするように
して形成−されたものであり、エツチング状態の判定が
容易であるため、マスク層の性質、エツチング方法の影
響を受けることのない高精度のマスクパターンが形成さ
れたものとなる。
発明の効果
以上のように本発明のフォトマスク製造方法では、エツ
チングされるマスク層パターン部の面積が少ないフォト
マスクであっても、マスク層パターン部を高精度に、且
つ、高能率で容易にエツチングできる。寸だ、マスク層
の周辺部分を使用してエツチング状態を判定をすること
ができるため、この部分の透過率又は表面反身率で自動
的にエツチング状態を検知する装置の設計も容易になる
。 □さらに、本発明の製造方法で製作されたフォトマ
９”−ミ゛ スフでは、マスク使用中のハンドリング作業において汚
染しやすいマスク層がマスク周辺部から除かれているた
め、フォトマスクの使用の都度おこなう、マスク表面の
清浄化のための、スクラバー洗浄においても、マスク周
辺部の汚れをマスクパターン部に巻き込むことがなく、
マスクパターンを良好な状態に維持でき、半導体装置の
製造歩留を高める効果が奏されること、周辺部のマスク
層を除いたため、マスク裏面の周辺部に、マスク区分番
号を記入する場合にも、マスク表面から読み取れるなど
の効果も奏される。
チングされるマスク層パターン部の面積が少ないフォト
マスクであっても、マスク層パターン部を高精度に、且
つ、高能率で容易にエツチングできる。寸だ、マスク層
の周辺部分を使用してエツチング状態を判定をすること
ができるため、この部分の透過率又は表面反身率で自動
的にエツチング状態を検知する装置の設計も容易になる
。 □さらに、本発明の製造方法で製作されたフォトマ
９”−ミ゛ スフでは、マスク使用中のハンドリング作業において汚
染しやすいマスク層がマスク周辺部から除かれているた
め、フォトマスクの使用の都度おこなう、マスク表面の
清浄化のための、スクラバー洗浄においても、マスク周
辺部の汚れをマスクパターン部に巻き込むことがなく、
マスクパターンを良好な状態に維持でき、半導体装置の
製造歩留を高める効果が奏されること、周辺部のマスク
層を除いたため、マスク裏面の周辺部に、マスク区分番
号を記入する場合にも、マスク表面から読み取れるなど
の効果も奏される。
なお、本発明のフォトマスクの製造方法は、電子線露光
装置によるマスク製作にも応用できる。
装置によるマスク製作にも応用できる。
さらに、マスク層のエツチング方式は、ディップエツチ
ング方式あるいはドライエツチング方式のいずれであっ
てもよい。
ング方式あるいはドライエツチング方式のいずれであっ
てもよい。
第１図（−）〜（ｄ）は従来の一例のフォトマスク製造
方法によるフォトマスクの製作過程を説明するだめの工
程断面図、第１図（−）は従来法で製造された１ｏぺ一
〕ｔ フォトマスクの斜視図、第２図（−）〜（ｄ）は本発明
の一実施例のフォトマスク製造方法によるフォトマスク
の製作過程を説明するだめの工程断面図、第２図（ｅ）
は本実施例で製造されたフォトマスクの斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２，２１・・・・・・マス
ク層（クロム層Ｌ３１３１・・・・・・レジスト層、４
，４１・・・・・・残存しているレジスト層、５，５１
・・・・・・露出したマスク層、５２・・・・・・周辺
部露光、現像により露出したクロム層、６３・・・・・
・周辺エツチング部分、６・・・・・・クロムパターン
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ９ 第２図 、９１
方法によるフォトマスクの製作過程を説明するだめの工
程断面図、第１図（−）は従来法で製造された１ｏぺ一
〕ｔ フォトマスクの斜視図、第２図（−）〜（ｄ）は本発明
の一実施例のフォトマスク製造方法によるフォトマスク
の製作過程を説明するだめの工程断面図、第２図（ｅ）
は本実施例で製造されたフォトマスクの斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２，２１・・・・・・マス
ク層（クロム層Ｌ３１３１・・・・・・レジスト層、４
，４１・・・・・・残存しているレジスト層、５，５１
・・・・・・露出したマスク層、５２・・・・・・周辺
部露光、現像により露出したクロム層、６３・・・・・
・周辺エツチング部分、６・・・・・・クロムパターン
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ９ 第２図 、９１
Claims (1)
- （１） マスク基板上に設けたマスク層をレジスト層で
被覆したのち、所定の露光、現像処理を施してマスクパ
ターン形成部およびマスク基板周辺部に位置するレジス
ト層を除去し、次いで、レジスト層の除去部に露出する
マスク層部分をエツチングして除去し、前記マスク基板
の周辺部上にマスク層部分のないネガ型マスクパターン
を形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法０
（２） マスク層部分のエツチングが、マスク基板周辺
部上のマスク層部分における適正エツチング判定で制御
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
フォトマスクの製造方法０（３） レジスト層としてポ
ジ型のレジスト層を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204583A JPS6095543A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204583A JPS6095543A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095543A true JPS6095543A (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=16492867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204583A Pending JPS6095543A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095543A (ja) |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58204583A patent/JPS6095543A/ja active Pending
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