JPS6351377B2 - - Google Patents

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JPS6351377B2
JPS6351377B2 JP56195299A JP19529981A JPS6351377B2 JP S6351377 B2 JPS6351377 B2 JP S6351377B2 JP 56195299 A JP56195299 A JP 56195299A JP 19529981 A JP19529981 A JP 19529981A JP S6351377 B2 JPS6351377 B2 JP S6351377B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
wire
rare earth
high tensile
tensile strength
Prior art date
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Expired
Application number
JP56195299A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5896741A (ja
Inventor
Naoyuki Hosoda
Masayuki Tanaka
Tamotsu Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Publication date
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Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
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Priority to NL8203706A priority patent/NL8203706A/nl
Priority to FR8216472A priority patent/FR2517885B1/fr
Priority to DE19823237385 priority patent/DE3237385A1/de
Priority to KR8204586A priority patent/KR890003143B1/ko
Priority to IT68243/82A priority patent/IT1156088B/it
Publication of JPS5896741A publication Critical patent/JPS5896741A/ja
Priority to SG934/87A priority patent/SG93487G/en
Priority to MY920/87A priority patent/MY8700920A/xx
Priority to HK178/88A priority patent/HK17888A/xx
Publication of JPS6351377B2 publication Critical patent/JPS6351377B2/ja
Priority to US07/296,350 priority patent/US4885135A/en
Priority to US07/445,542 priority patent/US5071619A/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
この発明は、高い常温および高温引張強さを有
し、特に半導体素子組立に際して、チツプ電極と
外部リードとの結線用として使用するのに適した
高張力Au合金細線に関するものである。 従来、一般にトランジスタ，IC，およびLSIな
どの半導体素子の組立に際しては、チツプ電極と
外部リードとの結線に金線が使用されている。 一方近年の結線技術の向上に伴う高速度化，集
積度の高密化、さらに経済性などの面から、これ
に使用される金線にも細線化および高強度化が要
求されるようになつている。 しかし、現在実用に供されている金線（純金
線）では、これを直径：0.05mmφ以下の細線とし
た場合、常温および高温引張強さが比較的低いた
めに、チツプ電極と外部リードとの加熱結線時あ
るいは線引加工時に切断しやすいものであり、上
記の要望を満足することができないのが現状であ
る。 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、常温および高温において高い引張強さ（高張
力）を有するAu合金細線を得べく研究を行なつ
た結果、La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，
Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Sc，およびＹか
らなる希土類元素群のうちの１種または２種以
上：0.0003〜0.0100重量％を含有し、残りがAuと
不可避不純物からなる組成を有するAu合金は、
高い常温および高温引張強さを有し、したがつ
て、これを直径：0.05mmφ以下の細線に線引加工
するに際しても切断することがなく、またこの結
果のAu合金細線を半導体素子の高速結線に用い
ても断線の発生がないという知見を得たのであ
る。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、上記の希土類元素群の含有量を
0.0003〜0.0100重量％に限定したのは、その含有
量が0.0003重量％未満では所望の高引張強さを確
保することができず、一方0.0100重量％を越えて
含有させると、脆化がみられるようになつて線引
加工性などが劣化するようになるという理由から
である。 つぎに、この発明のAu合金細線を実施例によ
り具体的に説明する。 実施例 通常の溶解法によりそれぞれ第１表に示される
成分組成をもつAu合金溶湯を調製し、鋳造した
後、公知の溝型圧延機を用いて圧延し、引続いて
線引加工を行なうことによつて、直径：0.025
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 mmφを有する本発明Au合金細線１〜56をそれぞ
れ製造した。 つぎに、この結果得られた本発明Au合金細線
１〜56について、常温引張試験、および半導体素
子の結線時にさらされる条件に相当する温度：
250℃、保持時間：30秒の条件での高温引張試験
を行ない、その試験結果を第１表に合せて示し
た。なお、第１表には比較の目的で同径の純金細
線の試験結果も示した。 第１表に示される結果から、本発明Au合金細
線１〜56は、いずれも純金細線に比して高い常温
および高温引張強さを有していることが明らかで
ある。 上述のように、この発明のAu合金細線は、き
わめて高い常温および高温引張強さを有している
ので、直径：0.05mmφ以下の細線への線引加工に
際しても切断することがなく、また半導体素子の
組立におけるチツプ電極と外部リードとの結線に
用いた場合には、結線の高速化可能に、集積度の
高密化がはかれるなど工業上有用な特性を有する
のである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，
    Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Sc、およびＹか
    らなる希土類元素群のうちの１種または２種以
    上：0.0003〜0.0100重量％を含有し、残りがAuと
    不可避不純物からなる組成を有することを特徴と
    する半導体素子結線用高張力Au合金細線。
JP56195299A 1981-12-04 1981-12-04 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線 Granted JPS5896741A (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56195299A JPS5896741A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線
GB08227141A GB2116208B (en) 1981-12-04 1982-09-23 Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
NL8203706A NL8203706A (nl) 1981-12-04 1982-09-24 Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad.
FR8216472A FR2517885B1 (fr) 1981-12-04 1982-09-30 Fil d'alliage d'or fin pour connecter un dispositif a semi-conducteur
DE19823237385 DE3237385A1 (de) 1981-12-04 1982-10-08 Feingoldlegierungsdraht zum verbinden von halbleiterelementen
KR8204586A KR890003143B1 (ko) 1981-12-04 1982-10-12 반도체 소자 결선용 금합금 세선
IT68243/82A IT1156088B (it) 1981-12-04 1982-10-25 Filo sottile in lega d oro per il collegamento di un dispositivo a semiconduttore
SG934/87A SG93487G (en) 1981-12-04 1987-10-26 Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
MY920/87A MY8700920A (en) 1981-12-04 1987-12-30 Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
HK178/88A HK17888A (en) 1981-12-04 1988-03-03 Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
US07/296,350 US4885135A (en) 1981-12-04 1989-01-09 Fine gold alloy wire for bonding of a semi-conductor device
US07/445,542 US5071619A (en) 1981-12-04 1989-12-04 Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56195299A JPS5896741A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5896741A JPS5896741A (ja) 1983-06-08
JPS6351377B2 true JPS6351377B2 (ja) 1988-10-13

Family

ID=16338837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56195299A Granted JPS5896741A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線

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GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
KR920010119B1 (ko) * 1989-04-28 1992-11-16 다나카 덴시 고오교오 가부시기가이샤 반도체 소자의 본딩(bonding)용 금선
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JPS5896741A (ja) 1983-06-08

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