JPS6352109B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6352109B2 JPS6352109B2 JP21001685A JP21001685A JPS6352109B2 JP S6352109 B2 JPS6352109 B2 JP S6352109B2 JP 21001685 A JP21001685 A JP 21001685A JP 21001685 A JP21001685 A JP 21001685A JP S6352109 B2 JPS6352109 B2 JP S6352109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- film
- target
- film formation
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパツタ方法に関するものである。
ターゲツトをスパツタし、これによりターゲツ
トから放出されるスパツタ粒子を試料の被膜形成
面に被着させて成膜するスパツタ方法としては、
例えば、特開昭58−31082号公報に記載のような、
ターゲツトに対して試料の被膜形成面を傾斜させ
るようにしたものが知られている。
トから放出されるスパツタ粒子を試料の被膜形成
面に被着させて成膜するスパツタ方法としては、
例えば、特開昭58−31082号公報に記載のような、
ターゲツトに対して試料の被膜形成面を傾斜させ
るようにしたものが知られている。
しかし、この方法では、試料の被膜形成面内の
任意の点においてターゲツトと試料の被膜形成面
内の任意の点においてターゲツトと試料の被膜形
成面との間の距離が異なるため、試料の被膜形成
面内での膜厚分布が不均一となり、また、一定方
向の試料の被膜形成面段差に対してのみステツプ
カバレージが良くなるといつた問題がある。
任意の点においてターゲツトと試料の被膜形成面
内の任意の点においてターゲツトと試料の被膜形
成面との間の距離が異なるため、試料の被膜形成
面内での膜厚分布が不均一となり、また、一定方
向の試料の被膜形成面段差に対してのみステツプ
カバレージが良くなるといつた問題がある。
本発明の目的は、試料の被膜形成面内での膜厚
分布を均一化できると共に、各方向の試料の被膜
形成面段差に対してステツプカバレージを向上で
きるスパツタ方法を提供することにある。
分布を均一化できると共に、各方向の試料の被膜
形成面段差に対してステツプカバレージを向上で
きるスパツタ方法を提供することにある。
本発明は、ターゲツトに対する試料の被膜形成
面の傾斜角を、一定の成膜時間内における前記タ
ーゲツトと前記試料の被膜形成面との間の距離の
平均値を一定値に維持して周期的に変化させるこ
とで、試料の被膜形成面内での膜厚分布を均一化
すると共に、各方向の試料の被膜形成面段差に対
してステツプカバレージを向上させようとするも
のである。
面の傾斜角を、一定の成膜時間内における前記タ
ーゲツトと前記試料の被膜形成面との間の距離の
平均値を一定値に維持して周期的に変化させるこ
とで、試料の被膜形成面内での膜厚分布を均一化
すると共に、各方向の試料の被膜形成面段差に対
してステツプカバレージを向上させようとするも
のである。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図によ
り説明する。
り説明する。
第１図において、ターゲツト８とターゲツトに
対向する試料ホルダ１に固定ツメ３で、試料、例
えば、半導体素子基板（以下、ウエハと略）２を
固定して、試料ホルダ１の裏面にボールジヨイン
ト５によつて、試料ホルダ１と軸６を連結して可
変とすると共に、回転台７に取り付けた複数個の
ボールベアリング４を試料ホルダ１に接触させな
がら、回転台７を回転させることによつて、第１
図におけるウエハ２の被膜形成面とターゲツト８
の傾斜角θは、ウエハ２の被膜形成面内の任意の
点において第２図に示す如く周期的に変化する。
また、第１図におけるウエハ２の被膜形成面内の
任意の点に対応するウエハ２とターゲツト８との
間の距離Ｄの平均値は、第３図に示す如く一定の
成膜時間ｔ内において一定値に維持される。
対向する試料ホルダ１に固定ツメ３で、試料、例
えば、半導体素子基板（以下、ウエハと略）２を
固定して、試料ホルダ１の裏面にボールジヨイン
ト５によつて、試料ホルダ１と軸６を連結して可
変とすると共に、回転台７に取り付けた複数個の
ボールベアリング４を試料ホルダ１に接触させな
がら、回転台７を回転させることによつて、第１
図におけるウエハ２の被膜形成面とターゲツト８
の傾斜角θは、ウエハ２の被膜形成面内の任意の
点において第２図に示す如く周期的に変化する。
また、第１図におけるウエハ２の被膜形成面内の
任意の点に対応するウエハ２とターゲツト８との
間の距離Ｄの平均値は、第３図に示す如く一定の
成膜時間ｔ内において一定値に維持される。
本実施例によれば、ウエハの被膜形成面内の任
意の点において一定の成膜時間内にターゲツトと
ウエハとの間の距離の平均値を一定値に維持しな
がら、ターゲツトに対するウエハの被膜形成面の
傾斜角を一定の周期で変化させながらスパツタす
ることによつて、段差のあるウエハに対してステ
ツプカバレージを向上させることができると共に
膜厚分布を均一化できる。
意の点において一定の成膜時間内にターゲツトと
ウエハとの間の距離の平均値を一定値に維持しな
がら、ターゲツトに対するウエハの被膜形成面の
傾斜角を一定の周期で変化させながらスパツタす
ることによつて、段差のあるウエハに対してステ
ツプカバレージを向上させることができると共に
膜厚分布を均一化できる。
本発明は、以上説明したように、試料の被膜形
成面内での膜厚分布を均一化できると共に、各方
向の試料の被膜形成面段差に対してステツプカバ
レージを向上できるスパツタ方法を提供できると
いう効果がある。
成面内での膜厚分布を均一化できると共に、各方
向の試料の被膜形成面段差に対してステツプカバ
レージを向上できるスパツタ方法を提供できると
いう効果がある。
第１図は、本発明を実施したスパツタ装置の一
例を示す要部正面図、第２図は、第１図に示す装
置での傾斜角θと成膜時間ｔとの関係模式図、第
３図は、同じく距離Ｄと成膜時間ｔとの関係模式
図である。 １……試料ホルダ、２……ウエハ、３……固定
ツメ、４……ボールベアリング、５……ボールジ
ヨイント、６……軸、７……回転台、８……ター
ゲツト。
例を示す要部正面図、第２図は、第１図に示す装
置での傾斜角θと成膜時間ｔとの関係模式図、第
３図は、同じく距離Ｄと成膜時間ｔとの関係模式
図である。 １……試料ホルダ、２……ウエハ、３……固定
ツメ、４……ボールベアリング、５……ボールジ
ヨイント、６……軸、７……回転台、８……ター
ゲツト。
Claims (1)
- １ ターゲツトに対する試料の被膜形成面の傾斜
角を、一定の成膜時間内における前記ターゲツト
と前記試料の被膜形成面との間の距離の平均値を
一定値に維持して周期的に変化させることを特徴
とするスパツタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001685A JPS6270568A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | スパツタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001685A JPS6270568A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | スパツタ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270568A JPS6270568A (ja) | 1987-04-01 |
| JPS6352109B2 true JPS6352109B2 (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=16582428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21001685A Granted JPS6270568A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | スパツタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270568A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270321A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JPH10147864A (ja) | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Nec Corp | 薄膜形成方法及びスパッタ装置 |
| JP2007262445A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 基材保持装置 |
| EP2437280A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-04 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for forming a layer of sputtered material |
| JP5836485B2 (ja) | 2012-06-29 | 2015-12-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
| CN113388820B (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-09 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21001685A patent/JPS6270568A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6270568A (ja) | 1987-04-01 |
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