JPH09176839A - 電子ビーム蒸発装置および方法 - Google Patents
電子ビーム蒸発装置および方法Info
- Publication number
- JPH09176839A JPH09176839A JP31772696A JP31772696A JPH09176839A JP H09176839 A JPH09176839 A JP H09176839A JP 31772696 A JP31772696 A JP 31772696A JP 31772696 A JP31772696 A JP 31772696A JP H09176839 A JPH09176839 A JP H09176839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electron beam
- beam evaporation
- regions
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3132—Evaporating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最大許容堆積角度を越えないように、電子ビ
ーム蒸発によって基板上にスピンド（Spindt) エミッタ
ー形成物質を堆積する装置と方法を提供する。 【解決手段】 本発明にしたがって、１以上の電子ビー
ム源が基板の２以上の隣接する領域にその物質を堆積さ
せるために基板と反対側に配置される。パーティション
が各領域の１つの領域に各蒸気雲を封じ込めるためにそ
の２つ以上の電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲の
間に配置され、これによって、隣接する領域において最
大許容堆積角度を越えることが防止される。この電子ビ
ーム蒸発源は基板の隣接する領域のそれぞれにおいて最
大許容堆積角度を越えないように蒸発源から基板への距
離だけ、基板から隔置されている。この蒸発源から基板
への距離は、単一の電子ビーム蒸発源が基板の隣接する
領域の全てに物質を同時に堆積させるように使用される
とした場合に最大許容堆積角度を越えないように要求さ
れるものより小さい。
ーム蒸発によって基板上にスピンド（Spindt) エミッタ
ー形成物質を堆積する装置と方法を提供する。 【解決手段】 本発明にしたがって、１以上の電子ビー
ム源が基板の２以上の隣接する領域にその物質を堆積さ
せるために基板と反対側に配置される。パーティション
が各領域の１つの領域に各蒸気雲を封じ込めるためにそ
の２つ以上の電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲の
間に配置され、これによって、隣接する領域において最
大許容堆積角度を越えることが防止される。この電子ビ
ーム蒸発源は基板の隣接する領域のそれぞれにおいて最
大許容堆積角度を越えないように蒸発源から基板への距
離だけ、基板から隔置されている。この蒸発源から基板
への距離は、単一の電子ビーム蒸発源が基板の隣接する
領域の全てに物質を同時に堆積させるように使用される
とした場合に最大許容堆積角度を越えないように要求さ
れるものより小さい。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【本発明の背景】本発明は、最大許容堆積角を越えない
ように、フィールドエミッション源基板上にスピンド
（Spindt) エミッター形成材料を堆積する装置および方
法に関する。特に、本発明は、多元電子ビーム蒸発源が
堆積を行うために使用される装置および方法に関する。
さらに、特に、本発明は、パーティションが電子ビーム
蒸発源の蒸気雲を分離するのに使用される装置および方
法に関する。
ように、フィールドエミッション源基板上にスピンド
（Spindt) エミッター形成材料を堆積する装置および方
法に関する。特に、本発明は、多元電子ビーム蒸発源が
堆積を行うために使用される装置および方法に関する。
さらに、特に、本発明は、パーティションが電子ビーム
蒸発源の蒸気雲を分離するのに使用される装置および方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ディスプレーに使用されるようなフィー
ルドエミッション源基板上にスピンド（Spindt) エミッ
ターを形成することは、最大許容堆積角を越えないよう
に行う堆積が要求される。フィールドエミッションディ
スプレーの形成においては、アモルファスシリコンから
形成される導電体層が基板上に堆積される。これに続い
て、２酸化シリコンのような絶縁体層がその導電体層上
に堆積される。これらの層は、薄膜技術、例え化学蒸着
といったものによって堆積される。その後、エッチング
技術を介して、バイアスすなわち小孔がその導電体およ
び絶縁体層に形成される。低角度堆積が次に行われバイ
アスを閉じることなく前記絶縁体層上にアルミニウムあ
るいはニッケルのリフトオフ層を堆積することが行われ
る。次にバイアスの中でかつ、アルミニウムあるいはニ
ッケルリフトオフ層にモリブデンあるいは他の適当な金
属を直交するように堆積させることによってスピンド
（Spindt) エミッターがバイアス内に形成される。次
に、酸性浴が使用されて、リフトオフ層および該リフト
オフ層の上に１つの層を形成している過剰のモリブデン
あるいはその他の適当な金属を除去し、スピンド（Spin
dt) エミッターとして公知のバイアス内に円錐形状のカ
ソードを残存せしめる。
ルドエミッション源基板上にスピンド（Spindt) エミッ
ターを形成することは、最大許容堆積角を越えないよう
に行う堆積が要求される。フィールドエミッションディ
スプレーの形成においては、アモルファスシリコンから
形成される導電体層が基板上に堆積される。これに続い
て、２酸化シリコンのような絶縁体層がその導電体層上
に堆積される。これらの層は、薄膜技術、例え化学蒸着
といったものによって堆積される。その後、エッチング
技術を介して、バイアスすなわち小孔がその導電体およ
び絶縁体層に形成される。低角度堆積が次に行われバイ
アスを閉じることなく前記絶縁体層上にアルミニウムあ
るいはニッケルのリフトオフ層を堆積することが行われ
る。次にバイアスの中でかつ、アルミニウムあるいはニ
ッケルリフトオフ層にモリブデンあるいは他の適当な金
属を直交するように堆積させることによってスピンド
（Spindt) エミッターがバイアス内に形成される。次
に、酸性浴が使用されて、リフトオフ層および該リフト
オフ層の上に１つの層を形成している過剰のモリブデン
あるいはその他の適当な金属を除去し、スピンド（Spin
dt) エミッターとして公知のバイアス内に円錐形状のカ
ソードを残存せしめる。
【０００３】堆積角を表す角度は電子ビーム蒸発源から
基板に延びている２つの隣接した想像線の間に形成され
る角度である。１つの線は、蒸発源から基板への距離を
あらわし、もう一方の線は、基板の端部から電子ビーム
蒸発源にもどるように延びる。もし最大許容堆積角を越
えると、スピンド（Spindt) エミッターの幾つかは不格
好なものとなり、したがって、機能的でないものとな
る。このような不格好なものは、バイアスに対して短絡
する十分な程度に法線から傾いている欠陥のあるスピン
ド（Spindt) エミッターによって示すことができる。断
面でみると、上記の２つの想像線と、基板は、基板と９
０度の角度をなす蒸発源から基板への距離を表す線と直
角３角形形成する。このことから分かるように、完成し
た電子ビーム蒸発源の重大な欠点を防止するためには、
電子ビーム蒸発源はフィールドエミッション源基板から
十分隔置していなければならないということが明らかと
なる。これによって、最大許容堆積角を越えないように
することができる。さらに、基板が大きくなるほど、最
大許容堆積角を確保するための蒸発源から基板への距離
も大きくなる。したがって、フィールドエミッションデ
ィスプレーを形成する場合、蒸発源から基板への距離
は、通常の電子ビーム蒸着の場合よりも大きくなる。こ
のような距離は、通常より大きなバキュームチャンバと
なり、装置費用の増大に繋がる。上記の例として、フィ
ールドエミッションディスプレーは、３５センチ×４５
センチよりも大きなガラス基板上に形成される。単一の
電子ビーム蒸発源と小さい角度の設計基準を使用するよ
うな大きな基板をコーティングする場合には、極めて長
い（３．６６メートルにもなる）蒸発源から基板への距
離が必要となる。
基板に延びている２つの隣接した想像線の間に形成され
る角度である。１つの線は、蒸発源から基板への距離を
あらわし、もう一方の線は、基板の端部から電子ビーム
蒸発源にもどるように延びる。もし最大許容堆積角を越
えると、スピンド（Spindt) エミッターの幾つかは不格
好なものとなり、したがって、機能的でないものとな
る。このような不格好なものは、バイアスに対して短絡
する十分な程度に法線から傾いている欠陥のあるスピン
ド（Spindt) エミッターによって示すことができる。断
面でみると、上記の２つの想像線と、基板は、基板と９
０度の角度をなす蒸発源から基板への距離を表す線と直
角３角形形成する。このことから分かるように、完成し
た電子ビーム蒸発源の重大な欠点を防止するためには、
電子ビーム蒸発源はフィールドエミッション源基板から
十分隔置していなければならないということが明らかと
なる。これによって、最大許容堆積角を越えないように
することができる。さらに、基板が大きくなるほど、最
大許容堆積角を確保するための蒸発源から基板への距離
も大きくなる。したがって、フィールドエミッションデ
ィスプレーを形成する場合、蒸発源から基板への距離
は、通常の電子ビーム蒸着の場合よりも大きくなる。こ
のような距離は、通常より大きなバキュームチャンバと
なり、装置費用の増大に繋がる。上記の例として、フィ
ールドエミッションディスプレーは、３５センチ×４５
センチよりも大きなガラス基板上に形成される。単一の
電子ビーム蒸発源と小さい角度の設計基準を使用するよ
うな大きな基板をコーティングする場合には、極めて長
い（３．６６メートルにもなる）蒸発源から基板への距
離が必要となる。
【０００４】
【発明の概要】本発明は、最大許容堆積角度を越えない
ように電子ビーム蒸発によるフィールドエミッション源
基板上にスピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆積
する装置を提供する。この装置は、互いに隣接する基板
の少なくとも２つの領域上に上記材料を堆積するための
基板の向かい側に位置する少なくとも１つの電子ビーム
蒸発源を備えている。少なくとも１つのパーティション
前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出される
少なくとも１つの蒸気雲を分離するようになっており、
これによって、少なくとも２つの領域のそれぞれに堆積
するが前記少なくとも２つのものの他方の最大許容堆積
角度を越えないようになっている。この少なくとも１つ
の電子ビーム蒸発源は基板から蒸発源から基板への距離
だけ離れており、最大許容堆積角度は前記基板の２つの
領域のそれぞれにおいて越えないようになっている。蒸
発源から基板への距離は、基板の少なくとも２つの領域
上に同時に材料を堆積するのに単一の電子ビーム蒸発源
が使用されるとした場合に最大許容堆積角度を越えない
ように要求されるものよりは、小さい。
ように電子ビーム蒸発によるフィールドエミッション源
基板上にスピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆積
する装置を提供する。この装置は、互いに隣接する基板
の少なくとも２つの領域上に上記材料を堆積するための
基板の向かい側に位置する少なくとも１つの電子ビーム
蒸発源を備えている。少なくとも１つのパーティション
前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出される
少なくとも１つの蒸気雲を分離するようになっており、
これによって、少なくとも２つの領域のそれぞれに堆積
するが前記少なくとも２つのものの他方の最大許容堆積
角度を越えないようになっている。この少なくとも１つ
の電子ビーム蒸発源は基板から蒸発源から基板への距離
だけ離れており、最大許容堆積角度は前記基板の２つの
領域のそれぞれにおいて越えないようになっている。蒸
発源から基板への距離は、基板の少なくとも２つの領域
上に同時に材料を堆積するのに単一の電子ビーム蒸発源
が使用されるとした場合に最大許容堆積角度を越えない
ように要求されるものよりは、小さい。
【０００５】他の特徴では、本発明は、基板と装置を有
する結合体を提供する。基板は、フィールドエミッショ
ン源に使用されるタイプのものであり、バイアス貫通リ
フトオフおよび絶縁層を有する。装置は、電子ビーム蒸
発を介し、かつ最大許容堆積角度を越えないようにバイ
アス内にスピンド（Spindt) エミッターを形成する。装
置は、基板と向かい側に位置し少なくとも１つの蒸気雲
を発生する少なくとも１つの電子ビーム蒸発源を有して
おり、互いに隣接して位置する基板の少なくとも２つの
領域上にスピンド（Spindt) エミッターを形成する材料
を堆積する。少なくとも１つのパーティションが、少な
くとも２つの領域のそれぞれ一方における堆積が該少な
くとも２つの領域の他方の最大許容堆積角度を越えない
ように、少なくとも２つの隣接する領域のそれぞれに少
なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲
を封入するように配置されている。この少なくとも１つ
の電子ビーム蒸発源は少なくとも２つの隣接する領域の
それぞれにおいて最大許容堆積角度を越えないように蒸
発源から基板への距離だけ基板から隔置されている。蒸
発源から基板への距離は単一の電子ビーム蒸発源が基板
の少なくとも２つの領域上に材料を同時に堆積するのに
使用されるとした場合において、最大許容堆積角度をこ
えないように要求されるものより小さい。
する結合体を提供する。基板は、フィールドエミッショ
ン源に使用されるタイプのものであり、バイアス貫通リ
フトオフおよび絶縁層を有する。装置は、電子ビーム蒸
発を介し、かつ最大許容堆積角度を越えないようにバイ
アス内にスピンド（Spindt) エミッターを形成する。装
置は、基板と向かい側に位置し少なくとも１つの蒸気雲
を発生する少なくとも１つの電子ビーム蒸発源を有して
おり、互いに隣接して位置する基板の少なくとも２つの
領域上にスピンド（Spindt) エミッターを形成する材料
を堆積する。少なくとも１つのパーティションが、少な
くとも２つの領域のそれぞれ一方における堆積が該少な
くとも２つの領域の他方の最大許容堆積角度を越えない
ように、少なくとも２つの隣接する領域のそれぞれに少
なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲
を封入するように配置されている。この少なくとも１つ
の電子ビーム蒸発源は少なくとも２つの隣接する領域の
それぞれにおいて最大許容堆積角度を越えないように蒸
発源から基板への距離だけ基板から隔置されている。蒸
発源から基板への距離は単一の電子ビーム蒸発源が基板
の少なくとも２つの領域上に材料を同時に堆積するのに
使用されるとした場合において、最大許容堆積角度をこ
えないように要求されるものより小さい。
【０００６】さらに、他の特徴によれば、本発明は、最
大許容堆積角度を越えないように電子ビーム蒸発によっ
て基板上にスピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆
積する方法を提供する。この方法は、少なくとも１つの
電子ビーム蒸発源に基板の電子ビーム蒸発によって基板
の少なくとも２つの隣接する領域上に材料を堆積させる
ことからなる。この少なくとも１つの電子ビーム蒸発源
は最大許容堆積角度を少なくとも２つの隣接する基板の
領域のそれぞれにおいて越えないような蒸発源から基板
への距離だけ基板から離れている。蒸発源から基板への
距離は、単一の電子ビーム蒸発源が基板の少なくとも２
つの領域上に材料を同時に堆積するのに使用されるとし
た場合において、最大許容堆積角度をこえないように要
求されるものより小さい。少なくとも１つのパーティシ
ョンが、少なくとも２つの領域のそれぞれ一方における
堆積が該少なくとも２つの領域の他方の最大許容堆積角
度を越えないように少なくとも２つの隣接する領域のそ
れぞれに少なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出さ
れる蒸気雲を封入するように配置されている。
大許容堆積角度を越えないように電子ビーム蒸発によっ
て基板上にスピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆
積する方法を提供する。この方法は、少なくとも１つの
電子ビーム蒸発源に基板の電子ビーム蒸発によって基板
の少なくとも２つの隣接する領域上に材料を堆積させる
ことからなる。この少なくとも１つの電子ビーム蒸発源
は最大許容堆積角度を少なくとも２つの隣接する基板の
領域のそれぞれにおいて越えないような蒸発源から基板
への距離だけ基板から離れている。蒸発源から基板への
距離は、単一の電子ビーム蒸発源が基板の少なくとも２
つの領域上に材料を同時に堆積するのに使用されるとし
た場合において、最大許容堆積角度をこえないように要
求されるものより小さい。少なくとも１つのパーティシ
ョンが、少なくとも２つの領域のそれぞれ一方における
堆積が該少なくとも２つの領域の他方の最大許容堆積角
度を越えないように少なくとも２つの隣接する領域のそ
れぞれに少なくとも１つの電子ビーム蒸発源から放出さ
れる蒸気雲を封入するように配置されている。
【０００７】最も簡単な場合には、単一の電子ビーム蒸
発源が基板の２つの領域にスピンド（Spindt) エミッタ
ーを堆積するのに使用される。この場合、基板は回転す
る。パーティションは多元電子ビーム蒸発源に対して固
定されていても、基板とともに回転するようにしてもよ
いことに注目されたい。堆積時間を減少させるために領
域に対応したそれぞれの堆積源を用いるように多元堆積
源を使用することができ、使用される蒸発源の数に等し
い数のパーティションが設けられる。一般に、各領域は
最終的に単一あるいは複数のディスプレーとりる基板の
部分を含むが、用語“領域”はここではより広い意味に
用いており、特許請求の範囲では、基板の任意のサブ−
エリアを含むものであり、このサブ−エリアは、最終的
に１つのディスプレーあるいは１つ以上のフィールドエ
ミッションディスプレー源となる基板の部分を含むもの
である。
発源が基板の２つの領域にスピンド（Spindt) エミッタ
ーを堆積するのに使用される。この場合、基板は回転す
る。パーティションは多元電子ビーム蒸発源に対して固
定されていても、基板とともに回転するようにしてもよ
いことに注目されたい。堆積時間を減少させるために領
域に対応したそれぞれの堆積源を用いるように多元堆積
源を使用することができ、使用される蒸発源の数に等し
い数のパーティションが設けられる。一般に、各領域は
最終的に単一あるいは複数のディスプレーとりる基板の
部分を含むが、用語“領域”はここではより広い意味に
用いており、特許請求の範囲では、基板の任意のサブ−
エリアを含むものであり、このサブ−エリアは、最終的
に１つのディスプレーあるいは１つ以上のフィールドエ
ミッションディスプレー源となる基板の部分を含むもの
である。
【０００８】本発明の全ての特徴において、領域ごとに
材料を堆積するために１つあるいはそれ以上の電子ビー
ム蒸発源を使用することによって、蒸発源から基板への
距離を減少させることができる。その理由は、電子ビー
ム蒸発源が全体の基板のエリアよりもより小さい領域あ
るいはエリアに堆積を行うのに使用されるからである。
一つの電子ビーム蒸発源によって１つの領域の堆積が殆
ど自動的に隣接する領域の最大許容堆積角度を越えるの
で、パーティションがその蒸気雲を封じ込めるのに使用
される。
材料を堆積するために１つあるいはそれ以上の電子ビー
ム蒸発源を使用することによって、蒸発源から基板への
距離を減少させることができる。その理由は、電子ビー
ム蒸発源が全体の基板のエリアよりもより小さい領域あ
るいはエリアに堆積を行うのに使用されるからである。
一つの電子ビーム蒸発源によって１つの領域の堆積が殆
ど自動的に隣接する領域の最大許容堆積角度を越えるの
で、パーティションがその蒸気雲を封じ込めるのに使用
される。
【０００９】
【実施例】明細書は、出願人が発明と認める主題を明瞭
に指摘する特許請求の範囲で締めくくっているが、本発
明は添付の図面に関連して説明されるときより良い理解
を行うなうことができるものである。図１および図２を
参照すると、本発明に従う装置１が示されている。装置
１は平滑スクリーンディスプレー基板２の上にモリブデ
ンあるいは他の適当な金属を基板上に堆積させるように
なっている。図３を参照すると、平滑スクリーンディス
プレー基板２は、４つの隣接した領域３、４、５および
６を有しており、そのそれぞれは、完了した場合には、
完全なディスプレーを形成する。ディスプレー基板２
は、それぞれが、単一の矩形形状のディスプレーとなる
ような、４つの規則的な形状をなす領域を有するが、本
発明は、そのように限定されるものではない。実際上
は、任意の領域に不規則な形状の複数のディスプレーと
することができ、実際、あるディスプレーは、２つの隣
接する領域に跨がることができる。４つの電子ビーム蒸
発源１０、１２、１４および１６の組が所定の堆積を行
うために基板２の向かい側に位置している。堆積材料の
蒸発によって、電子ビーム蒸発源１０、１２、１４およ
び１６のそれぞれから放出される蒸気雲を発生する。こ
の蒸気雲は、基板上に堆積材料を堆積させる移送機構と
して作用する。図面では、電子ビーム蒸発源１２および
１４から放出される蒸気雲１８および２０が、示されて
いる。電子ビーム蒸発源１２および１４から放出される
蒸気雲は、図示されていないが、同じように構成され
る。
に指摘する特許請求の範囲で締めくくっているが、本発
明は添付の図面に関連して説明されるときより良い理解
を行うなうことができるものである。図１および図２を
参照すると、本発明に従う装置１が示されている。装置
１は平滑スクリーンディスプレー基板２の上にモリブデ
ンあるいは他の適当な金属を基板上に堆積させるように
なっている。図３を参照すると、平滑スクリーンディス
プレー基板２は、４つの隣接した領域３、４、５および
６を有しており、そのそれぞれは、完了した場合には、
完全なディスプレーを形成する。ディスプレー基板２
は、それぞれが、単一の矩形形状のディスプレーとなる
ような、４つの規則的な形状をなす領域を有するが、本
発明は、そのように限定されるものではない。実際上
は、任意の領域に不規則な形状の複数のディスプレーと
することができ、実際、あるディスプレーは、２つの隣
接する領域に跨がることができる。４つの電子ビーム蒸
発源１０、１２、１４および１６の組が所定の堆積を行
うために基板２の向かい側に位置している。堆積材料の
蒸発によって、電子ビーム蒸発源１０、１２、１４およ
び１６のそれぞれから放出される蒸気雲を発生する。こ
の蒸気雲は、基板上に堆積材料を堆積させる移送機構と
して作用する。図面では、電子ビーム蒸発源１２および
１４から放出される蒸気雲１８および２０が、示されて
いる。電子ビーム蒸発源１２および１４から放出される
蒸気雲は、図示されていないが、同じように構成され
る。
【００１０】特定の領域に蒸気雲の堆積を分離あるいは
閉じ込めるために、４つのパーティションの組が設けら
れている。パーティション２２−２８が設けられていな
いと電子ビーム蒸発源１０の堆積は、領域３の堆積角に
許容される最大値を越えることはないが、領域４のその
角度を越える可能性があるある。基板２の電子ビーム蒸
発源１２−１６からの距離は、距離“Ｄ”で示す。距離
“Ｄ”は、蒸発源から基板への距離である。堆積角に許
容される最大値は、“α”で示されている。この角度
は、通常フィールドエミッションディスプレー形成につ
いては約５度にセットされている。単一の電子ビーム蒸
発源を用いて、基板２の領域３−６に上にスピンド（Sp
indt) エミッターを同時に形成するために、基板から蒸
発源への距離“Ｄ”は、堆積領域が大きくなるので、装
置1 について示されるものよりもはるかに大きくなけれ
ばならない。したがって、本発明は、基板の全体領域に
堆積を同時に形成するための単一の堆積源を用いる堆積
装置の場合よりも、基板から蒸発源への距離を減少させ
ることができるものである。
閉じ込めるために、４つのパーティションの組が設けら
れている。パーティション２２−２８が設けられていな
いと電子ビーム蒸発源１０の堆積は、領域３の堆積角に
許容される最大値を越えることはないが、領域４のその
角度を越える可能性があるある。基板２の電子ビーム蒸
発源１２−１６からの距離は、距離“Ｄ”で示す。距離
“Ｄ”は、蒸発源から基板への距離である。堆積角に許
容される最大値は、“α”で示されている。この角度
は、通常フィールドエミッションディスプレー形成につ
いては約５度にセットされている。単一の電子ビーム蒸
発源を用いて、基板２の領域３−６に上にスピンド（Sp
indt) エミッターを同時に形成するために、基板から蒸
発源への距離“Ｄ”は、堆積領域が大きくなるので、装
置1 について示されるものよりもはるかに大きくなけれ
ばならない。したがって、本発明は、基板の全体領域に
堆積を同時に形成するための単一の堆積源を用いる堆積
装置の場合よりも、基板から蒸発源への距離を減少させ
ることができるものである。
【００１１】電子ビーム蒸発源１２−１６、基板２およ
びパーティション２４−２８は、冷却チャンネル３１を
有するバキュームチャンバ３０に取りつけられる。クラ
イオポンプすなわちターボ分子ポンプがバキュームチャ
ンバ３０に取りつけられており、これによって、バキュ
ームチャンバ３０を堆積を効果的にするために必要なバ
キューム状態にポンプダウンするようになっている。基
板２は、バキュームフィードスルー３８を介して動作す
る回転モータ３６よって回転される基板ホルダー３４に
取りつけられている。さらに、パーティション２２−２
８は、タブ３９によって基板ホルダー３４に連結されて
いる。これによって、パーティションは基板ホルダー３
４に取りつけられたときには、基板と一緒に回転する。
当業者は理解することができるように、パーティション
２２−２８は、固定であり、単純にバキュームチャンバ
３０に連結されている。パーティション２２−２８の頂
部と基板２との間には、わずかなギャップが存在する。
このギャップは、当該プロダクトについて適用される特
定の設計基準に応じたコーティングの重なりをゼロとす
るかあるいは小さくすることを許容するように設計され
る。この点に関し、フィールドエミッション源が２つの
領域に跨がるように基板が設計されている場合には、パ
ーティション２２−２８が基板から隔置される。この結
果、設計基準の最大許容堆積角度が保持される。基板２
は、移送基板ポート４０を介してバキュームチャンバ３
０に導入され、かつこれから除去される。
びパーティション２４−２８は、冷却チャンネル３１を
有するバキュームチャンバ３０に取りつけられる。クラ
イオポンプすなわちターボ分子ポンプがバキュームチャ
ンバ３０に取りつけられており、これによって、バキュ
ームチャンバ３０を堆積を効果的にするために必要なバ
キューム状態にポンプダウンするようになっている。基
板２は、バキュームフィードスルー３８を介して動作す
る回転モータ３６よって回転される基板ホルダー３４に
取りつけられている。さらに、パーティション２２−２
８は、タブ３９によって基板ホルダー３４に連結されて
いる。これによって、パーティションは基板ホルダー３
４に取りつけられたときには、基板と一緒に回転する。
当業者は理解することができるように、パーティション
２２−２８は、固定であり、単純にバキュームチャンバ
３０に連結されている。パーティション２２−２８の頂
部と基板２との間には、わずかなギャップが存在する。
このギャップは、当該プロダクトについて適用される特
定の設計基準に応じたコーティングの重なりをゼロとす
るかあるいは小さくすることを許容するように設計され
る。この点に関し、フィールドエミッション源が２つの
領域に跨がるように基板が設計されている場合には、パ
ーティション２２−２８が基板から隔置される。この結
果、設計基準の最大許容堆積角度が保持される。基板２
は、移送基板ポート４０を介してバキュームチャンバ３
０に導入され、かつこれから除去される。
【００１２】電子ビーム蒸発源１２−１６は、バキュー
ムチャンバ３０内の所定位置に固定されているように図
示されているが、下部移送ポートは電子ビーム蒸発源１
２−１６をバキュームチャンバ３０に、および公知のよ
うに、適当な位置に電子ビーム蒸発源１２−１６を持ち
上げる機構に導入するように設けることができる。これ
に関して、従来の蒸発源シャッター４１が電子ビーム蒸
発源１２−１６を覆うように設けられている。速度モニ
タ４２、４６、４８および５０が電子ビーム蒸発源１
２、１４、１６および１8 の連続動作を監視するために
設けられている。1 つ以上の電子ビーム蒸発源12、14、
16および18が故障すると、モニター４２−５０は、その
ような故障を検出する。コントローラ５２は、つぎに、
所定の堆積量の残りを計算し、４分の３だけ残りの堆積
時間を増大させることによって堆積時間を調整する。
ムチャンバ３０内の所定位置に固定されているように図
示されているが、下部移送ポートは電子ビーム蒸発源１
２−１６をバキュームチャンバ３０に、および公知のよ
うに、適当な位置に電子ビーム蒸発源１２−１６を持ち
上げる機構に導入するように設けることができる。これ
に関して、従来の蒸発源シャッター４１が電子ビーム蒸
発源１２−１６を覆うように設けられている。速度モニ
タ４２、４６、４８および５０が電子ビーム蒸発源１
２、１４、１６および１8 の連続動作を監視するために
設けられている。1 つ以上の電子ビーム蒸発源12、14、
16および18が故障すると、モニター４２−５０は、その
ような故障を検出する。コントローラ５２は、つぎに、
所定の堆積量の残りを計算し、４分の３だけ残りの堆積
時間を増大させることによって堆積時間を調整する。
【００１３】理解されるように、本発明が４つの電子ビ
ーム蒸発源１０、１２、１４および１６を備えて示され
ているが、特定の基板の堆積要求に従って使用されるよ
り多くのあるいは、より少ない電子ビーム蒸発源を存在
せしめることができる。この点に関し、基板が２つの隣
接する領域を有する場合には、単一のパーティション１
つの電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲に対して使
用される。もし基板が６つの隣接する領域を有する場合
には、６つの電子ビーム蒸発源および６つのパーティシ
ョンを使用することになろう。本発明は、好ましい実施
例を参照して説明されているが、当業者には理解される
ように、数多くの変更、付加、省略を本発明の精神およ
び範囲から逸脱することなく行うことができるものであ
る。
ーム蒸発源１０、１２、１４および１６を備えて示され
ているが、特定の基板の堆積要求に従って使用されるよ
り多くのあるいは、より少ない電子ビーム蒸発源を存在
せしめることができる。この点に関し、基板が２つの隣
接する領域を有する場合には、単一のパーティション１
つの電子ビーム蒸発源から放出される蒸気雲に対して使
用される。もし基板が６つの隣接する領域を有する場合
には、６つの電子ビーム蒸発源および６つのパーティシ
ョンを使用することになろう。本発明は、好ましい実施
例を参照して説明されているが、当業者には理解される
ように、数多くの変更、付加、省略を本発明の精神およ
び範囲から逸脱することなく行うことができるものであ
る。
【図１】本発明に従う装置の概略断面説明図、
【図２】図１の線２−２に沿った図、
【図３】本発明に使用される基板の概略平面図である。
３、４、５、６ 領域 １０、１２、１４、１６ 蒸発源 ２２、２４、２６、２８ パーティション ３０ バキュームチャンバ ５２ コントローラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブライアン ジェイ ケーマー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94558 ナパ ブリッタニー サークル 3302
Claims (7)
- 【請求項１】 最大許容堆積角度を越えないように電子
ビーム蒸発によってフィールドエミッション源基板上に
スピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆積させる装
置であって、 前記基板と向かい側に位置し、互いに隣接して位置する
前記基板の少なくとも２つの領域上に前記材料を堆積さ
せるための少なくとも１つの蒸気雲を発生させる少なく
とも１つの電子ビーム蒸発源と、 前記少なくとも２つの領域のそれぞれ一方における堆積
が前記少なくとも２つの領域の他方の最大許容堆積角度
を越えないように、前記少なくとも１つの電子ビーム蒸
発源から前記少なくとも２つの領域のそれぞれに放出さ
れる少なくとも１つの蒸気雲を封じ込めるように構成さ
れた少なくとも１つのパーティションとを有し、 前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源は前記基板か
ら、前記最大許容堆積角度を前記基板の少なくとも２つ
の領域のそれぞれにおいて越えないように蒸発源から基
板への距離だけ、隔置されており、 前記蒸発源から基板への距離は、単一の電子ビーム蒸発
源が前記基板の少なくとも２つの領域上の前記材料を同
時に堆積させるのに使用されたとした場合に、前記最大
許容堆積角度を越えないように要求されるものよりは小
さい、 ことを特徴とする装置。 - 【請求項２】 請求項１において、さらに前記基板を回
転させる手段を備えていることを特徴とする装置。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源が少なくとも２
つの電子ビーム蒸発源を有し、 前記少なくとも２つの領域が少なくとも２つの隣接する
領域を有し、 前記少なくとも２つの電子ビーム蒸発源の第１のもの
が、前記２つの隣接する領域の１つの向かい側に位置し
ており、前記少なくとも２つの電子ビーム蒸発源の第２
のものが、前記少なくとも２つの隣接する領域の他方の
ものの向かい側位置し、さらに、 前記第１および第２電子ビーム蒸発源のいずれかの故障
を検出する検出手段と、 前記第１および第２電子ビーム蒸発源の故障の場合に自
動的に堆積時間を調整する制御手段とを備えたことを特
徴とする装置。 - 【請求項４】 フィールドエミッション源のための基板
であって、バイアス貫通リフトオフおよび絶縁層を有す
る基板と、 前記バイアス内に電子ビーム蒸発を介して、最大許容堆
積角度を越えないようにスピンド（Spindt) エミッター
形成する装置であって、 前記基板と向かい側に位置し、互いに隣接して位置する
前記基板の少なくとも２つの領域上に前記スピンド（Sp
indt) エミッターを形成する材料を堆積させるための少
なくとも１つの蒸気雲を発生させる少なくとも１つの電
子ビーム蒸発源と、 前記少なくとも２つの領域のそれぞれ一方における堆積
が前記少なくとも２つの領域の他方の最大許容堆積角度
を越えないように、前記少なくとも２つの領域のそれぞ
れへの少なくとも１つの蒸気雲を封じ込めるように構成
された少なくとも１つのパーティションとを有し、 前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源は前記基板か
ら、前記最大許容堆積角度を前記基板の少なくとも２つ
の領域のそれぞれにおいて越えないように蒸発源から基
板への距離だけ、隔置されており、 前記蒸発源から基板への距離は、単一の電子ビーム蒸発
源が前記基板の少なくとも２つの領域上の前記材料を同
時に堆積させるのに使用されたとした場合に、前記最大
許容堆積角度を越えないように要求されるものよりは小
さい、 ことを特徴とする装置と、 とからなる結合体。 - 【請求項５】 最大許容堆積角度を越えないように、電
子ビーム蒸発によってフィールドエミッション源基板上
にスピンド（Spindt) エミッター形成材料を堆積させる
方法であって、 少なくとも１つの電子ビーム蒸発源における前記基板の
電子ビーム蒸発によって前記基板の少なくとも２つの隣
接した領域上に前記材料を堆積させ、 前記基板の前記少なくとも２つの隣接する領域のそれぞ
れにおいて前記最大許容堆積角度を越えないように、前
記少なくとも１つの電子ビーム蒸発源を前記基板から蒸
発源から基板への距離だけ隔置し、 前記蒸発源から基板への距離は、前記基板の少なくとも
２つの隣接する領域の全てにおいて前記材料を同時に堆
積させるのに単一の電子ビーム蒸発源が使用されるとし
た場合における最大許容堆積角度を越えないように要求
されるものよりも小さくなっており、 前記少なくとも２つの領域のそれぞれ一方における堆積
が前記少なくとも２つの領域の他方の最大許容堆積角度
を越えないように前記少なくとも１つの電子ビーム蒸発
源から前記少なくとも２つの隣接する領域のそれぞれに
放出される少なくとも１つの蒸気雲を封じ込めるための
少なくとも１つのパーティションを配置する、 ことからなる方法。 - 【請求項６】 請求項５において、さらに、前記基板を
回転させることを含む方法。 - 【請求項７】 請求項６において、さらに、 前記少なくとも１つのパーティションの少なくともそれ
ぞれの側において堆積速度をモニターし、 前記少なくとも２つの電子ビーム蒸発源のひとつの故障
の場合に堆積時間を調整することからなる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56504095A | 1995-11-30 | 1995-11-30 | |
| US08/565040 | 1995-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176839A true JPH09176839A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=24256963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31772696A Pending JPH09176839A (ja) | 1995-11-30 | 1996-11-28 | 電子ビーム蒸発装置および方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0777252A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09176839A (ja) |
| KR (1) | KR970030276A (ja) |
| CA (1) | CA2185640A1 (ja) |
| IL (1) | IL119265A0 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225733A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2023006676A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット |
| JP2023006677A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111218650A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-06-02 | 何元金 | 半导体薄膜制备装置及制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2711450B1 (fr) * | 1993-10-18 | 1996-01-05 | Pixel Int Sa | Installation et procédé pour la fabrication d'écrans plats de visualisation. |
| FR2733253B1 (fr) * | 1995-04-24 | 1997-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface |
-
1996
- 1996-09-16 CA CA002185640A patent/CA2185640A1/en not_active Abandoned
- 1996-09-18 IL IL11926596A patent/IL119265A0/xx unknown
- 1996-11-13 KR KR1019960053729A patent/KR970030276A/ko not_active Withdrawn
- 1996-11-28 EP EP96308619A patent/EP0777252A1/en not_active Withdrawn
- 1996-11-28 JP JP31772696A patent/JPH09176839A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225733A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2023006676A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット |
| JP2023006677A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970030276A (ko) | 1997-06-26 |
| IL119265A0 (en) | 1996-12-05 |
| EP0777252A1 (en) | 1997-06-04 |
| CA2185640A1 (en) | 1997-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5330628A (en) | Collimated deposition apparatus and method | |
| US6521010B1 (en) | Filter, filtering frame, and semiconductor device manufacturing method and apparatus | |
| US4592802A (en) | Method of fabrication of aluminum contacts through a thick insulating layer in an integrated circuit | |
| WO1994025976A1 (en) | Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask | |
| JP2000144399A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH06220627A (ja) | 成膜装置 | |
| US20160002770A1 (en) | Apparatus with neighboring sputter cathodes and method of operation thereof | |
| EP0066088B1 (en) | Perforated anode for use in reactive ion etching apparatus | |
| JPH09176839A (ja) | 電子ビーム蒸発装置および方法 | |
| US20040154914A1 (en) | Target for sputtering, sputtering device, and sputtering method | |
| JPH06295903A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2003027225A (ja) | スパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置 | |
| JP2732539B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH05326426A (ja) | 薄膜加工用コリメーター、及び薄膜加工装置並びに薄膜加工方法 | |
| US5605608A (en) | Device for sputtering a metallic material on a plate | |
| JP2004010989A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100637180B1 (ko) | 증착 방법 및 이를 위한 증착 장치 | |
| JPH10324966A (ja) | 真空蒸着装置及び真空蒸着法 | |
| JP2000265261A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH08260139A (ja) | 成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法 | |
| JPH05320893A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11302838A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH05339712A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH01152265A (ja) | 高指向性蒸着装置 | |
| JPH08188887A (ja) | エッチング装置 |