JPS6352146A - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents
正帯電用電子写真感光体Info
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- JPS6352146A JPS6352146A JP19764186A JP19764186A JPS6352146A JP S6352146 A JPS6352146 A JP S6352146A JP 19764186 A JP19764186 A JP 19764186A JP 19764186 A JP19764186 A JP 19764186A JP S6352146 A JPS6352146 A JP S6352146A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0517—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いろれでいる。
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いろれでいる。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することか近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することか近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−N−
ビニルカルバゾールと2.4.7 、 hリニトロ−
9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体
について記載されている。しかしこの感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できる乙のではない。こ
のような欠点を改得するために、感光層において、電荷
発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担さ
けることによ:つ、感度が高くて耐久性の大きい有機感
光体を開発する試みがなされている。
ビニルカルバゾールと2.4.7 、 hリニトロ−
9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体
について記載されている。しかしこの感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できる乙のではない。こ
のような欠点を改得するために、感光層において、電荷
発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担さ
けることによ:つ、感度が高くて耐久性の大きい有機感
光体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうしf二機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。無
機物質を用いる例としては、例えば特公昭43−161
98号公報に記載されているように、無定形セレンがあ
り、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。無
機物質を用いる例としては、例えば特公昭43−161
98号公報に記載されているように、無定形セレンがあ
り、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体ら多数提案されており、例えば、ヒスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同56−116040号各公報等により既に
知られている。
電子写真感光体ら多数提案されており、例えば、ヒスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同56−116040号各公報等により既に
知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて製造が困難である二とである。
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて製造が困難である二とである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バイングー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させfこものか示されている。しかしこ
の公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴースト
も発生し易いという欠点がある。又米国特許第3357
989号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感
光体が示されているが、フタロンアニン:よ結晶型によ
って特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなけれ
ばならないという弊害があり、かつメモリー現象が大き
く、短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光
源とする複写機には不適当なものとされる。
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バイングー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させfこものか示されている。しかしこ
の公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴースト
も発生し易いという欠点がある。又米国特許第3357
989号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感
光体が示されているが、フタロンアニン:よ結晶型によ
って特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなけれ
ばならないという弊害があり、かつメモリー現象が大き
く、短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光
源とする複写機には不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用として
使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生物
質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光7層を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。なお
かかる正引:電用とされる感光体においては、溝造中に
例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよう
にすれば、感光体表面の正電荷を打消すfこめの電子の
移動が早くなり、あ゛j感度特性が得られることが考え
られる。
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用として
使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生物
質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光7層を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。なお
かかる正引:電用とされる感光体においては、溝造中に
例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよう
にすれば、感光体表面の正電荷を打消すfこめの電子の
移動が早くなり、あ゛j感度特性が得られることが考え
られる。
しかしながら、航記正帯電用感光体はいずれら電荷発生
物質を含む層が表面層;として形成されろため、光照射
、コロナ放電、湿度、特に機械的7擦等の外部作用に敏
感な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとな
り、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が
劣化し、画質が低下するようになる。
物質を含む層が表面層;として形成されろため、光照射
、コロナ放電、湿度、特に機械的7擦等の外部作用に敏
感な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとな
り、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が
劣化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送1響を表面層とする負帯電用感光体にお
いては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、む
しろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用
を存している。
いては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、む
しろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用
を存している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面、響とされる
電荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリー
ニング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白
筋等の画像欠陥その低表面電位、感度、メモリー、残留
電位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
電荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリー
ニング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白
筋等の画像欠陥その低表面電位、感度、メモリー、残留
電位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこて、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なイっれるという問題があ
る。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なイっれるという問題があ
る。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を沼くという問題があ
る。
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を沼くという問題があ
る。
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
されろ化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て構成される。
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
されろ化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て構成される。
一般式
式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基または
アラルキル基を表し、R′はアルキル基を表す。
アラルキル基を表し、R′はアルキル基を表す。
なお、電荷発生層の膜厚が2〜7μmである場合に本発
明の効果がより発揮される。
明の効果がより発揮される。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはcGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながろ、膜厚を厚くオると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中への
電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加が
あるが、このCTMは電荷発生物質(以下、CGMと略
すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有す
るので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性が
損われてしまう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはcGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながろ、膜厚を厚くオると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中への
電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加が
あるが、このCTMは電荷発生物質(以下、CGMと略
すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有す
るので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性が
損われてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
TMを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化をガードすることによりCTMが保護
されるものと考える。
TMを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化をガードすることによりCTMが保護
されるものと考える。
本発明の化合物は自身の酸化によってCTMのオゾン劣
化を防止するので、必要に応じてCGL上に保護層(以
下、○CLと略すことがある)を設けた感光体において
は、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加され
てよく、更にCTMを主成分とする電荷輸送層 (以下
、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
化を防止するので、必要に応じてCGL上に保護層(以
下、○CLと略すことがある)を設けた感光体において
は、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加され
てよく、更にCTMを主成分とする電荷輸送層 (以下
、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
以下、本発明をより具体的に詳述する。
前記一般式で示される本発明の化合物は6−アルキル−
2,3,5−トリメチル−p−フェニμ〉ジアミン誘導
体である。
2,3,5−トリメチル−p−フェニμ〉ジアミン誘導
体である。
一般式において、アミン基を置換するRが表すアルキル
基は直鎖でも分岐でしよく、好ましくは炭素原子数1〜
8のアルキル基で、具体的にメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、5ec−ブチル基、t−ブチル基、
i−ペンチル基、ヘキソル基、を−オクチル基等を挙げ
ろことができる。
基は直鎖でも分岐でしよく、好ましくは炭素原子数1〜
8のアルキル基で、具体的にメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、5ec−ブチル基、t−ブチル基、
i−ペンチル基、ヘキソル基、を−オクチル基等を挙げ
ろことができる。
これらの中でも、分岐アルキル基が好ましい。
Rが表すアリール基と、してはフェニル基が好ましく、
このフェニル基は置換基を有してもよい。
このフェニル基は置換基を有してもよい。
Rが表すアラルキル基としてはベンジル基、フェネチル
基等が挙げられ、これろの居も置換橋を有してもよい。
基等が挙げられ、これろの居も置換橋を有してもよい。
R′で表されるアルキル基は、好ましくは炭素原子数1
〜18のアルキル基で特に炭素原子数l〜l2の直鎖ア
ルキル基が好ましい。
〜18のアルキル基で特に炭素原子数l〜l2の直鎖ア
ルキル基が好ましい。
本発明に好ましく用いられる化合物の代表的具体例を以
下に示すが、こ1tに限定されるものではない。
下に示すが、こ1tに限定されるものではない。
本発明の化合物の添加量は、OCL中に用いられる場合
、CG L中のCTMに対して0.1〜100重量%、
好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL
中のバインダー樹脂に対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%である。
、CG L中のCTMに対して0.1〜100重量%、
好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL
中のバインダー樹脂に対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導゛這層を設けたもの)上
にCTMと必要に応してバインダー樹脂を含有する電荷
輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応じてバ
インダー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とする積層
構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第1
図の感光層の上に保護層(OCL)4を設けたもの及び
第3図に示すように支持体上にCG MとCTMと必要
に応じてバインダー樹脂を含有する単層構成の感光層4
を設けたもの、等が挙げられるか、第3図の単層構成の
感光層上にOCLが設けられてもよく、また支持体と感
光層の間に中間習が設けられてもよい。
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導゛這層を設けたもの)上
にCTMと必要に応してバインダー樹脂を含有する電荷
輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応じてバ
インダー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とする積層
構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第1
図の感光層の上に保護層(OCL)4を設けたもの及び
第3図に示すように支持体上にCG MとCTMと必要
に応じてバインダー樹脂を含有する単層構成の感光層4
を設けたもの、等が挙げられるか、第3図の単層構成の
感光層上にOCLが設けられてもよく、また支持体と感
光層の間に中間習が設けられてもよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることう1できる。無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テ
ルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セ
レン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機
顔料の外、次の代表例で示されろような有機顔料を用い
てもよい。
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることう1できる。無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テ
ルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セ
レン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機
顔料の外、次の代表例で示されろような有機顔料を用い
てもよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。
(2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料。
レン系顔料。
(3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロノ誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソヒオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (、t)インノボ誘導体皮びチオインジゴ誘導体等のイ
ンノコイド系顔料 (5)金属フタロンアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリノン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサノン顔料及びチアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)・シアニン顔料及びアゾメチン、顔料等のメチン
系顔料 (9)キノリン系顔料 (lO)ニトロ系顔料 (it) ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスヘンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾj領科が、5窪、メモ
リー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用い
られるが耐オゾン性の点て多環キノン系顔料が最し好ま
しい。
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロノ誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソヒオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (、t)インノボ誘導体皮びチオインジゴ誘導体等のイ
ンノコイド系顔料 (5)金属フタロンアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリノン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサノン顔料及びチアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)・シアニン顔料及びアゾメチン、顔料等のメチン
系顔料 (9)キノリン系顔料 (lO)ニトロ系顔料 (it) ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスヘンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾj領科が、5窪、メモ
リー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用い
られるが耐オゾン性の点て多環キノン系顔料が最し好ま
しい。
詳細は不明であるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を受
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群(1)〜〔■〕で示されるものがある。
の例示化合物群(1)〜〔■〕で示されるものがある。
例示化合物群〔■〕:
例示化合物群〔■〕。
例示化合物群〔■〕:
例示化合物〔■〕:
例示化合物(V)・
また、以下の多環キノン顔料から成る例示化・ご物群(
vI)〜〔■〕はCG〜iとして最も好ましく使用でき
る。 、7−1.7、。
vI)〜〔■〕はCG〜iとして最も好ましく使用でき
る。 、7−1.7、。
以下余、71
例示化合物群(Vl)
例示化合物群〔■〕:
以t′介−p
?′y
例示化合物群〔■〕・
次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾ
コン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾ
コン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が浸れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるC T M
としては、例えば下記例示化合物群(TX)又は〔X〕
で示されるスチル化合物か使用される。
送能力が浸れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるC T M
としては、例えば下記例示化合物群(TX)又は〔X〕
で示されるスチル化合物か使用される。
例示化合物群〔■〕:
例示化合物群(X)
また、CT〜1として下記例示化合物群〔η〕〜(XV
)で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
)で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
例示化合物群〔■〕
例示化合物群(XI[l ) :
例示化合物群CXV ) :
ま几、CTMとして下記例示化合物〔X■〕で例示化合
物群〔X■〕: また、CT Mとして下記例示化合物群〔X■〕で示さ
れるアミン誘導体も使用可能である。
物群〔X■〕: また、CT Mとして下記例示化合物群〔X■〕で示さ
れるアミン誘導体も使用可能である。
例示化合物群〔X〜1〕二
以下余q
−り
次に本発明に用いられてよい保護層:よバインダーとし
て体積抵抗106Ω・cm以上、好ましくは1010Ω
・cm以上、より好ましくは10I3Ω・cm以上の透
明樹脂か用いられる。又面記バインダーは光又は熱によ
り便化する樹脂を少なくとも50重量%以上含有するも
のとされろ。
て体積抵抗106Ω・cm以上、好ましくは1010Ω
・cm以上、より好ましくは10I3Ω・cm以上の透
明樹脂か用いられる。又面記バインダーは光又は熱によ
り便化する樹脂を少なくとも50重量%以上含有するも
のとされろ。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エボキン樹脂、ウ
レタン11指、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリニスチ
ル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合らしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記保護層中には加工性決び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重量%未、jぬ含有砂しめる
ことかでさる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポ
リプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エボキノ樹脂、ブチラール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれ
らの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有
機半導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂
の全てつく利用される。
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エボキン樹脂、ウ
レタン11指、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリニスチ
ル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合らしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記保護層中には加工性決び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重量%未、jぬ含有砂しめる
ことかでさる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポ
リプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エボキノ樹脂、ブチラール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれ
らの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有
機半導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂
の全てつく利用される。
また面記保護層は、電子受容性物質を含何してもよく、
その池、必要によりCG Mを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記ノ1イ ゛ングーと共
に溶剤に溶解され、例えばディ、二lブ塗布、スプレー
塗布、ブレード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥さ
れて2μm以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成さ
れる。
その池、必要によりCG Mを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記ノ1イ ゛ングーと共
に溶剤に溶解され、例えばディ、二lブ塗布、スプレー
塗布、ブレード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥さ
れて2μm以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成さ
れる。
本発明の、感光体の感光層の層構成は前肥り)ように積
層構成と単層構成とがめるが、電荷輸送、V、電荷発生
層または保護層には6変の向上、残留電位ないし反復使
用時の疲労低威等を目的として、INまたは2種以上の
電子受容性物質を含4丁せしめることができる。
層構成と単層構成とがめるが、電荷輸送、V、電荷発生
層または保護層には6変の向上、残留電位ないし反復使
用時の疲労低威等を目的として、INまたは2種以上の
電子受容性物質を含4丁せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、
0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、!、3
゜5、−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ンニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フルオ
レノンデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポ
リニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジシアノメチレン
マロツノニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安息香酸
、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安口、香酸、
ペンタフルオロ安9、香酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、
0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、!、3
゜5、−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ンニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フルオ
レノンデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポ
リニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジシアノメチレン
マロツノニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安息香酸
、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安口、香酸、
ペンタフルオロ安9、香酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリニスチルfat脂、アルキッド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合
型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの
樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹
脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイノ酸共重合体樹脂等の
絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高
分子有機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリニスチルfat脂、アルキッド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合
型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの
樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹
脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイノ酸共重合体樹脂等の
絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高
分子有機半導体が挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラス千ツクフィルムあるいは導電性物質を塗布
し1こ紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使
用することかできる。
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラス千ツクフィルムあるいは導電性物質を塗布
し1こ紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使
用することかできる。
電荷輸送層は既述のCTMを適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめた
乙のを塗布して乾燥させる方法により設ける。
適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめた
乙のを塗布して乾燥させる方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、N
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キルン
、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン、ジク
ロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラヒ
ドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等を挙げることができる。
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キルン
、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン、ジク
ロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラヒ
ドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μm、
特に好ましくは5〜30μmである。
特に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダー樹脂100重量部当りCTMか2
0〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とさ
4する。
0〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とさ
4する。
CT Mの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、
残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。
残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。
電荷発生層は、既述のCG MとCT〉、1を別々に、
あるいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバイン
ダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、
乾燥してCTLの場合と同様に形成することかできる。
あるいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバイン
ダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、
乾燥してCTLの場合と同様に形成することかできる。
上記CG Mを分散せしめてCGLを形成する場合、当
該CGMは2μ川以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径かあまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分て放電か生じたり或いはそこにトナー粒
子が付置してトナーフィルミング現象が生じ易い。
該CGMは2μ川以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径かあまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分て放電か生じたり或いはそこにトナー粒
子が付置してトナーフィルミング現象が生じ易い。
rこたし、」−記粒径があまり小さいと却って:si集
し易く、層の抵抗が上昇し1こり、結晶欠陥が増えて、
盛度汝び繰返し特性が低下し1こり、或いは?’fi
+1Ill化する上で限界があるから、平均粒径の下限
を001μmとするのが望ましい。
し易く、層の抵抗が上昇し1こり、結晶欠陥が増えて、
盛度汝び繰返し特性が低下し1こり、或いは?’fi
+1Ill化する上で限界があるから、平均粒径の下限
を001μmとするのが望ましい。
CG Lば、次の如き方法によって設;することができ
ろ。即ち、記述のCON2をボールミル、→;モミキサ
ー等によって分散媒中て微細粒子とし、バインダー樹脂
およびCTMを加えて混合分散して得られる分散液を塗
布する方法である。この方法において超音波の作用下に
粒子を分散させると、均一分散が可能である。
ろ。即ち、記述のCON2をボールミル、→;モミキサ
ー等によって分散媒中て微細粒子とし、バインダー樹脂
およびCTMを加えて混合分散して得られる分散液を塗
布する方法である。この方法において超音波の作用下に
粒子を分散させると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダー樹脂100重量当りCGMが20
〜200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ
、CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜15
0重量部とされる。
〜200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ
、CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜15
0重量部とされる。
CGMがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜10μm、特に好ましくは2〜7μmである。
は1〜10μm、特に好ましくは2〜7μmである。
積層構成の場合、CGLとCTLの膜厚比は1:(1〜
30)であるのが好ましい。
30)であるのが好ましい。
前記単KJtl成の場合、電荷発生物質がバインダー樹
脂に含有される割合は、バインダー樹脂100重量部に
対して20〜200重量部、好ましくは25〜100重
量部とされる。
脂に含有される割合は、バインダー樹脂100重量部に
対して20〜200重量部、好ましくは25〜100重
量部とされる。
電荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低
く、残留電位の増加を措き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
く、残留電位の増加を措き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
次に電荷輸送物質かバインダー樹脂に対して含有される
割合は、バインダー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
割合は、バインダー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
電荷輸送物質の含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
前記単層構成の感光層中の電荷発生物質に対する電荷輸
送物質の量比は重量比でl:3〜l 2とするのが好ま
しい。
送物質の量比は重量比でl:3〜l 2とするのが好ま
しい。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定5れるらのではない。
明の実施の態様が限定5れるらのではない。
実施例 1
アルミニウム箔をラミネートし1ニポリエステルフィル
ムより成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレック\IF−IQ、
漬水化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
ムより成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレック\IF−IQ、
漬水化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
次いてポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、音大化成社製)/’ CT M (IX −75)−
100/ 75(重量比)を165重1%含有する1、
2−ジクロルエタン溶液を中fL’1L上にディップ塗
布し、15μm厚の電ぐ輸送層を形成した。次に、CG
〜■として昇華し1こ4.lOジブロムアンスアンスロ
ン(■−3)/パンライトL −1250= 1/2(
重量比)が9重量%にr;ろように1.2−ジクロルエ
タン中ボールミルで24時′11粉砕し、更に24時間
分散した液にCT M (IX−75)をパンライトL
−1250に対して75重量%およびCT Mに対して
05重量%の例示化合物(6)を加えた。この溶液にモ
ノクロルベンゼンを加えて1.2−ツクU2ルヘンゼン
/モノクロルベンゼン−7/3(体Mt比)になるよう
調製した分散液を前記CT L上にスプレー塗布し、乾
燥して5μmの電荷発生層をニド釣戊し、積層(1が成
の感光層を有する本発明に係る感光体を得た。
、音大化成社製)/’ CT M (IX −75)−
100/ 75(重量比)を165重1%含有する1、
2−ジクロルエタン溶液を中fL’1L上にディップ塗
布し、15μm厚の電ぐ輸送層を形成した。次に、CG
〜■として昇華し1こ4.lOジブロムアンスアンスロ
ン(■−3)/パンライトL −1250= 1/2(
重量比)が9重量%にr;ろように1.2−ジクロルエ
タン中ボールミルで24時′11粉砕し、更に24時間
分散した液にCT M (IX−75)をパンライトL
−1250に対して75重量%およびCT Mに対して
05重量%の例示化合物(6)を加えた。この溶液にモ
ノクロルベンゼンを加えて1.2−ツクU2ルヘンゼン
/モノクロルベンゼン−7/3(体Mt比)になるよう
調製した分散液を前記CT L上にスプレー塗布し、乾
燥して5μmの電荷発生層をニド釣戊し、積層(1が成
の感光層を有する本発明に係る感光体を得た。
比較例 1
実施例1において、例示化合物(6)を除いた以外は実
血例1と全く同様にして比較の感光体を得に。
血例1と全く同様にして比較の感光体を得に。
実施例 2
実施例1において、例示化合物(6)に代えて例示化合
物(7)を用いfこ以外は全く同様にして感光体を得た
。
物(7)を用いfこ以外は全く同様にして感光体を得た
。
実施例 3
実施例1の例示化合物(6)を除いfコ感光−(比較例
1の感光体に同し)上に、熱硬化性アクリル−メラミン
−エポキシ(1:l :1)樹脂1.55重量部および
例示化合物(6) 0.155Fm部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗i’IT L、乾燥して1μm
厚の保護層を有する感光体を得f二。
1の感光体に同し)上に、熱硬化性アクリル−メラミン
−エポキシ(1:l :1)樹脂1.55重量部および
例示化合物(6) 0.155Fm部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗i’IT L、乾燥して1μm
厚の保護層を有する感光体を得f二。
実施例 4
実施例1の例示化合物(6)を除いた感光層上に、ノリ
コンバートコート用ブライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し、更に
その上にシリコンハードコートトスガード510(東芝
シリコン社製)及び例示化合物(6)を樹脂100重屯
部にたいして10重量部となるよう添加しfこ溶液をス
プレー塗布し、乾燥して17重ml’7の保護層を形成
し感光体を得1こ。
コンバートコート用ブライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し、更に
その上にシリコンハードコートトスガード510(東芝
シリコン社製)及び例示化合物(6)を樹脂100重屯
部にたいして10重量部となるよう添加しfこ溶液をス
プレー塗布し、乾燥して17重ml’7の保護層を形成
し感光体を得1こ。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMF−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMF−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
次いでCT L用塗布液としてブチラール樹脂(エスレ
ノク13X−1.積水化学社製)8重1%とCT〜I
(IX−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶
解して得られる塗布液を前記中間層上?こ塗布・乾燥し
て10μm厚の電荷輸送層を形成した。次いてCG X
i(■−7) 0.29をペイントコンデショナ−(P
aint ConditionerSRed Devi
1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボネート樹脂
(パンライトL L250、j再出)を1,2−ジ
クロルエタン/1.1.2−トリクロルエタンを見合溶
媒に0.5重量%となるよう溶解させた溶液を8.39
加えて3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート樹
脂、CT\=I(IX−75)および例示化合物(6)
をそれぞれ33重(4%、2.6重量%および0.26
重憤%とするよう1.2−ジクロルエタン/1,1.2
−トリクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液1
91gを加えてさらに300分間分散た。かくして得ら
れた分散液を前記CT L上にスプレー塗布し、かつ乾
燥して5μm厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光
層を有する感光体を得た。
ノク13X−1.積水化学社製)8重1%とCT〜I
(IX−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶
解して得られる塗布液を前記中間層上?こ塗布・乾燥し
て10μm厚の電荷輸送層を形成した。次いてCG X
i(■−7) 0.29をペイントコンデショナ−(P
aint ConditionerSRed Devi
1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボネート樹脂
(パンライトL L250、j再出)を1,2−ジ
クロルエタン/1.1.2−トリクロルエタンを見合溶
媒に0.5重量%となるよう溶解させた溶液を8.39
加えて3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート樹
脂、CT\=I(IX−75)および例示化合物(6)
をそれぞれ33重(4%、2.6重量%および0.26
重憤%とするよう1.2−ジクロルエタン/1,1.2
−トリクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液1
91gを加えてさらに300分間分散た。かくして得ら
れた分散液を前記CT L上にスプレー塗布し、かつ乾
燥して5μm厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光
層を有する感光体を得た。
比較例 2
実施例5において例示化合物(6)を除いf二辺外は実
施例5と全く同様にして比較の感光体を得fコ。
施例5と全く同様にして比較の感光体を得fコ。
実施例 6
実施例5において、例示化合物(6)に代えて例示化合
物(7)を用いた以外は全ぐ同様にして感光体を得fこ
。
物(7)を用いた以外は全ぐ同様にして感光体を得fこ
。
実施例 7
実施例5の例示化合物(6)を除い、・二盛光34
(比較例2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例
示化合物(6)を含有する保護層を設置し、感光体を得
た。
(比較例2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例
示化合物(6)を含有する保護層を設置し、感光体を得
た。
実施例 8
実施[す5の例示化合物(6)を除いf二感光層上に、
実施例、■と同(ηの例示化合物(6)を含有する保護
層を設置し、感光体を得た。
実施例、■と同(ηの例示化合物(6)を含有する保護
層を設置し、感光体を得た。
上記のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾン
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
すなわち、静電試験機(川口電機製作新製5P−428
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業昧式会社製EC
−2001型)を取り付けた装置を用いた。
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業昧式会社製EC
−2001型)を取り付けた装置を用いた。
オゾン層間90pptqにおいて感光体を装着し、↓6
に■の電工を印加して5秒間のコロナ放電により感光層
を帯電さ什r二後5秒間放置(この時の電位を初期電位
V0とする)し、次いて感光、1表面の照度が14ルツ
クスとなる状態でタングステンランプよりの光を、11
1射し、この操作を100回くり返した。
に■の電工を印加して5秒間のコロナ放電により感光層
を帯電さ什r二後5秒間放置(この時の電位を初期電位
V0とする)し、次いて感光、1表面の照度が14ルツ
クスとなる状態でタングステンランプよりの光を、11
1射し、この操作を100回くり返した。
100回照射後の電位を■1とする時、v、/vox1
00(%)で耐オゾン性を表しfこ。V、/V、は10
0回反復後の電位低下の程文を示す乙のであり、数値が
大きい程に子ましい。
00(%)で耐オゾン性を表しfこ。V、/V、は10
0回反復後の電位低下の程文を示す乙のであり、数値が
大きい程に子ましい。
別 表
別表から本発明の感光体はいずれも耐オゾン性がすぐれ
ているのに対し、比較用感光体:よオゾン劣化が粁しい
ことが判る。
ているのに対し、比較用感光体:よオゾン劣化が粁しい
ことが判る。
第1図ないし第3図は本発明の工:17電用き光体の断
面図であるっ 1・・支持体 2・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・感光層 5・・・電荷輸送物質(C′rM) 6・・・電荷発生物質(CGM) 7・・保護層
面図であるっ 1・・支持体 2・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・感光層 5・・・電荷輸送物質(C′rM) 6・・・電荷発生物質(CGM) 7・・保護層
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層および
必要に応じて保護層を順次積層した電子写真感光体にお
いて、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ電荷
発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示される化合
物を含有することを特徴とする正帯電用電子写真感光体
。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基また
はアラルキル基を表し、R′はアルキル基を表す。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764186A JPS6352146A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764186A JPS6352146A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352146A true JPS6352146A (ja) | 1988-03-05 |
| JPH0547822B2 JPH0547822B2 (ja) | 1993-07-19 |
Family
ID=16377867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19764186A Granted JPS6352146A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352146A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1101828C (zh) * | 1998-10-19 | 2003-02-19 | 中国科学院化学研究所 | 一种全同立构聚n-乙烯咔唑及其制备方法和用途 |
| WO2006104528A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Albemarle Corporation | Diimines and secondary diamines |
| US7964695B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-06-21 | Albemarle Corporation | Chain extenders |
| US8076518B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-12-13 | Albemarle Corporation | Chain extenders |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9904186B2 (en) | 2011-08-05 | 2018-02-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, method for manufacturing same, and electrophotographic apparatus using same |
| WO2015008322A1 (ja) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置 |
| CN108431697A (zh) | 2016-07-22 | 2018-08-21 | 富士电机株式会社 | 电子照相用感光体、其制造方法以及电子照相装置 |
| WO2018154739A1 (ja) | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法およびそれを用いた電子写真装置 |
| JP6583563B2 (ja) | 2017-02-24 | 2019-10-02 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法およびそれを用いた電子写真装置 |
| WO2019142342A1 (ja) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置 |
| JP7004011B2 (ja) | 2018-01-19 | 2022-01-21 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130759A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS60188956A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Mita Ind Co Ltd | 耐刷性に優れた電子写真光体 |
| JPS6135452A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19764186A patent/JPS6352146A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130759A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS60188956A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Mita Ind Co Ltd | 耐刷性に優れた電子写真光体 |
| JPS6135452A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1101828C (zh) * | 1998-10-19 | 2003-02-19 | 中国科学院化学研究所 | 一种全同立构聚n-乙烯咔唑及其制备方法和用途 |
| WO2006104528A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Albemarle Corporation | Diimines and secondary diamines |
| US7288677B2 (en) | 2005-03-28 | 2007-10-30 | Albemarle Corporation | Diimines and secondary diamines |
| US7767858B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Albemarle Corporation | Diimines and secondary diamines |
| US7964695B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-06-21 | Albemarle Corporation | Chain extenders |
| US8076518B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-12-13 | Albemarle Corporation | Chain extenders |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547822B2 (ja) | 1993-07-19 |
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