JPS6353731A - 光学ディスク読取装置用光学系及び部品 - Google Patents
光学ディスク読取装置用光学系及び部品Info
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- JPS6353731A JPS6353731A JP62202999A JP20299987A JPS6353731A JP S6353731 A JPS6353731 A JP S6353731A JP 62202999 A JP62202999 A JP 62202999A JP 20299987 A JP20299987 A JP 20299987A JP S6353731 A JPS6353731 A JP S6353731A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ビームスプリッタ、部分偏光子及び偏光セパ
レータを含む平形プレート光学部品、更にかかる平形プ
レート光学部品を具備した光学的ディスク読取装置用の
光学系に関する。
レータを含む平形プレート光学部品、更にかかる平形プ
レート光学部品を具備した光学的ディスク読取装置用の
光学系に関する。
(従来の技術)
ファラデー回転効果に基づ(磁気光学的記録方式では、
トラック上に記録された信号に従いトレースに沿ってフ
ァラデー回転効果が変化するように、トレースが磁気光
学的媒体上に生成される。
トラック上に記録された信号に従いトレースに沿ってフ
ァラデー回転効果が変化するように、トレースが磁気光
学的媒体上に生成される。
本発明は、平形プレート光学部品を用いて、そのような
トレースを読み取る系に係わる。
トレースを読み取る系に係わる。
第1図は、上記トレースを読み取る光学系10を概略的
に示す。直線偏光されたレーザビーム11が、ターゲッ
トディスク12のトラック上の小スポットに集束される
。つまり、レーザ光源13からの直線偏光された光ビー
ム11が、レンズ14によって平行化された後、ビーム
スプリッタ16を経て対物レンズ17に至り、これが分
割後の光ビーム21をディスク12上の小スポット18
に集束させる。一般に、読取系10はディスク12を横
切ってビーム21を走査する通常の系(図示せず)も含
む。
に示す。直線偏光されたレーザビーム11が、ターゲッ
トディスク12のトラック上の小スポットに集束される
。つまり、レーザ光源13からの直線偏光された光ビー
ム11が、レンズ14によって平行化された後、ビーム
スプリッタ16を経て対物レンズ17に至り、これが分
割後の光ビーム21をディスク12上の小スポット18
に集束させる。一般に、読取系10はディスク12を横
切ってビーム21を走査する通常の系(図示せず)も含
む。
入射ビーム21はディスク12で反射され、集束レンズ
17を通って戻る。反射ビーム22はまだ直線偏光され
ているが、ディスク12上に被覆された磁気光学的媒体
のファラデー回転効果のため、偏光軸はわずかにシフト
している。偏光軸のシフトは小さく、0.1@〜1″の
オーダである。
17を通って戻る。反射ビーム22はまだ直線偏光され
ているが、ディスク12上に被覆された磁気光学的媒体
のファラデー回転効果のため、偏光軸はわずかにシフト
している。偏光軸のシフトは小さく、0.1@〜1″の
オーダである。
トラック上に記録された信号は、集束スポットがトレー
スに沿って走査されるとき、反射ビーム22の偏光軸の
このシフトを測定することによって検出される。偏光軸
の変化を検知する一つの方法は、偏光セパレータ24を
用いてビームスプリッタ16からの出力ビーム23を、
各々偏光の原軸に対して45°偏光された2つの直交す
る直線偏光成分ビームPとSに分解することである。
スに沿って走査されるとき、反射ビーム22の偏光軸の
このシフトを測定することによって検出される。偏光軸
の変化を検知する一つの方法は、偏光セパレータ24を
用いてビームスプリッタ16からの出力ビーム23を、
各々偏光の原軸に対して45°偏光された2つの直交す
る直線偏光成分ビームPとSに分解することである。
第2図を参照すれば、ファラデー回転が存在しないとき
、両ビームSとPの強度28.29は正確に等しい(つ
まりP=S)。再び第1図に戻ると、こうして得られた
両ビームPとSは収集レンズ26により、電子光学的強
度検出器のアセンブリ27へ入射するように差し向けら
れる。通常、検出器アセンブリ27の2つの検出器から
の信号を電子的に減算する回路(不図示)が設けられて
いる。上記の場合、この回路は実質上ゼロの出力信号(
P−3=O)を与える。
、両ビームSとPの強度28.29は正確に等しい(つ
まりP=S)。再び第1図に戻ると、こうして得られた
両ビームPとSは収集レンズ26により、電子光学的強
度検出器のアセンブリ27へ入射するように差し向けら
れる。通常、検出器アセンブリ27の2つの検出器から
の信号を電子的に減算する回路(不図示)が設けられて
いる。上記の場合、この回路は実質上ゼロの出力信号(
P−3=O)を与える。
第3図に概略的に示すごとく、第1図のディスク12に
おけるファラデー回転効果の結果生じるような小さい角
度αでの偏光軸の回転は、一方のビームの強度を他方よ
り大きくする(P>S)。
おけるファラデー回転効果の結果生じるような小さい角
度αでの偏光軸の回転は、一方のビームの強度を他方よ
り大きくする(P>S)。
従ってアセンブリ27中の2検出器からの出力減算が、
正の信号をもたらす(P−3>O)。
正の信号をもたらす(P−3>O)。
偏光軸の回転の効果は、基軸(P)に直角な偏光軸(S
)を優先する部分偏光子を戻りビーム22内に置くこと
によって高めることができる。
)を優先する部分偏光子を戻りビーム22内に置くこと
によって高めることができる。
第4図を参照すれば、ビーム22の2つの直交偏光成分
への分割は、第1図に示した偏光セパレータ24である
ウラストンプリズム31を用いて通常行うことができる
。ウラスストンプリズム31は、方解石や水晶等複屈性
結晶物質の2つの部片32.33から成る。両部片32
.33は面34に沿って一体状に接着され、それぞれの
光軸が直交する。この結果、組立後のプリズム31は相
互に直角な偏光であるビームPとSをわずかに異なる角
度で偏向し、両ビームは検出のためレンズ26によって
分離可能となる。
への分割は、第1図に示した偏光セパレータ24である
ウラストンプリズム31を用いて通常行うことができる
。ウラスストンプリズム31は、方解石や水晶等複屈性
結晶物質の2つの部片32.33から成る。両部片32
.33は面34に沿って一体状に接着され、それぞれの
光軸が直交する。この結果、組立後のプリズム31は相
互に直角な偏光であるビームPとSをわずかに異なる角
度で偏向し、両ビームは検出のためレンズ26によって
分離可能となる。
(発明が解決しようとする問題)
ウラストンプリズム等のプリズムは、偏光セパレータと
して使われる場合幾つかの有利な特徴を有する。例えば
、ウラストンプリズムは直線のビーム経路を与えるので
、そのビームを平行化する必要がない。さらに、プリズ
ムは非常に高い分離比と、P及び8両偏光に対して同一
の光路長を与える。しかし、大量生産の商業用途プリズ
ムは、これらをしのぐ幾つかの欠点を有する。第1に、
方解石等所望のプリズム材料は高価で、貴重である。第
2に、プリズム部品は製造及び組立が困難で、コスト高
である。さらに、36及び37等の受光面は反射防止コ
ーティング、あるいは他の光学素子とのマツチングを必
要とする。かかるコーティングは、特に小さいプリズム
が個々に被覆されねばならないため、困難且つコスト高
である。
して使われる場合幾つかの有利な特徴を有する。例えば
、ウラストンプリズムは直線のビーム経路を与えるので
、そのビームを平行化する必要がない。さらに、プリズ
ムは非常に高い分離比と、P及び8両偏光に対して同一
の光路長を与える。しかし、大量生産の商業用途プリズ
ムは、これらをしのぐ幾つかの欠点を有する。第1に、
方解石等所望のプリズム材料は高価で、貴重である。第
2に、プリズム部品は製造及び組立が困難で、コスト高
である。さらに、36及び37等の受光面は反射防止コ
ーティング、あるいは他の光学素子とのマツチングを必
要とする。かかるコーティングは、特に小さいプリズム
が個々に被覆されねばならないため、困難且つコスト高
である。
プリズムがビームスプリッタ16としてよく使われ、部
分偏光子のコーティングを備えることができる。しかし
前述のように、プリズムで使われる材料は高価で、受光
面は反射防止されるかまたは次の光学素子とマツチされ
ねばならず、更にプリズムは製造、被覆及び組立が困難
且つコスト高である。
分偏光子のコーティングを備えることができる。しかし
前述のように、プリズムで使われる材料は高価で、受光
面は反射防止されるかまたは次の光学素子とマツチされ
ねばならず、更にプリズムは製造、被覆及び組立が困難
且つコスト高である。
上記の議論に照らし、本発明の一つの目的は、前述し第
1図に概略的に示したような型で、ビームスプリッタ、
部分偏光子及び偏光セパレータとして比較的安価で、容
易に製造できる部品を用いた光学系を提供することにあ
る。
1図に概略的に示したような型で、ビームスプリッタ、
部分偏光子及び偏光セパレータとして比較的安価で、容
易に製造できる部品を用いた光学系を提供することにあ
る。
一特徴において、本発明は入射直線偏光用の平形プレー
トビームスプリッタ及び部分偏光子に関し、第1の非被
覆主面と第2の部分偏光コーティングを持つ反対側の主
面とを有する平形の光学的に透明なプレートから成る。
トビームスプリッタ及び部分偏光子に関し、第1の非被
覆主面と第2の部分偏光コーティングを持つ反対側の主
面とを有する平形の光学的に透明なプレートから成る。
平形プレートと非被覆第1面が直線偏光ビームに対する
ブルースター角近くに配向されると、プレートはビーム
中の第1の偏光成分を実質上全く反射しない(Rr=o
)。
ブルースター角近くに配向されると、プレートはビーム
中の第1の偏光成分を実質上全く反射しない(Rr=o
)。
つまり、偏光Pがプレートを横切って進む。第2面上の
光学的コーティングは、第2の偏光成分を実質上全て反
射する一方、第1の偏光成分を実質上消失させるように
設計される。(例えば、R8!1;R,χ0.25)。
光学的コーティングは、第2の偏光成分を実質上全て反
射する一方、第1の偏光成分を実質上消失させるように
設計される。(例えば、R8!1;R,χ0.25)。
この結果、ビームスプリッタ/部分偏光子がレーザ光源
とファラデー回転効果ディスクの間に置かれると、第2
の偏光成分は全くプレートを通過せず、ファラデー効果
を受けた戻りビームの偏光軸の角度ズレが拡大され、強
度及び検出器信号の比がそれに応じて高められる。
とファラデー回転効果ディスクの間に置かれると、第2
の偏光成分は全くプレートを通過せず、ファラデー効果
を受けた戻りビームの偏光軸の角度ズレが拡大され、強
度及び検出器信号の比がそれに応じて高められる。
別の特徴において、本発明は入射直線偏光ビームをPと
S別々の偏光に分離する平形プレート偏光セパレ゛−夕
に関し、小さい選定角で配向された第1及び第2の光学
的に透明なプレートから成る。
S別々の偏光に分離する平形プレート偏光セパレ゛−夕
に関し、小さい選定角で配向された第1及び第2の光学
的に透明なプレートから成る。
各平形プレートは第1及び第2のはゾ平行な表面を有す
る。全偏光コーティングが第1プレートの第1面上に形
成され、該プレートとその第1面が入射光に対しブルー
スター角で配向されたとき、一方の偏光ビームは実質上
全反射され(R,:1)、他方は反射されずに第1プレ
ートを自由に通過する(RP:0)。第2プレートの第
1面は、第2プレートがブルースター角近くに配置され
たとき高い反射性となるコーティングを有する(R3=
1;Rp=1)、つまり、第1プレート上の全偏光コー
ティング、第2プレート上の高反射コーティング及び両
プレート間の角度配向の組合せ結果として、直線偏光入
射ビームが2つの直交する偏光成分ビームPとSへと偏
向される。
る。全偏光コーティングが第1プレートの第1面上に形
成され、該プレートとその第1面が入射光に対しブルー
スター角で配向されたとき、一方の偏光ビームは実質上
全反射され(R,:1)、他方は反射されずに第1プレ
ートを自由に通過する(RP:0)。第2プレートの第
1面は、第2プレートがブルースター角近くに配置され
たとき高い反射性となるコーティングを有する(R3=
1;Rp=1)、つまり、第1プレート上の全偏光コー
ティング、第2プレート上の高反射コーティング及び両
プレート間の角度配向の組合せ結果として、直線偏光入
射ビームが2つの直交する偏光成分ビームPとSへと偏
向される。
さらに別の特徴において、本発明は光学的読取系に関し
、平行化単色直線偏光ビームを生じる手段;偏光ビーム
の選択成分をターゲットに差し向け、ターゲットに入射
したビームから反射ビームを分離し、更にターゲットか
ら反射されたP及びS偏光の相対強度を選択的に高める
平形プレートビームプリッタ及び部分偏光子;直線偏光
の反射戻りビームを前記選択的に高められたP及びS偏
光に分離する平形プレート偏光セパレータ;及び前記選
択的に高められたP及びS偏光の別々の像を与える手段
;を含む。
、平行化単色直線偏光ビームを生じる手段;偏光ビーム
の選択成分をターゲットに差し向け、ターゲットに入射
したビームから反射ビームを分離し、更にターゲットか
ら反射されたP及びS偏光の相対強度を選択的に高める
平形プレートビームプリッタ及び部分偏光子;直線偏光
の反射戻りビームを前記選択的に高められたP及びS偏
光に分離する平形プレート偏光セパレータ;及び前記選
択的に高められたP及びS偏光の別々の像を与える手段
;を含む。
本発明の上記及びその他の特徴は、添付の図面を参照し
た以下の説明から明かとなろう。
た以下の説明から明かとなろう。
(実施例)
全 ・な磁気 学・読取系40
第5図は、本発明の平形プレート光学被覆部品を具備し
た磁気光学的読取系40の好ましい実施例の第1図と同
様な概略図である。ビーム源13は一般に、830nm
の波長を持つガリウムヒ素レーザ等通常の固体レーザで
、基本的に正確なポイント状単色光源である。ポイント
状光源13からの入射ビーム41はレンズ14によって
平行化され、平行ビーム42を平形プレート部品45に
与える。平形プレート部品45は、部分的に偏光するビ
ームスプリフタであるのが好ましい。これが部品45か
らの出力ビーム49Iから、ターゲット12からの戻り
ビーム49Rを分離する。部分偏光子は以下述べるよう
に、磁気光学的効果を高めるのに使われる。
た磁気光学的読取系40の好ましい実施例の第1図と同
様な概略図である。ビーム源13は一般に、830nm
の波長を持つガリウムヒ素レーザ等通常の固体レーザで
、基本的に正確なポイント状単色光源である。ポイント
状光源13からの入射ビーム41はレンズ14によって
平行化され、平行ビーム42を平形プレート部品45に
与える。平形プレート部品45は、部分的に偏光するビ
ームスプリフタであるのが好ましい。これが部品45か
らの出力ビーム49Iから、ターゲット12からの戻り
ビーム49Rを分離する。部分偏光子は以下述べるよう
に、磁気光学的効果を高めるのに使われる。
対物レンズ17が出力ビーム49Iを経路511に沿っ
て、媒体ディスクつまりターゲット12上の地点18に
集束する。また対物レンズ17は媒体ディスクつまりタ
ーゲット12からの反射ビーム51Rをビーム49Rに
再び平行化し、該ビーム49Rが平形プレート部品45
のビームスプリント作用によって経路52へと偏向され
る。偏向戻りビーム52はブルースターの角で偏向セパ
レータ55に差し向けられ、後で詳述するように偏向セ
パレータ55がビーム52を2つの直交する偏光S及び
P両成分ビーム63に分解する。配向は、中性の媒体状
態で両成分が等しくなるように整えられる。次いで、収
集つまり再像形成レンズ26が、P及びS偏光の別々の
像66.67を検出器27上に形成する。収集レンズは
自動焦点系の一部として、アスチグマチック(非点収差
補正)素子を有し得る。
て、媒体ディスクつまりターゲット12上の地点18に
集束する。また対物レンズ17は媒体ディスクつまりタ
ーゲット12からの反射ビーム51Rをビーム49Rに
再び平行化し、該ビーム49Rが平形プレート部品45
のビームスプリント作用によって経路52へと偏向され
る。偏向戻りビーム52はブルースターの角で偏向セパ
レータ55に差し向けられ、後で詳述するように偏向セ
パレータ55がビーム52を2つの直交する偏光S及び
P両成分ビーム63に分解する。配向は、中性の媒体状
態で両成分が等しくなるように整えられる。次いで、収
集つまり再像形成レンズ26が、P及びS偏光の別々の
像66.67を検出器27上に形成する。収集レンズは
自動焦点系の一部として、アスチグマチック(非点収差
補正)素子を有し得る。
ドリフトによって生じる検出器の出力変化を減じるため
、検出器はシングルチップの集積回路型の検出器アセン
ブリとして形成されるのが好ましい。また前述のように
、検出器アセンブリ27は一般に、S及びR偏光の強度
から得られた両信号を電子的に差し引く通常の電子回路
に接続されている。
、検出器はシングルチップの集積回路型の検出器アセン
ブリとして形成されるのが好ましい。また前述のように
、検出器アセンブリ27は一般に、S及びR偏光の強度
から得られた両信号を電子的に差し引く通常の電子回路
に接続されている。
部 子 びビームスプリッタ45
光学面とその上のコーティングとの識別を容易とするた
め、光学面に使われる参照番号(例えば48)は、対応
したコーティング識別番号XXC(48C)のための接
頭数値として用いる。
め、光学面に使われる参照番号(例えば48)は、対応
したコーティング識別番号XXC(48C)のための接
頭数値として用いる。
平形プレート部品、つまりビームスプリッタ及び部分偏
光子の組合せ素子45は、第1及び第2の実質上平行な
主面47.48を有するBK7等の高品質光学ガラス製
である薄いプレー1−46から成るのが好ましい。平行
ビーム42が、被覆されてない第1面47上に入射する
。このため、プレート46及びその第1面が入射ビーム
42に対し56.5°の角度で配向されると、直線偏光
ビーム42の偏光成分の反射率はRp=0となる。つま
り、P偏光がビーム49Iとしてプレートを透過する。
光子の組合せ素子45は、第1及び第2の実質上平行な
主面47.48を有するBK7等の高品質光学ガラス製
である薄いプレー1−46から成るのが好ましい。平行
ビーム42が、被覆されてない第1面47上に入射する
。このため、プレート46及びその第1面が入射ビーム
42に対し56.5°の角度で配向されると、直線偏光
ビーム42の偏光成分の反射率はRp=0となる。つま
り、P偏光がビーム49Iとしてプレートを透過する。
第2面48にはターゲット12からの戻りビーム49R
について、P偏光が消失されS偏光が全反射されるよう
に部分偏光するコーティング48Cが施されている。(
例えばR,!0.25、Rs ユ1゜)すなわち、部分
偏光コーティング48は戻りビームを入射ビーム経路か
ら分離するだけでなく、戻りビームを部分的に偏光する
。
について、P偏光が消失されS偏光が全反射されるよう
に部分偏光するコーティング48Cが施されている。(
例えばR,!0.25、Rs ユ1゜)すなわち、部分
偏光コーティング48は戻りビームを入射ビーム経路か
ら分離するだけでなく、戻りビームを部分的に偏光する
。
ビームスブリットだけが所望の場合、つまり部分偏光が
不所望か不必要の場合には、P及びS偏光両方に対する
反射性が等しい(R3!0.5、Rp=o、5)コーテ
ィング48Cを用いる。
不所望か不必要の場合には、P及びS偏光両方に対する
反射性が等しい(R3!0.5、Rp=o、5)コーテ
ィング48Cを用いる。
部\偏 子45の効果
前述したように、平形プレートビームスプリッタ/部分
偏光子素子45は、P偏光を透過する非被覆の第1主面
47を有する平形プレート46で形成される。反対側の
面48Cは、反射ビームのS偏光を実質上消失させずに
元のP偏光を消失させる部分偏光コーティングで被覆さ
れている。
偏光子素子45は、P偏光を透過する非被覆の第1主面
47を有する平形プレート46で形成される。反対側の
面48Cは、反射ビームのS偏光を実質上消失させずに
元のP偏光を消失させる部分偏光コーティングで被覆さ
れている。
次に主に第6図を参照すれば、ターゲット12に入射す
る偏光ビーム51!は、図中同じ<511で示した強度
を有する。ビームがターゲットでファラデー回転を受け
ないと、戻りビーム51Rの偏向の向きは実質上同じで
ある。この結果第2図にも示したように、戻りビームを
初めの偏光の向きに対して45°の2つの直交する直線
偏光ビームに分解すれば、P及びS偏光の各強度28.
29は実質上等しい。
る偏光ビーム51!は、図中同じ<511で示した強度
を有する。ビームがターゲットでファラデー回転を受け
ないと、戻りビーム51Rの偏向の向きは実質上同じで
ある。この結果第2図にも示したように、戻りビームを
初めの偏光の向きに対して45°の2つの直交する直線
偏光ビームに分解すれば、P及びS偏光の各強度28.
29は実質上等しい。
一方、透過ビーム511がターゲット12でファラデー
回転を受けると、その偏光は小さい角度αだけシフトさ
れる。見易くするため、角度αは大きく誇張して示しで
ある。偏光シフトの実際の角度は0.1°〜1°のオー
ダである。この結果第3図にも示すように、Sの強度2
8はPの強度29より1.3倍大きい。つまり、強度比
A/Bは約1.30である。
回転を受けると、その偏光は小さい角度αだけシフトさ
れる。見易くするため、角度αは大きく誇張して示しで
ある。偏光シフトの実際の角度は0.1°〜1°のオー
ダである。この結果第3図にも示すように、Sの強度2
8はPの強度29より1.3倍大きい。つまり、強度比
A/Bは約1.30である。
第7図は、部分偏光コーティング48C(第5図)の効
果を示すS及びP両偏光の強度の概略図である。例示と
して、R3!4R,となるようにコーティング48Cの
光学的性質が選ばれているものとする。戻りビーム51
Rは、角度αだけ回転された偏光を有する。P成分の反
射率はS成分の反射率よりはるかに小さいので、得られ
る実効偏光51RPの振巾は前より(部分偏光子の前の
反射後における51Rの場合より)小さくなる。
果を示すS及びP両偏光の強度の概略図である。例示と
して、R3!4R,となるようにコーティング48Cの
光学的性質が選ばれているものとする。戻りビーム51
Rは、角度αだけ回転された偏光を有する。P成分の反
射率はS成分の反射率よりはるかに小さいので、得られ
る実効偏光51RPの振巾は前より(部分偏光子の前の
反射後における51Rの場合より)小さくなる。
しかし、偏向角つまり偏光軸αははるかに大きい。
αの増加は、S及びP両偏光強度の比A/Bを約1.3
(第6図)から、ビームが元の偏光軸に対して45°の
2つの直交する偏光成分に分解されたときの約3.1へ
と増大する。この部分偏光によって得られる偏光強度比
の上昇は、系の検出感度を高める。何故なら、強度A/
Bは実質上S及びP検出器66.67 (第5図)に対
応した検出器の信号比だからである。要するに、S及び
P偏光のエネルギーつまり振巾は減少されるが、角度の
ずれと検出感度は大巾に高まる。
(第6図)から、ビームが元の偏光軸に対して45°の
2つの直交する偏光成分に分解されたときの約3.1へ
と増大する。この部分偏光によって得られる偏光強度比
の上昇は、系の検出感度を高める。何故なら、強度A/
Bは実質上S及びP検出器66.67 (第5図)に対
応した検出器の信号比だからである。要するに、S及び
P偏光のエネルギーつまり振巾は減少されるが、角度の
ずれと検出感度は大巾に高まる。
上記の光学的被覆を施した平形プレート部分偏光ビーム
スプリフタは、プリズムによる部分偏光ビームスプリフ
タと比べ、受光面のコーティングまたは次の光学素子と
のマツチングを必要としないという利点を有する。さら
に、平形プレート部品は製造及び被覆するのが安価であ
る。例えば、平形プレートは大きいシートの形で形成被
覆した後、多数の個々の平形プレート部品45に切断す
ることができる。この平形プレート部品を首尾よ(使用
するには、長期間にわたり安定で且つ水分や温度の変化
によって影響されない後述の部分偏光コーティングを必
要とする。
スプリフタは、プリズムによる部分偏光ビームスプリフ
タと比べ、受光面のコーティングまたは次の光学素子と
のマツチングを必要としないという利点を有する。さら
に、平形プレート部品は製造及び被覆するのが安価であ
る。例えば、平形プレートは大きいシートの形で形成被
覆した後、多数の個々の平形プレート部品45に切断す
ることができる。この平形プレート部品を首尾よ(使用
するには、長期間にわたり安定で且つ水分や温度の変化
によって影響されない後述の部分偏光コーティングを必
要とする。
偏 セパレータ55
第8図を参照すれば、平形プレート偏光セパレータ55
は第1及び第2の平形プレート56.57で形成されて
いる。これら両プレートは一端で直接一体状に接合され
る一方、他端ではロンドまたはワイヤ68に接合され、
例えば0.6°の角度配向を与える。
は第1及び第2の平形プレート56.57で形成されて
いる。これら両プレートは一端で直接一体状に接合され
る一方、他端ではロンドまたはワイヤ68に接合され、
例えば0.6°の角度配向を与える。
次に、入射光ビームと遭遇するプレート面について検討
する。第1プレート56の第1面58は、S偏光が実質
上反射され、P偏光が同プレートを横切るように、全偏
光コーティング58Cを含む(Rp=O1Rs!1)、
第1プレートの第2面59は、実質上反射が生じず、P
偏光が第2プレート57の第1面61へ差し向けられる
ように被覆されていない(RPユO)。
する。第1プレート56の第1面58は、S偏光が実質
上反射され、P偏光が同プレートを横切るように、全偏
光コーティング58Cを含む(Rp=O1Rs!1)、
第1プレートの第2面59は、実質上反射が生じず、P
偏光が第2プレート57の第1面61へ差し向けられる
ように被覆されていない(RPユO)。
第1面61はその上に形成された高い反射コーティング
61C(RP=.R,=1)を有し、P偏光は第1プレ
ート57で反射され、S偏光に対し両プレート間の角度
分離の約2倍に等しい角度で、第1プレート56を通っ
て戻される。例示として、S及びP間の開きは約1.2
°である。その後、第5図に関連して説明したように、
再像形成つまり収集レンズ26が、検知器アセンブリ2
7上の各焦点66.67にS及びP偏光の別々の像をそ
れぞれ形成する。 ・ 平形プレートビームスプリフタ/部分偏光子部品45と
同じく、平形プレート偏光セパレータ55は、製造、被
覆及び組立が安価で、AR(反射防止)コーティングや
受光面でのマツチングを必要としないという潜在的利点
を有する。また、この平形プレート部品を首尾よく使用
するには、対応したコーティングには安定性の他、特別
の光学的性質(この場合コーティング58Cでの全偏光
とコーティング61Gでの高反射)を必要とする。
61C(RP=.R,=1)を有し、P偏光は第1プレ
ート57で反射され、S偏光に対し両プレート間の角度
分離の約2倍に等しい角度で、第1プレート56を通っ
て戻される。例示として、S及びP間の開きは約1.2
°である。その後、第5図に関連して説明したように、
再像形成つまり収集レンズ26が、検知器アセンブリ2
7上の各焦点66.67にS及びP偏光の別々の像をそ
れぞれ形成する。 ・ 平形プレートビームスプリフタ/部分偏光子部品45と
同じく、平形プレート偏光セパレータ55は、製造、被
覆及び組立が安価で、AR(反射防止)コーティングや
受光面でのマツチングを必要としないという潜在的利点
を有する。また、この平形プレート部品を首尾よく使用
するには、対応したコーティングには安定性の他、特別
の光学的性質(この場合コーティング58Cでの全偏光
とコーティング61Gでの高反射)を必要とする。
現時点で好ましい実施例において、全偏光コーティング
58Cと高反射コーティング61Cは、高い及び低い反
射率と必要な安定性を有する物質の交互に重ねられた薄
層から成る。つまり、これらのコーティングが平形プレ
ート部分偏光ビームスプリフタの好首尾な構造と使用を
可能とする。
58Cと高反射コーティング61Cは、高い及び低い反
射率と必要な安定性を有する物質の交互に重ねられた薄
層から成る。つまり、これらのコーティングが平形プレ
ート部分偏光ビームスプリフタの好首尾な構造と使用を
可能とする。
一つの適切な高屈折率物質は、2.35の屈折率nを有
する二酸化チタン(TiOz)である。一つの適切な低
屈折率物質は、n = 1.45の二酸化シリコン(S
iO□)である。
する二酸化チタン(TiOz)である。一つの適切な低
屈折率物質は、n = 1.45の二酸化シリコン(S
iO□)である。
例えば、入射角56.5°でRr=O1R,=1.0の
反射率を持つ全偏光コーティング58Cは、次の複合層
から構成できるニガラス、0.43 Hl(0,97L
、 0.86 H)’、(.,03L 、 0.91
H)7、(0,97L、 0.86 H)”、0.97
L、0.43 H1空気。この例では、27の薄層が
真空蒸着法によってガラス表面58上に形成される。上
述の表記において、3.7及び2等の添字は、対応した
カッコ内の層シーケンスがそれぞれ3回、7回及び2回
繰り返されることを意味する。文字り、Hを伴なう数値
は、それぞれ作動波長における高及び低屈折率物質の1
/4波長等価厚を表わす。つまり、0.43 Hまたは
0.97 L等の各層の識別は、それが高(H)または
低(L)屈折率の物質で、1/4波長等価厚に対して各
数値の厚さであることを示している。
反射率を持つ全偏光コーティング58Cは、次の複合層
から構成できるニガラス、0.43 Hl(0,97L
、 0.86 H)’、(.,03L 、 0.91
H)7、(0,97L、 0.86 H)”、0.97
L、0.43 H1空気。この例では、27の薄層が
真空蒸着法によってガラス表面58上に形成される。上
述の表記において、3.7及び2等の添字は、対応した
カッコ内の層シーケンスがそれぞれ3回、7回及び2回
繰り返されることを意味する。文字り、Hを伴なう数値
は、それぞれ作動波長における高及び低屈折率物質の1
/4波長等価厚を表わす。つまり、0.43 Hまたは
0.97 L等の各層の識別は、それが高(H)または
低(L)屈折率の物質で、1/4波長等価厚に対して各
数値の厚さであることを示している。
例えば層0.43 Hはn=2.35の比較的高い屈折
率物質つまり二酸化チタン(TiOz)である。
率物質つまり二酸化チタン(TiOz)である。
作業波長が例えば830nmの場合、H=(830nm
/2.35) (1/ 4) =88.29nmとな
る。つまり、層厚は0.43 Hユ0.43 (88,
29)Σ38nmである。要するに、ガラスと隣接する
層は、約38nmの厚さに形成された高屈折率物質の二
酸化チタンである。
/2.35) (1/ 4) =88.29nmとな
る。つまり、層厚は0.43 Hユ0.43 (88,
29)Σ38nmである。要するに、ガラスと隣接する
層は、約38nmの厚さに形成された高屈折率物質の二
酸化チタンである。
こ−で使われている更に別の表記を見れば、ガラスから
の第2層0.97 Lは、厚さ139nmの(0,97
L=0.97 (830/1.45)(1/4)=1
38.8)比較的低い屈折率物質つまり二酸化シリコン
から成る。
の第2層0.97 Lは、厚さ139nmの(0,97
L=0.97 (830/1.45)(1/4)=1
38.8)比較的低い屈折率物質つまり二酸化シリコン
から成る。
第3層は、厚さ76n1M(0,86H=0.86(8
30/2.35)(1/4)=75.9)の比較的高い
屈折率物質つまり二酸化チタン(T i O□)である
。勿論、他の各層の厚さも同様に計算される。
30/2.35)(1/4)=75.9)の比較的高い
屈折率物質つまり二酸化チタン(T i O□)である
。勿論、他の各層の厚さも同様に計算される。
2、 射コーティング61C
入射角56.5°でR,=1.0、R,ユ1.0の反射
率を持つ高反射面コーティング61Cは、例えば次のよ
うな積層設計とし得るニガラス、(.07H,.21L
) ”、空気。
率を持つ高反射面コーティング61Cは、例えば次のよ
うな積層設計とし得るニガラス、(.07H,.21L
) ”、空気。
3、部 ビームスプリッタコーティング48C上述
の表記法を用いれば、入射角56.5°で例えばRPP
O225、R3ユ1.0の反射率を有する部分偏光面4
8Cは次のような積層設計とし得るニガラス、0.96
H,.67L、 1.51 H,.46L、1.05
H,.05L、0.80H,0,8OL。
の表記法を用いれば、入射角56.5°で例えばRPP
O225、R3ユ1.0の反射率を有する部分偏光面4
8Cは次のような積層設計とし得るニガラス、0.96
H,.67L、 1.51 H,.46L、1.05
H,.05L、0.80H,0,8OL。
0.72 H,0,91L、 0.90 H,空気。こ
\でも、高い及び低い屈折率の物質の交互に重ねられた
薄層(例では11層)から成る複合コーティングと必要
な安定性を有する物質の使用とが、前述した利点を与え
る平形プレート部分偏光ビームスプリッタ成分の好首尾
な構造及び使用を可能とする。
\でも、高い及び低い屈折率の物質の交互に重ねられた
薄層(例では11層)から成る複合コーティングと必要
な安定性を有する物質の使用とが、前述した利点を与え
る平形プレート部分偏光ビームスプリッタ成分の好首尾
な構造及び使用を可能とする。
上述したコーティングの設計は例示に過ぎず、異なる物
質の異なる設計のコーティングでも同一または同様の結
果を生じることが理解されるべきである。当業者であれ
ば、所望の屈折率に基づき、複合コーティングを最適化
するための標準的アルゴリズムを用いて、上記及びその
他の等価である多層複合光学的コーティングを容易に考
えられるであろう。
質の異なる設計のコーティングでも同一または同様の結
果を生じることが理解されるべきである。当業者であれ
ば、所望の屈折率に基づき、複合コーティングを最適化
するための標準的アルゴリズムを用いて、上記及びその
他の等価である多層複合光学的コーティングを容易に考
えられるであろう。
第9図は、別のクサビ形プレート偏光セパレータ75を
示している。クサビ形プレートの実施例は、所望の小さ
い角度を成すように配置された2つの対向主面78.8
1を有するクサビ状の光学的に透明なガラス体76から
成る。前面78が、前記のコーティング58Cと同じ全
偏光コーティング78Cを備える。また背面81が、前
記のコーティング61Cと同じ高反射コーティング81
Cを備える。クサビ形プレート偏光セパレータ75はプ
リズムによる偏光セパレータと比べ、受光面のコーティ
ングまたはマツチングを必要とせず、組立を必要とせず
、しかも製造コストが割安という利点を有する。尚、ク
サビ形プレート偏光セパレータは平形プレート偏光セパ
レータ55より製造及び被覆するのが割高である(クサ
ビ状ガラス体76を個々に被覆しなければならないため
)。
示している。クサビ形プレートの実施例は、所望の小さ
い角度を成すように配置された2つの対向主面78.8
1を有するクサビ状の光学的に透明なガラス体76から
成る。前面78が、前記のコーティング58Cと同じ全
偏光コーティング78Cを備える。また背面81が、前
記のコーティング61Cと同じ高反射コーティング81
Cを備える。クサビ形プレート偏光セパレータ75はプ
リズムによる偏光セパレータと比べ、受光面のコーティ
ングまたはマツチングを必要とせず、組立を必要とせず
、しかも製造コストが割安という利点を有する。尚、ク
サビ形プレート偏光セパレータは平形プレート偏光セパ
レータ55より製造及び被覆するのが割高である(クサ
ビ状ガラス体76を個々に被覆しなければならないため
)。
(発明の効果)
要するに、上述した部分偏光、全偏光及び高反射の各コ
ーティングによって与えられる所望の特別な光学的特性
と安定性が、プリズム部品よりも好ましい前記の平形プ
レートビームスプリッタ/部分偏光子45及び平形プレ
ート偏光セパレータ55という解決策を可能とした。
ーティングによって与えられる所望の特別な光学的特性
と安定性が、プリズム部品よりも好ましい前記の平形プ
レートビームスプリッタ/部分偏光子45及び平形プレ
ート偏光セパレータ55という解決策を可能とした。
第1図は磁気光学的ディスクを読み取る光学系の概略図
;第2及び3図はファラデー回転の結果が反射ビームの
直交する偏光成分に及ぼす影響を概略的に示す;第4図
はウラストンプリズムの構造と光学的機能を示す;第5
図は平形プレートビームスプリッタ/部分偏光子及び平
形プレート偏光セパレータを具備した磁気光学的ディス
クを読み取る光学系の概略図;第6図は偏光セパレータ
によって分解される偏光成分の強度を示す;第7図は部
分偏光子での反射後偏光セパレータによって分解される
偏光成分の強度を示す;第8図は第5図に示した型のや
\拡大した平形プレート偏光セパレータを示す;及び第
9図は別のクサビ形プレート偏光セパレータを示す。 10・・・・・・光学的読取系、 12・・・・・・タ
ーゲット、45・・・・・・ビームスプリッタ及び部分
偏光子、46・・・・・・平形ガラスプレート、47.
48・・・・・・第1及び第2主面、48C・・・・・
・部分偏光コーティング、55・・・・・・偏光セパレ
ータ、 56.57・・・・・・第1及び第2プレート、58・
・・・・・第1プレートの第1面、58C・・・・・・
全偏光コーティング、61・・・・・・第2プレートの
第1面、61G・・・・・・高反射コーティング。
;第2及び3図はファラデー回転の結果が反射ビームの
直交する偏光成分に及ぼす影響を概略的に示す;第4図
はウラストンプリズムの構造と光学的機能を示す;第5
図は平形プレートビームスプリッタ/部分偏光子及び平
形プレート偏光セパレータを具備した磁気光学的ディス
クを読み取る光学系の概略図;第6図は偏光セパレータ
によって分解される偏光成分の強度を示す;第7図は部
分偏光子での反射後偏光セパレータによって分解される
偏光成分の強度を示す;第8図は第5図に示した型のや
\拡大した平形プレート偏光セパレータを示す;及び第
9図は別のクサビ形プレート偏光セパレータを示す。 10・・・・・・光学的読取系、 12・・・・・・タ
ーゲット、45・・・・・・ビームスプリッタ及び部分
偏光子、46・・・・・・平形ガラスプレート、47.
48・・・・・・第1及び第2主面、48C・・・・・
・部分偏光コーティング、55・・・・・・偏光セパレ
ータ、 56.57・・・・・・第1及び第2プレート、58・
・・・・・第1プレートの第1面、58C・・・・・・
全偏光コーティング、61・・・・・・第2プレートの
第1面、61G・・・・・・高反射コーティング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、直線偏光ビーム中の選択された偏光成分をターゲッ
トに差し向け、該ターゲットに差し向けられたビームか
らターゲットによる反射光を反射分離するビームスプリ
ッタ;前記ターゲットから反射される2つの直交する偏
光成分の相対的強度を選択的に高める部分偏光子;直線
偏光の反射ビームを前記選択的に高められた偏光成分に
分離する偏光セパレータ;及び前記選択的に高められた
偏光成分の相対的強度を求める手段;を含む光学的読取
系において: 前記ビームスプリッタ及び部分偏光子が;第1及び第2
の対向主面を有する平形の、光学的に透明なガラスプレ
ートから成り;前記第1面が第1の選択偏光成分を選択
的に通すように被覆されていず、前記第2面が第2の偏
光成分を実質上消失させずに反射し且つ第1偏光成分を
選択的に消失させて反射する部分偏光コーティングを有
する;更に 前記偏光セパレータが;選定角度を成して配向された第
1及び第2の平形プレートから成り;該第1及び第2プ
レートの各々が、入射する直線偏光反射ビームの方向に
沿った第1及び第2の対向主面を有し;前記第1プレー
トの第1面が第2偏光成分を反射して第1偏光成分を透
過する全偏光コーティングを有し、前記第1プレートが
直線偏光反射ビームに対してブルースター角で配向され
:前記第2プレートの第1面が第1偏光成分を第1プレ
ートを通って戻るように反射し、第1及び第2偏光成分
の分離した分散ビームを与える高反射コーティングを有
する;ことを特徴とする光学的読取系。 2、前記部分偏光コーティングが薄層の複合物から成り
、該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中か
ら選ばれ、前記第2偏光成分を実質上消失させずに反射
し且つ前記第1偏光成分を選択的に消失させて反射する
物質からなる特許請求の範囲第1項の光学的読取系。 3、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、前
記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特許
請求の範囲第2項の光学的読取系。 4、前記部分偏光コーティングが、前記第2ガラス面か
ら順番に0.96H、1.67L、1.51H、1.4
6L、1.05H、1.05L、0.80H、0.80
L、0.72H、0.91L、0.90Hから成り、約
56.5°の入射角で前記第2偏光成分に対し約1の反
射率、前記第1偏光成分に対し約0.25の反射率を与
える11層を有し;前記L及びHがそれぞれ直線偏光ビ
ームの選定波長における二酸化チタン及び二酸化シリコ
ンの1/4波長等価厚である;特許請求の範囲第3項の
光学的読取系。 5、前記全偏光コーティングが薄層の複合物から成り、
該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中から
選ばれ、前記第2偏光成分を反射し且つ前記第1偏光成
分を透過する物質からなる特許請求の範囲第1項の光学
的読取系。 6、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、前
記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特許
請求の範囲第5項の光学的読取系。 7、前記全偏光コーティングが、前記第1プレートの第
1面から順番に;0.43H;各々の2重層が(0.9
7L、0.86H)から成る一連の3回繰り返される2
重層;各々の2重層が(1.03L、0.91H)から
成る一連の7回繰り返される2重層;各々の2重層が(
0.97L、0.86H)から成る一連の2回繰り返さ
れる2重層:0.97L:0.43Hから成り、前記第
2偏光成分に対し約1の反射率、前記第1偏光成分に対
し約0の反射率を与える25層を有し;前記L及びHが
それぞれ直線偏光ビームの選定波長における二酸化チタ
ン及び二酸化シリコンの1/4波長等価厚である;特許
請求の範囲第6項の光学的読取系。 8、前記高反射コーティングが薄層の複合物から成り、
該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中から
選ばれ、前記第1偏光成分を反射する物質からなる特許
請求の範囲第1項の光学的読取系。 9、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、前
記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特許
請求の範囲第8項の光学的読取系。 10、前記高反射コーティングが、各々の2重層が前記
第2プレートの第1面から順番に(1.07H、1.2
1L)から成り、約56.5°の入射角で前記第1及び
第2両偏光成分に対し約1の反射率を与える10回繰り
返される一連の2重層で構成され;前記L及びHがそれ
ぞれ直線偏光ビームの選定波長における二酸化チタン及
び二酸化シリコンの1/4波長等価厚である;特許請求
の範囲第9項の光学的読取系。 11、第1及び第2の対向主面を有する平形の、光学的
に透明なガラスプレートから成り;前記第1面が第1の
選択偏光成分を選択的に通すように被覆されていず、前
記第2面が第2の偏光成分を実質上消失させずに反射し
且つ第1偏光成分を選択的に消失させて反射する部分偏
光コーティングを有する;平形プレートの組合せビーム
スプリッタ及び部分偏光子。 12、前記部分偏光コーティングが薄層の複合物から成
り、該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中
から選ばれ、前記第2偏光成分を実質上消失させずに反
射し且つ前記第1偏光成分を選択的に消失させて反射す
る物質からなる特許請求の範囲第11項の組合せビーム
スプリッタ及び部分偏光子。 13、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、
前記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特
許請求の範囲第12項の組合せビームスプリッタ及び部
分偏光子。14、前記部分偏光コーティングが、前記第
2ガラス面から順番に0.96H、1.67L、1.5
1H、1.46L、1.05H、1.05L、0.80
H、0.80L、0.72H、0.91L、0.90H
から成り、約56.5°の入射角で前記第2偏光成分に
対し約1の反射率、前記第1偏光成分に対し約0.25
の反射率を与える11層を有し;前記L及びHがれぞれ
直線偏光ビームの選定波長における二酸化チタン及び二
酸化シリコンの1/4波長等価厚である;特許請求の範
囲第13項の組合せビームスプリッタ及び部分偏光子。 15、選定角度を成して配向された第1及び第2の平形
プレートから成り;該第1及び第2プレートの各々が、
入射する直線偏光反射ビームの方向に沿った第1及び第
2の対向主面を有し;前記第1プレートの第1面が第1
の偏光成分を反射して第2の直交偏光成分を透過する全
偏光コーティングを有し、前記第1プレートが直線偏光
反射ビームに対してブルースター角で配向され;前記第
2プレートの第1面が第2偏光成分を第1プレートを通
って戻るように反射し、第1及び第2偏光成分の分離し
た分散ビームを与える高反射コーティングを有する;平
形プレート偏光セパレータ。 16、前記全偏光コーティングが薄層の複合物から成り
、該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中か
ら選ばれ、第2偏光成分を反射し且つ前記第1偏光成分
を透過する物質からなる特許請求の範囲第15項の平形
プレート偏光セパレータ。 17、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、
前記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特
許請求の範囲第16項の平形プレート偏光セパレータ。 18、前記全偏光コーティングが、前記第1プレートの
第1面から順番に:0.43H;各々の2重層が(0.
97L、0.86H)から成る一連の3回繰り返される
2重層;各々の2重層が(1.03L、0.91H)か
ら成る一連の7回繰り返される2重層;各々の2重層が
(0.97L、0.86H)から成る一連の2回繰り返
される2重層;0.97L;0.43Hから成り、前記
第2偏光成分に対し約1の反射率、前記第1偏光成分に
対し約0の反射率を与える25層を有し;前記L及びH
がそれぞれ直線偏光ビームの選定波長における二酸化チ
タン及び二酸化シリコンの1/4波長等価厚である;特
許請求の範囲第17項の平形プレート偏光セパレータ。 19、前記高反射コーティングが薄層の複合物から成り
、該各層が比較的高い及び低い屈折率を持つ物質の中か
ら選ばれ、前記第1偏光成分を反射する物質からなる特
許請求の範囲第15項の平形プレート偏光セパレータ。 20、前記比較的高い屈折率の物質が二酸化チタンで、
前記比較的低い屈折率の物質が二酸化シリコンである特
許請求の範囲第19項の平形プレート偏光セパレータ。 21、前記高反射コーティングが、各々の2重層が前記
第2プレートの第1面から順番に(1.07H、1.2
1L)から成り、約56.5°の入射角で前記第1及び
第2両偏光成分に対し約1の反射率を与える10回繰り
返される一連の2重層で構成され;前記L及びHがそれ
ぞれ直線偏光ビームの選定波長における二酸化チタン及
び二酸化シリコンの1/4波長等価厚である;特許請求
の範囲第20項の平形プレート偏光セパレータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US89660186A | 1986-08-14 | 1986-08-14 | |
| US896601 | 1986-08-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353731A true JPS6353731A (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=25406484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62202999A Pending JPS6353731A (ja) | 1986-08-14 | 1987-08-14 | 光学ディスク読取装置用光学系及び部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0256685A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6353731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228232A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| TWI678562B (zh) * | 2017-12-13 | 2019-12-01 | 荷蘭商Asml控股公司 | 光學裝置、微影裝置及稜鏡系統 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877047A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 磁気光学ヘツド |
| JPS59171056A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 磁気光学再生装置 |
| JPS61261837A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Toshiba Corp | 消去可能な光ヘツド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3378140D1 (en) * | 1982-07-14 | 1988-11-03 | Fujitsu Ltd | Polarizing elements |
| JPS61104348A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 光磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-07-22 EP EP87306489A patent/EP0256685A3/en not_active Withdrawn
- 1987-08-14 JP JP62202999A patent/JPS6353731A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877047A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 磁気光学ヘツド |
| JPS59171056A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 磁気光学再生装置 |
| JPS61261837A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Toshiba Corp | 消去可能な光ヘツド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228232A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| TWI678562B (zh) * | 2017-12-13 | 2019-12-01 | 荷蘭商Asml控股公司 | 光學裝置、微影裝置及稜鏡系統 |
| US10747010B2 (en) | 2017-12-13 | 2020-08-18 | Asml Holding N.V. | Beam splitting prism systems |
| US11126007B2 (en) | 2017-12-13 | 2021-09-21 | Asml Holding N.V. | Beam splitting prism systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0256685A2 (en) | 1988-02-24 |
| EP0256685A3 (en) | 1988-11-30 |
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