JPS635527A - ドライエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体等の電子部品製造工程に用いるドライエ
ツチング装置に関するものである。

従来の技術 従来のドライエツチング装置は被エツチング物を載置す
る第１の電極とそれに対向して設置された第２の電極と
を有する真空容器内に反応ガスを導入し、両電極間に高
周波電力を印加してガスプラズマを発生しエツチングを
行なう構成となっていた。しかし、プラズマ密度を高め
エツチング速度を増大させるためには印加する高周波電
力を増加させなければならず、イオンエネルギーの上昇
による素子へのダメージを発生させる。

そこで近年、上記第１の電極と第２の電極の間に第３の
電極（以下中間電極と呼ぶ）を設けたドライエツチング
装置の開発が進められている。

第３図は従来の中間電極を有するドライエツチング装置
の一例の概略図である。第３図において１１は第１の電
極、１２は第２の電極、１３は第３の電極（中間電極）
、１４は被エツチング物であり、第１の電極１１と第３
の電極１３および第２の電極１２と第３の電極１３には
それぞれ高周波電源１５．１６が接続されている。以上
のように構成されたドライエツチング装置に反応ガスを
供給し高周波電力を印加する際、第１の電極１１に印加
する高周波電力が一定でも第２の電極１２に印加する高
周波電力を増大させることで、被・エツチング物１４の
エツチング速度を増加させることができる。これは第２
の電極１２と中間電極１３との間でプラズマ密度が増加
し、中間電極１３の小孔より被エツチング物側にプラズ
マが導出されるためである。素子へのダメージは第１の
電極１１に印加する高周波電力に起因するため、このよ
うに中間電極１３を設はプラズマ発生部とエツチング反
応部を分離することにより、イオンエネルギーを抑制し
た低ダメージのエツチングを行なうことができる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、プラズマ発生部か
らエツチング反応部に導出されるプラズマの割合が低く
、低ダメージでエツチング速度の向上をはかるためには
、第２の電極に大きな高周板電力を印加しなければなら
ない。しかし、大きな高周波電力をプラズマ反応部に印
加すると電極カマ゛スパッタリングされ被エツチング物
を汚染するという問題点を生じる。

本発明は上記問題点に鑑み、プラズマ発生部からエツチ
ング反応部に導出されるプラズマの割合を高め、被エツ
チング物を低ダメージで高速にエツチングすることを目
的とするものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のドライエツチング
装置は、中間電極にマグネットを設置するという構成を
備えたものである。

作　　　用 本発明は上記した構成によって、中間電極上に磁界を発
生させ電子をトラップし、反応ガスと電子との衝突頻度
を高めることができる。これによりプラズマ発生部から
エツチング反応部へ導出するプラズマの割合を向上させ
ることができる。

実施例 以下本発明の一実施例のドライエツチング装置について
図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例
におけるドライエツチング装置の概略図を示すものであ
る。第１図において１は第１の電極、２は第２の電極、
３は孔３ａを有する第３の電極（中間電極）でマグネッ
ト４が設けられている。５は被エツチング物で第１の電
極１に載置され、第１の電極１と第３の電極３問および
第２の電極２と第３の電極３にはそれぞれ高周波電源６
，７が接続されている。前記各電極１，２゜３は真空容
器内に配され、真空容器内には反応ガスが導入される。

以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作について説明する。

第２図は第３の電極３の孔３ａの部分の拡大図で本発明
の原理を示すものであろう第２図において８，９は第３
の電極に設けられたマグネット４のＮ極、Ｓ極を示して
いる。１ｏはマグネット４により発生する磁界を示して
いる。高周波電力の印加に伴い発生する電界Ｅとマグネ
ット４により発生する磁界Ｂにより第３の電極３の孔３
ａ近傍（図中・・・・・・０部）。電子がこのように第
３電極３の孔３ａ近傍でトラップされることにより、そ
こでの反応ガスと電子の衝突頻度が増え、プラズマ密度
が高まる。その結果、プラズマ発生部からエツチング反
応部に導出するイオン（図中→Ｏ部）が増大し、エツチ
ング反応部のプラズマ密度を高めるものである。

発明の効果 以上のように本発明は、中間電極にマグネットを設ける
ことにより、プラズマ発生部からエツチング反応部へ導
出するプラズマの割合を高め、低ダメージで高速なエツ
チングを可能たらしめるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるドライエツチング装置
の概略図、第２図は本発明の原理を示す図、第３図は従
来の中間電極を有するドライエツチング装置の概略図で
ある。 １・・・・・・第１の電極、２・・・・・・第２の電極
、３・・・・・・第３の電極、３ａ・・・・・・孔、４
・・・・・・マグネット、５・・・・・・被エツチング
物、７，８・・・・・・高周波電源。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被エッチング物を載置する第１の電極とそれに対
   向して設置された第２の電極と、上記第１の電極と第２
   の電極の中間に設けられた孔を有する第３の電極を有す
   る真空容器内に反応ガスを導入し、上記第１の電極と第
   ３の電極との間、および上記第２の電極と第３の電極と
   の間にそれぞれ高周波電力を印加し放電させ、発生した
   ガスプラズマにより上記被エッチング物の加工を行なう
   ドライエッチング装置において、上記第３の電極にマグ
   ネットを設置することを特徴とするドライエッチング装
   置。
2. （２）第３の電極とマグネットとを冷却する手段を備え
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライ
   エッチング装置。