JPH0456216A - 半導体加工装置 - Google Patents
半導体加工装置Info
- Publication number
- JPH0456216A JPH0456216A JP16800990A JP16800990A JPH0456216A JP H0456216 A JPH0456216 A JP H0456216A JP 16800990 A JP16800990 A JP 16800990A JP 16800990 A JP16800990 A JP 16800990A JP H0456216 A JPH0456216 A JP H0456216A
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- JP
- Japan
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- plasma
- mass separator
- quadrupole
- ions
- processing
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子サイク四トロン共鳴プラズマ（以下Ｅ
ＯＲプラズマと呼ぶ）を用いた半導体の加工装置に関す
るものである。
ＯＲプラズマと呼ぶ）を用いた半導体の加工装置に関す
るものである。
第２図は従来の半導体加工装置を示す。図において、ｌ
はマイクロ波電力、２はガス導入口、３は磁場発生用コ
イル、４はマイクロ波導入用石英窓、５はプラズマ、６
は放電室及び加工室、７は被加工物、８は加工用ステー
ジ、９は絶縁物、１０は排気口である。
はマイクロ波電力、２はガス導入口、３は磁場発生用コ
イル、４はマイクロ波導入用石英窓、５はプラズマ、６
は放電室及び加工室、７は被加工物、８は加工用ステー
ジ、９は絶縁物、１０は排気口である。
次に動作についてＭＱ＠する。放電室及び加工室６は、
排気口ｌＯを通して真空に排気される０次に、ガス導入
部２よりガスが導入され、放電室及び加工室６はＩ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ 〜Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに保
持される。
排気口ｌＯを通して真空に排気される０次に、ガス導入
部２よりガスが導入され、放電室及び加工室６はＩ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ 〜Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに保
持される。
次いで、石英窓４を通してマイクロ波電力ｌが印加され
ると同時に、磁場発生用コイル３により磁場が形成され
、これにより放電が開始され、プラズマ５が発生する。
ると同時に、磁場発生用コイル３により磁場が形成され
、これにより放電が開始され、プラズマ５が発生する。
このプラズマ５の中で生成された種々のイオンは、被加
工物７に到達し、被加工物を食刻加工する。
工物７に到達し、被加工物を食刻加工する。
従来の装置においては、プラズマ内で生成された種々の
イオンのすべてが被加工物へ到達し・食刻加工反応に関
与するが、しかし、すべての種類のイオンが食刻加工反
応に有効に作用するわけではない。
イオンのすべてが被加工物へ到達し・食刻加工反応に関
与するが、しかし、すべての種類のイオンが食刻加工反
応に有効に作用するわけではない。
例えば、ＯＦ４ガスを用いてシリコンの食刻加工を行な
う場合、プラズマ中にはＯＦ”＠ｓ ｏｙ：・０１〜０
＋Ｆ＋等の種々のイオンが発生する。これらのイオンの
うち、シリコンの加工に有効なイオンはｒだけであり、
他のイオンは加工反応ｙｊｔ１ｍ害する作用を有スル。
う場合、プラズマ中にはＯＦ”＠ｓ ｏｙ：・０１〜０
＋Ｆ＋等の種々のイオンが発生する。これらのイオンの
うち、シリコンの加工に有効なイオンはｒだけであり、
他のイオンは加工反応ｙｊｔ１ｍ害する作用を有スル。
従っテ、ＣＦ４ガスを用いてのシリコンの加工はその加
工速度が極めて低くなる。
工速度が極めて低くなる。
以上の例のように、プラズマ中のすべてのイオンが加工
反応に関与するために、従来型の装置においては加工反
応の制御が難しいという問題があった〇 この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、従来型に比較して加工反応の制御性が向上
した装置を得ることを目的とす、る。
反応に関与するために、従来型の装置においては加工反
応の制御が難しいという問題があった〇 この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、従来型に比較して加工反応の制御性が向上
した装置を得ることを目的とす、る。
この発明に係る半導体加工装置は、放１２と加工室の間
に、四・重接型質量分離器を多数組合せた四重極型質量
分離器群を有する簿造になされているＯ 〔作用〕 この発明における半導体加工装置では、族１１Ｌ室内で
発生したプラズマ中の種々のイオンは、四重極型質量分
離器群へと拡散していく。ここで、四重極型質量分離器
群は、特定のイオンのみが通過できるように状態が設定
されており、これにより特定のイオンのみがこの四重極
型質量分離器群を通過し、被加工物へ到達し、加工反応
を引き起こす。
に、四・重接型質量分離器を多数組合せた四重極型質量
分離器群を有する簿造になされているＯ 〔作用〕 この発明における半導体加工装置では、族１１Ｌ室内で
発生したプラズマ中の種々のイオンは、四重極型質量分
離器群へと拡散していく。ここで、四重極型質量分離器
群は、特定のイオンのみが通過できるように状態が設定
されており、これにより特定のイオンのみがこの四重極
型質量分離器群を通過し、被加工物へ到達し、加工反応
を引き起こす。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図イにおいて、１１は四重極型質量分離器群、認は質量
分離されたイオン流であり、その他はＭ２Ｄのものと同
様である。
図イにおいて、１１は四重極型質量分離器群、認は質量
分離されたイオン流であり、その他はＭ２Ｄのものと同
様である。
第１図口は四重極型質量分離器群Ｈの詳細図であり、じ
は単体の四重模型質量分離器である。
は単体の四重模型質量分離器である。
第１図ハはさらに、単体の四重極型質量分離器肪の詳細
図である。
図である。
このようなものにおいて、放電及び加工室６は排気口１
０より真空に排気される。次にガス導入口２よりガスが
導入され、放電室及び加工室６は、ｌ×１０〜ｌ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒに保持される。次いで、石英窓４を通し
てマイクロ波電力１が印加されると同時に、磁場発生用
コイル３により磁場が形成され、これにより放電が開始
され、プラズマ５が発生する。このプラズマ５の中で生
成された種々のイオンは、四重極型質量分離器群Ｕへ拡
散していく。
０より真空に排気される。次にガス導入口２よりガスが
導入され、放電室及び加工室６は、ｌ×１０〜ｌ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒに保持される。次いで、石英窓４を通し
てマイクロ波電力１が印加されると同時に、磁場発生用
コイル３により磁場が形成され、これにより放電が開始
され、プラズマ５が発生する。このプラズマ５の中で生
成された種々のイオンは、四重極型質量分離器群Ｕへ拡
散していく。
この時、四重極型質量分離器群Ｈの各四重極型質量分離
器口には、特定のイオンのみが通過できるように、四重
極には±（Ｕ＋ＶＣｍ Ｗｔ）なる電圧が印加されてい
る。これにより、特定のイオンのみがこの四重極型質量
分離器群■を通過し、質量分離されたイオン流認となり
被加工物７へ到達し、加工反応を引き起す。
器口には、特定のイオンのみが通過できるように、四重
極には±（Ｕ＋ＶＣｍ Ｗｔ）なる電圧が印加されてい
る。これにより、特定のイオンのみがこの四重極型質量
分離器群■を通過し、質量分離されたイオン流認となり
被加工物７へ到達し、加工反応を引き起す。
以上のように、この発明によれば、プラズマ中の種々の
イオンの中から加工反応に最も適したイオンのみを選択
し、被加工物である半導体へ照射できるので・加工反応
の制御性が向上し、その加工効率も向上するという効果
がある。
イオンの中から加工反応に最も適したイオンのみを選択
し、被加工物である半導体へ照射できるので・加工反応
の制御性が向上し、その加工効率も向上するという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すもので・イはその断
面図、口は四重極型質量分離器群を示す斜視図、八は四
重模型質量分離器を示す斜視図・第２図は従来の半導体
加工装置の断面図である。 図中、１はマイクロ波電力、２はガス導入口、３は磁場
発生用コイル、４はマイクロ波導入用石英窓、５はプラ
ズマ、６は放を室及び加工室、７は被加工物、８は加工
用ステージ、９は絶縁物、ｌＯは排気口、１１は四重極
型質量分離器群、Ｌはイオン流、Ｂは四重模型質量分離
器である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、口は四重極型質量分離器群を示す斜視図、八は四
重模型質量分離器を示す斜視図・第２図は従来の半導体
加工装置の断面図である。 図中、１はマイクロ波電力、２はガス導入口、３は磁場
発生用コイル、４はマイクロ波導入用石英窓、５はプラ
ズマ、６は放を室及び加工室、７は被加工物、８は加工
用ステージ、９は絶縁物、ｌＯは排気口、１１は四重極
型質量分離器群、Ｌはイオン流、Ｂは四重模型質量分離
器である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いた半導体加工
装置において、プラズマ発生部と被加工物の間に四重極
型質量分離器を備えたことを特徴とする半導体加工装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800990A JPH0456216A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800990A JPH0456216A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456216A true JPH0456216A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15860116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16800990A Pending JPH0456216A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456216A (ja) |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16800990A patent/JPH0456216A/ja active Pending
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