JPS635532A - プラズマクリ−ニング方法 - Google Patents
プラズマクリ−ニング方法Info
- Publication number
- JPS635532A JPS635532A JP61148723A JP14872386A JPS635532A JP S635532 A JPS635532 A JP S635532A JP 61148723 A JP61148723 A JP 61148723A JP 14872386 A JP14872386 A JP 14872386A JP S635532 A JPS635532 A JP S635532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma cleaning
- emission spectrum
- end point
- gas plasma
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置等の電子部品製造に使用されるド
ライエツチングにおいて、真空チャンバー内の堆積物を
ガスプラズマを用いて除去する際【終点検出を行なうプ
ラズマクリーニング方法に関するものである。
ライエツチングにおいて、真空チャンバー内の堆積物を
ガスプラズマを用いて除去する際【終点検出を行なうプ
ラズマクリーニング方法に関するものである。
従来の技術
従来のドライエツチング装置では、真空チャンバー内の
堆積物の除去やダスト減少を図るために、０２ガスプラ
ズマクリーニングが行なわれているが、そのりＩＪ−ニ
ングの終了時点（終点）は任意の時間設定で行なってい
る。
堆積物の除去やダスト減少を図るために、０２ガスプラ
ズマクリーニングが行なわれているが、そのりＩＪ−ニ
ングの終了時点（終点）は任意の時間設定で行なってい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような時間設定では、真空チャンバ
ー内の堆積物除去が終了したかどうか不明であり、エツ
チングの再現性が問題となる。さらに時間設定の場合、
時間を長く設定したシ、堆積物により再現性が著しく低
下する条件では、０２ガスプラズマクリーニングの頻度
が高いために生産性が悪くなる問題点を有していた。
ー内の堆積物除去が終了したかどうか不明であり、エツ
チングの再現性が問題となる。さらに時間設定の場合、
時間を長く設定したシ、堆積物により再現性が著しく低
下する条件では、０２ガスプラズマクリーニングの頻度
が高いために生産性が悪くなる問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
本発明の第１の発明は、フロン系ガスを使用するドライ
エツチングにおいて、真空チャンバー内の堆積物除去を
ガスプラズマでクリーニングする際に、発光スペクトル
強度の変化で終点検出を行なうものである。
エツチングにおいて、真空チャンバー内の堆積物除去を
ガスプラズマでクリーニングする際に、発光スペクトル
強度の変化で終点検出を行なうものである。
また、本発明の第２の発明は、シリコン酸化膜のドライ
エツチングの終点検出に使用されるｃ。
エツチングの終点検出に使用されるｃ。
発光スペクトル強度を用い、エツチングの終点検出を行
なうと共に、それと同一波長のＣＯ発光スペクトル強度
をモニターすることによってｏ２ガスプラズマクリーニ
ングの終点検出を行なうものである。
なうと共に、それと同一波長のＣＯ発光スペクトル強度
をモニターすることによってｏ２ガスプラズマクリーニ
ングの終点検出を行なうものである。
作 用
本発明の第１の発明は、プラズマによるりＩＪ −ニン
グの際、真空チャンバー内の堆積物とガスプラズマとの
反応生成物、あるいは反応によって消費する物質による
発光スペクトル強度が、りＩＪ −ニングの終点で変化
することから終点を検出する。
グの際、真空チャンバー内の堆積物とガスプラズマとの
反応生成物、あるいは反応によって消費する物質による
発光スペクトル強度が、りＩＪ −ニングの終点で変化
することから終点を検出する。
また本発明の第２の発明では、上記第１の発明の発光ス
ペクトルとして、シリコン酸化膜のエツチングの終点検
出に用いるものと同一波長のＣＯ発光スペクトルを用い
、ｏ２２ガスプラズマクリーニングにＣＯ発光スペクト
ルのスペクトル強度が弱くなることを利用して同一波長
で終点を検出するものである。
ペクトルとして、シリコン酸化膜のエツチングの終点検
出に用いるものと同一波長のＣＯ発光スペクトルを用い
、ｏ２２ガスプラズマクリーニングにＣＯ発光スペクト
ルのスペクトル強度が弱くなることを利用して同一波長
で終点を検出するものである。
実施例
以下本発明の第１の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例における、０２クリー
ニング用のエンドモニターを備えたドライエツチング装
置である。同図において、１は上部電極、２は被エツチ
ング物としてのシリコンウェハー、３は下部電極、４，
７は石英ガラスである。
ニング用のエンドモニターを備えたドライエツチング装
置である。同図において、１は上部電極、２は被エツチ
ング物としてのシリコンウェハー、３は下部電極、４，
７は石英ガラスである。
終点検出装置は干渉フィルターを備えたホトダイオード
６．８と増幅及び制御を行なう回路からなる終点検出装
置６，９からなっている。また、１０は排気手段を備え
た真空チャンバーである。
６．８と増幅及び制御を行なう回路からなる終点検出装
置６，９からなっている。また、１０は排気手段を備え
た真空チャンバーである。
ドライエツチングは、シリコンウニノー−２上に形成し
たシリコン酸化膜（以下Ｓｉ○２と記す。）をＣＨＦ３
とＣ２Ｆ６混合ガスで６０枚エツチングした。
たシリコン酸化膜（以下Ｓｉ○２と記す。）をＣＨＦ３
とＣ２Ｆ６混合ガスで６０枚エツチングした。
次Ｋｏ２ガスプラズマクリーニングを行なった。
０２ガスプラズマクリーニング中の波長７了７，２ｎｍ
の○原子の発光スペクトル強度の変化を第２図に示した
。図中の曲線ａは、０原子の発光スペクトル強度変化を
表わし、■はクリーニング開始点、■は終点である。前
記終点検出装置を使用して、０２ガスプラズマクリーニ
ングの終点検出を行ないチャンバー内を確認した結果、
黄褐色の堆積物は除去されていることを確認した。
の○原子の発光スペクトル強度の変化を第２図に示した
。図中の曲線ａは、０原子の発光スペクトル強度変化を
表わし、■はクリーニング開始点、■は終点である。前
記終点検出装置を使用して、０２ガスプラズマクリーニ
ングの終点検出を行ないチャンバー内を確認した結果、
黄褐色の堆積物は除去されていることを確認した。
またＣＯによるＱ２ガスプラズマクリーニングの終点検
出について、０原子と同様シリコンウェノ＼−上に形成
したＳｔ○２をＣＨＦ３とＣ２Ｆ６混合ガスで６０枚エ
ツチングした後、波長４８３．５ｎｍ のＣＯ発光スペ
クトル強度の変化を第２図に示した。
出について、０原子と同様シリコンウェノ＼−上に形成
したＳｔ○２をＣＨＦ３とＣ２Ｆ６混合ガスで６０枚エ
ツチングした後、波長４８３．５ｎｍ のＣＯ発光スペ
クトル強度の変化を第２図に示した。
図中の曲線すは、ＣＯ発光スペクトルの変化を表わし、
■は、クリーニング開始点、■は終点である。前記終点
検出装置を使用して一０２ガスプラズマクリーニングの
終点検出を行ないチャンバー内を確認した結果、０原子
を用いた終点検出と同様黄褐色の堆積物は除去されてい
ることを確認した。
■は、クリーニング開始点、■は終点である。前記終点
検出装置を使用して一０２ガスプラズマクリーニングの
終点検出を行ないチャンバー内を確認した結果、０原子
を用いた終点検出と同様黄褐色の堆積物は除去されてい
ることを確認した。
以上、Ｓ １０２のエツチング後の０２ガスプラズマク
リーニングについてのみ記したが、Ｓｉ３Ｎ４゜Ｓｌの
エツチング後の０２ガスプラズマクリーニングにも適用
できる。ｏ２ガスプラズマクリーニングの終点検出は、
０原子の波長７７７．２ｎｍを使用したが、他に波長７
９４．８ｎｍ も使用できる。
リーニングについてのみ記したが、Ｓｉ３Ｎ４゜Ｓｌの
エツチング後の０２ガスプラズマクリーニングにも適用
できる。ｏ２ガスプラズマクリーニングの終点検出は、
０原子の波長７７７．２ｎｍを使用したが、他に波長７
９４．８ｎｍ も使用できる。
またＧｏについては、波長４８３，６ｎｍ を使用し
たが、他に波長４５１．１ｎｍ 、 ６１９．８ｎｍ、
６６１ 、○圓。
たが、他に波長４５１．１ｎｍ 、 ６１９．８ｎｍ、
６６１ 、○圓。
６０Ｂ、Ｏｎｍ、６６２．Ｏｎｍでも使用できる。
次に本発明の第２の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第３図は、本発明の第２の実施例ておける０２クリーニ
ング用のエンドモニターを備えたドライエツチング装置
である。同図において、４ａは石英ガラスであり、終点
検出装置は干渉フィルターを備えたホトダイオード６ａ
と増幅及び制御を行なう回路６ａからなっている。
ング用のエンドモニターを備えたドライエツチング装置
である。同図において、４ａは石英ガラスであり、終点
検出装置は干渉フィルターを備えたホトダイオード６ａ
と増幅及び制御を行なう回路６ａからなっている。
シリコンウェハー上のシリコン酸化膜のエツチングを１
枚行なうごとに０２ガスプラズマクリーニングを行なっ
た。シリコン酸化膜のエツチングはＣＨＦ３と０２混合
ガスで０，３Ｔｏｒｒ、 ３ＣＯＷで行ない、０ ガス
プラズマクリーニングは、０２ガスで０．６Ｔｏｒｒ、
２ＣＯＷで行なった。
枚行なうごとに０２ガスプラズマクリーニングを行なっ
た。シリコン酸化膜のエツチングはＣＨＦ３と０２混合
ガスで０，３Ｔｏｒｒ、 ３ＣＯＷで行ない、０ ガス
プラズマクリーニングは、０２ガスで０．６Ｔｏｒｒ、
２ＣＯＷで行なった。
前記終点検出装置でシリコン酸化膜のエツチング及び０
２ガスプラズマクリーニングの終点を波長４８３．５ａ
ｍ のＣＯの発光スペクトル強度から検出した。第４図
に波長４８３，６ａｍ のＣ○発光スペクトル強度変化
を示す。
２ガスプラズマクリーニングの終点を波長４８３．５ａ
ｍ のＣＯの発光スペクトル強度から検出した。第４図
に波長４８３，６ａｍ のＣ○発光スペクトル強度変化
を示す。
曲線ａ、ｂ、ｃは、酸化膜のエツチング中、ｄ。
ｅは、ｏ２ガスプラズマクリーニング中の波長４８３ｎ
ｍのＣＯ発発光スペクトシル強度変化ある。
ｍのＣＯ発発光スペクトシル強度変化ある。
５０枚エツチングを行なったが、再現性良く終点検出が
でき、同時にエツチングレートの再現性もよく、さらに
、均一性のすぐれたドライエツチングを行うことができ
た。
でき、同時にエツチングレートの再現性もよく、さらに
、均一性のすぐれたドライエツチングを行うことができ
た。
発明の効果
以上述べように、本発明の第１の発明は、ガスプラズマ
によるクリーニングの際、終点検出に発光スペクトル強
度変化を導入することによりクリーニングの時間の短縮
ができるとともに、堆積物除去完了の確認をした上でエ
ツチングすることからエツチングの再現性が良くなると
いう特有の効果を有する。
によるクリーニングの際、終点検出に発光スペクトル強
度変化を導入することによりクリーニングの時間の短縮
ができるとともに、堆積物除去完了の確認をした上でエ
ツチングすることからエツチングの再現性が良くなると
いう特有の効果を有する。
また、本発明の第２の発明によれば、シリコン酸化膜の
終点検出に使用するＣＯ発光スペクトルと同一の波夛を
０２プラズマクリーニングの際の終点検出に使用するた
め、比較的安価で簡略な終点検出装置によシフリーニン
グの時間短縮とエツチングの再現性を良くすることがで
きる。
終点検出に使用するＣＯ発光スペクトルと同一の波夛を
０２プラズマクリーニングの際の終点検出に使用するた
め、比較的安価で簡略な終点検出装置によシフリーニン
グの時間短縮とエツチングの再現性を良くすることがで
きる。
第１図は本発明の第１の実施例に用いるドライエツチン
グ装置の概略図、第２図は０２ガスプラズマクリーニン
グにおけるＣＯ発光スペクトル強度の経時変化を示す図
、第３図は本発明の第２の実施例に用いるドライエツチ
ング装置の概略図、第４図は本発明の第２の実施例にお
けるＣＯ発光スペクトル強度の経時変化を示す図である
。 ４．４ａ、７・・・・・・石英ガラス、５，５ａ、８・
・・・・・ホトダイオード、８．６ａ 、９・・・・・
・終点検出装置、１０・・・・・・真空チャンバー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名引ブ
ー石にカ°ラス 第 ２ 図 ｇ！ｒ開（ｔ）
グ装置の概略図、第２図は０２ガスプラズマクリーニン
グにおけるＣＯ発光スペクトル強度の経時変化を示す図
、第３図は本発明の第２の実施例に用いるドライエツチ
ング装置の概略図、第４図は本発明の第２の実施例にお
けるＣＯ発光スペクトル強度の経時変化を示す図である
。 ４．４ａ、７・・・・・・石英ガラス、５，５ａ、８・
・・・・・ホトダイオード、８．６ａ 、９・・・・・
・終点検出装置、１０・・・・・・真空チャンバー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名引ブ
ー石にカ°ラス 第 ２ 図 ｇ！ｒ開（ｔ）
Claims (5)
- （１）フロン系ガスを使用するドライエッチングにおい
て、真空チャンバー内の堆積物を除去するプラズマクリ
ーニングの終点検出を、発光スペクトル強度変化をモニ
ターすることによって行なうことを特徴とするプラズマ
クリーニング方法。 - （２）プラズマクリーニングがＯ＿２ガスプラズマクリ
ーニングである特許請求の範囲第１項記載のプラズマク
リーニング方法。 - （３）発光スペクトルがＯ原子発光スペクトルである特
許請求の範囲第１項は第２項記載のプラズマクリーニン
グ方法。 - （４）発光スペクトルがＣＯ発光スペクトルである特許
請求の範囲第１項または第２項記載のプラズマクリーニ
ング方法。 - （５）フロン系ガスを使用するドライエッチングにおい
て、シリコン酸化膜のドライエッチング終点検出をＣＯ
発光スペクトル強度変化をモニターすることによって行
なうと共に真空チャンバー内の堆積物を除去するＯ＿２
ガスプラズマクリーニングの終点検出を、上記シリコン
酸化膜のドライエッチング終点検出と同一のＣＯ発光ス
ペクトル強度変化をモニターすることによって行なうこ
とを特徴とするプラズマスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148723A JPS635532A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | プラズマクリ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148723A JPS635532A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | プラズマクリ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635532A true JPS635532A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15459164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61148723A Pending JPS635532A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | プラズマクリ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635532A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6314421A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ方法 |
| WO1998021749A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de nettoyage d'un dispositif de traitement au plasma et procede de traitement au plasma |
| WO2004020695A1 (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板処理装置のクリーニングの終点検出方法、及び基板処理の終点検出方法 |
| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| US6852242B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
| CN100359647C (zh) * | 2004-06-23 | 2008-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及后处理方法 |
| JP2008226922A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置 |
| WO2013046642A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 堆積物除去方法 |
| US9126229B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-09-08 | Tokyo Electron Limited | Deposit removal method |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61148723A patent/JPS635532A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6314421A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ方法 |
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| US8075698B2 (en) | 2002-08-30 | 2011-12-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing unit, method of detecting end point of cleaning of substrate processing unit, and method of detecting end point of substrate processing |
| CN100359647C (zh) * | 2004-06-23 | 2008-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及后处理方法 |
| JP2008226922A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置 |
| US9126229B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-09-08 | Tokyo Electron Limited | Deposit removal method |
| WO2013046642A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 堆積物除去方法 |
| US9177816B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-11-03 | Tokyo Electron Limited | Deposit removal method |
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