JPS6355455A - 残留塩素測定方法 - Google Patents
残留塩素測定方法Info
- Publication number
- JPS6355455A JPS6355455A JP61199363A JP19936386A JPS6355455A JP S6355455 A JPS6355455 A JP S6355455A JP 61199363 A JP61199363 A JP 61199363A JP 19936386 A JP19936386 A JP 19936386A JP S6355455 A JPS6355455 A JP S6355455A
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- Japan
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- measured
- liquid
- reagent
- chlorine
- free chlorine
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- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は河川等の水の塩素処理におシフる残留」ｎ素の
測定方法に関し、更に詳しくは、遊１１１１塩素ど結合
塩素どが共存する水中の遊離塩素濃度を求める測定方法
に関する。
測定方法に関し、更に詳しくは、遊１１１１塩素ど結合
塩素どが共存する水中の遊離塩素濃度を求める測定方法
に関する。
〈従来の技術〉
通常、残留塩素として塩素Ｃｐ２のよ３ ＜＞ Ｍ ＃
１塩素と、クロラミンＮＨ２ＣＱのような＃＋合塩索と
が共存する。遊離塩素と結合塩素とは殺菌力に差があり
、殺菌に効果のある遊離塩素のみを検出することが要求
される。
１塩素と、クロラミンＮＨ２ＣＱのような＃＋合塩索と
が共存する。遊離塩素と結合塩素とは殺菌力に差があり
、殺菌に効果のある遊離塩素のみを検出することが要求
される。
従来、遊離塩素と結合塩素と、が共存する被測定液から
遊離塩素のみを検出する方法として、例えば特公昭４５
−２０２４０号に示される方法が公知である。
遊離塩素のみを検出する方法として、例えば特公昭４５
−２０２４０号に示される方法が公知である。
この方法ではｐＨが５．６以上の臭化カリウム試薬が用
いられる。このような試薬の場合、クロラミンは殆ど臭
素置換されない為、Ｍ離塩素と結合塩素との分離が行な
える。
いられる。このような試薬の場合、クロラミンは殆ど臭
素置換されない為、Ｍ離塩素と結合塩素との分離が行な
える。
即ち、ｐＨが例えば４．５の酸性サイドにあっては、結
合塩素は以下の式に従い試薬中のＫＢｒと反応し、 Ｎ Ｈ２ＣＱ ＋ Ｋ Ｂ ｒ −（１／ ２ ） Ｂ
ｒ ２・・・（１） Ｂｒを遊離する。この為、遊離塩素が存在しない場合で
も電流が流れ、誤差となる。
合塩素は以下の式に従い試薬中のＫＢｒと反応し、 Ｎ Ｈ２ＣＱ ＋ Ｋ Ｂ ｒ −（１／ ２ ） Ｂ
ｒ ２・・・（１） Ｂｒを遊離する。この為、遊離塩素が存在しない場合で
も電流が流れ、誤差となる。
一方、ｌ） Ｈを中性域（例えばＤＨ６，００）以上と
した場合、結合塩素の臭化置換は抑ＩＪ二され、主とし
て以下に示す遊１ＩＩＩｔｆＪＡ素との臭素置換が行わ
れる。
した場合、結合塩素の臭化置換は抑ＩＪ二され、主とし
て以下に示す遊１ＩＩＩｔｆＪＡ素との臭素置換が行わ
れる。
Ｃｎ２−＋−２ＫＢｒ−＋Ｂｒ２＋２ＫＣＱ・・・（２
） 従って、このとき遊離したＢｒ２を測定すれば遊ＩＩＩ
Ｉｌ塩素濃度のみの測定が行なえる。
） 従って、このとき遊離したＢｒ２を測定すれば遊ＩＩＩ
Ｉｌ塩素濃度のみの測定が行なえる。
しかしながら、この状態においてクロラミンと臭化カリ
ウムとは以下の式に従って反応しプロラミンＮＨ２Ｂｒ
を生成する。
ウムとは以下の式に従って反応しプロラミンＮＨ２Ｂｒ
を生成する。
Ｎ＋−１２ＣＱ 十ＫＢｒ−＋ＮＨ２Ｂｒ、−（３）こ
のプロラミンをポーラログラフイック手法で測定Ｊ゛る
と還元波が現れ、プロラミンが共存する状態ではプロラ
ミンによって流れる電流が加わり、遊離塩素ｌｌ皮に正
確に対応した出力を得ることが出来ない。
のプロラミンをポーラログラフイック手法で測定Ｊ゛る
と還元波が現れ、プロラミンが共存する状態ではプロラ
ミンによって流れる電流が加わり、遊離塩素ｌｌ皮に正
確に対応した出力を得ることが出来ない。
〈発明が解決しようと１”る問題点〉
本発明の解決しようとする技術的課題は、前記プロラミ
ンによる影響が現れず、遊離塩素濃度を正確に測定でき
るようにすることにある。
ンによる影響が現れず、遊離塩素濃度を正確に測定でき
るようにすることにある。
・′問題点を解決するための手段〉
臭化物を含む試薬を用いポーラログラフ法により被測定
液中の遊離塩素濃度を測定する方法において、前記試薬
と被測定液との混合液のｌ）Ｈを６゜０から７．５の範
囲に保ち、印加電圧を＋０．６５ｖから＋０．４５Ｖ、
としたことにある。
液中の遊離塩素濃度を測定する方法において、前記試薬
と被測定液との混合液のｌ）Ｈを６゜０から７．５の範
囲に保ち、印加電圧を＋０．６５ｖから＋０．４５Ｖ、
としたことにある。
く作用〉
臭化物を含む試薬を用い、この試薬と被測定液との混合
液のｐＨを６．０以上としてポーラログラフイク手法で
測定を行った場合、クロラミンによってＢｒ２は遊離し
ないが、クロラミンとＫＢｒとが反応しプロラミンが生
成される。このプロラミンによって還元波が現れるが、
印加電圧が＋０．６Ｖ付近であれば電流は少なく、遊ｆ
ｉｌｌ Ｊ！！素濃度検出への影響は少ない。本発明で
は印加電圧を＋０．６５Ｖから＋０．４５Ｖとし、７０
７ミンによる影響が少ない範囲において遊離塩素濃度の
測定を行うようにした。
液のｐＨを６．０以上としてポーラログラフイク手法で
測定を行った場合、クロラミンによってＢｒ２は遊離し
ないが、クロラミンとＫＢｒとが反応しプロラミンが生
成される。このプロラミンによって還元波が現れるが、
印加電圧が＋０．６Ｖ付近であれば電流は少なく、遊ｆ
ｉｌｌ Ｊ！！素濃度検出への影響は少ない。本発明で
は印加電圧を＋０．６５Ｖから＋０．４５Ｖとし、７０
７ミンによる影響が少ない範囲において遊離塩素濃度の
測定を行うようにした。
〈実施例〉
以下図面に従い本発明方法を詳細に説明する。
第１図は本発明方法を実施する為に使用された残留塩素
Ｎｔ ヲ示ｔ。図中、１はＣＨ３Ｃｏ０Ｈ１Ｃ１−１３
ＣＯＯＮａ 、ＫＢｒ及’ＣＦＮａＮ’ａよりなる試薬
、２は試薬ポンプ、３は被測定液、４はサンプルポンプ
、５は導入口５ａ及び排出口５ｂを持つ測定槽、６は指
示極としての回転白金電極、７は比較極としての臭化銀
電極、８は検出部である。
Ｎｔ ヲ示ｔ。図中、１はＣＨ３Ｃｏ０Ｈ１Ｃ１−１３
ＣＯＯＮａ 、ＫＢｒ及’ＣＦＮａＮ’ａよりなる試薬
、２は試薬ポンプ、３は被測定液、４はサンプルポンプ
、５は導入口５ａ及び排出口５ｂを持つ測定槽、６は指
示極としての回転白金電極、７は比較極としての臭化銀
電極、８は検出部である。
試薬１と被測定液は一定の比率で混合され、測定ＷＪ５
に導入される。混合液は回転白金電極６と臭化銀電極７
間に印加された電圧によって還元を受番プ、電流が流れ
、検出部８によってポーラログラフイック手法により検
出が行われる。
に導入される。混合液は回転白金電極６と臭化銀電極７
間に印加された電圧によって還元を受番プ、電流が流れ
、検出部８によってポーラログラフイック手法により検
出が行われる。
第２図は結合塩素とＫＢｒとの反応生成物であるプロラ
ミンの影響を説明する為のポーラログラムで、実験では
遊離塩素が零で濃１６ ｐＥ）ｍの結合塩素を含む液が
使用された。曲線■はｐＨが５．４７の場合、曲線■は
ｐＨが６．００の場合である。液のｐ ｌ−１が６．０
付近の場合、結合塩素ににってＢｒ２は遊ＩＩＩＩＩ拷
ず、プロラミンのみ生成される。従って、第２図の検出
電流はプロラミンのみによるものと考えられる。図から
明らかなように、プロラミンによって還元波が観察され
るが、印加電圧が＋０．６Ｖ付近では小さくなっている
。
ミンの影響を説明する為のポーラログラムで、実験では
遊離塩素が零で濃１６ ｐＥ）ｍの結合塩素を含む液が
使用された。曲線■はｐＨが５．４７の場合、曲線■は
ｐＨが６．００の場合である。液のｐ ｌ−１が６．０
付近の場合、結合塩素ににってＢｒ２は遊ＩＩＩＩＩ拷
ず、プロラミンのみ生成される。従って、第２図の検出
電流はプロラミンのみによるものと考えられる。図から
明らかなように、プロラミンによって還元波が観察され
るが、印加電圧が＋０．６Ｖ付近では小さくなっている
。
尚、この関係は、ｐＨが６．０から７．５の範囲におい
ても同様な傾向を示した。
ても同様な傾向を示した。
第３図は更にプロラミンの影響をみるために、液のｐ
Ｈは６．０と一定にし、ｉ含塩素濃度゛を変更して行っ
て実験結果である。実験には遊離塩素が零で結合塩素濃
度が異なる液が使用された。曲線■の場合は結合塩素濃
度が０．９５ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が１．９２ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が２．８１ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が４．０１ｐｌ）ｍの場合、曲線■の場合は結合塩素
濃度が６．Ｏ８ｐｐｍの場合である。図から明らかなよ
うに、印加電圧が＋０．６Ｖ付近では還元波は小さな値
となっている。
Ｈは６．０と一定にし、ｉ含塩素濃度゛を変更して行っ
て実験結果である。実験には遊離塩素が零で結合塩素濃
度が異なる液が使用された。曲線■の場合は結合塩素濃
度が０．９５ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が１．９２ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が２．８１ｐｐｍの場合、曲線■の場合は結合塩素濃
度が４．０１ｐｌ）ｍの場合、曲線■の場合は結合塩素
濃度が６．Ｏ８ｐｐｍの場合である。図から明らかなよ
うに、印加電圧が＋０．６Ｖ付近では還元波は小さな値
となっている。
この値は、例えば印加電圧を＋０．５Ｖ、結合塩素濃度
６．Ｏ８ｐｐｍとした場合、検出電流は０．５μＡ程度
であり、遊離塩素の測定において、約０．３ｐｐｍの誤
差にしかならず、更に印加電几を−１−０，６Ｖどした
場合、測定誤差は更に減少づる。
６．Ｏ８ｐｐｍとした場合、検出電流は０．５μＡ程度
であり、遊離塩素の測定において、約０．３ｐｐｍの誤
差にしかならず、更に印加電几を−１−０，６Ｖどした
場合、測定誤差は更に減少づる。
一方、′１ｔ１１ＩＩｔ塩素のポーラログラムのプラト
ー領域と印加電圧との関係は第４図に示すような関係に
なっている。本実験にはｐ Ｉ−１が６．０で、遊離塩
素濃度が異なる被測定液が用いられた。
ー領域と印加電圧との関係は第４図に示すような関係に
なっている。本実験にはｐ Ｉ−１が６．０で、遊離塩
素濃度が異なる被測定液が用いられた。
そこで本発明では前記プラトー領域と印加電圧との関係
を考慮し、プロラミンによる影響が小さな印加電圧範囲
として＋０．４５Ｖ〜−）０．６５Ｖを選定した。
を考慮し、プロラミンによる影響が小さな印加電圧範囲
として＋０．４５Ｖ〜−）０．６５Ｖを選定した。
〈発明の効果〉
本発明によれば、臭化物を含む試薬を用い、この試薬と
被測定液との混合液のｐＨを６．０以上とし−Ｃポーラ
ログラフィク手法で遊離塩素の測定を行う方法において
、測定の過程で結合塩素とＫ １３ ｒとが反応して生
成されるプロラミンによる影響が現れず、遊離塩素濃度
を正確に測定することが出来る。
被測定液との混合液のｐＨを６．０以上とし−Ｃポーラ
ログラフィク手法で遊離塩素の測定を行う方法において
、測定の過程で結合塩素とＫ １３ ｒとが反応して生
成されるプロラミンによる影響が現れず、遊離塩素濃度
を正確に測定することが出来る。
第５図は本発明の効果を示す説明図で、遊離塩素と結合
塩素とが共存した状態での測定結果であ手分析で検出し
た被測定液中の結合塩素濃度を表わす。遊離塩素がｌｐ
ｐｍ以下で、結合塩素が５ｐｐｍ、８１）ｐｍ、 １ｏ
ｐｐｍｔ＆度存在Ｌ／１”も、残留塩素計出力への影響
は少なく、遊離塩素濃度の変化（横軸 遊離塩素は手分
析で検出）に対し出力は直線的に変化していることがわ
かる。
塩素とが共存した状態での測定結果であ手分析で検出し
た被測定液中の結合塩素濃度を表わす。遊離塩素がｌｐ
ｐｍ以下で、結合塩素が５ｐｐｍ、８１）ｐｍ、 １ｏ
ｐｐｍｔ＆度存在Ｌ／１”も、残留塩素計出力への影響
は少なく、遊離塩素濃度の変化（横軸 遊離塩素は手分
析で検出）に対し出力は直線的に変化していることがわ
かる。
尚、本発明では試料と被測定液との混合液のｐＨが中性
域の為、夏場の温度の高い季節では雑菌が繁殖し、測定
槽５内に藻が発生することがあるが、この対策として、
例えば測定に影響を与えないシアン化ナトリウムＮａ
Ｎ３を滅菌剤として使用し試薬に添加すれば、藻の発生
を効果的に防ぐことが出来る。
域の為、夏場の温度の高い季節では雑菌が繁殖し、測定
槽５内に藻が発生することがあるが、この対策として、
例えば測定に影響を与えないシアン化ナトリウムＮａ
Ｎ３を滅菌剤として使用し試薬に添加すれば、藻の発生
を効果的に防ぐことが出来る。
第１図は本発明方法を実ｔＭする為に使用された残留塩
素計の構成図、第２図及び第３図はプロラミンのポーラ
ログラム、第４図は遊離塩素のポーラログラム、第５図
は本発明の効果を示す説明図である。 １・・・試薬、３・・・被測定液、５・・・測定槽、６
・・・指示極としての回転白金電極、７・・・対極とし
ての臭化銀電極、８・・・検出部 篤１図 １：試薬、 ３被測定液、 ５測定相。
素計の構成図、第２図及び第３図はプロラミンのポーラ
ログラム、第４図は遊離塩素のポーラログラム、第５図
は本発明の効果を示す説明図である。 １・・・試薬、３・・・被測定液、５・・・測定槽、６
・・・指示極としての回転白金電極、７・・・対極とし
ての臭化銀電極、８・・・検出部 篤１図 １：試薬、 ３被測定液、 ５測定相。
Claims (1)
- 臭化物を含む試薬を用いポーラログラフ法により被測定
液中の遊離塩素濃度を測定する方法において、前記試薬
と前記被測定液との混合液のｐＨを６．０から７．５の
範囲に保ち、印加電圧を＋０．６５Ｖから＋０．４５Ｖ
とし、前記遊離塩素濃度を測定するようにしたことを特
徴とする残留塩素測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199363A JPH0610663B2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 残留塩素測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199363A JPH0610663B2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 残留塩素測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355455A true JPS6355455A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0610663B2 JPH0610663B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16406513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61199363A Expired - Lifetime JPH0610663B2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 残留塩素測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610663B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000074877A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-14 | Noritz Corp | 残留塩素濃度測定装置 |
| US7180584B2 (en) | 1994-10-07 | 2007-02-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59222753A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nissin Electric Co Ltd | 微生物電極を用いた測定装置 |
| JPS6156957A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 残留塩素計 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61199363A patent/JPH0610663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59222753A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nissin Electric Co Ltd | 微生物電極を用いた測定装置 |
| JPS6156957A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 残留塩素計 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180584B2 (en) | 1994-10-07 | 2007-02-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| US7460220B2 (en) | 1994-10-07 | 2008-12-02 | Renesas Technology Corporation | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| JP2000074877A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-14 | Noritz Corp | 残留塩素濃度測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610663B2 (ja) | 1994-02-09 |
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