JPS635560A - 配列型赤外線検知器 - Google Patents
配列型赤外線検知器Info
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- JPS635560A JPS635560A JP61150385A JP15038586A JPS635560A JP S635560 A JPS635560 A JP S635560A JP 61150385 A JP61150385 A JP 61150385A JP 15038586 A JP15038586 A JP 15038586A JP S635560 A JPS635560 A JP S635560A
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- Japan
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- semiconductor layer
- infrared
- infrared detector
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は狭禁制帯幅の半導体を用いた赤外線検知器の構
造に関するものである。
造に関するものである。
一般に、狭禁制帯幅の半導体を用いた赤外線検知器は高
感度であることが知られている。特に、単体の検知素子
を一次元、あるいは二次元に配列した構成の検知器は赤
外線撮像装置に用いる場合、非常に有効となる。
感度であることが知られている。特に、単体の検知素子
を一次元、あるいは二次元に配列した構成の検知器は赤
外線撮像装置に用いる場合、非常に有効となる。
この種の配列型赤外線検知器としてはニス・ビー・アイ
・イー（Ｓ、Ｐ、１．Ｅ、４４３（１９８３）１２０）
に示されているように赤外線検知部のみ狭禁制帯幅の半
導体を用い、この赤外線検知部をシリコンのＣＯＤ等の
信号処理部に接続したハイブリッド構造のものがある。
・イー（Ｓ、Ｐ、１．Ｅ、４４３（１９８３）１２０）
に示されているように赤外線検知部のみ狭禁制帯幅の半
導体を用い、この赤外線検知部をシリコンのＣＯＤ等の
信号処理部に接続したハイブリッド構造のものがある。
波長１ｏ、、ｍ ｉ用の配列型赤外線検知器の一例を第
２図に示す。第２図において、１１はＣｄＴｅ基板、３
はＩ（ｇｏ、５ｃｄ０．２Ｔｅ層、４はＨｇｏ−５ｃｄ
ｏ、ｚＴｅ層３に形成された赤外線検知部としてのフォ
トダイオード、１２はインジウム柱、１３はシリコンの
ＣＣＤ （電荷結合素子）を含む信号処理用チップ、１
４は信号処理用チップ１３への信号入力部である。第２
図に示す検知器はＣｄＴｅ基板１１上にエピタキシャル
成長させたＨｇａ ＋＠Ｃｄａ 、ｚＴｅＴｅ中に複数
の赤外線検知部４を形成し、この赤外線検知部４にＣｄ
Ｔｅ基板１１側から赤外光１５を入射させて該赤外線検
知部４の出力信号をインジウム柱１２に通して信号処理
用チップ１４のＣＣＤに入力させるものであり、Ｈｇ０
．、Ｃｄ０．２Ｔｅ層３に配列された各検知部４，４・
・・からの信号はチップ１４を通して外部に読みだす構
造になっている。
２図に示す。第２図において、１１はＣｄＴｅ基板、３
はＩ（ｇｏ、５ｃｄ０．２Ｔｅ層、４はＨｇｏ−５ｃｄ
ｏ、ｚＴｅ層３に形成された赤外線検知部としてのフォ
トダイオード、１２はインジウム柱、１３はシリコンの
ＣＣＤ （電荷結合素子）を含む信号処理用チップ、１
４は信号処理用チップ１３への信号入力部である。第２
図に示す検知器はＣｄＴｅ基板１１上にエピタキシャル
成長させたＨｇａ ＋＠Ｃｄａ 、ｚＴｅＴｅ中に複数
の赤外線検知部４を形成し、この赤外線検知部４にＣｄ
Ｔｅ基板１１側から赤外光１５を入射させて該赤外線検
知部４の出力信号をインジウム柱１２に通して信号処理
用チップ１４のＣＣＤに入力させるものであり、Ｈｇ０
．、Ｃｄ０．２Ｔｅ層３に配列された各検知部４，４・
・・からの信号はチップ１４を通して外部に読みだす構
造になっている。
しかしながら、第２図に示す検知器を製造するにあたっ
ては、Ｈｇａ−ｓｃｄ＋−１Ｔｅ層３とシリコン（１４
）とをインジウム柱１２で接続するという、極めて困難
な工程を要する。更に、この検知器は通常７７に程度に
冷却して使用するのが、繰り返し使用しているうちに−
Ｈｇａ、ａｃｄｏ、２ＴＬ９層３とシリコン（１４）と
の熱膨張率の違いにより両者の接続部分、すなわちイン
ジウム柱１２を破損させて検知部４とチップ１４との間
を断線させてしまうことがあった。またシリコンやイン
ジウムは赤外線に対して透明でないので、第２図に示す
構成では赤外線検知部４に対して下側から赤外光１５を
入射させて使用することしかできないのは明らかである
。第２図の場合にはＨｇａ、５ｃｄｏ、２７６層３のエ
ピタキシャル成長の基板１１としてＣｄＴｅを用いてお
り、ＣｄＴａ基板１１はＨｇａ−ａｃｄ、、、Ｔａ層３
が検知すべき波長１〇−程度の赤外線に対して透明であ
るためにこのような構成が可能となる。しかし、近年、
エピタキシャル技術の進歩によりＣｄＴｅ以外の基板上
により良質のＨｇ）１ＣｄｚＴｅを成長させることも可
能になりつつある。第２図に示す検知器はその基板１１
が検知すべき赤外線に対して透明であるものに限定され
てしまう。
ては、Ｈｇａ−ｓｃｄ＋−１Ｔｅ層３とシリコン（１４
）とをインジウム柱１２で接続するという、極めて困難
な工程を要する。更に、この検知器は通常７７に程度に
冷却して使用するのが、繰り返し使用しているうちに−
Ｈｇａ、ａｃｄｏ、２ＴＬ９層３とシリコン（１４）と
の熱膨張率の違いにより両者の接続部分、すなわちイン
ジウム柱１２を破損させて検知部４とチップ１４との間
を断線させてしまうことがあった。またシリコンやイン
ジウムは赤外線に対して透明でないので、第２図に示す
構成では赤外線検知部４に対して下側から赤外光１５を
入射させて使用することしかできないのは明らかである
。第２図の場合にはＨｇａ、５ｃｄｏ、２７６層３のエ
ピタキシャル成長の基板１１としてＣｄＴｅを用いてお
り、ＣｄＴａ基板１１はＨｇａ−ａｃｄ、、、Ｔａ層３
が検知すべき波長１〇−程度の赤外線に対して透明であ
るためにこのような構成が可能となる。しかし、近年、
エピタキシャル技術の進歩によりＣｄＴｅ以外の基板上
により良質のＨｇ）１ＣｄｚＴｅを成長させることも可
能になりつつある。第２図に示す検知器はその基板１１
が検知すべき赤外線に対して透明であるものに限定され
てしまう。
シリコンの信号処理用チップ１４を赤外線検知部と同一
半導体、すなわちＨｇ、、、Ｃｄ、、、Ｔｅ層３上に形
成すればこれらの問題点は解消する。
半導体、すなわちＨｇ、、、Ｃｄ、、、Ｔｅ層３上に形
成すればこれらの問題点は解消する。
しかし、シリコンを用いた場合には高性能のＣＣＤを製
造できるのに対して、Ｈｇ＋＋−０Ｃｄ、、、、Ｔａ層
３を用いた場合にはＣＣＤの製造は極めて困難である。
造できるのに対して、Ｈｇ＋＋−０Ｃｄ、、、、Ｔａ層
３を用いた場合にはＣＣＤの製造は極めて困難である。
本発明の目的は赤外線検知部と同一の基板上に信号処理
用チップを形成し、基板と反対の側から赤外光を入射さ
せて使用することの可能な赤外線検知器を提供すること
にある。
用チップを形成し、基板と反対の側から赤外光を入射さ
せて使用することの可能な赤外線検知器を提供すること
にある。
本発明はエピタキシャル成長用基板上に第１の半導体層
を形成し、該第１の半導体層に第２の半導体層を島状に
形成し、前記第１の半導体層の禁制帯幅を前記第２の半
導体の禁制帯幅よりも広く設定し、前記第２の半導体層
上に赤外線検知部を形成し、該赤外線検知部に接続され
る信号処理部を露出した前記第１の半導体層上に形成し
たことを特徴とする配列型赤外線検知器である。
を形成し、該第１の半導体層に第２の半導体層を島状に
形成し、前記第１の半導体層の禁制帯幅を前記第２の半
導体の禁制帯幅よりも広く設定し、前記第２の半導体層
上に赤外線検知部を形成し、該赤外線検知部に接続され
る信号処理部を露出した前記第１の半導体層上に形成し
たことを特徴とする配列型赤外線検知器である。
本発明は同一エピタキシャル基板上に広い禁制帯幅の第
１の半導体層を成長させ、該第１の半導体層上に狭禁制
帯幅の第２の半導体層を成長させ、第１の半導体層上に
ＣＯＤを形成し、第２の半導体層上に赤外線検知部を形
成したものである６本発明によれば、同一基板上に赤外
線検知部とＣＣＤとの両方を形成しであるので、シリコ
ンＣＣＤとの接続は不必要であり、赤外光を上下いずれ
の面からも入射させることができる。
１の半導体層を成長させ、該第１の半導体層上に狭禁制
帯幅の第２の半導体層を成長させ、第１の半導体層上に
ＣＯＤを形成し、第２の半導体層上に赤外線検知部を形
成したものである６本発明によれば、同一基板上に赤外
線検知部とＣＣＤとの両方を形成しであるので、シリコ
ンＣＣＤとの接続は不必要であり、赤外光を上下いずれ
の面からも入射させることができる。
次に１本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本実施例の波長１０．帯用赤外線検知器
を示す断面図、（ｂ）は同平面図である０図において、
１はＨｇ）ｚＣｄｚＴｓエピタキシャル成長用基板、２
はＨｇ、、、Ｃｄ、、１７ａ層、３はＨｇ１１．、Ｃｄ
、、、Ｔａ層、４はＨｇ、、、Ｃｄ＠、、Ｔｅ層３上に
形成された赤外線検知部としてのフォトダイオード、５
は絶縁膜、６はインジウム配線、７は電荷信号注入層、
８，９，１０はＨｇａ −、Ｃｄ、、ｖＴｅＴｅ上に形
成されたそれぞれ電荷転送用ゲート、電荷蓄積用ゲート
、ＣＣＤである。ここに。
を示す断面図、（ｂ）は同平面図である０図において、
１はＨｇ）ｚＣｄｚＴｓエピタキシャル成長用基板、２
はＨｇ、、、Ｃｄ、、１７ａ層、３はＨｇ１１．、Ｃｄ
、、、Ｔａ層、４はＨｇ、、、Ｃｄ＠、、Ｔｅ層３上に
形成された赤外線検知部としてのフォトダイオード、５
は絶縁膜、６はインジウム配線、７は電荷信号注入層、
８，９，１０はＨｇａ −、Ｃｄ、、ｖＴｅＴｅ上に形
成されたそれぞれ電荷転送用ゲート、電荷蓄積用ゲート
、ＣＣＤである。ここに。
電荷信号注入層７．電荷転送用ゲート８、電荷蓄積用ゲ
ート９、ＣＣ０１０等により信号処理部Ｓを構成する。
ート９、ＣＣ０１０等により信号処理部Ｓを構成する。
本実施例においては、エピタキシャル成長用基板１上に
まずＨｇ、、、Ｃｄ６．ｙＴａＴａ層２長させ、該Ｈｇ
ｅ、３Ｃ（ＩＩ−７Ｔｅ層２上にＨｇ、、、Ｃｄ、、、
Ｔａ層３を形成した、いわゆるヘテロエピタキシャル成
長による構造を用いている。この構造をエツチングする
ことにより第１図に示すようにＨｇａ−ｚｃｄｏ−ｔＴ
ｅ層２上に島状のＨｇｏ 、５Ｃｄａ−２７６層３の領
域を形成し、Ｈｇｏ −５Ｃｄｏ −７Ｔｏ層２の禁制
帯幅をＨｇ、、、Ｃｄ６．２７６層３の禁制帯幅よりも
広く設定し、ｌ（ｇ、、、Ｃｄ、、、Ｔａ層３の領域に
フォトダイオード４を形成する。このフォトダイオード
４は波長１０．帯層の赤外線検知部となる。−方、エツ
チングによって露出したＨｇ、、、Ｃｄ、ｔＴｅ層２の
表面にＣＯＤ １０等の信号処理部Ｓを形成し、信号処
理部Ｓとフォトダイオード４との間をインジウム電極に
て接続する。
まずＨｇ、、、Ｃｄ６．ｙＴａＴａ層２長させ、該Ｈｇ
ｅ、３Ｃ（ＩＩ−７Ｔｅ層２上にＨｇ、、、Ｃｄ、、、
Ｔａ層３を形成した、いわゆるヘテロエピタキシャル成
長による構造を用いている。この構造をエツチングする
ことにより第１図に示すようにＨｇａ−ｚｃｄｏ−ｔＴ
ｅ層２上に島状のＨｇｏ 、５Ｃｄａ−２７６層３の領
域を形成し、Ｈｇｏ −５Ｃｄｏ −７Ｔｏ層２の禁制
帯幅をＨｇ、、、Ｃｄ６．２７６層３の禁制帯幅よりも
広く設定し、ｌ（ｇ、、、Ｃｄ、、、Ｔａ層３の領域に
フォトダイオード４を形成する。このフォトダイオード
４は波長１０．帯層の赤外線検知部となる。−方、エツ
チングによって露出したＨｇ、、、Ｃｄ、ｔＴｅ層２の
表面にＣＯＤ １０等の信号処理部Ｓを形成し、信号処
理部Ｓとフォトダイオード４との間をインジウム電極に
て接続する。
本実施例において、ＣＣＤ １０を含む信号処理部Ｓを
Ｈｇ、、３Ｃｄ、）、、Ｔｏ層層上上形成する理由を以
下に説明する。すなわち、前記のようにシリコンを用い
れば高性能のＣＣＤ １０が製造できるのに対し、Ｈｇ
ｏ −５Ｃｄｌ）−ｔＴｅ層３を用いた場合には高性能
のＣＣＤ １０は製造できない。その最大の理由は、例
えばインフラレッドフィジクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２０（１９８０） １）等で述
べられている。これによると、Ｈｇｏ −、Ｃｄ０．ｔ
Ｔｅ層３においてはその禁制帯幅が０，１ａＶと非常に
小さいために、ＣＯＤ １０等の基本構造となるＭＩＳ
（金属−絶縁体一半導体）構造において、ゲートに電
圧を印加するとトンネル電流が発生する。
Ｈｇ、、３Ｃｄ、）、、Ｔｏ層層上上形成する理由を以
下に説明する。すなわち、前記のようにシリコンを用い
れば高性能のＣＣＤ １０が製造できるのに対し、Ｈｇ
ｏ −５Ｃｄｌ）−ｔＴｅ層３を用いた場合には高性能
のＣＣＤ １０は製造できない。その最大の理由は、例
えばインフラレッドフィジクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２０（１９８０） １）等で述
べられている。これによると、Ｈｇｏ −、Ｃｄ０．ｔ
Ｔｅ層３においてはその禁制帯幅が０，１ａＶと非常に
小さいために、ＣＯＤ １０等の基本構造となるＭＩＳ
（金属−絶縁体一半導体）構造において、ゲートに電
圧を印加するとトンネル電流が発生する。
従って、ゲート電極下で信号となる少数キャリアの蓄積
あるいは転送を行う際にはトンネル電流が発生しない程
度の小電圧しかゲートに印加できない。ＣＣＤ １０は
ゲート下の空乏層中の電位の井戸中に少数キャリアを蓄
積して転送するという原理であるので、このことは扱え
る信号電荷量が小さいということを意味する。従って、
）Ｉｇｏ−＊Ｃｄｏ−ａＴｅ層３を用いた場合には扱え
る信号電荷量がシリコンの場合に比べて１／１０以下の
ものしか製造できない。
あるいは転送を行う際にはトンネル電流が発生しない程
度の小電圧しかゲートに印加できない。ＣＣＤ １０は
ゲート下の空乏層中の電位の井戸中に少数キャリアを蓄
積して転送するという原理であるので、このことは扱え
る信号電荷量が小さいということを意味する。従って、
）Ｉｇｏ−＊Ｃｄｏ−ａＴｅ層３を用いた場合には扱え
る信号電荷量がシリコンの場合に比べて１／１０以下の
ものしか製造できない。
−方、混晶半導体であるＨｇＨｌｃｄｘＴｅはそのＸ値
によってその禁制帯幅が変化し、ｘ＝０．２の場合は前
記のように０．１ｓＶであるのに対して、ｘ＝０．７の
場合には１ａＶ程度である。従って−Ｈｇａ −５ｃｄ
ｏ 、Ｔｅ層３を使った場合と比べて、Ｈｇｏ 、３Ｃ
ｄａ 、、Ｔｅ層２を使えば高性能のＣＣＤ １０が製
造できる。かつＨｇａ−ｓＣｄ、、、Ｔｅ贋２上にＨｇ
、、、Ｃｄ０．、Ｔｅ層３をエピタキシャル成長させる
ことは容易である。従って、Ｈｇｏ−１ｃｄ、、、Ｔｅ
層層上上形成された赤外線検知部とＨｇａ−ａＣｄ、、
、Ｔａ層層上上形成されたＣＯＤ １０を接続すれば高
性能の配列型赤外線検知器が得られる。
によってその禁制帯幅が変化し、ｘ＝０．２の場合は前
記のように０．１ｓＶであるのに対して、ｘ＝０．７の
場合には１ａＶ程度である。従って−Ｈｇａ −５ｃｄ
ｏ 、Ｔｅ層３を使った場合と比べて、Ｈｇｏ 、３Ｃ
ｄａ 、、Ｔｅ層２を使えば高性能のＣＣＤ １０が製
造できる。かつＨｇａ−ｓＣｄ、、、Ｔｅ贋２上にＨｇ
、、、Ｃｄ０．、Ｔｅ層３をエピタキシャル成長させる
ことは容易である。従って、Ｈｇｏ−１ｃｄ、、、Ｔｅ
層層上上形成された赤外線検知部とＨｇａ−ａＣｄ、、
、Ｔａ層層上上形成されたＣＯＤ １０を接続すれば高
性能の配列型赤外線検知器が得られる。
以上説明したように本発明の配列型赤外線検知器におい
ては、シリコンのＣＣＤチップとＩ（ｇｏ 、ｅＣｄｏ
−、Ｔｅからなる赤外線検知部を接続する作業が不要
であり、かつＨｇ１４ＣｄｚＴａのエピタキシャル成長
用の基板が赤外光に対して透明でなければならないとい
う制限を受けることがない、従って、信頼度の高い高性
能の配列型赤外線検知器を得ることができる効果を有す
るものである。
ては、シリコンのＣＣＤチップとＩ（ｇｏ 、ｅＣｄｏ
−、Ｔｅからなる赤外線検知部を接続する作業が不要
であり、かつＨｇ１４ＣｄｚＴａのエピタキシャル成長
用の基板が赤外光に対して透明でなければならないとい
う制限を受けることがない、従って、信頼度の高い高性
能の配列型赤外線検知器を得ることができる効果を有す
るものである。
第１図（＆）は本発明の配列型赤外線検知器の一実施例
を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第２図は従来の配列
型赤外線検知器の断面図である。 １・・・ＨｇｈｘＣｄｚＴｅエピタキシャル成長用基板
、２・・・Ｈｇ６．３Ｃｄａ−ｔＴｅ層（第１の半導体
層） 、３ ・Ｈｇ、、、Ｃｄ６＊２Ｔｅ層（第２の半
導体層） 、 ４ ”’Ｈｇａ−ｗｃｄｏ−ｘＴｅ上に
形成されたフォトダイオード（赤外線検知部）、５・・
・絶縁膜、６・・・インジウム配線、７・・・Ｈｇａ
−ｓ Ｃｄｏ −、Ｔｅ層への信号電荷注入層、 １０・・・Ｃ０Ｄ ′／ （（Ｌ） 第１図
を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第２図は従来の配列
型赤外線検知器の断面図である。 １・・・ＨｇｈｘＣｄｚＴｅエピタキシャル成長用基板
、２・・・Ｈｇ６．３Ｃｄａ−ｔＴｅ層（第１の半導体
層） 、３ ・Ｈｇ、、、Ｃｄ６＊２Ｔｅ層（第２の半
導体層） 、 ４ ”’Ｈｇａ−ｗｃｄｏ−ｘＴｅ上に
形成されたフォトダイオード（赤外線検知部）、５・・
・絶縁膜、６・・・インジウム配線、７・・・Ｈｇａ
−ｓ Ｃｄｏ −、Ｔｅ層への信号電荷注入層、 １０・・・Ｃ０Ｄ ′／ （（Ｌ） 第１図
Claims (1)
- （１）エピタキシャル成長用基板上に第１の半導体層を
形成し、該第１の半導体層上に第２の半導体層を島状に
形成し、前記第１の半導体層の禁制帯幅を前記第２の半
導体層の禁制帯幅よりも広く設定し、前記第２の半導体
層上に赤外線検知部を形成し、該赤外線検知部に接続さ
れる信号処理部を露出した前記第１の半導体層上に形成
したことを特徴とする配列型赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150385A JPS635560A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 配列型赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150385A JPS635560A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 配列型赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635560A true JPS635560A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15495837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150385A Pending JPS635560A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 配列型赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374841A (en) * | 1991-12-18 | 1994-12-20 | Texas Instruments Incorporated | HgCdTe S-I-S two color infrared detector |
| JP2002042209A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Glory Ltd | 硬貨処理装置の補充カセット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984467A (ja) * | 1982-11-06 | 1984-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61150385A patent/JPS635560A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984467A (ja) * | 1982-11-06 | 1984-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374841A (en) * | 1991-12-18 | 1994-12-20 | Texas Instruments Incorporated | HgCdTe S-I-S two color infrared detector |
| JP2002042209A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Glory Ltd | 硬貨処理装置の補充カセット |
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