JPS6357775A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS6357775A JPS6357775A JP20113786A JP20113786A JPS6357775A JP S6357775 A JPS6357775 A JP S6357775A JP 20113786 A JP20113786 A JP 20113786A JP 20113786 A JP20113786 A JP 20113786A JP S6357775 A JPS6357775 A JP S6357775A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＣＶＤ薄膜形成装置に関する。更に詳細には、
本発明は反応炉の反応ガス送入ノズルの壁面および先端
にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの異物微粒子のフレーク
が生成・付着することを防雨したＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成
装置に関する。
本発明は反応炉の反応ガス送入ノズルの壁面および先端
にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの異物微粒子のフレーク
が生成・付着することを防雨したＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成
装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として゛ｌ−導体工業において一般に広
く用いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶ
Ｉ）：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒｌ）ｅｌ）ｏ
ｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶ Ｄとは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板Ｆに堆積することをいう。
く用いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶ
Ｉ）：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒｌ）ｅｌ）ｏ
ｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶ Ｄとは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板Ｆに堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高り、ＳｉやＳ ｉ ｈの熱酸化
膜上に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高り、ＳｉやＳ ｉ ｈの熱酸化
膜上に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００°Ｃ程度に加熱
したウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋０２．また
はＳ ｉ Ｈａ ＋ＰＨ，ｌ ＋０２ ）を供給して行
われる。ｌユ記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつ
けられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいはフォスフオ
シリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、
ＳｉＯ２とＰＳＧとの２層成膜が行われることもある。
したウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋０２．また
はＳ ｉ Ｈａ ＋ＰＨ，ｌ ＋０２ ）を供給して行
われる。ｌユ記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつ
けられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいはフォスフオ
シリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、
ＳｉＯ２とＰＳＧとの２層成膜が行われることもある。
史に、モリブデン。
タングステンあるいはタングステンシリサイド等の金属
薄膜の形成にも使用できる。
薄膜の形成にも使用できる。
このようなＣＶ Ｉ）による薄膜形成操作を行うために
従来から用いられている装置の一例を第３図に部分断面
図として示す。
従来から用いられている装置の一例を第３図に部分断面
図として示す。
第３図において、反応炉１は、円誰状のバッファ２をベ
ルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲にリング状のウ
ェハ載置台４を駆動機構５で回転駆動ｒ１丁能、または
自公転可能に設置する。ベルジャ３はＯリング１１を介
して反応炉中間リング１２と閉市される。中間リング１
２の下部には反応炉本体１３が０リング１４を介して配
設されている。
ルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲にリング状のウ
ェハ載置台４を駆動機構５で回転駆動ｒ１丁能、または
自公転可能に設置する。ベルジャ３はＯリング１１を介
して反応炉中間リング１２と閉市される。中間リング１
２の下部には反応炉本体１３が０リング１４を介して配
設されている。
ベルジャの内側には反応ガスの流れを成膜反応に適する
ように規制するためのインナーベルジャ１５が固設され
ている。
ように規制するためのインナーベルジャ１５が固設され
ている。
前記ベルジャ３の「１点付近に反応ガス送入ノズル８お
よび９が接続されている。ガス送入ノズルから送入され
たガスはバッファにより振分られてウェハ載置台４に向
かう。使用する反応ガスのＳｉＨ４および０２はそれぞ
れ別のガス送入ノズルにより反応炉に送入しなければな
らない。例えば、５ｉＨｑを送入ノズル８で送入、そし
て、０２を送入ノズル９で送入する。また、ＰＨＪを使
用する場合、Ｓ Ｉ Ｈ４とともに送入できる。
よび９が接続されている。ガス送入ノズルから送入され
たガスはバッファにより振分られてウェハ載置台４に向
かう。使用する反応ガスのＳｉＨ４および０２はそれぞ
れ別のガス送入ノズルにより反応炉に送入しなければな
らない。例えば、５ｉＨｑを送入ノズル８で送入、そし
て、０２を送入ノズル９で送入する。また、ＰＨＪを使
用する場合、Ｓ Ｉ Ｈ４とともに送入できる。
前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギヤノブを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００°Ｃ）に加熱する。反応ガス送入ノ
ズル８および９から送入された反応ガス（例えば、Ｓｉ
Ｈ４＋０２または５ｉＨｑ ＋ＰＨ，３＋０２ ’）は
点線矢印のごとく炉内を流下し、ウェハ６の表面に触れ
て流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２
またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる
。
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００°Ｃ）に加熱する。反応ガス送入ノ
ズル８および９から送入された反応ガス（例えば、Ｓｉ
Ｈ４＋０２または５ｉＨｑ ＋ＰＨ，３＋０２ ’）は
点線矢印のごとく炉内を流下し、ウェハ６の表面に触れ
て流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２
またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる
。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかし、このような従来のＣＶ ｌ）薄膜形成装置の反
応ガス送入ノズルは第３図に示されるような構造を有し
ていた。内側のノズル先端から５ｉＨｑおよび／または
ＰＨ，？含有ガスが送入されると、外側のノズル先端か
ら送入された酸素ガスと反応し、内側および外側ノズル
の先端部ならびに外側ノズルの内壁面にＳｉＯあるいは
５ｉ０２などの５ＩＩｉ物微拉ｒのフレークが生成・旬
着する。
応ガス送入ノズルは第３図に示されるような構造を有し
ていた。内側のノズル先端から５ｉＨｑおよび／または
ＰＨ，？含有ガスが送入されると、外側のノズル先端か
ら送入された酸素ガスと反応し、内側および外側ノズル
の先端部ならびに外側ノズルの内壁面にＳｉＯあるいは
５ｉ０２などの５ＩＩｉ物微拉ｒのフレークが生成・旬
着する。
このフレークは反応ガスの噴流により７り離されたり、
吹き飛ばされたりして炉内を１７遊する。そして、次第
に沈降し、ウェハの表面に落下Φ付着することとなる。
吹き飛ばされたりして炉内を１７遊する。そして、次第
に沈降し、ウェハの表面に落下Φ付着することとなる。
これらフレークがウェハの表面に付着するとウェハ１−
のＣＶ Ｄ膜にピンホールを発生させ、製品歩留りを低
下させる大きな原因となる。
のＣＶ Ｄ膜にピンホールを発生させ、製品歩留りを低
下させる大きな原因となる。
また、従来のノズルは図示されているように、ノズルへ
のガス供給［■１が−・つであったために、ガスの流速
が均一にはならなかった。その結果、ウェハ［−に成膜
されるＣＶＤ膜の膜厚が不均一になる傾向があった。
のガス供給［■１が−・つであったために、ガスの流速
が均一にはならなかった。その結果、ウェハ［−に成膜
されるＣＶＤ膜の膜厚が不均一になる傾向があった。
［発明の［−１的］
従って、本発明の目的は反応ガス送入ノズル付近にフレ
ーク雪の人物が発生することを防雨し、また、ガス流速
を均一・化することによりＣＶ Ｄ膜の膜厚を均一化さ
せるＣ Ｖ ｌ）薄膜形成装置を提供することである。
ーク雪の人物が発生することを防雨し、また、ガス流速
を均一・化することによりＣＶ Ｄ膜の膜厚を均一化さ
せるＣ Ｖ ｌ）薄膜形成装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段コ
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成す
るための手段として、この発明は、反応ガス送入ノズル
をベルジャの中央頂部に有するＣＶｆ）薄膜形成装置に
おいて、前記反応ガス送入ノズルは三本以１−のノズル
を同軸状に配列してなり、各ノズルへのガス供給口はノ
ズルの外周面＋１にノズルの中心軸より対称に複数個配
設されていることを特徴とするＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装
置を提供する。
るための手段として、この発明は、反応ガス送入ノズル
をベルジャの中央頂部に有するＣＶｆ）薄膜形成装置に
おいて、前記反応ガス送入ノズルは三本以１−のノズル
を同軸状に配列してなり、各ノズルへのガス供給口はノ
ズルの外周面＋１にノズルの中心軸より対称に複数個配
設されていることを特徴とするＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装
置を提供する。
［作用］
前記のように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置におけ
るノズルは同軸多重構造を有する。
るノズルは同軸多重構造を有する。
本発明者らが長年に屍り広範な試作と研究を続けた結果
、ＳｉＨ４＋やＰＨ３’Ｖ”のような０２以外の反応ガ
スがノズルの先端および内壁面に接触すると、その部分
に酸化物の異物を生成・付着させることを発見した。
、ＳｉＨ４＋やＰＨ３’Ｖ”のような０２以外の反応ガ
スがノズルの先端および内壁面に接触すると、その部分
に酸化物の異物を生成・付着させることを発見した。
この発見に基づき、ノズルを多重構造にすることにより
、酸素以外の反応ガスを酸素ガスで包囲・隔離するよう
にして炉内に供給し、酸素以外の反応ガスがノズルの先
端および内壁面に接触することを駆出することに成功し
た。
、酸素以外の反応ガスを酸素ガスで包囲・隔離するよう
にして炉内に供給し、酸素以外の反応ガスがノズルの先
端および内壁面に接触することを駆出することに成功し
た。
あくまでも仮説ではあるが、ノズルの先端および内壁面
付近に存在するＯＨ−基が浮遊するＳｉＯと化学反応し
てＳｉＯ２粒子をノズルの先端および内壁面に生成する
。また、浮遊５ｉ０２粒子がＯＨ−基と反応して先端お
よび内壁面に付着する。この現象が変電なって、次第に
ノズルの先端および内壁面上にフレークを形成する。こ
れに対して、０２分子がノズルの先端および内壁而に存
在すれば、０２とＯＨ−基が反応して、Ｈ２Ｏとなり、
化学的活性の強いＯＨ−基が消滅することになる。この
ため、隔離ガスとして酸素を使用することにより、ノズ
ル先端および内壁面にＳｉＯ２粒子の付着する度合が減
り、フレークが出来にくくなる。
付近に存在するＯＨ−基が浮遊するＳｉＯと化学反応し
てＳｉＯ２粒子をノズルの先端および内壁面に生成する
。また、浮遊５ｉ０２粒子がＯＨ−基と反応して先端お
よび内壁面に付着する。この現象が変電なって、次第に
ノズルの先端および内壁面上にフレークを形成する。こ
れに対して、０２分子がノズルの先端および内壁而に存
在すれば、０２とＯＨ−基が反応して、Ｈ２Ｏとなり、
化学的活性の強いＯＨ−基が消滅することになる。この
ため、隔離ガスとして酸素を使用することにより、ノズ
ル先端および内壁面にＳｉＯ２粒子の付着する度合が減
り、フレークが出来にくくなる。
その結果、ノズルの先端部および内壁面上にＳｉＯある
いは５ｉ０２などの酸化物微粒子のフレ一りが生成会付
着することは効果的に防止される。
いは５ｉ０２などの酸化物微粒子のフレ一りが生成会付
着することは効果的に防止される。
また、これにより、フレークがウェハ表面に落下してウ
ェハのＣＶＤ膜にピンホールを発生させるような不都合
な１ＥｆｌＪも効果的に防止される。
ェハのＣＶＤ膜にピンホールを発生させるような不都合
な１ＥｆｌＪも効果的に防止される。
史に、各ノズルへガスを供給するガス供給口が、ノズル
の外周面」−に等間隔に複数個（例えば、４個）配設さ
れている。このため、炉内に送入される反応ガスの流速
が一定となり、ウェハの表面りに成膜されるＣＶＤ膜の
膜厚の均一性を向ヒさせることができる。
の外周面」−に等間隔に複数個（例えば、４個）配設さ
れている。このため、炉内に送入される反応ガスの流速
が一定となり、ウェハの表面りに成膜されるＣＶＤ膜の
膜厚の均一性を向ヒさせることができる。
かくして、ウェハの製造歩留りを高めることができるば
かりか、半導゛体素子の製造工程全体のスループットを
向上させることもできる。
かりか、半導゛体素子の製造工程全体のスループットを
向上させることもできる。
［実施例］
以ド、図面をｌ（Ｌながら本発明の一実施例について更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置におけるノズルの
断面図であり、第２図はその・１１−面図である。
断面図であり、第２図はその・１１−面図である。
第１図に示されるように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成
装置のノズルは第１ノズル２０．第２ノズル３０および
第３ノズル４０の三本のノズルが同軸状に配設されてい
る。
装置のノズルは第１ノズル２０．第２ノズル３０および
第３ノズル４０の三本のノズルが同軸状に配設されてい
る。
第１ノズル２０からは０２ガスを送入し、第２ノズル３
０からはＳｉＨ４および／またはＰＨａ等の０２以外の
反応ガスを送入し、第３ノズル４０からは０２ガスを送
入する。かくして、５ｉＨｑおよび／またはＰＨＪは０
２ガスによりサンドイッチ状に挟み込まれた状態で炉内
に送入される。
０からはＳｉＨ４および／またはＰＨａ等の０２以外の
反応ガスを送入し、第３ノズル４０からは０２ガスを送
入する。かくして、５ｉＨｑおよび／またはＰＨＪは０
２ガスによりサンドイッチ状に挟み込まれた状態で炉内
に送入される。
その結果、５ｉＨｑおよび／またはＰＨａ等の反応ガス
はノズルの先端部および内壁而に接触できないので、こ
れらの部分にフレークのような異物が生成し、付着する
ことは殆どなくなる。
はノズルの先端部および内壁而に接触できないので、こ
れらの部分にフレークのような異物が生成し、付着する
ことは殆どなくなる。
各ノズルから送入されるガスの流速は特に限定されない
が、第１ノズルおよび第３ノズルから送入される０２ガ
スの流速を第２ノズルから送入されるＳｉＨ４および／
またはＰＨＪの流速よりも高くすると、反応ガスの隔離
効果が高まる。
が、第１ノズルおよび第３ノズルから送入される０２ガ
スの流速を第２ノズルから送入されるＳｉＨ４および／
またはＰＨＪの流速よりも高くすると、反応ガスの隔離
効果が高まる。
各ノズルの「１部には円盤状のガス溜め２２，３２およ
び４２が配設されている。このガス溜めの外周面にガス
供給１’−１２４，３４および４４を配設する。
び４２が配設されている。このガス溜めの外周面にガス
供給１’−１２４，３４および４４を配設する。
ガス供給口は第２図に示されるように、円盤状ガス溜め
の外周面に等間隔に複数個配設する。例えば、第１ノズ
ル２０のガス溜め２２の外周面に４木のガス供給ｌＴｌ
２４，２４．２４および２４を９０°配置で対称的に固
設する。第２ノズル３０のガス溜め３２および第３ノズ
ル４０のガス溜め４２にも同様に各々４木づつガス供給
口が９０゜配置で対称的に固設されている。
の外周面に等間隔に複数個配設する。例えば、第１ノズ
ル２０のガス溜め２２の外周面に４木のガス供給ｌＴｌ
２４，２４．２４および２４を９０°配置で対称的に固
設する。第２ノズル３０のガス溜め３２および第３ノズ
ル４０のガス溜め４２にも同様に各々４木づつガス供給
口が９０゜配置で対称的に固設されている。
ガス供給口の配設個数は多いほどガスの送入流速を−・
走化させることができるので好ましい。ノズルに応じて
ガス供給「１の配設個数を変化させることもできる。例
えば、０２を送入する第１ノズルおよび第３ノズルには
ガス供給［１を各４本配設し、ＳｉＨ４およびＰＨａを
送入する第２ノズルにはガス供給１１を３木配設するこ
ともできる。
走化させることができるので好ましい。ノズルに応じて
ガス供給「１の配設個数を変化させることもできる。例
えば、０２を送入する第１ノズルおよび第３ノズルには
ガス供給［１を各４本配設し、ＳｉＨ４およびＰＨａを
送入する第２ノズルにはガス供給１１を３木配設するこ
ともできる。
ノズル、ガス溜めおよびガス供給１−１の材質は本発明
の必須要件ではないが、耐介性に優れたステンレスなと
でＩＭ＋戊することが好ましい。また、）ズル、ガス溜
めおよびガス供給１−１の直径ならびにサイズなどは取
り付けられる反応炉の容１旧こ応じて変化させることが
できる。従って、ノズル、ガス溜めおよびガス供給１−
１の直径ならびにサイズなどは当業者が容易に決定でき
る°１ｆ項である。
の必須要件ではないが、耐介性に優れたステンレスなと
でＩＭ＋戊することが好ましい。また、）ズル、ガス溜
めおよびガス供給１−１の直径ならびにサイズなどは取
り付けられる反応炉の容１旧こ応じて変化させることが
できる。従って、ノズル、ガス溜めおよびガス供給１−
１の直径ならびにサイズなどは当業者が容易に決定でき
る°１ｆ項である。
［発明の効果コ
以１・、説明したように、本発明のＣＶＩ）薄膜形成装
置におけるノズルは同軸多重構造を有する。
置におけるノズルは同軸多重構造を有する。
本発明者らが長年に屍り広範な試作と研究を続けた結果
、Ｓ ｔ ８４やＰＨＪ等のような０２以外の反応ガス
がノズルの先端および内壁面に接触すると、その部分に
酸化物の異物を生成−付着させることを発見した。
、Ｓ ｔ ８４やＰＨＪ等のような０２以外の反応ガス
がノズルの先端および内壁面に接触すると、その部分に
酸化物の異物を生成−付着させることを発見した。
この発見に基づき、ノズルを多重構造にすることにより
、酸素以外の反応ガスを酸素ガスで包囲・隔離するよう
にして炉内に供給し、酸素以外の反応ガスがノズルの先
端および内壁面に接触することを阻屯することに成功し
た。
、酸素以外の反応ガスを酸素ガスで包囲・隔離するよう
にして炉内に供給し、酸素以外の反応ガスがノズルの先
端および内壁面に接触することを阻屯することに成功し
た。
あくまでも仮説ではあるが、ノズルの先端および内壁面
付近に存在するＯＨ−基が１７遊するＳｉ０と化学反応
して５ｉ０２拉ｒをノズルの先端および内壁面に生成す
る。また、７７遊ＳｉＯ２粒子がＯＨ−基と反応して先
端および内壁面に付着する。この現象が変改なって、次
第にノズルの先端および内壁面１−にフレークを形成す
る。これに対して、０２分子がノズルの先端および内壁
面に存在すれば、０２とＯＨ−基が反応して、Ｈ２Ｏと
なり、化学的活性の強いＯＨ”基が消滅することになる
。このため、隔離ガスとして酸素を使用することにより
、ノズル先端および内壁面にＳｉ０２粒子の付着する度
合が減り、フレークが出来にくくなる。
付近に存在するＯＨ−基が１７遊するＳｉ０と化学反応
して５ｉ０２拉ｒをノズルの先端および内壁面に生成す
る。また、７７遊ＳｉＯ２粒子がＯＨ−基と反応して先
端および内壁面に付着する。この現象が変改なって、次
第にノズルの先端および内壁面１−にフレークを形成す
る。これに対して、０２分子がノズルの先端および内壁
面に存在すれば、０２とＯＨ−基が反応して、Ｈ２Ｏと
なり、化学的活性の強いＯＨ”基が消滅することになる
。このため、隔離ガスとして酸素を使用することにより
、ノズル先端および内壁面にＳｉ０２粒子の付着する度
合が減り、フレークが出来にくくなる。
その結果、ノズルの先端部および内壁面１−にＳｉＯあ
るいは５ｉ０２などの酸化物微粒ｒのフレークが生成・
付着することは効果的に防１１−される。
るいは５ｉ０２などの酸化物微粒ｒのフレークが生成・
付着することは効果的に防１１−される。
また、これにより、フレークがウェハ表面に落ドしてウ
ェハのＣＶＩ）膜にピンホールを発生させるような不都
合な°Ｊｌ’ ７ｆｉも効果的に防１１．される。
ェハのＣＶＩ）膜にピンホールを発生させるような不都
合な°Ｊｌ’ ７ｆｉも効果的に防１１．される。
史に、各ノズルへガスを供給するガス供給［−１が、ノ
ズルの外周面−１−に等間隔に複数個（例えば、４個）
配設されている。このため、炉内に送入される反応ガス
の流速が一定となり、ウェハの表面１・。
ズルの外周面−１−に等間隔に複数個（例えば、４個）
配設されている。このため、炉内に送入される反応ガス
の流速が一定となり、ウェハの表面１・。
に成膜されるＣ Ｖ Ｉ）膜の膜厚の均一性を向１−さ
せることができる。特に、ＰＨａのような不純物を反応
ガス中に混和して使用する場合、−・般に、極少（１１
シか４１！和しないので、反応炉への送入流速が不均一
だと、不純物濃度も不均一になる傾向が強い。しかし、
本発明の装置によれば、極少量しか混和されない不純物
ガスも一定の濃度で成膜反応に付すことができる。
せることができる。特に、ＰＨａのような不純物を反応
ガス中に混和して使用する場合、−・般に、極少（１１
シか４１！和しないので、反応炉への送入流速が不均一
だと、不純物濃度も不均一になる傾向が強い。しかし、
本発明の装置によれば、極少量しか混和されない不純物
ガスも一定の濃度で成膜反応に付すことができる。
かくして、ウェハの製造歩留りを高めることができるば
かりか、半導体素−ｒの製造−１′、程全体のスループ
アトを向１−させることもできる。
かりか、半導体素−ｒの製造−１′、程全体のスループ
アトを向１−させることもできる。
第１図は本発明のＣＶ ｌ）薄膜形成装置におけるノズ
ルの断面図、第２図はその・Ｐ面図、第３図は従来のＣ
Ｖ ｌ）薄膜形成装置の概°堤図である。 １・・・ＪＸ 応炉Ｔ ２・・・バッファ、３・・・
ベルジャ。 ４・・・ウェハ載置台、５・・・駆動機構、６・・・ウ
ェハ。 ８および９・・・反応ガス送入ノズル、１０・・・加熱
丁−段、１１および１４・・・Ｏリング、１２・・・中
間リング、１３・・・反応炉本体、１５・・・インナー
ベルジャ。 ２０・・・第１ノズル、２２・・・第１ノズル用ガス溜
め。 ２４・・・ガス供給口、３０・・・第２ノズル。 ３２・・・第２ノズル用ガス溜め、３４・・・ガス供給
１−１゜４０・・・第３ノズル、４２・・・第３ノズル
用ガス溜め。 ４４・・・ガス供給［］
ルの断面図、第２図はその・Ｐ面図、第３図は従来のＣ
Ｖ ｌ）薄膜形成装置の概°堤図である。 １・・・ＪＸ 応炉Ｔ ２・・・バッファ、３・・・
ベルジャ。 ４・・・ウェハ載置台、５・・・駆動機構、６・・・ウ
ェハ。 ８および９・・・反応ガス送入ノズル、１０・・・加熱
丁−段、１１および１４・・・Ｏリング、１２・・・中
間リング、１３・・・反応炉本体、１５・・・インナー
ベルジャ。 ２０・・・第１ノズル、２２・・・第１ノズル用ガス溜
め。 ２４・・・ガス供給口、３０・・・第２ノズル。 ３２・・・第２ノズル用ガス溜め、３４・・・ガス供給
１−１゜４０・・・第３ノズル、４２・・・第３ノズル
用ガス溜め。 ４４・・・ガス供給［］
Claims (2)
- （１）反応ガス送入ノズルをベルジャの中央頂部に有す
るＣＶＤ薄膜形成装置において、前記反応ガス送入ノズ
ルは三本以上のノズルを同軸状に配列してなり、各ノズ
ルへのガス供給口はノズルの外周面上にノズルの中心軸
より対称に複数個配設されていることを特徴とするＣＶ
Ｄ薄膜形成装置。 - （２）反応炉は自公転方式の常圧型ＣＶＤ反応炉である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20113786A JPS6357775A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20113786A JPS6357775A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6357775A true JPS6357775A (ja) | 1988-03-12 |
Family
ID=16436016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20113786A Pending JPS6357775A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6357775A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
| US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| KR20000038764A (ko) * | 1998-12-09 | 2000-07-05 | 신현준 | 반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치 |
| KR20180126391A (ko) * | 2017-05-17 | 2018-11-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 프리커서 유동을 위한 반도체 처리 챔버 |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP20113786A patent/JPS6357775A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
| US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| KR20000038764A (ko) * | 1998-12-09 | 2000-07-05 | 신현준 | 반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치 |
| KR20180126391A (ko) * | 2017-05-17 | 2018-11-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 프리커서 유동을 위한 반도체 처리 챔버 |
| JP2019009423A (ja) * | 2017-05-17 | 2019-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 複数の前駆体の流れのための半導体処理チャンバ |
| US20190311883A1 (en) * | 2017-05-17 | 2019-10-10 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) * | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11361939B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| CN115763205A (zh) * | 2017-05-17 | 2023-03-07 | 应用材料公司 | 用于多前体流的半导体处理腔室 |
| JP2023029848A (ja) * | 2017-05-17 | 2023-03-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の前駆体の流れのための半導体処理チャンバ |
| KR20230054344A (ko) * | 2017-05-17 | 2023-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 프리커서 유동을 위한 반도체 처리 챔버 |
| US11915950B2 (en) | 2017-05-17 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| TWI873530B (zh) * | 2017-05-17 | 2025-02-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於多前驅物流的半導體處理腔室與系統 |
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