JPS6357806B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6357806B2 JPS6357806B2 JP16651779A JP16651779A JPS6357806B2 JP S6357806 B2 JPS6357806 B2 JP S6357806B2 JP 16651779 A JP16651779 A JP 16651779A JP 16651779 A JP16651779 A JP 16651779A JP S6357806 B2 JPS6357806 B2 JP S6357806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- base
- emitter
- collector
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタを用いて電子的に電源の
オン、オフを行なうように構成した電源回路に係
り、簡単な構成で電源効率の良い優れた電源回路
を提供することを目的とするものである。
オン、オフを行なうように構成した電源回路に係
り、簡単な構成で電源効率の良い優れた電源回路
を提供することを目的とするものである。
一般にトランジスタを用いて電子的に電源のオ
ン、オフを行なわせる場合には第1図に示すよう
に入出力端子a,b間に第1のトランジスタTR1
を接続し、このトランジスタTR1のベース、アー
ス間に抵抗R1と第2のトランジスタTR2の直列
回路を挿入し、第2のトランジスタTR2のベース
にスイツチング用の制御信号を印加することによ
り、上記第2、第1のトランジスタTR2,TR1を
それぞれオン、オフ制御し電源をオン、オフする
ように構成するのが普通である。
ン、オフを行なわせる場合には第1図に示すよう
に入出力端子a,b間に第1のトランジスタTR1
を接続し、このトランジスタTR1のベース、アー
ス間に抵抗R1と第2のトランジスタTR2の直列
回路を挿入し、第2のトランジスタTR2のベース
にスイツチング用の制御信号を印加することによ
り、上記第2、第1のトランジスタTR2,TR1を
それぞれオン、オフ制御し電源をオン、オフする
ように構成するのが普通である。
ところで、第1図に示す従来の電源回路におい
て、第2のトランジスタTR2のベースに正の制御
信号が印加され第2、第1のトランジスタTR2,
TR1が共にオンした場合には第1のトランジスタ
TR1のベースに入力端子aに印加された電圧Vin
と抵抗R1によつて決定されるアイドリング電流
IB、 IB=(Vio−VBE1−VCE2)/R1 ただし、VBE1;トランジスタTR1のベース・エ
ミツタ間電圧 VCE2;トランジスタTR2のコレクタ・エミツタ
間電圧 が流れることになる。そして、このアイドリング
電流IBは通常出力端子bに接続された負荷に流れ
る電流すなわち、負荷電流ILが最大のときに第1
のトランジスタTR1が完全に飽和状態になるよう
に IB>
負荷電流ILの最大値/第1のトランジスタTR1の直流電
流増幅率He に設定される。ところが、このアイドリング電流
IBは一旦所定の値に設定すると負荷電流ILの大き
さにかかわらず常に一定であり、低負荷時、即ち
負荷電流ILが小さい時には入力電流Iio(=IB+IL)
に占めるアイドリング電流IBの割合が著しく大き
くなることになり全体として電源効率L、 L=IL/Iio=IL/(IB+IL) が著しく低下するという問題があつた。
て、第2のトランジスタTR2のベースに正の制御
信号が印加され第2、第1のトランジスタTR2,
TR1が共にオンした場合には第1のトランジスタ
TR1のベースに入力端子aに印加された電圧Vin
と抵抗R1によつて決定されるアイドリング電流
IB、 IB=(Vio−VBE1−VCE2)/R1 ただし、VBE1;トランジスタTR1のベース・エ
ミツタ間電圧 VCE2;トランジスタTR2のコレクタ・エミツタ
間電圧 が流れることになる。そして、このアイドリング
電流IBは通常出力端子bに接続された負荷に流れ
る電流すなわち、負荷電流ILが最大のときに第1
のトランジスタTR1が完全に飽和状態になるよう
に IB>
負荷電流ILの最大値/第1のトランジスタTR1の直流電
流増幅率He に設定される。ところが、このアイドリング電流
IBは一旦所定の値に設定すると負荷電流ILの大き
さにかかわらず常に一定であり、低負荷時、即ち
負荷電流ILが小さい時には入力電流Iio(=IB+IL)
に占めるアイドリング電流IBの割合が著しく大き
くなることになり全体として電源効率L、 L=IL/Iio=IL/(IB+IL) が著しく低下するという問題があつた。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するも
のであり、簡単な構成で優れた電源回路を提供す
るものである。第2図は本発明の電源回路におけ
る一実施例の電気的結線図であり、図中、第1図
と同一符号を付したものは第1図と同一のものを
示している。そして、第1図中TR3はベースが抵
抗R2を介して第1のトランジスタTR1のコレク
タに接続され、エミツタが上記第1のトランジス
タTR1のエミツタに接続された第3のトランジス
タ、TR4はエミツタが第2のトランジスタTR2の
ベースに接続され、コレクタが抵抗R3を介して
第3のトランジスタTR3のコレクタに接続された
第4のトランジスタである。尚、第4のトランジ
スタTR4のベースには抵抗R4を介してスイツチ
ング用の制御信号が印加されるように構成されて
いる。
のであり、簡単な構成で優れた電源回路を提供す
るものである。第2図は本発明の電源回路におけ
る一実施例の電気的結線図であり、図中、第1図
と同一符号を付したものは第1図と同一のものを
示している。そして、第1図中TR3はベースが抵
抗R2を介して第1のトランジスタTR1のコレク
タに接続され、エミツタが上記第1のトランジス
タTR1のエミツタに接続された第3のトランジス
タ、TR4はエミツタが第2のトランジスタTR2の
ベースに接続され、コレクタが抵抗R3を介して
第3のトランジスタTR3のコレクタに接続された
第4のトランジスタである。尚、第4のトランジ
スタTR4のベースには抵抗R4を介してスイツチ
ング用の制御信号が印加されるように構成されて
いる。
上記実施例において第4のトランジスタTR4の
ベースに抵抗R4を介してスイツチング用の制御
信号を印加すると第4のトランジスタTR4がオン
し、第4のトランジスタTR4のベース、エミツタ
間を通じて第2のトランジスタTR2のベースに所
定のベース電流IB2が流れ、第2のトランジスタ
TR2がオンする。そして、第2のトランジスタ
TR2がオンすると第1のトランジスタTR1がオン
しそのベースにアイドリング電流IB1が流れる。
この場合アイドリング電流IB1は次式によつて決
定される。
ベースに抵抗R4を介してスイツチング用の制御
信号を印加すると第4のトランジスタTR4がオン
し、第4のトランジスタTR4のベース、エミツタ
間を通じて第2のトランジスタTR2のベースに所
定のベース電流IB2が流れ、第2のトランジスタ
TR2がオンする。そして、第2のトランジスタ
TR2がオンすると第1のトランジスタTR1がオン
しそのベースにアイドリング電流IB1が流れる。
この場合アイドリング電流IB1は次式によつて決
定される。
IB1=IB2×第2のトランジスタTR2の直流電流
増幅度(He) ところで出力端子bに接続された負荷に流れる
電流すなわち負荷電流ILが IL<IB1×第1のトランジスタTR1の直流電流増
幅率(He) の場合には第1のトランジスタTR1は飽和してお
り、第3図に示す動作曲線図上の飽和領域(I)
内で動作している。そして第1のトランジスタ
TR1におけるコレクタ、エミツタ間電圧は最小の
値(VCE(sat)以下)になつており、したがつて
この状態で入力電圧Vioは最小の損失で出力側に
伝達されている。
増幅度(He) ところで出力端子bに接続された負荷に流れる
電流すなわち負荷電流ILが IL<IB1×第1のトランジスタTR1の直流電流増
幅率(He) の場合には第1のトランジスタTR1は飽和してお
り、第3図に示す動作曲線図上の飽和領域(I)
内で動作している。そして第1のトランジスタ
TR1におけるコレクタ、エミツタ間電圧は最小の
値(VCE(sat)以下)になつており、したがつて
この状態で入力電圧Vioは最小の損失で出力側に
伝達されている。
今、負荷電流ILが更に増加し、
IL>IB1×第1のトランジスタTR1の直流電流増
幅率(He) となつたとする。この場合には、第1のトランジ
スタTR1が飽和状態に達せず、第3図に示す動作
曲線図上の活性領域()内で動作している。そ
して第1のトランジスタTR1のコレクタ、エミツ
タ間電圧が増大する(VCE(sat)以上)。したがつ
て、この場合には第3のトランジスタTR3が導通
状態になり第3のトランジスタTR3、抵抗R3、
第4のトランジスタTR4を介して更に第2のトラ
ンジスタTR2により多くのベース電流IB2を流す
ようになる。したがつてこの場合には第1のトラ
ンジスタTR1のベース電流IB1すなわち、アイド
リング電流が自動的に増大する。具体的には第3
図の動作曲線図において、IB=IB1からIB=IB1′あ
るいはIB=IB1″へと増大することになり、第1の
トランジスタTR1は飽和状態になることになる。
そのため、この場合でも入力電圧Vioは最小の損
失で出力側に現われることになる。
幅率(He) となつたとする。この場合には、第1のトランジ
スタTR1が飽和状態に達せず、第3図に示す動作
曲線図上の活性領域()内で動作している。そ
して第1のトランジスタTR1のコレクタ、エミツ
タ間電圧が増大する(VCE(sat)以上)。したがつ
て、この場合には第3のトランジスタTR3が導通
状態になり第3のトランジスタTR3、抵抗R3、
第4のトランジスタTR4を介して更に第2のトラ
ンジスタTR2により多くのベース電流IB2を流す
ようになる。したがつてこの場合には第1のトラ
ンジスタTR1のベース電流IB1すなわち、アイド
リング電流が自動的に増大する。具体的には第3
図の動作曲線図において、IB=IB1からIB=IB1′あ
るいはIB=IB1″へと増大することになり、第1の
トランジスタTR1は飽和状態になることになる。
そのため、この場合でも入力電圧Vioは最小の損
失で出力側に現われることになる。
以上、実施例より明らかなように本発明の入出
力端子間に接続された第1のトランジスタのベー
スに流れる電流を出力端子に接続された負荷に流
れる電流によつて自動的に変化させるように構成
したものであり、負荷に流れる電流によつて電源
効果が大きく変化するようなことは全くなく、低
負荷時の電源効率が著しく改善されるという特長
を有する。そして、本発明によれば、全体として
その構成も比較的簡単であり、実用上きわめて有
利なものである。
力端子間に接続された第1のトランジスタのベー
スに流れる電流を出力端子に接続された負荷に流
れる電流によつて自動的に変化させるように構成
したものであり、負荷に流れる電流によつて電源
効果が大きく変化するようなことは全くなく、低
負荷時の電源効率が著しく改善されるという特長
を有する。そして、本発明によれば、全体として
その構成も比較的簡単であり、実用上きわめて有
利なものである。
第1図は従来の電源回路の電気的結線図、第2
図は本発明の電源回路における一実施例の電気的
結線図、第3図はトランジスタの動作曲線図であ
る。 TR1〜TR4…トランジスタ、R1〜R4…抵抗、
a…入力端子、b…出力端子、c…制御信号入力
端子。
図は本発明の電源回路における一実施例の電気的
結線図、第3図はトランジスタの動作曲線図であ
る。 TR1〜TR4…トランジスタ、R1〜R4…抵抗、
a…入力端子、b…出力端子、c…制御信号入力
端子。
Claims (1)
- 1 入出力端子間にエミツタ及びコレクタが接続
された第1のトランジスタのベースとアースとの
間に第2のトランジスタのコレクタ及びエミツタ
を接続し、第2のトランジスタのベースに流れる
電流を制御して上記第1、第2のトランジスタを
オン、オフ制御するように構成した電源回路にお
いて、第1のトランジスタのエミツタ―コレクタ
間の電圧を検出する第3のトランジスタを設け、
この第3のトランジスタの出力により上記第2の
トランジスタのベース電流を制御し、第1のトラ
ンジスタのエミツタ―コレクタ間の電圧が一定値
以上増大した際に第1のトランジスタのベース電
流を増加させ、第1のトランジスタのエミツタ―
コレクタ間の電圧を一定値以下になるように構成
して成る電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651779A JPS5688514A (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Power source circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651779A JPS5688514A (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Power source circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5688514A JPS5688514A (en) | 1981-07-18 |
| JPS6357806B2 true JPS6357806B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=15832780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16651779A Granted JPS5688514A (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Power source circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5688514A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827667B2 (ja) * | 1982-06-29 | 1996-03-21 | 富士通株式会社 | 負荷駆動回路 |
-
1979
- 1979-12-20 JP JP16651779A patent/JPS5688514A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5688514A (en) | 1981-07-18 |
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