JPH046275Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046275Y2 JPH046275Y2 JP1983101251U JP10125183U JPH046275Y2 JP H046275 Y2 JPH046275 Y2 JP H046275Y2 JP 1983101251 U JP1983101251 U JP 1983101251U JP 10125183 U JP10125183 U JP 10125183U JP H046275 Y2 JPH046275 Y2 JP H046275Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- section
- transistor
- power supply
- receiving section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の属する技術分野
本考案は、個別選択呼出受信機に係り、特に受
信部に印加される電圧が周期的に断続するバツテ
リー・セイビング機能を有する個別選択呼出受信
機に関する。
信部に印加される電圧が周期的に断続するバツテ
リー・セイビング機能を有する個別選択呼出受信
機に関する。
従来技術の説明
従来、受信部の電源を周期的に断続制御するバ
ツテリー・セイビング機能を有する個別選択呼出
受信機は、第１図に示す様にデコーダ部２より出
力される制御信号ａによつてスイツチング用トラ
ンジスタ４をスイツチングし、定電圧電源部５の
出力を断続し、受信部１への電源供給を制御して
いた。又、第２の従来例は第２図に示す様に、前
記スイツチング用トランジスタ４を電池６と定電
圧電源部５の間に接続し、前記定電圧電源部５へ
の電源供給を制御していた。これら、第１及び第
２の従来例においては、電池電源の最低使用可能
電圧VBMINは下記の式で表わされる。
ツテリー・セイビング機能を有する個別選択呼出
受信機は、第１図に示す様にデコーダ部２より出
力される制御信号ａによつてスイツチング用トラ
ンジスタ４をスイツチングし、定電圧電源部５の
出力を断続し、受信部１への電源供給を制御して
いた。又、第２の従来例は第２図に示す様に、前
記スイツチング用トランジスタ４を電池６と定電
圧電源部５の間に接続し、前記定電圧電源部５へ
の電源供給を制御していた。これら、第１及び第
２の従来例においては、電池電源の最低使用可能
電圧VBMINは下記の式で表わされる。
VBMIN＝VOPMIN＋VCE(sat)＋VSTBMIN
ここでVOPMINは受信部１の最低動作電圧、
VCE(sat)はスイツチング用トランジスタ４の飽和電
圧、VSTBMINは定電圧電源部５における最小電圧
降下。
VCE(sat)はスイツチング用トランジスタ４の飽和電
圧、VSTBMINは定電圧電源部５における最小電圧
降下。
上記の式において、電池の使用可能電圧は受信
部１の最低使用電圧よりVCE(sat)＋VSTBMINの分だ
け高くなり、電池を電源として使用する個別選択
呼出受信機においてはこのために電池寿命が短く
なる欠点があつた。又、電池寿命の点から電池の
最低使用可能電圧が決まつている場合には、受信
部の回路は、前記電池の最低使用可能電圧より
VCE(sat)＋VSTBMINの分だけ低い電圧まで動作する
様考慮して設計しなければならない。そのため設
計が難しく、電圧が低いために定数、環境等の変
動に対して弱くなる欠点があつた。
部１の最低使用電圧よりVCE(sat)＋VSTBMINの分だ
け高くなり、電池を電源として使用する個別選択
呼出受信機においてはこのために電池寿命が短く
なる欠点があつた。又、電池寿命の点から電池の
最低使用可能電圧が決まつている場合には、受信
部の回路は、前記電池の最低使用可能電圧より
VCE(sat)＋VSTBMINの分だけ低い電圧まで動作する
様考慮して設計しなければならない。そのため設
計が難しく、電圧が低いために定数、環境等の変
動に対して弱くなる欠点があつた。
又、スイツチング用トランジスタ４の飽和電圧
VCE(sat)を小さくするために、コレクタ抵抗の小さ
い、すなわち大きなサイズのトランジスタが必要
であり、IC化が極めて難しく、従つてチツプサ
イズを小さくするためにはデイスクリートのトラ
ンジスタを必ず必要とする欠点があつた。
VCE(sat)を小さくするために、コレクタ抵抗の小さ
い、すなわち大きなサイズのトランジスタが必要
であり、IC化が極めて難しく、従つてチツプサ
イズを小さくするためにはデイスクリートのトラ
ンジスタを必ず必要とする欠点があつた。
考案の目的
本考案の目的は、無駄な電圧降下をなくして電
池寿命をより長くするとともにデイスクリートト
ランジスタの必要性をなくし、さらには消費電力
をより小さくして電池寿命を長くした個別選択呼
出受信機を提供することにある。
池寿命をより長くするとともにデイスクリートト
ランジスタの必要性をなくし、さらには消費電力
をより小さくして電池寿命を長くした個別選択呼
出受信機を提供することにある。
考案の構成
本考案は、電圧源と受信部との間に定電圧電源
部を接続して同電圧部をデコーダ部からのバツテ
リー・セイビング用の制御信号で直接制御し、さ
らに、定電圧電源部を、上記電圧源からデコーダ
部への電源供給路にコレクタ・エミツタ通路が直
列に挿入された電圧供給トランジスタと、上記制
御信号により導通・非導通が制御される制御用ト
ランジスタと、この制御用トランジスタと電圧源
との間に接続された回路素子を含み当該回路素子
に上記制御用トランジスタが導通したことによつ
て流れる電流にもとづき基準電圧を発生する手段
と、上記受信部に供給される電圧に応じた帰還電
圧を発生する手段と、上記基準電圧と帰還電圧に
もとづき上記電圧供給トランジスタの導通度を制
御する差動増幅器とを有して構成したことを特徴
とする。
部を接続して同電圧部をデコーダ部からのバツテ
リー・セイビング用の制御信号で直接制御し、さ
らに、定電圧電源部を、上記電圧源からデコーダ
部への電源供給路にコレクタ・エミツタ通路が直
列に挿入された電圧供給トランジスタと、上記制
御信号により導通・非導通が制御される制御用ト
ランジスタと、この制御用トランジスタと電圧源
との間に接続された回路素子を含み当該回路素子
に上記制御用トランジスタが導通したことによつ
て流れる電流にもとづき基準電圧を発生する手段
と、上記受信部に供給される電圧に応じた帰還電
圧を発生する手段と、上記基準電圧と帰還電圧に
もとづき上記電圧供給トランジスタの導通度を制
御する差動増幅器とを有して構成したことを特徴
とする。
この構成によれば、第１図、第２図に示したス
イツチングトランジスタ４が削除されるので無駄
な電圧降下は生じずかつ同トランジスタのような
デイスクリート部品が不要となり、さらには、バ
ツテリー・セイビング用制御信号により制御用ト
ランジスタが非導通のときは基準電圧が発生しな
いことから定電圧電源部自体での電力消費も発生
せず、電池寿命はさらにのびる。
イツチングトランジスタ４が削除されるので無駄
な電圧降下は生じずかつ同トランジスタのような
デイスクリート部品が不要となり、さらには、バ
ツテリー・セイビング用制御信号により制御用ト
ランジスタが非導通のときは基準電圧が発生しな
いことから定電圧電源部自体での電力消費も発生
せず、電池寿命はさらにのびる。
実施例
次に本考案の実施例として図面を参照して説明
する。第１の実施例は、第３図に示す。第３図に
おいてデコーダ部２からのバツテリー・セイビン
グ用制御信号ａがHighの時、制御用トランジス
タ１０はONとなり、抵抗１１，１２，１６及び
トランジスタ１３，１４，１５に電流が流れ、さ
らに他のトランジスタにも電流が流れトランジス
タ１９のベースに基準電圧Ｖ１が印加される。ト
ランジスタ１７，１８，１９，２０，２１からな
る差動増幅器において基準電圧V1と帰還電圧V2
との比較を行ない、前記差動増幅器の出力によつ
てトランジスタ２３，２４を制御し、安定化され
た出力電圧V0が受信部１に供給される。この場
合出力電圧V0は、V0＝I1R1＋V1、で設定される。
次に前記デコーダ部２からのバツテリー・セイビ
ング用制御信号ａがLowの時、前記制御用トラ
ンジスタ１０はOFFとなり基準電圧V1はOVとな
る。又、トランジスタ２１，２５が作り出す定電
流I0，I1もＯとなりトランジスタ２４はOFF状態
となる。従つて、出力電圧V0はOVとなり受信部
１には電源が供給されない。
する。第１の実施例は、第３図に示す。第３図に
おいてデコーダ部２からのバツテリー・セイビン
グ用制御信号ａがHighの時、制御用トランジス
タ１０はONとなり、抵抗１１，１２，１６及び
トランジスタ１３，１４，１５に電流が流れ、さ
らに他のトランジスタにも電流が流れトランジス
タ１９のベースに基準電圧Ｖ１が印加される。ト
ランジスタ１７，１８，１９，２０，２１からな
る差動増幅器において基準電圧V1と帰還電圧V2
との比較を行ない、前記差動増幅器の出力によつ
てトランジスタ２３，２４を制御し、安定化され
た出力電圧V0が受信部１に供給される。この場
合出力電圧V0は、V0＝I1R1＋V1、で設定される。
次に前記デコーダ部２からのバツテリー・セイビ
ング用制御信号ａがLowの時、前記制御用トラ
ンジスタ１０はOFFとなり基準電圧V1はOVとな
る。又、トランジスタ２１，２５が作り出す定電
流I0，I1もＯとなりトランジスタ２４はOFF状態
となる。従つて、出力電圧V0はOVとなり受信部
１には電源が供給されない。
第２の実施例は第４図に示す様に、第３図のト
ランジスタ２１，２５を抵抗２８，２９におきか
えたもので、この場合は出力電圧V0は、 V0＝R1＋R2／R2×V1、で設定される。
ランジスタ２１，２５を抵抗２８，２９におきか
えたもので、この場合は出力電圧V0は、 V0＝R1＋R2／R2×V1、で設定される。
考案の効果
本考案は以上説明した様に、デコーダ部からの
バツテリー・セイビング用制御信号により定電圧
電源部の回路動作を直接制御することにより、部
品数を低減すると同時に、むだな電圧降下をなく
し、又電力消費をより少なくし、電池寿命を大き
くのばす効果がある。
バツテリー・セイビング用制御信号により定電圧
電源部の回路動作を直接制御することにより、部
品数を低減すると同時に、むだな電圧降下をなく
し、又電力消費をより少なくし、電池寿命を大き
くのばす効果がある。
第１図、第２図は従来の構成を示す回路図、第
３図は第１の実施例の構成を示す回路図、第４図
は第２の実施例の構成を示す回路図、である。 なお図において、１……受信部、２……デコー
ダ部、３……スピーカ、４……スイツチング用ト
ランジスタ、５……定電圧電源部、６……電池、
１０……制御用トランジスタ、１１，１２，１
６，２６，２８，２９……抵抗、１３，１４，１
５，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２
３，２４，２５……トランジスタ、２７……コン
デンサ、ａ……制御信号、である。
３図は第１の実施例の構成を示す回路図、第４図
は第２の実施例の構成を示す回路図、である。 なお図において、１……受信部、２……デコー
ダ部、３……スピーカ、４……スイツチング用ト
ランジスタ、５……定電圧電源部、６……電池、
１０……制御用トランジスタ、１１，１２，１
６，２６，２８，２９……抵抗、１３，１４，１
５，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２
３，２４，２５……トランジスタ、２７……コン
デンサ、ａ……制御信号、である。
Claims (1)
- 電圧源６、この電圧源６から電源の供給を受け
論理レベルが周期的に変化する制御信号ａを発生
するデコーダ部２、このデコーダ部２に復調信号
を供給する受信部１、ならびに前記電圧源６と前
記受信部１との間に接続され前記受信部１への電
源供給を前記制御信号ａに応答して制御する定電
圧電源部５を備え、前記定電圧電源部５は、前記
電圧源６から前記受信部１への電源供給路にコレ
クタ・エミツタ通路が直列に挿入された電圧供給
トランジスタ２４と、前記制御信号ａの論理レベ
ルに応じて導通・非導通が制御される制御用トラ
ンジスタ１０と、この制御用トランジスタ１０と
前記電圧源６との間に接続された回路素子１１−
１３を含み当該回路素子１１−１３に前記制御用
トランジスタ１０が導通したことによつて流れる
電流にもとづき基準電圧V1を発生する手段１１
−１６と、前記受信部１に供給される電圧に応じ
た帰還電圧V2を発生する手段１４，２２，２５，
２６；２６，２９と、前記基準電圧V1と前記帰
還電圧V2にもとづき前記電圧供給トランジスタ
２４の導通度を制御する差動増幅器１７−２３と
を有することを特徴とする個別選択呼出受信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983101251U JPS609350U (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 個別選択呼出受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983101251U JPS609350U (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 個別選択呼出受信機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609350U JPS609350U (ja) | 1985-01-22 |
| JPH046275Y2 true JPH046275Y2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=30239178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983101251U Granted JPS609350U (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 個別選択呼出受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609350U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593049B2 (ja) * | 1975-12-11 | 1984-01-21 | 松下電器産業株式会社 | センタクヨビダシツウシンホウシキ |
| JPS543249A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Stabilized power source |
| JPS5442218U (ja) * | 1977-08-31 | 1979-03-22 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP1983101251U patent/JPS609350U/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
| US7427422B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-09-23 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a thick film dielectric layer in an electroluminescent laminate |
| US7586256B2 (en) | 1999-05-14 | 2009-09-08 | Ifire Ip Corporation | Combined substrate and dielectric layer component for use in an electroluminescent laminate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS609350U (ja) | 1985-01-22 |
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