JPS6358635A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、光ビームの照射により記録層に光学的特性
の変化を生じさせて情報を記録消去すると共に、この光
学的特性を検出して情報を再生するいわゆるイレーザブ
ル光ディスク等の情報記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来、イレーザブル光デイスク用記録媒体として、カル
コゲナイド系半導体が公知である。この記録媒体におい
ては、テルル（Ｔｅ）の薄膜を記録層として使用し、こ
の記録層に光ビームを照射しＴｅ薄膜の結晶質及び非晶
質の相変化を利用して情報を記録再生消去する。つまり
、結晶状態のＴｅ薄膜に光ビームを照射して加熱し、次
いで急冷することにより、Ｔｅを非晶質化して記録ビッ
トを形成する。

しかしながら、純Ｔｅは、その結晶化温度が室温付近に
あるため、経時変化で記録ビットが非晶質から結晶質に
変化し、情報が消去されてしまうことがあり、記録ビッ
トの安定性に問題がある。

そこで、記録ビットが安定である記録媒体として、近時
、インジウム（Ｉｎ）とアンチモン（Ｓ　ｂ）との合金
が注目されている。このＩｎとｓｂとを原子％で５０％
ずつ含をする合金は、レーサ出力が１１ｍｗ、パルス幅
が２００ｎ秒で非品質になって情報が記録され、レーザ
出力が５ｍＷ、パルス幅が２μ秒で結晶化されて情報が
消去される。この場合に、この合金の結晶化温度は約１
６０℃であり、活性化エネルギは１．８ｅＶであるから
、記録ピットの安定性が高い。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、本願発明者が、 Ｉｎ　　Ｓｂ　　　　合金系について、そのＩｎの原ｘ
　　　１００−ｘ 子％Ｘと結晶化温度との関係を調査した結果、Ｘが５０
原子％を超えると、結晶化温度が低下することが判明し
た。第３図は、本願発明者が種々のｘ　（Ｉｎ原子％）
について、結晶化温度を測定した結果を示すグラフ図で
ある。この図から明らかなように、Ｉｎの濃度が５０原
子％を超えると、結晶化温度が低下し、例えば、Ｉｎ［
１０Ｓｂ４０においては、結晶化温度は１００℃と低く
、記録ピットの安定性が低いことが分る。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、Ｉｎ及びＳｂにおけるＩｎの割合いが５０原子％を超
えても、結晶化温度が高く、非晶質相が安定して存在し
て記録ピットの安定性が高い情報記録媒体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明に係る情報記録媒体は、記録層に光ビームを照
射し、この記録層に結晶質と非晶質との間の相変態を生
じさせて情報を記録する情報記録媒体において、前記記
録層は、一般式％式％ 成（但し、Ｘは、Ｉｎ及びＳｂにおけるＩｎの原子％、
ｙは、Ｉ　ｎ　　Ｓ　ｂ　１００−、合金及びＴｉにお
けるＴｉの原子％）の合金で形成されており、このｙが
５乃至３０原子％であることを特徴とする。

（作用） この発明に係る情報記録媒体の記録層は、Ｉ　ｎＳｂ合
金にＴＬをＩｎＳｂ合金に対する原子％の割合いで、５
乃至３０原子％含有する。こｎにより、結晶化温度が高
くなり、Ｉｎのｓｂに対する割合いが５０原子％を超え
ても、記録に充分な結晶化温度が確保される。

（実施例） 以下、添附の図面を参照してこの発明の実施例について
具体的に説明する。第１図はこの発明の実施例に係る情
報記録媒体を示す断面図である。

ポリカーボネート等の樹脂性基板１の上に、５ｉ０２等
の誘電体膜２が形成されている。この誘電体膜２の上に
記録層３が形成されており、記録層３の上には同じくＳ
ｉＯ２誘電体膜４が形成されている。そして、誘電体膜
４の上には、紫外線硬化樹脂等で形成された保護膜７が
配設されている。誘電体膜２，４は、レーザビームの照
射による記録層３の蒸発を防止するために配設される。

保護膜７は、情報記録媒体に取扱上の疵が発生すること
を防止する。

この記録層３は、一般式 ％式％ 成（但し、Ｘは、Ｉｎ及びＳｂにおけるＩｎの原子％、
ｙは、Ｉｎ　　Ｓｂ　　　　合金及びＴｉにおＸ　　　
１００−Ｘ けるＴｉの原子％）の合金で形成されており、このｙは
５乃至３０原子％である。

なお、記録層３及び誘電体膜２，４はいわゆるスパッタ
リング法又は蒸着法で形成することができる。一方、保
護膜５は紫外線硬化樹脂を塗布し、この樹脂に紫外線を
照射して硬化させることにより形成する。

このように成膜された情報記録媒体においては、先ず、
成膜直後の記録層３は非晶質であるので、半導体レーザ
ビーム７を照射して記録層３の記録ピット６を２００℃
まで昇温させ、この記録ピット６を初期結晶化させる。

次いで、レーザビーム７を、例えば、出力が１１ｍＷ、
パルス幅が２００ｎ秒で照射して、この記録ピット６を
急熱急冷し、非晶質化させる。これにより情報が記録さ
れる。また、この記録ピット６にレーザビーム７を、例
えば、出力が５　ｍ　Ｗ　、パルス幅が２μ秒で照射し
て、この記録ピット６を加熱後徐冷することにより、結
晶化させる。これにより、記録ピット６の記録情報が消
去される。

第２図は、本願発明者が種々のＴｉ濃度（原子％）につ
いて、その結晶化温度を測定した結果を示すグラフ図で
ある。但し、Ｉｎの濃度Ｘは、６０原子％で一定である
。この図から明らかなように、Ｔｉ１度ｙが２０原子％
の近傍である場合に、結晶化温度は極大値をとり、Ｔｉ
濃度がそれよりも多くなるか又は少なくなるにつれて結
晶化温度は低下する。そして、このＴｉ１１度が５乃至
３０原子％の範囲にある場合に、結晶化温度は１６０℃
以上になり、非晶質相が安定して存在することがわかる
。このような理由により、本願発明においては、Ｔｉ濃
度ｙを５乃至３０原子％に設定する。

次ぎに、この発明に係る情報記録媒体に対して情報を記
録消去した結果について説明する。本願にて規定した組
成範囲に入る、 （ＩｎＨ）Ｓｂｔｏ）ａｏＴｉｘｏ合金からなる記録層
を有する情報記録媒体に対し、先ず、出力が５ｍＷの連
続光で半導体レーザビームを照射し、初期結晶化した。

次いで、この光ディスクに対し、１６ｍＷの出力でＩ　
Ｍ　Ｈｚの記録レーザビームを照射したところ、信号の
Ｃ／Ｎ比（単一周波数及び単一バンド幅におけるＳ／Ｎ
）は、５０％であった。この記録後の光ディスクを、温
度が７５℃、湿度が９０％の条件下で約３週間放置した
が、信号の偏調度に変化は認められなかった。しかしな
がら、本願発明の規定範囲から外れる組成を宵するＩｎ
ｅｏｓｂｔｏ合金記録層に対し、同一の記録条件で信号
安定性を評価試験したところ、放置後、約２日経過して
偏調度に変化が現れ、信号が出なくなった。。これは、
Ｔｉをその濃度ｙで１０原子％含有することにより、第
２図に示すように、結晶化温度が著しく高くなり、非晶
質相が安定化することによる。

［発明の効果コ この発明によれば、ＩｎＳｂ合金におけるＩｎの割合い
が５０原子％を超えても、Ｔｉをその濃度ｙで５乃至３
０原子％含有することにより、結晶化温度が約１６０℃
以上と高く、非晶質相が安定して存在する。従って、信
号を安定して記録することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図、第２図はＴｉ濃度と結晶化温度との関係を示すグ
ラフ図、第３図はＩｎ濃度と結晶化温度との関係を示す
グラフ図である。 １；基板、２．４；誘電体膜、３；記録層、５；保護膜
。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 Ｊ２図 Ｔｎｉ農度（ｘ） 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 記録層に光ビームを照射し、この記録層に結晶質と非晶
   質との間の相変態を生じさせて情報を記録する情報記録
   媒体において、前記記録層は一般式（Ｉｎ＿ｘＳｂ＿１
   ＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿０＿−＿ｙＴｉ＿ｙで現
   される組成（但し、ｘは、Ｉｎ及びＳｂにおけるＩｎの
   原子％、ｙは、Ｉｎ＿ｘＳｂ＿１＿０＿０＿−＿ｘ合金
   及びＴｉにおけるＴｉの原子％）の合金で形成されてお
   り、このｙが５乃至３０原子％であることを特徴とする
   情報記録媒体。