JPH01100745A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01100745A JPH01100745A JP62256242A JP25624287A JPH01100745A JP H01100745 A JPH01100745 A JP H01100745A JP 62256242 A JP62256242 A JP 62256242A JP 25624287 A JP25624287 A JP 25624287A JP H01100745 A JPH01100745 A JP H01100745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- information
- recording
- alloy
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、記録層にレーザビーム等の光ビームを゛照
射することにより、記録層の光ビーム照射部分に光学的
特性の変化を生じさせて情報を記録消去すると共に、こ
の光学的特性を検出して情報を再生するいわゆるイレー
サブル光ディスク等の情報記録媒体に関する。
射することにより、記録層の光ビーム照射部分に光学的
特性の変化を生じさせて情報を記録消去すると共に、こ
の光学的特性を検出して情報を再生するいわゆるイレー
サブル光ディスク等の情報記録媒体に関する。
(従来の技術)
情報の記録再生に加えて、情報を消去することができる
イレーサブルタイブの情報記録媒体は、従来、ガラス又
はプラスチック材料(例えば、ポリメチルメタクリレー
ト等のアクリル樹脂)で形成された基板と、この基板の
上に蒸着又はスパッタリング等によって成膜された以下
に説明する材料の記録層とから構成されている。この記
録層は、Te、Se、Ge、Sb等の金属若しくは半金
属、又はこれらの合金の薄膜で形成されており、例え1
:l’、Ge15 Teg 5の組成を有している。こ
の場合に、必要に応じて記録層の基板側及び(又は)外
側に5i02.AIN等の透明誘電体で形成された保護
層を設け、記録層を酸化等から保護している。
イレーサブルタイブの情報記録媒体は、従来、ガラス又
はプラスチック材料(例えば、ポリメチルメタクリレー
ト等のアクリル樹脂)で形成された基板と、この基板の
上に蒸着又はスパッタリング等によって成膜された以下
に説明する材料の記録層とから構成されている。この記
録層は、Te、Se、Ge、Sb等の金属若しくは半金
属、又はこれらの合金の薄膜で形成されており、例え1
:l’、Ge15 Teg 5の組成を有している。こ
の場合に、必要に応じて記録層の基板側及び(又は)外
側に5i02.AIN等の透明誘電体で形成された保護
層を設け、記録層を酸化等から保護している。
このような光記録媒体における情報の記録及び消去は、
従来、以下のように行われている。先ず、記録層に光ビ
ームを全面照射して加熱徐冷し、記録層全体を原子が規
則正しく配列された結晶状態にする。次いで、記録層に
情報書込み用の光ビームを照射する。この書込み用の光
ビームとしては、出力が大きくパルス幅が短いパルス光
が用いられ、これにより光ビーム照射部分が加熱急冷さ
れ、その部分が結晶構造が乱れたいわゆる非晶質状態と
なる。このような非晶質状態では、結晶状態よりも反射
率が低く、また、透過率が高いので、これにより情報が
記録されたことになり、このような反射率等の差を検出
することにより情報を読取ることができる。情報の消去
に際しては、記録層の情報記録部分に比較的出力が小さ
くパルス幅が長い光ビームを照射し、その部分を加熱徐
冷することにより非晶質状態から結晶状態に変化させる
。
従来、以下のように行われている。先ず、記録層に光ビ
ームを全面照射して加熱徐冷し、記録層全体を原子が規
則正しく配列された結晶状態にする。次いで、記録層に
情報書込み用の光ビームを照射する。この書込み用の光
ビームとしては、出力が大きくパルス幅が短いパルス光
が用いられ、これにより光ビーム照射部分が加熱急冷さ
れ、その部分が結晶構造が乱れたいわゆる非晶質状態と
なる。このような非晶質状態では、結晶状態よりも反射
率が低く、また、透過率が高いので、これにより情報が
記録されたことになり、このような反射率等の差を検出
することにより情報を読取ることができる。情報の消去
に際しては、記録層の情報記録部分に比較的出力が小さ
くパルス幅が長い光ビームを照射し、その部分を加熱徐
冷することにより非晶質状態から結晶状態に変化させる
。
即ち、従来のイレーサブルタイブの情報記録媒体は、結
晶状態及び非晶質状態の間の可逆的な相変化を利用して
情報の記録消去を行なうことができる。
晶状態及び非晶質状態の間の可逆的な相変化を利用して
情報の記録消去を行なうことができる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上述したような従来の情報記録媒体は、
情報の記録部分が非晶質状態であるが、非晶質状態は結
晶状態に至る準安定状態であるため、通常エネルギーを
加え葛ことにより容易に結晶状態に変化してしまい、不
安定であるという欠点がある。従って、−旦記録された
情報が損われてしまう虞がある。
情報の記録部分が非晶質状態であるが、非晶質状態は結
晶状態に至る準安定状態であるため、通常エネルギーを
加え葛ことにより容易に結晶状態に変化してしまい、不
安定であるという欠点がある。従って、−旦記録された
情報が損われてしまう虞がある。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、記録された情報を安定して保持することができる情報
記録媒体を提供することを目的とする。
、記録された情報を安定して保持することができる情報
記録媒体を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射により相変化を生じる記録層とを有(5、この相変化
に基く光ビーム照射部分の光学的変化により情報を記録
消去し、その光学的変化を検出して情報を読取る情報記
録媒体であって、前記記録層は、−綴代 %式% の合金で形成されており、x、yが原子%で夫々20≦
X≦80.0<y≦20の範囲内であり、MがGe、S
t、As、B、C,N、O,H,F及びArから選択
された少なくとも1種の元素であることを特徴とする。
射により相変化を生じる記録層とを有(5、この相変化
に基く光ビーム照射部分の光学的変化により情報を記録
消去し、その光学的変化を検出して情報を読取る情報記
録媒体であって、前記記録層は、−綴代 %式% の合金で形成されており、x、yが原子%で夫々20≦
X≦80.0<y≦20の範囲内であり、MがGe、S
t、As、B、C,N、O,H,F及びArから選択
された少なくとも1種の元素であることを特徴とする。
(作用)
記録層を上述のような組成で形成する場合には、記録層
に光ビームを照射することにより、結晶状態と非晶質状
態との間で相変化を生じる。この場合に2つの異なる光
ビーム照射条件を設定することにより、結晶状態及び非
晶質状態のいずれの状態にもなり得るので、これらの変
化は可逆的であり、これにより情報を記録及び消去する
ことができる。この場合に、上述の組成の場合には、非
晶質状態であっても構造が極めて安定である。
に光ビームを照射することにより、結晶状態と非晶質状
態との間で相変化を生じる。この場合に2つの異なる光
ビーム照射条件を設定することにより、結晶状態及び非
晶質状態のいずれの状態にもなり得るので、これらの変
化は可逆的であり、これにより情報を記録及び消去する
ことができる。この場合に、上述の組成の場合には、非
晶質状態であっても構造が極めて安定である。
従って、記録した情報を安定して保持しておくことがで
きる。
きる。
(実施例)
以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について具
体的に説明する。第1図はこの発明の一実施例に係る情
報記録媒体の概略を示す断面図である。基板1は透明で
経時変化が少ない材料、例えば、ポリメチルメタクリレ
ートのようなアクリル樹脂又はガラスで形成されている
。この基板1の上には記録層2が形成されている。この
記録層2は一般式(S b soo−m T e x
) 100−F M yで表される1組成の合金で形成
されており、x、yが原子%で夫々20≦X≦80、o
<y≦20の範囲内であり、MがGe、S t、As、
B、C,N。
体的に説明する。第1図はこの発明の一実施例に係る情
報記録媒体の概略を示す断面図である。基板1は透明で
経時変化が少ない材料、例えば、ポリメチルメタクリレ
ートのようなアクリル樹脂又はガラスで形成されている
。この基板1の上には記録層2が形成されている。この
記録層2は一般式(S b soo−m T e x
) 100−F M yで表される1組成の合金で形成
されており、x、yが原子%で夫々20≦X≦80、o
<y≦20の範囲内であり、MがGe、S t、As、
B、C,N。
0、H,F及びArから選択された少なくとも1種の元
素である。この組成範囲の合金は結晶状態と非晶質状態
との間で相変化させることができ、非晶質状態で安定で
ある。記録層2の主体である5b−Te合金は、その結
晶状態と非晶質状態との間の変化?(Teが 乃至1
00原子%で起り得る。しかし、Teが80原子%を超
えると、情報記録部分(以下記録マークという)の反射
率が時間と共に変化して記録マークが不安定であり、ま
た、Teが20原子%未満であるとsbの偏折に起因す
る縞模様が発生する。このため、5b−Te合金の組成
を上述の範囲に規定する。また、この記録層2には上述
したようにGe、SL。
素である。この組成範囲の合金は結晶状態と非晶質状態
との間で相変化させることができ、非晶質状態で安定で
ある。記録層2の主体である5b−Te合金は、その結
晶状態と非晶質状態との間の変化?(Teが 乃至1
00原子%で起り得る。しかし、Teが80原子%を超
えると、情報記録部分(以下記録マークという)の反射
率が時間と共に変化して記録マークが不安定であり、ま
た、Teが20原子%未満であるとsbの偏折に起因す
る縞模様が発生する。このため、5b−Te合金の組成
を上述の範囲に規定する。また、この記録層2には上述
したようにGe、SL。
As、B、C,N、O,H,F及びArの中から選択さ
れた少なくとも1種の元素が20原子%以下の含有量で
含有されている。これらの元素は、記録層の結晶化温度
を上昇させる作用があり、これにより、非晶質状態を極
めて安定化することができる。これらの元素の含有量が
20原子%以内であれば、5b−Te合金の構造を損わ
ず、結晶状態と非晶質状態との間で相変化し得るが、2
0原子%を超えた場合には、5b−Te合金の構造が損
われてしまい、所望の相変化を得ることができない。従
って、これらの元素の含有量を20原子%以下とする。
れた少なくとも1種の元素が20原子%以下の含有量で
含有されている。これらの元素は、記録層の結晶化温度
を上昇させる作用があり、これにより、非晶質状態を極
めて安定化することができる。これらの元素の含有量が
20原子%以内であれば、5b−Te合金の構造を損わ
ず、結晶状態と非晶質状態との間で相変化し得るが、2
0原子%を超えた場合には、5b−Te合金の構造が損
われてしまい、所望の相変化を得ることができない。従
って、これらの元素の含有量を20原子%以下とする。
この記録層2は、真空蒸着法又はスパッタリング法で形
成することができる。
成することができる。
記録層2の上には保護層3が形成されている。
この保護層3は、ポリメチルメタクリレート、ポリスチ
レン等の熱可遡性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂(いわ
ゆる2p樹脂)等で形成されており、記録層2が損傷し
ないようにする機能を有している。また、この保護層3
は、場合によってはS i O2、A 1203等の酸
化物、又は、AIN等の窒化物で形成するこ止もできる
。この保護層3は、スピンコード法、蒸着法又はスパッ
タリング法等によって形成することができる。この保護
層3の層厚は200人乃至数十μm程度であることが好
ましい。
レン等の熱可遡性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂(いわ
ゆる2p樹脂)等で形成されており、記録層2が損傷し
ないようにする機能を有している。また、この保護層3
は、場合によってはS i O2、A 1203等の酸
化物、又は、AIN等の窒化物で形成するこ止もできる
。この保護層3は、スピンコード法、蒸着法又はスパッ
タリング法等によって形成することができる。この保護
層3の層厚は200人乃至数十μm程度であることが好
ましい。
第2図はこの発明の他の実施例に係る情報記録媒体の概
略を示す断面図である。この実施例においては、記録層
2を挾むようにして配設された誘電体保護層4,5が設
けられている以外は、第1図に示すものと同一である。
略を示す断面図である。この実施例においては、記録層
2を挾むようにして配設された誘電体保護層4,5が設
けられている以外は、第1図に示すものと同一である。
即ち、基板1の上に誘電体層4、記録層2、誘電体層5
及び保護層3がこの順番で積層されて構成されている。
及び保護層3がこの順番で積層されて構成されている。
この誘電体層4,5は、レーザビームの照射により記録
層2が飛散したり、穴がおいてしまうことを防止する機
能、及び、例えばアクリル基板を使用した場合に、記録
層2が水分の影響を受けることを防止する機能を有して
いる。この誘電体層4.5はS i 02又はAIN等
で形成されており、記録層2と同様に、スパッタリング
等で形成することができる。誘電体層4,5は約10人
乃至数+μmであることが好ましい。
層2が飛散したり、穴がおいてしまうことを防止する機
能、及び、例えばアクリル基板を使用した場合に、記録
層2が水分の影響を受けることを防止する機能を有して
いる。この誘電体層4.5はS i 02又はAIN等
で形成されており、記録層2と同様に、スパッタリング
等で形成することができる。誘電体層4,5は約10人
乃至数+μmであることが好ましい。
次に、このような情報記録媒体の初期化、記録(1f込
み)、再生(読取り)及び消去について説明する。この
実施例の情報記録媒体は基板1側からレーザビーム等の
光ビームが照射されて、情報が記録、再生及び消去され
る。
み)、再生(読取り)及び消去について説明する。この
実施例の情報記録媒体は基板1側からレーザビーム等の
光ビームが照射されて、情報が記録、再生及び消去され
る。
初期化
成膜直後の記録層2は通常非晶質状態であるので、記録
層2を結晶状態にする。この場合に、例えば、記録層2
に順次光ビームを照射して記録層2全体を加熱徐冷し、
結晶状態に変化させる。
層2を結晶状態にする。この場合に、例えば、記録層2
に順次光ビームを照射して記録層2全体を加熱徐冷し、
結晶状態に変化させる。
記録
記録層2に出力が大きく幅が短いパルス状の光ビームを
照射し、この照射領域を加熱して溶融させた後急冷する
ことにより非晶質の記録マークを形成する。
照射し、この照射領域を加熱して溶融させた後急冷する
ことにより非晶質の記録マークを形成する。
再生
記録マークを形成した記録層2に出力が小さい光ビーム
を照射し、その反射光の強度を検出することにより情報
を読取る。即ち、非晶質状態の記録マークと結晶状態の
その他の部分とで、反射光の強度が異なるので、この反
射光強度の差を検出することにより情報を終取ることが
できる。
を照射し、その反射光の強度を検出することにより情報
を読取る。即ち、非晶質状態の記録マークと結晶状態の
その他の部分とで、反射光の強度が異なるので、この反
射光強度の差を検出することにより情報を終取ることが
できる。
消去 −
記録層2の記録マーク部分に、記録時の光ビームよりも
小さな出力で幅が長いパルス状の光ビームを照射する。
小さな出力で幅が長いパルス状の光ビームを照射する。
これにより、記録マークが加熱徐冷されて結晶状態に変
化し、情報が消去される。
化し、情報が消去される。
次に、この実施例の情報記録媒体を実際に作成して試験
した試験例について具体的に説明する。
した試験例について具体的に説明する。
試験例1
外径130v及び厚さ1.2mmのポリメチルメタクリ
レート製基板を準備し、これを十分に洗浄した後、スパ
ッタリング装置に設置した。このスパッタリング装置内
にsbツタ−ット、Teターゲット及びMで示される元
素のターゲットを準備し、これらの同時スパッタリング
により基板の上に記録層を形成した。このスパッタリン
グの際に、基板を回転させることによりこれらの元素が
均一になるように、また、スパッタリング速度が一定に
なるようにした。この場合に、ターゲットの組成を変化
させ、記録層の組成を種々変化させた複数のサンプルを
作成した。この際の記録層の厚さは全て1000人とし
た。これらサンプルでは、記録層の上に紫外線硬化樹脂
をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化させ、
保護層を形成した。このようにして、作成した情報記録
媒体サンプルをスピンドル上に載置し、このサンプルを
静止した状態で、波長830nmの半導体レーザを、光
学ヘッドのコリメータレンズ及び対物レンズ光学ヘッド
によりビーム形を約1μmに絞って各サンプルの記録層
に照射した。その結果、いずれのサンプルの記録層も非
晶質状態であったのが、半導体レーザビームを照射した
部分が全て結晶状態に変化した。
レート製基板を準備し、これを十分に洗浄した後、スパ
ッタリング装置に設置した。このスパッタリング装置内
にsbツタ−ット、Teターゲット及びMで示される元
素のターゲットを準備し、これらの同時スパッタリング
により基板の上に記録層を形成した。このスパッタリン
グの際に、基板を回転させることによりこれらの元素が
均一になるように、また、スパッタリング速度が一定に
なるようにした。この場合に、ターゲットの組成を変化
させ、記録層の組成を種々変化させた複数のサンプルを
作成した。この際の記録層の厚さは全て1000人とし
た。これらサンプルでは、記録層の上に紫外線硬化樹脂
をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化させ、
保護層を形成した。このようにして、作成した情報記録
媒体サンプルをスピンドル上に載置し、このサンプルを
静止した状態で、波長830nmの半導体レーザを、光
学ヘッドのコリメータレンズ及び対物レンズ光学ヘッド
によりビーム形を約1μmに絞って各サンプルの記録層
に照射した。その結果、いずれのサンプルの記録層も非
晶質状態であったのが、半導体レーザビームを照射した
部分が全て結晶状態に変化した。
次に、これら情報記録媒体サンプルの情報の書換え口■
脂性、即ち、記録−消去−再記録の可能性を評価するた
めに、出力及びパルス幅が異なる2種類のパルス状のレ
ーザビームを交互にサンプルの記録層に照射し、その異
なる条件のレーザビーム照射の間に0.1乃至0.2m
Wの小さい出力のレーザビームを照射し反射光の変化を
測定した。
脂性、即ち、記録−消去−再記録の可能性を評価するた
めに、出力及びパルス幅が異なる2種類のパルス状のレ
ーザビームを交互にサンプルの記録層に照射し、その異
なる条件のレーザビーム照射の間に0.1乃至0.2m
Wの小さい出力のレーザビームを照射し反射光の変化を
測定した。
先ず、各サンプルの初期状態の記録層に、出力が10
m W sパルス幅が100nsecの記録用のレーザ
ビームパルスを照射した。その結果、レーザビーム照射
部分が加熱急冷され、その部分の構造が変化し、反射率
が低い状態となった。この部分に、出力が3mW、パル
ス幅が1μmの消去用のレーザビームパルスを照射した
結果、その照射部分の構造が変化し、反射率が高い状態
となった。
m W sパルス幅が100nsecの記録用のレーザ
ビームパルスを照射した。その結果、レーザビーム照射
部分が加熱急冷され、その部分の構造が変化し、反射率
が低い状態となった。この部分に、出力が3mW、パル
ス幅が1μmの消去用のレーザビームパルスを照射した
結果、その照射部分の構造が変化し、反射率が高い状態
となった。
この反射率は、大出力短パルス幅のレーザビーム照射後
に低下し、また、小出力長パルス幅のレーザビーム照射
後に増大し、この反射率変化は可逆的であった。この可
逆的変化は、記録層の主体となる5bTe合金において
、Teが 乃至100原子%の範囲内のサンプルの場
合に生じたが、Teが80原子%を超えたサンプルでは
記録マークの反射率が時間と共に変化した。また、Te
が20原子%未満のサンプルでは記録層にsbの偏析が
原因の縞模様が生じ、情報の記録上不都合であった。
に低下し、また、小出力長パルス幅のレーザビーム照射
後に増大し、この反射率変化は可逆的であった。この可
逆的変化は、記録層の主体となる5bTe合金において
、Teが 乃至100原子%の範囲内のサンプルの場
合に生じたが、Teが80原子%を超えたサンプルでは
記録マークの反射率が時間と共に変化した。また、Te
が20原子%未満のサンプルでは記録層にsbの偏析が
原因の縞模様が生じ、情報の記録上不都合であった。
反射率が低い記録部分と反射率が高い非記録部分との構
造の差を比較するために、これらの部分を透過型電子顕
微鏡を用いて回折パターンを観察した。情報記録媒体サ
ンプルから保護層を剥離して記録層の回折パターンをと
ったところ、レーザビームが照射されていない初期状態
では非晶質に特有のハローパターンが確認された。一方
、記録マークについては、初期状態に近い非晶質特有の
ハローパターンが確認された。また、消去部分では、結
晶により回折されたリングとスポットとが得られ、結晶
状態であることが確認された。
造の差を比較するために、これらの部分を透過型電子顕
微鏡を用いて回折パターンを観察した。情報記録媒体サ
ンプルから保護層を剥離して記録層の回折パターンをと
ったところ、レーザビームが照射されていない初期状態
では非晶質に特有のハローパターンが確認された。一方
、記録マークについては、初期状態に近い非晶質特有の
ハローパターンが確認された。また、消去部分では、結
晶により回折されたリングとスポットとが得られ、結晶
状態であることが確認された。
試験例2
この試験例では、記録層の安定性について評価した。S
b4 o Teb o ES iを夫々5,10゜20
原子%含有させた合金で記録層を形成したサンプルを作
成した。これらのサンプルは試験例1と同様の層構成と
し、試験例1と同様に作成した。
b4 o Teb o ES iを夫々5,10゜20
原子%含有させた合金で記録層を形成したサンプルを作
成した。これらのサンプルは試験例1と同様の層構成と
し、試験例1と同様に作成した。
これらサンプルを示差走査熱量計(DSC)により熱分
析した。その結果第3図に示すようなデータが得られた
。
析した。その結果第3図に示すようなデータが得られた
。
第3図は、横軸にSL添加量をとり、縦軸に記録層の結
晶化温度をとって、これらの関係を示すグラフ図−であ
る。この図に示すように、St含有量の増加に従って、
記録層の結晶化温度が上昇した。即ち、Siを含有させ
ることにより非晶質状態の安定性が上昇することが確認
され、Siが記録マークの安定性に寄与することがわか
った。
晶化温度をとって、これらの関係を示すグラフ図−であ
る。この図に示すように、St含有量の増加に従って、
記録層の結晶化温度が上昇した。即ち、Siを含有させ
ることにより非晶質状態の安定性が上昇することが確認
され、Siが記録マークの安定性に寄与することがわか
った。
更に、Siに代えて、Qe、As、B、C,N。
0、H,F及びArを夫々含有させたサンプルを作成し
て同様な試験を行なった結果、Siを含有させた場合と
同様な結果を得ることができた。
て同様な試験を行なった結果、Siを含有させた場合と
同様な結果を得ることができた。
[発明の効果]
この発明によれば、情報の記録部分を安定に保持するこ
とができ、信号劣化を極めて少なくすることができる。
とができ、信号劣化を極めて少なくすることができる。
従って、情報記録媒体の信頼性を著しく向上させること
ができる。
ができる。
第1図及び第2図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体の概略を示す断面図、第3図は記録層のSi含有量と
結晶化温度との関係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3;保護層、4,5;誘電体層
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
体の概略を示す断面図、第3図は記録層のSi含有量と
結晶化温度との関係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3;保護層、4,5;誘電体層
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、光ビームの照射により相変化を生じる記録層と
を有し、この相変化に基く光ビーム照射部分の光学的変
化により情報を記録消去し、その光学的変化を検出して
情報を読取る情報記録媒体において、前記記録層は、一
般式 (Sb_1_0_0_−_xTe_x)_1_0_0_
−_yM_yで表される組成の合金で形成されており、
x、yが原子%で夫々20≦x≦80、0<y≦20の
範囲内であり、MがGe、Si、As、B、C、N、O
、H、F及びArから選択された少なくとも1種の元素
であることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256242A JPH01100745A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256242A JPH01100745A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100745A true JPH01100745A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17289912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256242A Pending JPH01100745A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100745A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149238A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH01245440A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
| JPH0416383A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPH06171234A (ja) * | 1991-03-12 | 1994-06-21 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 光情報記録媒体 |
| WO2001026106A1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical recording medium comprising a gesbte recording layer |
| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62256242A patent/JPH01100745A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149238A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
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