JPS6359468B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6359468B2 JPS6359468B2 JP57033260A JP3326082A JPS6359468B2 JP S6359468 B2 JPS6359468 B2 JP S6359468B2 JP 57033260 A JP57033260 A JP 57033260A JP 3326082 A JP3326082 A JP 3326082A JP S6359468 B2 JPS6359468 B2 JP S6359468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- avalanche photodiode
- voltage
- charging
- temperature
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、パルスレーザ光を目標にむけて送
出し、目標からの反射光を受信して、パルス光伝
ばん遅延時間から目標までの距離を測定する測距
装置に関するものである。
出し、目標からの反射光を受信して、パルス光伝
ばん遅延時間から目標までの距離を測定する測距
装置に関するものである。
この種測距装置に用いられるアバランシエホト
ダイオードの感度は、第１図ａに示すように、一
定温度Ｔのもとでは、バイアス電圧増大とともに
上昇し、ブレータダウン電圧VBK以上では、アバ
ランシエホトダイオードは著しい雑音を発してブ
レークダウンをおこす。このブレークダウン電圧
は、同図に示すように温度Ｔが高いほど大きな値
であり、等感度が得られるバイアス電圧VB（Ｔ）
は、第１図ｂの等感度バイアス曲線に示すよう
に、温度上昇とともに大きな値が必要なので、ア
バランシエホトダイオードを一定感度で使用する
ためには、環境温度変化とともにバイアス電圧を
変化させる必要がある。従つて、従来のこの種装
置においては、バイアス電圧を変化させるため
に、次のような手段を用いていた。
ダイオードの感度は、第１図ａに示すように、一
定温度Ｔのもとでは、バイアス電圧増大とともに
上昇し、ブレータダウン電圧VBK以上では、アバ
ランシエホトダイオードは著しい雑音を発してブ
レークダウンをおこす。このブレークダウン電圧
は、同図に示すように温度Ｔが高いほど大きな値
であり、等感度が得られるバイアス電圧VB（Ｔ）
は、第１図ｂの等感度バイアス曲線に示すよう
に、温度上昇とともに大きな値が必要なので、ア
バランシエホトダイオードを一定感度で使用する
ためには、環境温度変化とともにバイアス電圧を
変化させる必要がある。従つて、従来のこの種装
置においては、バイアス電圧を変化させるため
に、次のような手段を用いていた。
第２図は従来の装置におけるアバランシエホト
ダイオードバイアス印加回路の構成の１例を示す
図で、１はアバランシエホトダイオード、２は温
度検出器、３はバイアス電圧発生回路である。第
２図において、アバランシエホトダイオード１の
ケース温度が温度検出器２で検出され、温度Ｔに
おいて、第１図ｂに示される電圧VB（Ｔ）を近似
する電圧VB′（Ｔ）を発生するバイアス電圧発生
回路３を用いて、アバランシエホトダイオードに
バイアス電圧が印加されていた。
ダイオードバイアス印加回路の構成の１例を示す
図で、１はアバランシエホトダイオード、２は温
度検出器、３はバイアス電圧発生回路である。第
２図において、アバランシエホトダイオード１の
ケース温度が温度検出器２で検出され、温度Ｔに
おいて、第１図ｂに示される電圧VB（Ｔ）を近似
する電圧VB′（Ｔ）を発生するバイアス電圧発生
回路３を用いて、アバランシエホトダイオードに
バイアス電圧が印加されていた。
しかし一般に、VB（Ｔ）を広い温度範囲におい
て精度よく近似する回路は製作が困難であるばか
りでなく、アバランシエホトダイオードの等感度
バイアス曲線は製品ごとに異なるので、１つのア
バランシエホトダイオードに対してVB（Ｔ）を精
度よく近似しても、別の製品に対しては近似精度
が悪くなり、従つて、安定した等感度が広い温度
範囲において得られない欠点があつた。
て精度よく近似する回路は製作が困難であるばか
りでなく、アバランシエホトダイオードの等感度
バイアス曲線は製品ごとに異なるので、１つのア
バランシエホトダイオードに対してVB（Ｔ）を精
度よく近似しても、別の製品に対しては近似精度
が悪くなり、従つて、安定した等感度が広い温度
範囲において得られない欠点があつた。
この発明は、バイアス電圧がブレークダウン電
圧に達したときにアバランシエホトダイオードが
発生する雑音を検出し、バイアス電圧をブレーク
ダウンが生じる直前の値に設定しなおすことによ
り、常にアバランシエホトダイオードを、適切な
感度で安定に使用する手段を提供するものであ
る。以下、この発明を、図を用いて詳細に説明す
る。
圧に達したときにアバランシエホトダイオードが
発生する雑音を検出し、バイアス電圧をブレーク
ダウンが生じる直前の値に設定しなおすことによ
り、常にアバランシエホトダイオードを、適切な
感度で安定に使用する手段を提供するものであ
る。以下、この発明を、図を用いて詳細に説明す
る。
第３図はこの発明の１実施例を示す図で、レー
ザ用充電コンデンサ４は定電流源５で充電され
る。充電コンデンサ４の端子間電圧VCは、第４
図に示すように、充電開始時から時間とともに増
大し、設定された電圧VSに達してのち、レーザ
が発射されてOVに放電低下する。
ザ用充電コンデンサ４は定電流源５で充電され
る。充電コンデンサ４の端子間電圧VCは、第４
図に示すように、充電開始時から時間とともに増
大し、設定された電圧VSに達してのち、レーザ
が発射されてOVに放電低下する。
上述の定電流源５はまた、抵抗６、ダイオード
７を介して、直列に接続された、容量C1および
C2のバイアス用充電コンデンサ８および９各々
をも充電し、この直列コンデンサ端子間電圧VCC
がアバランシエホトダイオード１に印加される。
７を介して、直列に接続された、容量C1および
C2のバイアス用充電コンデンサ８および９各々
をも充電し、この直列コンデンサ端子間電圧VCC
がアバランシエホトダイオード１に印加される。
VCCが、ある温度におけるブレークダウン電圧
に達すると、アバランシエホトダイオードの出力
を増巾する増巾器１０の出力１１には、ブレーク
ダウンによる雑音が十分な振幅で現われ、レーザ
用充電コンデンサ充電開始時に定められた状態に
設定したフリツプフロツプ１２の状態を反転させ
る。この状態反転により、開閉器１３および１４
は開閉器駆動回路１５により閉じられる。開閉器
１３が閉じることにより、コンデンサ８，９を充
電する電圧はOVに低下するので、それ以降、レ
ーザが発射されるまで、コンデンサ８，９の充電
は停止される。また、開閉器１４が閉じることに
より、VCCは、ブレークダウンが生じたときのバ
イアス電圧VBKのC2／（C1＋C2）倍に低下する。
従つてC1およびC2の値を適切に選ぶことにより、
任意のアバランシエホトダイオードを、常にブレ
ークダウン直前の、感度が等しく十分高い状態で
使用することができるので、アバランシエホトダ
イオードの性能を、広い温度範囲にわたつて、安
定に発揮することができる。
に達すると、アバランシエホトダイオードの出力
を増巾する増巾器１０の出力１１には、ブレーク
ダウンによる雑音が十分な振幅で現われ、レーザ
用充電コンデンサ充電開始時に定められた状態に
設定したフリツプフロツプ１２の状態を反転させ
る。この状態反転により、開閉器１３および１４
は開閉器駆動回路１５により閉じられる。開閉器
１３が閉じることにより、コンデンサ８，９を充
電する電圧はOVに低下するので、それ以降、レ
ーザが発射されるまで、コンデンサ８，９の充電
は停止される。また、開閉器１４が閉じることに
より、VCCは、ブレークダウンが生じたときのバ
イアス電圧VBKのC2／（C1＋C2）倍に低下する。
従つてC1およびC2の値を適切に選ぶことにより、
任意のアバランシエホトダイオードを、常にブレ
ークダウン直前の、感度が等しく十分高い状態で
使用することができるので、アバランシエホトダ
イオードの性能を、広い温度範囲にわたつて、安
定に発揮することができる。
このように、この発明によれば、アバランシエ
ホトダイオードの製品ごとの特性むら、および環
境温度変化にかかわらず、常にアバランシエホト
ダイオードを等しく高感度の状態で使用すること
ができるので、測距装置の測距能力を安定にする
ことが可能となる。
ホトダイオードの製品ごとの特性むら、および環
境温度変化にかかわらず、常にアバランシエホト
ダイオードを等しく高感度の状態で使用すること
ができるので、測距装置の測距能力を安定にする
ことが可能となる。
第１図ａはアバランシエホトダイオードの温
度、バイアス電圧に対する感度依存を示す図、第
１図ｂは、等感度が得られる温度とバイアス電圧
の関係を示す図、第２図は従来の装置におけるア
バランシエホトダイオードバイアス印加回路の構
成を示す図、第３図はこの発明の１実施例を示す
図、第４図はレーザ用充電コンデンサ端子間電圧
を示す図であつて、１はアバランシエホトダイオ
ード、２は温度検出器、３はバイアス電圧発生回
路、４はレーザ用充電コンデンサ、５は定電流
源、６は抵抗、７はダイオード８，９はバイアス
用充電コンデンサ、１０は増巾器、１１は増巾器
出力、１２はフリツプフロツプ、１３，１４は開
閉器、１５は開閉器駆動回路である。なお、図
中、同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示してある。
度、バイアス電圧に対する感度依存を示す図、第
１図ｂは、等感度が得られる温度とバイアス電圧
の関係を示す図、第２図は従来の装置におけるア
バランシエホトダイオードバイアス印加回路の構
成を示す図、第３図はこの発明の１実施例を示す
図、第４図はレーザ用充電コンデンサ端子間電圧
を示す図であつて、１はアバランシエホトダイオ
ード、２は温度検出器、３はバイアス電圧発生回
路、４はレーザ用充電コンデンサ、５は定電流
源、６は抵抗、７はダイオード８，９はバイアス
用充電コンデンサ、１０は増巾器、１１は増巾器
出力、１２はフリツプフロツプ、１３，１４は開
閉器、１５は開閉器駆動回路である。なお、図
中、同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示してある。
Claims (1)
- １ パルスレーザ光を目標に照射して得られる反
射パルス光をアバランシエホトダイオードを用い
て光電変換し、反射光の伝ぱん時間から、目標ま
での距離を求める測距装置において、レーザ用充
電コンデンサの時間とともに増大する端子間電圧
で、アバランシエホトダイオードバイアス充電用
コンデンサを充電する手段と、前記アバランシエ
ホトダイオードがブレークダウン時に発生する雑
音を検出する手段と、前記アバランシエホトダイ
オードブレークダウン時に、前記アバランシエホ
トダイオードバイアス用充電コンデンサの充電を
停止し、端子間電圧を一定割合減ずる手段とを備
えたことを特徴とする測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033260A JPS58150879A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033260A JPS58150879A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 測距装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150879A JPS58150879A (ja) | 1983-09-07 |
| JPS6359468B2 true JPS6359468B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=12381541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57033260A Granted JPS58150879A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290077A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Seiko Epson Corp | フィ−ルド判別回路 |
-
1982
- 1982-03-03 JP JP57033260A patent/JPS58150879A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290077A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Seiko Epson Corp | フィ−ルド判別回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150879A (ja) | 1983-09-07 |
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