JPH0226728B2 - - Google Patents
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- JPH0226728B2 JPH0226728B2 JP58032587A JP3258783A JPH0226728B2 JP H0226728 B2 JPH0226728 B2 JP H0226728B2 JP 58032587 A JP58032587 A JP 58032587A JP 3258783 A JP3258783 A JP 3258783A JP H0226728 B2 JPH0226728 B2 JP H0226728B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカメラ等に用いられる測距装置であつ
て、発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を隣接配置された二つの受
光素子で受光する三角測距方式の測距装置の改良
に関する。
て、発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を隣接配置された二つの受
光素子で受光する三角測距方式の測距装置の改良
に関する。
従来、上述のような方式の測距装置としては、
特開昭54−39731号公報或は特開昭57−104809号
公報等により提案されている。
特開昭54−39731号公報或は特開昭57−104809号
公報等により提案されている。
一般に、受光素子より投射した光の測距対象か
らの反射光を受光素子で受光して測距する場合、
その反射光強度は、測距対象の反射率、距離等に
よつて、千倍以上の差を生じる。従つて、受光素
子の出力を増幅する増幅回路は、60dB以上のダ
イナミツクレンジが必要となる。
らの反射光を受光素子で受光して測距する場合、
その反射光強度は、測距対象の反射率、距離等に
よつて、千倍以上の差を生じる。従つて、受光素
子の出力を増幅する増幅回路は、60dB以上のダ
イナミツクレンジが必要となる。
そのダイナミツクレンジを広くする方法として
は、受光素子出力の対数圧縮や増幅回路の自動利
得調整が考えられるが、前者では、受光々量が大
きく受光素子間の出力差が小さい時に、Ｓ／Ｎが
悪くなる欠点があり、また後者では、フイードバ
ツク系が必要で、発振等の不安定要素が増大する
欠点があつた。
は、受光素子出力の対数圧縮や増幅回路の自動利
得調整が考えられるが、前者では、受光々量が大
きく受光素子間の出力差が小さい時に、Ｓ／Ｎが
悪くなる欠点があり、また後者では、フイードバ
ツク系が必要で、発振等の不安定要素が増大する
欠点があつた。
そこで、本発明の目的は、上記従来例の欠点を
伴わず、簡単な手段で、受光素子の出力を見掛上
零或は微少値から徐々に増大させて、比較回路の
判別し易いある設定値に達した時に測距状態を判
別させるようにした測距装置を提供するものであ
る。
伴わず、簡単な手段で、受光素子の出力を見掛上
零或は微少値から徐々に増大させて、比較回路の
判別し易いある設定値に達した時に測距状態を判
別させるようにした測距装置を提供するものであ
る。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。
る。
先ず、第１図において、１は時間形成回路（時
間ｔ＝25ｍｓ）、２はインバータ、３はトランジ
スタ、４は定電流回路、５は抵抗、６はコンデン
サ、７はバツフアとしての演算増幅回路、８は定
電流回路、９，１０及び１１は抵抗、１３は積分
器としての演算増幅回路、１４はコンデンサ、１
５はヒステリシスコンパレータとしての演算増幅
回路（なお、演算増幅回路は、以下共通して
OPAと記述する。）、１６及び１７は抵抗９端の
電圧を分圧する分圧抵抗、１８及び１９も分圧抵
抗、２０及び２１は夫々トランジスタ、２２は測
距対象へスポツト光を投射する発光素子としての
赤外線発光をダイオード（以下IRDと記述する）、
２３及び２４は夫々IRD２２から投射され測距対
象により反射された光を受光し得るように基線長
方向に隣接して配置された受光素子としてのシリ
コンホトダイオード（以下SPDと記述する）、２
５及び２６は夫々交流増幅回路、２７及び２８は
夫々帯域フイルター回路（中心周波数f0＝
16KHzであり、以下BPFと記述する）、２９及び
３０は夫々検波回路、３１及び３２は夫々平滑回
路、３３及び３４は夫々直流増幅回路、３５，３
６及び３７は夫々コンパレータ回路（以下CMP
と記述する）、３８は定電流回路、３９，４０及
び４１は夫々CMP３５の反転入力端子（−）及
びCMP３６，３７の非反転入力端子（＋）に基
準電圧Vr1及びVr2，Vr3を与える分圧抵抗、４２
はアンドゲート、４３及び４４は夫々Ｄタイプの
フリツプフロツプ回路、４５はR.Sタイプのフリ
ツプフロツプ回路（なお、フリツプフロツプ回路
は、以下共通してFFと記述する。）であり、夫々
図示の如く接続されている。
間ｔ＝25ｍｓ）、２はインバータ、３はトランジ
スタ、４は定電流回路、５は抵抗、６はコンデン
サ、７はバツフアとしての演算増幅回路、８は定
電流回路、９，１０及び１１は抵抗、１３は積分
器としての演算増幅回路、１４はコンデンサ、１
５はヒステリシスコンパレータとしての演算増幅
回路（なお、演算増幅回路は、以下共通して
OPAと記述する。）、１６及び１７は抵抗９端の
電圧を分圧する分圧抵抗、１８及び１９も分圧抵
抗、２０及び２１は夫々トランジスタ、２２は測
距対象へスポツト光を投射する発光素子としての
赤外線発光をダイオード（以下IRDと記述する）、
２３及び２４は夫々IRD２２から投射され測距対
象により反射された光を受光し得るように基線長
方向に隣接して配置された受光素子としてのシリ
コンホトダイオード（以下SPDと記述する）、２
５及び２６は夫々交流増幅回路、２７及び２８は
夫々帯域フイルター回路（中心周波数f0＝
16KHzであり、以下BPFと記述する）、２９及び
３０は夫々検波回路、３１及び３２は夫々平滑回
路、３３及び３４は夫々直流増幅回路、３５，３
６及び３７は夫々コンパレータ回路（以下CMP
と記述する）、３８は定電流回路、３９，４０及
び４１は夫々CMP３５の反転入力端子（−）及
びCMP３６，３７の非反転入力端子（＋）に基
準電圧Vr1及びVr2，Vr3を与える分圧抵抗、４２
はアンドゲート、４３及び４４は夫々Ｄタイプの
フリツプフロツプ回路、４５はR.Sタイプのフリ
ツプフロツプ回路（なお、フリツプフロツプ回路
は、以下共通してFFと記述する。）であり、夫々
図示の如く接続されている。
次に、第１図の動作を第２図と共に説明する。
操作の開始によつて、図示していない電源スイ
ツチが閉成されると、回路の各部に給電が行なわ
れると共に、FF４３，４４及び４５はリセツト
が解除される。
ツチが閉成されると、回路の各部に給電が行なわ
れると共に、FF４３，４４及び４５はリセツト
が解除される。
また、この初期状態、即ち、トランジスタ３が
導通している状態では、実質的に定電流回路４と
抵抗５によるａ点と、定電流回路８と抵抗９によ
るｂ点とがほゞ同電位に設定してあり、従つて、
OPA７の出力端子a′点もそれと同電位であり、
延いては、抵抗１０，１１及び１２を経たOPA
１３の両入力端子も同電位であり、その出力端子
ｃ点も同電位となつている。一方、OPA１５の
出力を「Ｌ」レベルと仮定すると、その非反転入
力端子（＋）には、抵抗９端の電圧を分圧した電
位とグランドＧ間において、抵抗１８及び１９に
より分圧されたｄ点の電圧が与えられ、OPA１
５の両入力端子の電位は、ｃ＞ｄの関係に置かれ
ている。
導通している状態では、実質的に定電流回路４と
抵抗５によるａ点と、定電流回路８と抵抗９によ
るｂ点とがほゞ同電位に設定してあり、従つて、
OPA７の出力端子a′点もそれと同電位であり、
延いては、抵抗１０，１１及び１２を経たOPA
１３の両入力端子も同電位であり、その出力端子
ｃ点も同電位となつている。一方、OPA１５の
出力を「Ｌ」レベルと仮定すると、その非反転入
力端子（＋）には、抵抗９端の電圧を分圧した電
位とグランドＧ間において、抵抗１８及び１９に
より分圧されたｄ点の電圧が与えられ、OPA１
５の両入力端子の電位は、ｃ＞ｄの関係に置かれ
ている。
そして、時間形成回路１が動作して、その出力
がｔ＝25ｍｓの時間だけ「Ｈ」レベルへ反転す
る。この結果、同様にインバータ２の出力が
「Ｌ」レベルへ反転し、トランジスタ６が遮断す
るので、コンデンサ６は抵抗５を介して定電流回
路４により定電流充電され、その定電流をＩ、コ
ンデンサ６の容量をＣとすると、OPA７の出力
端子a′点の電圧Ｖは、Ｖ＝（１／Ｃ）Ｉ・ｔの関
係式により、○イで示す如く、上述の電位から上昇
する。
がｔ＝25ｍｓの時間だけ「Ｈ」レベルへ反転す
る。この結果、同様にインバータ２の出力が
「Ｌ」レベルへ反転し、トランジスタ６が遮断す
るので、コンデンサ６は抵抗５を介して定電流回
路４により定電流充電され、その定電流をＩ、コ
ンデンサ６の容量をＣとすると、OPA７の出力
端子a′点の電圧Ｖは、Ｖ＝（１／Ｃ）Ｉ・ｔの関
係式により、○イで示す如く、上述の電位から上昇
する。
この結果、OPA１３の両入力端子に電位差が
生じ、電流Ixが流れ込み、コンデンサ１４が図示
の方向に充電される。従つて、○ロに示す如く、
OPA１３の出力端子、即ち、OPA１５の反転入
力端子（−）ｃ点の電位は上述の電位から下降
し、そして、ｃ点の電位がｄ点の電位に達する
と、OPA１５の出力端子は「Ｈ」レベルへ反転
し、点線で示す如く、ｄ点の電位を上昇させると
共に、トランジスタ２０を導通させる。依つて、
抵抗１０と１１の接続点をグランドＧのレベルに
落すので、コンデンサ１４の充電々荷が、抵抗１
１及びトランジスタ２０を介して放電され、ｃ点
の電位は上昇し、ｃ点の電位が先に上昇したｄ点
の電位に達すると、OPA１５の出力端子は再び
「Ｌ」レベルへ反転し、ｄ点のレベルを初めの状
態に戻すと共に、トランジスタ２０を遮断させ
る。すると、コンデンサ１４が電流Ixにより再び
充電を開始され、ｃ点の電位は再び下降して行
く。
生じ、電流Ixが流れ込み、コンデンサ１４が図示
の方向に充電される。従つて、○ロに示す如く、
OPA１３の出力端子、即ち、OPA１５の反転入
力端子（−）ｃ点の電位は上述の電位から下降
し、そして、ｃ点の電位がｄ点の電位に達する
と、OPA１５の出力端子は「Ｈ」レベルへ反転
し、点線で示す如く、ｄ点の電位を上昇させると
共に、トランジスタ２０を導通させる。依つて、
抵抗１０と１１の接続点をグランドＧのレベルに
落すので、コンデンサ１４の充電々荷が、抵抗１
１及びトランジスタ２０を介して放電され、ｃ点
の電位は上昇し、ｃ点の電位が先に上昇したｄ点
の電位に達すると、OPA１５の出力端子は再び
「Ｌ」レベルへ反転し、ｄ点のレベルを初めの状
態に戻すと共に、トランジスタ２０を遮断させ
る。すると、コンデンサ１４が電流Ixにより再び
充電を開始され、ｃ点の電位は再び下降して行
く。
以上の動作を繰り返えし、IRD２２はOPA１
５の出力端子が「Ｈ」レベルへ反転して、トラン
ジスタ２１が導通した時だけパルス点灯され、そ
の電流Ixがa′点の電圧Ｖの上昇に対応して逐時増
大しており、毎回のｄ点の電位までの充電時間が
速くなるので、その点滅の周期が速くなり、発光
の周波数は低周波数からBPF２７及び２８の中
心周波数0＝16KHzに向つて高周波数になつて
行く。
５の出力端子が「Ｈ」レベルへ反転して、トラン
ジスタ２１が導通した時だけパルス点灯され、そ
の電流Ixがa′点の電圧Ｖの上昇に対応して逐時増
大しており、毎回のｄ点の電位までの充電時間が
速くなるので、その点滅の周期が速くなり、発光
の周波数は低周波数からBPF２７及び２８の中
心周波数0＝16KHzに向つて高周波数になつて
行く。
このIRD２２の点灯による投射光は、測距対象
から反射してSPD２３及び２４で受光され、こ
の結果、ｅ及びe′点の受光出力は、○ハに示す如
く、自然光による直流成分に重畳されて発生す
る。
から反射してSPD２３及び２４で受光され、こ
の結果、ｅ及びe′点の受光出力は、○ハに示す如
く、自然光による直流成分に重畳されて発生す
る。
また、交流増幅回路２５及び２６の後の及び
′点の出力は○ヘに示す如く、増幅されて現われ
る。
′点の出力は○ヘに示す如く、増幅されて現われ
る。
更に、BPF２７及び２８後のｇ及びg′点の出力
は、その中心周波数を0＝16KHzに設定してあ
るので、○ホに示す如く、○ニの波形を増幅したよう
に現われる。
は、その中心周波数を0＝16KHzに設定してあ
るので、○ホに示す如く、○ニの波形を増幅したよう
に現われる。
更にまた、検波回路２９及び３０後のｈ及び
h′点の出力波形は、○ヘに示す如くになり、平滑回
路３１及び３２を経た直流増幅回路２４及び２５
後のｊ及びj′は、○トに示す如く、所定値から徐々
に上昇する。
h′点の出力波形は、○ヘに示す如くになり、平滑回
路３１及び３２を経た直流増幅回路２４及び２５
後のｊ及びj′は、○トに示す如く、所定値から徐々
に上昇する。
そして、第２図に示す如く、測距対象が近距離
位置に存在している場合には、ａ１，ａ２に示す
如く、反射光スポツトＸが、SPD２３に充分広
くかゝり、SPD２４に極く狭くかゝるので、ｊ
点の出力電圧Vjがj′点の出力電圧Vj′よりも充分
高いと共に、その出力電圧Vjが基準電圧Vr1に達
した時、CMP３５の出力が「Ｈ」レベルへ反転
して、先の時間ｔの間「Ｈ」レベルの信号が与え
られているアンドゲート２４が開いてその出力が
「Ｈ」レベルへ反転する。一方、その時点では、
j′点の出力電圧Vj′が基準電圧Vr3にも達していな
いので、CMP３６及び３７の出力は共に「Ｈ」
レベルのまゝである。従つて、アンドゲート４２
の出力の「Ｈ」レベルの立上り信号をクロツクパ
ルスとするFF４３及び４４は、共に「Ｈ」レベ
ルの信号を読み込み、夫々の出力端子Q1及びQ2
に「Ｈ」レベルの信号を記憶し、またその立上り
信号をセツトパルスとするFF４５は、出力端子
Q3が「Ｈ」レベルへ反転する。
位置に存在している場合には、ａ１，ａ２に示す
如く、反射光スポツトＸが、SPD２３に充分広
くかゝり、SPD２４に極く狭くかゝるので、ｊ
点の出力電圧Vjがj′点の出力電圧Vj′よりも充分
高いと共に、その出力電圧Vjが基準電圧Vr1に達
した時、CMP３５の出力が「Ｈ」レベルへ反転
して、先の時間ｔの間「Ｈ」レベルの信号が与え
られているアンドゲート２４が開いてその出力が
「Ｈ」レベルへ反転する。一方、その時点では、
j′点の出力電圧Vj′が基準電圧Vr3にも達していな
いので、CMP３６及び３７の出力は共に「Ｈ」
レベルのまゝである。従つて、アンドゲート４２
の出力の「Ｈ」レベルの立上り信号をクロツクパ
ルスとするFF４３及び４４は、共に「Ｈ」レベ
ルの信号を読み込み、夫々の出力端子Q1及びQ2
に「Ｈ」レベルの信号を記憶し、またその立上り
信号をセツトパルスとするFF４５は、出力端子
Q3が「Ｈ」レベルへ反転する。
また、測距対象が中距離位置に存在している場
合には、ｂ１，ｂ２に示す如くになり、同様の動
作で出力電圧Vj′がVr2＜Vr3の間に在るので、
FF４３の出力Q1は「Ｈ」レベルの信号を、他方
FF４４の出力端子Q2は「Ｌ」レベルの信号を
夫々記憶し、またFF４５の出力端子Q3は「Ｈ」
レベルへ反転する。
合には、ｂ１，ｂ２に示す如くになり、同様の動
作で出力電圧Vj′がVr2＜Vr3の間に在るので、
FF４３の出力Q1は「Ｈ」レベルの信号を、他方
FF４４の出力端子Q2は「Ｌ」レベルの信号を
夫々記憶し、またFF４５の出力端子Q3は「Ｈ」
レベルへ反転する。
更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在し
ていた場合には、ｃ１，ｃ２において実線で示す
如く、反射光スポツトＸがSPD２３及び２４に
ほゞ等分にかゝり、従つて、その出力電圧Vj及
びVj′はほゞ等しく、その判別時点では、出力電
圧Vj′が基準電圧Vr2よりも高くなつているので、
FF４３及び４４の夫々出力端子Q1及びQ2は
「Ｌ」レベルの信号を記憶し、またFF４５の出力
端子Q3は「Ｈ」レベルへ反転する。
ていた場合には、ｃ１，ｃ２において実線で示す
如く、反射光スポツトＸがSPD２３及び２４に
ほゞ等分にかゝり、従つて、その出力電圧Vj及
びVj′はほゞ等しく、その判別時点では、出力電
圧Vj′が基準電圧Vr2よりも高くなつているので、
FF４３及び４４の夫々出力端子Q1及びQ2は
「Ｌ」レベルの信号を記憶し、またFF４５の出力
端子Q3は「Ｈ」レベルへ反転する。
更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、ｃ１，ｃ２において鎖線で示す如
く、反射光スポツトX′がSPD２４の方に広く
かゝるが、極遠距離のため、出力電圧Vjは先の
時間ｔ内には基準電圧Vr1に達せず（測距対象が
反射率の小さいものゝ場合も同様になることがあ
る）、CMP３５の出力が「Ｌ」レベルのまゝであ
り、その時間ｔが終了すると、アンドゲート４２
がゲートを閉じるので、FF４５はセツトされず、
出力端子Q3が「Ｌ」レベルのまゝの状態に保持
される。
いた場合には、ｃ１，ｃ２において鎖線で示す如
く、反射光スポツトX′がSPD２４の方に広く
かゝるが、極遠距離のため、出力電圧Vjは先の
時間ｔ内には基準電圧Vr1に達せず（測距対象が
反射率の小さいものゝ場合も同様になることがあ
る）、CMP３５の出力が「Ｌ」レベルのまゝであ
り、その時間ｔが終了すると、アンドゲート４２
がゲートを閉じるので、FF４５はセツトされず、
出力端子Q3が「Ｌ」レベルのまゝの状態に保持
される。
なお、この時は、アンドゲート４２の出力が
「Ｈ」レベルへ反転することはないので、FF４３
及び４４は読み込み動作を行わない。
「Ｈ」レベルへ反転することはないので、FF４３
及び４４は読み込み動作を行わない。
即ち、第３図の真理値の図表に示す如く、FF
４３及び４４の出力端子Q1及びQ2の信号レベル
状態により近、中及び遠距離を判別するように設
定されているものであり、更に、FF４５の出力
端子Q3が「Ｌ」レベルの時は、FF４３及び４４
による判別に優先して遠距離を判別するように設
定されるものである。
４３及び４４の出力端子Q1及びQ2の信号レベル
状態により近、中及び遠距離を判別するように設
定されているものであり、更に、FF４５の出力
端子Q3が「Ｌ」レベルの時は、FF４３及び４４
による判別に優先して遠距離を判別するように設
定されるものである。
また、第１図のCMP３６及び３７への基準電
圧は、固定バイアスであり、出力電圧Vj′と出力
電圧Vjとは絶対値比較が行われている。
圧は、固定バイアスであり、出力電圧Vj′と出力
電圧Vjとは絶対値比較が行われている。
第４図の実施例は、CMP３６及び３７への基
準電圧が変動する出力電圧Vjを分割する形で与
えられ、従つて、出力電圧Vj′は出力電圧Vjに対
する割合の量として比較が行われる。なお、分圧
回路のVbは、例えば、IRD２２を動作させてい
ない時のSPD２３或は２４の受光出力回路の通
常の電圧レベルがバイアスされている。
準電圧が変動する出力電圧Vjを分割する形で与
えられ、従つて、出力電圧Vj′は出力電圧Vjに対
する割合の量として比較が行われる。なお、分圧
回路のVbは、例えば、IRD２２を動作させてい
ない時のSPD２３或は２４の受光出力回路の通
常の電圧レベルがバイアスされている。
また、第１図の回路動作では、CMP３５の出
力が「Ｈ」レベルへ反転した時、出力電圧Vj′の
状態を判別する訳けであるが、アンドゲート４２
以下の累積される動作遅れ時間により、その判別
に精度を欠く場合が起り得る。
力が「Ｈ」レベルへ反転した時、出力電圧Vj′の
状態を判別する訳けであるが、アンドゲート４２
以下の累積される動作遅れ時間により、その判別
に精度を欠く場合が起り得る。
これに対し、第４図の実施例の特徴は、上述の
如く、割合の量、即ち、出力電圧Vj′は出力電圧
Vjに対する比で判別されるので、前実施例より
も精度の向上が計れるものである。
如く、割合の量、即ち、出力電圧Vj′は出力電圧
Vjに対する比で判別されるので、前実施例より
も精度の向上が計れるものである。
なお、上述の測距出力の段数は増減可能であ
り、更に、FF４５により遠距離を判別した場合、
伴せて警報を発するようにすることもできる。
り、更に、FF４５により遠距離を判別した場合、
伴せて警報を発するようにすることもできる。
以上の如く、本発明は、受光素子出力の対数圧
縮や増幅回路の自動利得調整を行うことなく、発
光素子の発光周波数を変化させる簡単な構成によ
り安定した動作で測距状態を判別することができ
るものである。
縮や増幅回路の自動利得調整を行うことなく、発
光素子の発光周波数を変化させる簡単な構成によ
り安定した動作で測距状態を判別することができ
るものである。
第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第
２図は受光素子に対する反射光スポツトの状態と
出力電圧の関係を示した説明図、第３図は測距出
力の一例を示した真理値の図表、第４図は本発明
の他の実施例を示した部分回路図である。 １……時間形成回路、７，１３及び１５……演
算増幅回路、２２……赤外線発光ダイオード、２
３及び２４……シリコンホトダイオード、２５及
び２６……交流増幅回路、２７及び２８……帯域
フイルター回路、２９及び３０……検波回路、３
１及び３２……平滑回路、３３及び３４……直流
増幅回路、３５，３６及び３７……コンパレータ
回路、Ｘ及びX′……反射光スポツト。
２図は受光素子に対する反射光スポツトの状態と
出力電圧の関係を示した説明図、第３図は測距出
力の一例を示した真理値の図表、第４図は本発明
の他の実施例を示した部分回路図である。 １……時間形成回路、７，１３及び１５……演
算増幅回路、２２……赤外線発光ダイオード、２
３及び２４……シリコンホトダイオード、２５及
び２６……交流増幅回路、２７及び２８……帯域
フイルター回路、２９及び３０……検波回路、３
１及び３２……平滑回路、３３及び３４……直流
増幅回路、３５，３６及び３７……コンパレータ
回路、Ｘ及びX′……反射光スポツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を隣接配置された二つの受
光素子で受光する三角測距方式の測距装置におい
て、前記発光素子をパルス点灯させると共に、前
記受光素子の出力を処理する回路系に帯域フイル
ター回路を設け、一定時間内において該発光素子
の発光周波数を該帯域フイルター回路の中心周波
数に向けて変化させ、前記一方の受光素子回路の
出力がある設定値に達した時点で、前記他方の受
光素子回路の出力状態を判別するようにしたこと
を特徴とする測距装置。 ２ 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を隣接配置された二つの受
光素子で受光する三角測距方式の測距装置におい
て、前記発光素子をパルス点灯させると共に、前
記受光素子の出力を処理する回路系に帯域フイル
ター回路を設け、一定時間内において該発光素子
の発光周波数を該帯域フイルター回路の中心周波
数に向けて変化させ、前記一方の受光素子回路の
出力がある設定値に達した時の、前記他方の受光
素子回路の出力を、該一方の受光素子回路の出力
に対する所定の割合の量と比較して判別するよう
にしたことを特徴とする測距装置。 ３ 他方の受光素子回路の出力を複数のレベルと
比較するようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の測距装置。 ４ 一定時間内に一方の受光素子回路の出力があ
る設定値に達しない時は、測距出力を遠距離とし
て判別するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032587A JPS59159009A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032587A JPS59159009A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 測距装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159009A JPS59159009A (ja) | 1984-09-08 |
| JPH0226728B2 true JPH0226728B2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=12362994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032587A Granted JPS59159009A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159009A (ja) |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58032587A patent/JPS59159009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59159009A (ja) | 1984-09-08 |
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