JPS6361800B2 - - Google Patents
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- JPS6361800B2 JPS6361800B2 JP54037199A JP3719979A JPS6361800B2 JP S6361800 B2 JPS6361800 B2 JP S6361800B2 JP 54037199 A JP54037199 A JP 54037199A JP 3719979 A JP3719979 A JP 3719979A JP S6361800 B2 JPS6361800 B2 JP S6361800B2
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Description
本発明は、低周波領域における磁気しやへいと
高周波領域における電磁しやへいの両機能を兼備
した安価かつ新規なしやへい材料およびその工業
的製造法に関する。 近年、電子機器の発達に伴ない目的とする信号
電圧以外の防害電圧のしやへい技術も進歩し、電
子機器の適切なる設計と相俟つて、しやへい材料
としても各々に適合したものが使用されている。
例えば、銅、アルミニウムのような電気抵抗の低
い材料で作つた容器で目的とする場所も完全に包
むとか、あるいは磁性材料によつて包むといつた
ことが行なわれている。 一般的にしやへいとは、静電的または電磁的相
互誘導作用を防止することであり、しやへいは次
の種類に大別される。 (i) 静電しやへい…静電結合による干渉を防止す
る。 (ii) 磁気しやへい…主として低周波において用い
られ透磁率の高い材料を使用して磁束の誘導を
防止する。 (iii) 電磁しやへい…主として高周波において用い
られ低抵抗の金属を用いその中に電流が流れる
ことを利用して磁束の干渉を防止する。 すなわち、通常低周波領域でのしやへいは、高
透磁率の磁性材料を用いて磁気しやへいを行な
い、高周波領域でのしやへいは銅とかアルミニウ
ムなどの高導電率の金属を用いて電磁しやへいと
静電しやへいとを行なつている。 高透磁率材料としては、Fe−Si合金のケイ素
鋼板、Fe−Al合金のアルパーム、Fe−Si−Al合
金のセンダスト、Fe−Ni合金のパーマロイ等の
合金等が知られている。また、純鉄も極めて高い
透磁率を具備するため、これら合金とともに純鉄
も高透磁率材料として広く使用されている。だ
が、これらはいづれも製造コストが極めて高くつ
くといつた欠点がある。 通常、鋼中に不純物が加わるとき、不純物が原
子として固溶していると、置換型のものでは原子
半径の相違によつて、また侵入型のものでは他原
子が無理に格子内に入るため、格子配列が乱され
格子が歪んで磁壁移動を妨げる。Ｃ、Ｓ、ＮやＯ
などの不純物では特にこの作用が大きい。またこ
れら不純物が固溶せずに非金属介在物として存在
しても同様、磁壁の移動とか磁区の回転を妨げ磁
性を悪化させる。従つて鋼中のＣ、Ｓ、ＮやＯな
どの不純物元素が極めて少ない純鉄は高透磁率の
性質を有し、その最大透磁率（μｍ）は、アーム
コ鉄で7000、電解鉄で15000、真空溶解鉄で20000
の特性を発揮する。透磁率に対しては前述のとお
り鋼中でのＣ、Ｓ、ＮやＯなどが有害であるが、
この中でも特にＣの影響が支配的であり、鋼中Ｃ
含有量が0.007％以下になると透磁率が著しく向
上する。 本発明者らは、上記の点に着目しオープンコイ
ル焼鈍炉での湿水素雰囲気による脱炭焼鈍、また
は真空脱ガス装置による脱炭処理により鋼中Ｃ含
有量を0.005％以下とした極低炭素鋼に後述の処
理を施すと、純鉄とほぼ同等の最大透磁率（μ
ｍ）12000の特性を有する磁性材料が得られると
の知見を得、さらに種々実験検討の結果、低周波
領域での磁気しやへいに対しては、その効力を発
揮さすに最大透磁率（μｍ）10000以上が必要で
あることの確認を得た。 しかるに、この高透磁率をもつ材料は低周波領
域で極めて優れた磁気しやへい効果を有するが、
これが周波数の増加、即ち高周波となるにつれし
やへい特性が低下する。例えば、周波数０〜
150KHzの低周波領域で最大透磁率（μｍ）10000
の特性を具備するものが、周波数が10000MHzの
高周波領域となると、高々１近くになるといつた
事例をみている。このように透磁率は低周波領域
での磁気しやへいには効果的であるが、高周波領
域での電磁しやへいには殆んどその効力を発揮し
ない。 電磁しやへいは、(1)式のとおり電磁しやへい性
の減衰量Ａ（dB）によつて求められる。 Ａ；電磁しやへい性の減衰量（dB） σ；板厚（cm） ｆ；周波数（Hz） μ；透磁率 ρ；固有抵抗（Ω−cm） (1)式に示すとおり電磁しやへい性の減衰量Ａ
（dB）は板厚（cm）と周波数（Hz）、透磁率および
固有抵抗（Ω−cm）で求められ、固有抵抗（Ω−
cm）の低い、つまり導電率が高くかつ周波数
（Hz）、透磁率（μ）とも高い場合ほど電磁しやへ
い効果が上昇する。 従つて、しやへい材料面からみると、板厚
（cm）を一定とした場合、固有抵抗（Ω−cm）が
鉄の10.0×10-6Ω−cmに対し銅の1.72×10-6Ω−
cm、アルミニウムの2.82×10-6Ω−cmと固有抵抗
の低い、すなわち導電率の高い銅とかアルミニウ
ムの金属が電磁しやへい材料として適合してい
る。さらに(1)式から明らかのとおり、周波数
（Hz）が増加すると必然的に電磁しやへいの減衰
量（dB）も大きくなるため高周波領域における電
磁しやへい材料としては、これらの銅とかアルミ
ニウムの高導電率金属が適しているが、特に固有
抵抗の最も低い銅が最適である。 しかし、この銅とかアルミニウムの高導電率金
属は非磁性体であり透磁率には全く関与せずかつ
(1)式ならびに前述したとおり低周波領域での磁気
しやへいに対しては効果的でない。 従つて、実際面での電子機器におけるしやへい
材料は、普通、妨害電圧の種類により低周波領域
における磁気しやへいには高透磁率の磁性材料、
高周波領域における電磁しやへいには銅とかアル
ミニウムの高導電率金属が各々単独に使用されて
きた。また、磁気、電磁しやへいの双方を必要と
する用途には、前述のしやへい材料を複数の構造
に設計して対処していた。 だが、この磁気、電磁しやへい双方の特性を具
備するための複数構造は設計面での煩雑さもさる
ことながら材料費が嵩むといつた問題があり、磁
気および電磁両しやへい機能を同時に発揮する材
料製品が望まれていた。 本発明は、かかる実状にかんがみ、低周波領域
における磁気しやへい、高周波領域における電磁
しやへい双方の特性を具備した安価な磁気および
電磁しやへい用材料およびその工業的製法を提供
するものである。本発明によれば、炭素含有量が
0.010％以下でフエライト結晶粒子の粒度が粒度
番号４以下である冷延鋼板に銅メツキを施してな
る磁気および電磁両しやへい用材料が提供され
る。そして、この材料の工業的製造法として、炭
素含有量0.010％以下の冷延焼鈍済みコイルに再
び５〜30％の軽冷延を施した後、バツチ焼鈍で
740℃〜Ac3点の温度域の結晶粒粗大焼鈍を行な
つた後、電気銅メツキラインに通板し銅メツキす
ることを特徴とする磁気および電磁両しやへい用
材料の製造法が提供される。 今日まで上記のような銅メツキ鋼板は知らされ
ていなかつた。 以下に、本発明の詳細（本発明で採用する各要
件ならびに数値限定の理由）を述べる。 まず高透磁率の確保における要件としては、鋼
中Ｃ含有量を0.010％以下にすることである。 鋼中のＣは固溶限以上になるとFe3Cとしてい
わゆるパーライト組織を形成し、Ｃ含有量の増加
とともに透磁率が減少する。本発明によれば、低
周波領域での磁気しやへい性を目的として最大透
磁率（μｍ）が10000以上であることが必要であ
り、この最大透磁率（μｍ）10000以上の確保面
より鋼中Ｃ含有量を0.010％以下とする。そして、
このような高透磁率を確保するためには低炭素と
相まつて、さらにそのフエライト結晶粒子の粒度
が粒度番号４以下でなければならぬ。 また、このような冷延板に高周波領域における
良好な電磁しやへい性を与えるために銅メツキを
施すのであるがその付着量は臨界的でないが両面
で10μ程度で充分である。 製法に関していえば、Ｃ含有量0.010％以下の
冷延焼鈍済みコイルに、再び５〜30％の軽冷延率
で冷延を施した後、バツチ焼鈍で740℃〜Ac3点
の温度域で結晶粒粗大化焼鈍することが４以下の
フエライト結晶粒度を得るに必要な条件である。
そのためには少くとも５％の冷延を必要とし30％
を越える冷延は再びフエライト結晶粒子の細粒化
を生じる。バツチ焼鈍において有効に焼鈍するに
は板の温度を少なくとも740℃にする必要があり、
そのAc3点を越えればα−γ変態が起つてフエラ
イト結晶の細粒化が起る。 本発明材料の製造にあたつては、磁気特性上、
Ｃとともに有害となるＳを炉外脱硫処理すること
によつて好ましくはS0.010％以下とした低硫鋼で
あつて、そのＣ含有量を0.04〜0.12％とした低炭
素鋼を用い、これを通常の工程で熱間、冷間圧延
し、次いで湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍を行ない、
鋼中のＣ含有量を0.010％、好ましくは0.007％以
下とした極低炭素冷延鋼帯を原材料とするか、ま
たは真空脱ガス装置で脱炭処理を施すことによつ
て鋼中でのＣ含有量を同時0.010％以下としたイ
ンゴツトを通常の工程で熱間、冷間圧延し次いで
軟化焼鈍を行なつた極低炭素冷延鋼帯としたもの
を原料とすることができる。そしてこの焼鈍済冷
延鋼帯を、再び冷延率５〜30％の軽冷延を施して
歪エネルギーを付与しその後、バツチ焼鈍で740
℃〜Ac3点の温度域で歪焼鈍法として作用させて
これによりフエライト結晶粒を粒度No.４以下の粗
大粒にする。既述の如く、高透磁率の特性には、
このフエライト結晶粒度がＣ含有量と同様に極め
て重要な要因であり、フエライト結晶粒度が細い
と結晶粒界が磁壁の移動、磁区の回転を妨げ透磁
率が減少する。 上記の２次冷延における冷延率を５〜30％とす
るのは、歪エネルギーの板厚への依存性もある
が、２次冷延率が５％より少ない場合は歪エネル
ギーの不足によりフエライト結晶粒が均一に成長
粗大化せず、粗粒の中において板厚の中心部に細
粒が残存する混粒組織を呈することになるし、一
方、この２次冷延率が30％を超えると歪エネルギ
ーが過剰となり今度はフエライト結晶粒の細粒化
現象を生じて、所望の透磁率を得るのが困難とな
るからである。 また、バツチ焼鈍の焼鈍温度に関しても740℃
〜Ac3点の温度域で焼鈍することが不可欠であ
る。 即ち、たとえ前工程の２次冷延で適正な歪エネ
ルギーを付与してもバツチ焼鈍温度が740℃より
も低いとフエライト結晶粒の均一なる成長粗大化
が難しくなり、成長や起つても粗粒と細粒との混
つた混合組織を呈するようになつてフエライト結
晶粒を粒度No.４以下に確保することは困難とな
る。他方、γ域での焼鈍においてはα−γ変態に
よりフエライト結晶粒の細粒化現象が起り、また
作業的にも熱エネルギー損失があり好ましくな
い。従つて、このバツチ焼鈍は、740℃〜Ac3点
の温度域にすることが本発明の極めて重要な要件
である。なお、このバツチ焼鈍においてはタイト
焼鈍、オープンコイル焼鈍のどちらでもよいが焼
鈍温度を740℃以上の比較的に高温とするためコ
イル密着との関連よりオープンコイル焼鈍の方が
好ましい。 焼鈍を終えたコイルは、通常の場合は、調質圧
延で0.3〜3.0％の軽度の伸び率を与えなければ降
伏点伸びによる腰折れの発生で使用できないが、
本発明によるコイルは、例えば脱炭焼鈍により鋼
中のＣ含有量を0.010％以下の極低炭素鋼として
おり、かつそのフエライト結晶粒も粒度No.４以下
の粗大粒としている関連から、別段、調質圧延を
施さなくても腰折れの発生がないので調質圧延が
省略できるといつたメリツトを有する。 得られたコイルは次いで電気銅メツキラインに
通板され、銅メツキを施し、この銅メツキにより
前述(1)式で示した電磁しやへい性を付与する。こ
の場合、電磁しやへい性を満足させる上での銅の
付着量は表皮効果の作用により標準的な付着量で
ある10μで充分にその性能を発揮する。 ここで、表皮効果とは、電磁波が導体中を通過
するとき、その強さが固有抵抗（Ω−cm）、周波
数（Hz）、透磁率（μ）の大きさによつて決まり、
その電磁波の強さが導体表面部の１／ｅに減衰す
る深さ（σ）を表皮効果の深さといい、(2)式で求
められる。 一例として周波数100MHzの高周波領域におけ
る表皮効果の深さ（σ）を計算すると ｆ＝100MHz＝108Hz ρ＝1.72×10-8Ω−ｍ μ＝4π×10-7H／ｍ（＝真空中のμ） と銅の付着量としては、6.6μで充分であり、これ
が周波数100MHz以上の周波数においては、前述
(2)式でも明らかなとおり銅付着量がより少なくて
よく、一方周波数100MHz以下の低周波領域では
透磁率（μ）の要因が加味してくる。したがつ
て、銅メツキの銅付着量としては標準的な10μで
何んら支障が生じないものである。 なお電気銅メツキラインにおいては、技術的に
差厚メツキが可能であり、例えば有効面を10μ、
その反対面を3μとすることも可能である。また、
製造性および耐蝕性をいとわなければ、片面メツ
キ製品としても本発明の目的は達成できる。 以下、実施例について述べる。 実施例 表１に供試材の化学成分値（重量％）を示す。
高周波領域における電磁しやへいの両機能を兼備
した安価かつ新規なしやへい材料およびその工業
的製造法に関する。 近年、電子機器の発達に伴ない目的とする信号
電圧以外の防害電圧のしやへい技術も進歩し、電
子機器の適切なる設計と相俟つて、しやへい材料
としても各々に適合したものが使用されている。
例えば、銅、アルミニウムのような電気抵抗の低
い材料で作つた容器で目的とする場所も完全に包
むとか、あるいは磁性材料によつて包むといつた
ことが行なわれている。 一般的にしやへいとは、静電的または電磁的相
互誘導作用を防止することであり、しやへいは次
の種類に大別される。 (i) 静電しやへい…静電結合による干渉を防止す
る。 (ii) 磁気しやへい…主として低周波において用い
られ透磁率の高い材料を使用して磁束の誘導を
防止する。 (iii) 電磁しやへい…主として高周波において用い
られ低抵抗の金属を用いその中に電流が流れる
ことを利用して磁束の干渉を防止する。 すなわち、通常低周波領域でのしやへいは、高
透磁率の磁性材料を用いて磁気しやへいを行な
い、高周波領域でのしやへいは銅とかアルミニウ
ムなどの高導電率の金属を用いて電磁しやへいと
静電しやへいとを行なつている。 高透磁率材料としては、Fe−Si合金のケイ素
鋼板、Fe−Al合金のアルパーム、Fe−Si−Al合
金のセンダスト、Fe−Ni合金のパーマロイ等の
合金等が知られている。また、純鉄も極めて高い
透磁率を具備するため、これら合金とともに純鉄
も高透磁率材料として広く使用されている。だ
が、これらはいづれも製造コストが極めて高くつ
くといつた欠点がある。 通常、鋼中に不純物が加わるとき、不純物が原
子として固溶していると、置換型のものでは原子
半径の相違によつて、また侵入型のものでは他原
子が無理に格子内に入るため、格子配列が乱され
格子が歪んで磁壁移動を妨げる。Ｃ、Ｓ、ＮやＯ
などの不純物では特にこの作用が大きい。またこ
れら不純物が固溶せずに非金属介在物として存在
しても同様、磁壁の移動とか磁区の回転を妨げ磁
性を悪化させる。従つて鋼中のＣ、Ｓ、ＮやＯな
どの不純物元素が極めて少ない純鉄は高透磁率の
性質を有し、その最大透磁率（μｍ）は、アーム
コ鉄で7000、電解鉄で15000、真空溶解鉄で20000
の特性を発揮する。透磁率に対しては前述のとお
り鋼中でのＣ、Ｓ、ＮやＯなどが有害であるが、
この中でも特にＣの影響が支配的であり、鋼中Ｃ
含有量が0.007％以下になると透磁率が著しく向
上する。 本発明者らは、上記の点に着目しオープンコイ
ル焼鈍炉での湿水素雰囲気による脱炭焼鈍、また
は真空脱ガス装置による脱炭処理により鋼中Ｃ含
有量を0.005％以下とした極低炭素鋼に後述の処
理を施すと、純鉄とほぼ同等の最大透磁率（μ
ｍ）12000の特性を有する磁性材料が得られると
の知見を得、さらに種々実験検討の結果、低周波
領域での磁気しやへいに対しては、その効力を発
揮さすに最大透磁率（μｍ）10000以上が必要で
あることの確認を得た。 しかるに、この高透磁率をもつ材料は低周波領
域で極めて優れた磁気しやへい効果を有するが、
これが周波数の増加、即ち高周波となるにつれし
やへい特性が低下する。例えば、周波数０〜
150KHzの低周波領域で最大透磁率（μｍ）10000
の特性を具備するものが、周波数が10000MHzの
高周波領域となると、高々１近くになるといつた
事例をみている。このように透磁率は低周波領域
での磁気しやへいには効果的であるが、高周波領
域での電磁しやへいには殆んどその効力を発揮し
ない。 電磁しやへいは、(1)式のとおり電磁しやへい性
の減衰量Ａ（dB）によつて求められる。 Ａ；電磁しやへい性の減衰量（dB） σ；板厚（cm） ｆ；周波数（Hz） μ；透磁率 ρ；固有抵抗（Ω−cm） (1)式に示すとおり電磁しやへい性の減衰量Ａ
（dB）は板厚（cm）と周波数（Hz）、透磁率および
固有抵抗（Ω−cm）で求められ、固有抵抗（Ω−
cm）の低い、つまり導電率が高くかつ周波数
（Hz）、透磁率（μ）とも高い場合ほど電磁しやへ
い効果が上昇する。 従つて、しやへい材料面からみると、板厚
（cm）を一定とした場合、固有抵抗（Ω−cm）が
鉄の10.0×10-6Ω−cmに対し銅の1.72×10-6Ω−
cm、アルミニウムの2.82×10-6Ω−cmと固有抵抗
の低い、すなわち導電率の高い銅とかアルミニウ
ムの金属が電磁しやへい材料として適合してい
る。さらに(1)式から明らかのとおり、周波数
（Hz）が増加すると必然的に電磁しやへいの減衰
量（dB）も大きくなるため高周波領域における電
磁しやへい材料としては、これらの銅とかアルミ
ニウムの高導電率金属が適しているが、特に固有
抵抗の最も低い銅が最適である。 しかし、この銅とかアルミニウムの高導電率金
属は非磁性体であり透磁率には全く関与せずかつ
(1)式ならびに前述したとおり低周波領域での磁気
しやへいに対しては効果的でない。 従つて、実際面での電子機器におけるしやへい
材料は、普通、妨害電圧の種類により低周波領域
における磁気しやへいには高透磁率の磁性材料、
高周波領域における電磁しやへいには銅とかアル
ミニウムの高導電率金属が各々単独に使用されて
きた。また、磁気、電磁しやへいの双方を必要と
する用途には、前述のしやへい材料を複数の構造
に設計して対処していた。 だが、この磁気、電磁しやへい双方の特性を具
備するための複数構造は設計面での煩雑さもさる
ことながら材料費が嵩むといつた問題があり、磁
気および電磁両しやへい機能を同時に発揮する材
料製品が望まれていた。 本発明は、かかる実状にかんがみ、低周波領域
における磁気しやへい、高周波領域における電磁
しやへい双方の特性を具備した安価な磁気および
電磁しやへい用材料およびその工業的製法を提供
するものである。本発明によれば、炭素含有量が
0.010％以下でフエライト結晶粒子の粒度が粒度
番号４以下である冷延鋼板に銅メツキを施してな
る磁気および電磁両しやへい用材料が提供され
る。そして、この材料の工業的製造法として、炭
素含有量0.010％以下の冷延焼鈍済みコイルに再
び５〜30％の軽冷延を施した後、バツチ焼鈍で
740℃〜Ac3点の温度域の結晶粒粗大焼鈍を行な
つた後、電気銅メツキラインに通板し銅メツキす
ることを特徴とする磁気および電磁両しやへい用
材料の製造法が提供される。 今日まで上記のような銅メツキ鋼板は知らされ
ていなかつた。 以下に、本発明の詳細（本発明で採用する各要
件ならびに数値限定の理由）を述べる。 まず高透磁率の確保における要件としては、鋼
中Ｃ含有量を0.010％以下にすることである。 鋼中のＣは固溶限以上になるとFe3Cとしてい
わゆるパーライト組織を形成し、Ｃ含有量の増加
とともに透磁率が減少する。本発明によれば、低
周波領域での磁気しやへい性を目的として最大透
磁率（μｍ）が10000以上であることが必要であ
り、この最大透磁率（μｍ）10000以上の確保面
より鋼中Ｃ含有量を0.010％以下とする。そして、
このような高透磁率を確保するためには低炭素と
相まつて、さらにそのフエライト結晶粒子の粒度
が粒度番号４以下でなければならぬ。 また、このような冷延板に高周波領域における
良好な電磁しやへい性を与えるために銅メツキを
施すのであるがその付着量は臨界的でないが両面
で10μ程度で充分である。 製法に関していえば、Ｃ含有量0.010％以下の
冷延焼鈍済みコイルに、再び５〜30％の軽冷延率
で冷延を施した後、バツチ焼鈍で740℃〜Ac3点
の温度域で結晶粒粗大化焼鈍することが４以下の
フエライト結晶粒度を得るに必要な条件である。
そのためには少くとも５％の冷延を必要とし30％
を越える冷延は再びフエライト結晶粒子の細粒化
を生じる。バツチ焼鈍において有効に焼鈍するに
は板の温度を少なくとも740℃にする必要があり、
そのAc3点を越えればα−γ変態が起つてフエラ
イト結晶の細粒化が起る。 本発明材料の製造にあたつては、磁気特性上、
Ｃとともに有害となるＳを炉外脱硫処理すること
によつて好ましくはS0.010％以下とした低硫鋼で
あつて、そのＣ含有量を0.04〜0.12％とした低炭
素鋼を用い、これを通常の工程で熱間、冷間圧延
し、次いで湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍を行ない、
鋼中のＣ含有量を0.010％、好ましくは0.007％以
下とした極低炭素冷延鋼帯を原材料とするか、ま
たは真空脱ガス装置で脱炭処理を施すことによつ
て鋼中でのＣ含有量を同時0.010％以下としたイ
ンゴツトを通常の工程で熱間、冷間圧延し次いで
軟化焼鈍を行なつた極低炭素冷延鋼帯としたもの
を原料とすることができる。そしてこの焼鈍済冷
延鋼帯を、再び冷延率５〜30％の軽冷延を施して
歪エネルギーを付与しその後、バツチ焼鈍で740
℃〜Ac3点の温度域で歪焼鈍法として作用させて
これによりフエライト結晶粒を粒度No.４以下の粗
大粒にする。既述の如く、高透磁率の特性には、
このフエライト結晶粒度がＣ含有量と同様に極め
て重要な要因であり、フエライト結晶粒度が細い
と結晶粒界が磁壁の移動、磁区の回転を妨げ透磁
率が減少する。 上記の２次冷延における冷延率を５〜30％とす
るのは、歪エネルギーの板厚への依存性もある
が、２次冷延率が５％より少ない場合は歪エネル
ギーの不足によりフエライト結晶粒が均一に成長
粗大化せず、粗粒の中において板厚の中心部に細
粒が残存する混粒組織を呈することになるし、一
方、この２次冷延率が30％を超えると歪エネルギ
ーが過剰となり今度はフエライト結晶粒の細粒化
現象を生じて、所望の透磁率を得るのが困難とな
るからである。 また、バツチ焼鈍の焼鈍温度に関しても740℃
〜Ac3点の温度域で焼鈍することが不可欠であ
る。 即ち、たとえ前工程の２次冷延で適正な歪エネ
ルギーを付与してもバツチ焼鈍温度が740℃より
も低いとフエライト結晶粒の均一なる成長粗大化
が難しくなり、成長や起つても粗粒と細粒との混
つた混合組織を呈するようになつてフエライト結
晶粒を粒度No.４以下に確保することは困難とな
る。他方、γ域での焼鈍においてはα−γ変態に
よりフエライト結晶粒の細粒化現象が起り、また
作業的にも熱エネルギー損失があり好ましくな
い。従つて、このバツチ焼鈍は、740℃〜Ac3点
の温度域にすることが本発明の極めて重要な要件
である。なお、このバツチ焼鈍においてはタイト
焼鈍、オープンコイル焼鈍のどちらでもよいが焼
鈍温度を740℃以上の比較的に高温とするためコ
イル密着との関連よりオープンコイル焼鈍の方が
好ましい。 焼鈍を終えたコイルは、通常の場合は、調質圧
延で0.3〜3.0％の軽度の伸び率を与えなければ降
伏点伸びによる腰折れの発生で使用できないが、
本発明によるコイルは、例えば脱炭焼鈍により鋼
中のＣ含有量を0.010％以下の極低炭素鋼として
おり、かつそのフエライト結晶粒も粒度No.４以下
の粗大粒としている関連から、別段、調質圧延を
施さなくても腰折れの発生がないので調質圧延が
省略できるといつたメリツトを有する。 得られたコイルは次いで電気銅メツキラインに
通板され、銅メツキを施し、この銅メツキにより
前述(1)式で示した電磁しやへい性を付与する。こ
の場合、電磁しやへい性を満足させる上での銅の
付着量は表皮効果の作用により標準的な付着量で
ある10μで充分にその性能を発揮する。 ここで、表皮効果とは、電磁波が導体中を通過
するとき、その強さが固有抵抗（Ω−cm）、周波
数（Hz）、透磁率（μ）の大きさによつて決まり、
その電磁波の強さが導体表面部の１／ｅに減衰す
る深さ（σ）を表皮効果の深さといい、(2)式で求
められる。 一例として周波数100MHzの高周波領域におけ
る表皮効果の深さ（σ）を計算すると ｆ＝100MHz＝108Hz ρ＝1.72×10-8Ω−ｍ μ＝4π×10-7H／ｍ（＝真空中のμ） と銅の付着量としては、6.6μで充分であり、これ
が周波数100MHz以上の周波数においては、前述
(2)式でも明らかなとおり銅付着量がより少なくて
よく、一方周波数100MHz以下の低周波領域では
透磁率（μ）の要因が加味してくる。したがつ
て、銅メツキの銅付着量としては標準的な10μで
何んら支障が生じないものである。 なお電気銅メツキラインにおいては、技術的に
差厚メツキが可能であり、例えば有効面を10μ、
その反対面を3μとすることも可能である。また、
製造性および耐蝕性をいとわなければ、片面メツ
キ製品としても本発明の目的は達成できる。 以下、実施例について述べる。 実施例 表１に供試材の化学成分値（重量％）を示す。
【表】
この低炭素鋼を通常の工程で熱間、冷間圧延
し、表２で示す製造条件、即ちＡ、Ｂ、Ｃコイル
についてはオープンコイル焼鈍炉の湿水素雰囲気
中で脱炭焼鈍、Ｄコイルについては非脱炭焼鈍
し、各々鋼中Ｃ含有量を0.003％と0.06％とした。
次いで調質圧延で２次冷延率としてＡ、Ｂ、Ｄコ
イルに対しては10％、Ｃコイルに対しては２％の
伸び率（予歪）を付与した後、再度、オープンコ
イル焼鈍炉にてＡ、Ｃ、Ｄコイルについては780
℃×4Hr、Ｂコイルについては720℃×4Hrで磁
性焼鈍を行ない、その後連続電気銅メツキライン
に通板し、銅付着量10μ（両面とも）の銅メツキ
を施した。表２には、フエライト結晶粒No.、製品
の最大透磁率（μｍ）、並びに磁気しやへい効果
および電磁しやへい効果を調べた結果も併せて記
した。
し、表２で示す製造条件、即ちＡ、Ｂ、Ｃコイル
についてはオープンコイル焼鈍炉の湿水素雰囲気
中で脱炭焼鈍、Ｄコイルについては非脱炭焼鈍
し、各々鋼中Ｃ含有量を0.003％と0.06％とした。
次いで調質圧延で２次冷延率としてＡ、Ｂ、Ｄコ
イルに対しては10％、Ｃコイルに対しては２％の
伸び率（予歪）を付与した後、再度、オープンコ
イル焼鈍炉にてＡ、Ｃ、Ｄコイルについては780
℃×4Hr、Ｂコイルについては720℃×4Hrで磁
性焼鈍を行ない、その後連続電気銅メツキライン
に通板し、銅付着量10μ（両面とも）の銅メツキ
を施した。表２には、フエライト結晶粒No.、製品
の最大透磁率（μｍ）、並びに磁気しやへい効果
および電磁しやへい効果を調べた結果も併せて記
した。
【表】
表２の結果から明らかなように、本発明で要件
とする鋼中Ｃ含有量、２次冷延率、磁性焼鈍のい
ずれか１つがその範囲を外れても、本発明で目的
とする最大透磁率（μｍ）10000以上の特性が得
られず、低周波領域での磁気しやへい効果が充分
でないが、各要件をすべて満足するＡコイル（Ｃ
含有量0.003％、フエライト結晶粒No.−１）は、
最大透磁率（μｍ）12900であり、本発明の目的
が達成できる。 また本発明でのもう１つの所要値である高導電
率の銅メツキによる電磁しやへい効果は、前述の
表皮効果の作用により10μの銅付着量で充分であ
り、Ａ製品は磁気しやへいと電磁しやへいの両機
能を十分に発揮する。
とする鋼中Ｃ含有量、２次冷延率、磁性焼鈍のい
ずれか１つがその範囲を外れても、本発明で目的
とする最大透磁率（μｍ）10000以上の特性が得
られず、低周波領域での磁気しやへい効果が充分
でないが、各要件をすべて満足するＡコイル（Ｃ
含有量0.003％、フエライト結晶粒No.−１）は、
最大透磁率（μｍ）12900であり、本発明の目的
が達成できる。 また本発明でのもう１つの所要値である高導電
率の銅メツキによる電磁しやへい効果は、前述の
表皮効果の作用により10μの銅付着量で充分であ
り、Ａ製品は磁気しやへいと電磁しやへいの両機
能を十分に発揮する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鋼中Ｃ含有量が0.010％以下でかつフエライ
ト結晶粒子の粒度が粒度番号４以下である冷延鋼
板に銅メツキを施してなる磁気および電磁両しや
へい用材料。 ２ 鋼中Ｃ含有量が0.010％以下の焼鈍済冷延鋼
板コイルを再び冷延率５〜30％で冷延したあと、
740℃〜Ac3点の温度域でバツチ焼鈍し、次いで
電気銅メツキラインに通板して銅メツキを施すこ
とからなる磁気および電磁両しやへい用材料の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3719979A JPS55130200A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetic and electromagnetic shield material and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3719979A JPS55130200A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetic and electromagnetic shield material and process for producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55130200A JPS55130200A (en) | 1980-10-08 |
| JPS6361800B2 true JPS6361800B2 (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=12490899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3719979A Granted JPS55130200A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetic and electromagnetic shield material and process for producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55130200A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917300A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | 協和ガス化学工業株式会社 | 電磁シ−ルド板 |
| JPS5965596U (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-01 | 三菱電線工業株式会社 | 筐体用電磁シ−ルド部材 |
| US4810589A (en) * | 1983-09-02 | 1989-03-07 | Nippon Kokan Kabushiki Kaisha | Steel foil having excellent shielding characteristics to electromagnetic waves |
| US4774148A (en) * | 1984-12-28 | 1988-09-27 | Showa Laminate Printing Co., Ltd. | Composite sheet material for magnetic and electronic shielding and product obtained therefrom |
| JPH0236317Y2 (ja) * | 1987-03-06 | 1990-10-03 | ||
| JPH0645903B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1994-06-15 | 新日本製鐵株式会社 | プリント基板用の鋼板 |
| CN110744887B (zh) * | 2019-10-15 | 2021-10-01 | 哈尔滨工程大学 | 一种具有高电磁屏蔽性能镁锂基复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5025159A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-17 | ||
| AT329358B (de) * | 1974-06-04 | 1976-05-10 | Voest Ag | Schwingmuhle zum zerkleinern von mahlgut |
| JPS5435143Y2 (ja) * | 1975-07-25 | 1979-10-26 |
-
1979
- 1979-03-29 JP JP3719979A patent/JPS55130200A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55130200A (en) | 1980-10-08 |
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