JPS6362376A - バイポ−ラ型集積回路装置 - Google Patents
バイポ−ラ型集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6362376A JPS6362376A JP61208174A JP20817486A JPS6362376A JP S6362376 A JPS6362376 A JP S6362376A JP 61208174 A JP61208174 A JP 61208174A JP 20817486 A JP20817486 A JP 20817486A JP S6362376 A JPS6362376 A JP S6362376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- opening
- collector
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラ型集積回路装置の構造に関する。
従来、バイポーラ型集積回路に用いられるトランジスタ
はコレクターからエミッタへ流れるコレクタ電流の９０
％以上がコレクタ直下から埋込み層を通や更にベース領
域を通過してエミッタへと流れ込む構造を有している。
はコレクターからエミッタへ流れるコレクタ電流の９０
％以上がコレクタ直下から埋込み層を通や更にベース領
域を通過してエミッタへと流れ込む構造を有している。
このように従来のバイポーラ型集積回路に使われている
バイポーラ型トランジスタはコレクターからエミッタへ
電流が流れる場合、コレクタ直下から埋込層を通り、ベ
ース領域を通ってエミッタへ流れる電流がコレクタ電流
全体の９０％以上を占めるので大電流を流して高速性を
追求する場合にはエミッタ面積の大きなトランジスタ構
造の必要性が生じる。しかしながら、この要求にしたが
ってエミッタ面積を単純に大きくすると集積回路内のト
ランジスタの占有面積の拡大が付随容量の増大をもたら
し反って高速度のスピード向上の要求に対し不利となる
ばかりでなく集積回路装置全体の微細化に対してもまた
、大きな障害を与えるようになる。
バイポーラ型トランジスタはコレクターからエミッタへ
電流が流れる場合、コレクタ直下から埋込層を通り、ベ
ース領域を通ってエミッタへ流れる電流がコレクタ電流
全体の９０％以上を占めるので大電流を流して高速性を
追求する場合にはエミッタ面積の大きなトランジスタ構
造の必要性が生じる。しかしながら、この要求にしたが
ってエミッタ面積を単純に大きくすると集積回路内のト
ランジスタの占有面積の拡大が付随容量の増大をもたら
し反って高速度のスピード向上の要求に対し不利となる
ばかりでなく集積回路装置全体の微細化に対してもまた
、大きな障害を与えるようになる。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、コレクタ領域から
エミッタ領域へ通じる電流通路を従来の１／２〜１／３
に短縮し容易に大電流を流し得るようにした微細構造の
バイポーラ型集積回路装置を提供することである。
エミッタ領域へ通じる電流通路を従来の１／２〜１／３
に短縮し容易に大電流を流し得るようにした微細構造の
バイポーラ型集積回路装置を提供することである。
本発明によれば、バイポーラ型集積回路装置は、−主面
上にエピタキシャル層を形成するシリコン基板と、前記
エピタキシャル層内に形成される素子分離領域と、前記
素子分離領域で取囲まれる島状のエピタキシャル層内に
ベース、エミッタ領域の接合およびコレクタの高濃度領
域をそれぞれＵ字溝形状に設定して形成するバイポーラ
・トランジスタとを含む。
上にエピタキシャル層を形成するシリコン基板と、前記
エピタキシャル層内に形成される素子分離領域と、前記
素子分離領域で取囲まれる島状のエピタキシャル層内に
ベース、エミッタ領域の接合およびコレクタの高濃度領
域をそれぞれＵ字溝形状に設定して形成するバイポーラ
・トランジスタとを含む。
すなわち、本発明によれば、エミッタ領域はシリコン基
板内深く縦方向に大面積で形成され、またコレクタ領域
もこれに対向して縦方向に伸びて形成されるので、集積
回路装置を微細化できる他、コレクタからエミッタに通
じる電流路を著しく短縮し得るので大電流のコレクタ電
流を迅速に流すことができ動作速度の向上が達成される
。
板内深く縦方向に大面積で形成され、またコレクタ領域
もこれに対向して縦方向に伸びて形成されるので、集積
回路装置を微細化できる他、コレクタからエミッタに通
じる電流路を著しく短縮し得るので大電流のコレクタ電
流を迅速に流すことができ動作速度の向上が達成される
。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すバイポーラ型集積回路
装置の断面図である。本実施例によれば、本発明のバイ
ポーラ型集積回路装置は、Ｐ型シリコン基板１と、Ｎ″
″″エピタキシヤル層２フィールド絶縁膜３と、素子分
離領域を形成するＰ＋埋込層４およびシリコン酸化物層
５と、Ｎ″″エピタキシャル層２内に断面がＵ字溝形状
に形成されたＰ形ベース領域６およびそのＰ コンタク
ト領域７と、このＰ形ベース領域６と接合を形成する同
じく断面がＵ字溝形状のＮ 工（ツタ領域８と、Ｐ形ベ
ース領域６およびＮ 工ζツタ領域８にそれぞれ対向す
るように隣接して形成さ九た断面がＵ字溝形状のＮ コ
レクタ領域９と、Ｎ 工（ツタ領域８およびＮ＋コレク
タ領域９の溝部内をそれぞれ埋める高濃度不純物ドープ
・Ｎ ポリシリコン層のエミッタ引出導体部１０および
コレクタ引出導体部１１と、ベース、エクタおよびコレ
クタの各電極配線１２．１３および１４とをそれぞれ含
む。
装置の断面図である。本実施例によれば、本発明のバイ
ポーラ型集積回路装置は、Ｐ型シリコン基板１と、Ｎ″
″″エピタキシヤル層２フィールド絶縁膜３と、素子分
離領域を形成するＰ＋埋込層４およびシリコン酸化物層
５と、Ｎ″″エピタキシャル層２内に断面がＵ字溝形状
に形成されたＰ形ベース領域６およびそのＰ コンタク
ト領域７と、このＰ形ベース領域６と接合を形成する同
じく断面がＵ字溝形状のＮ 工（ツタ領域８と、Ｐ形ベ
ース領域６およびＮ 工ζツタ領域８にそれぞれ対向す
るように隣接して形成さ九た断面がＵ字溝形状のＮ コ
レクタ領域９と、Ｎ 工（ツタ領域８およびＮ＋コレク
タ領域９の溝部内をそれぞれ埋める高濃度不純物ドープ
・Ｎ ポリシリコン層のエミッタ引出導体部１０および
コレクタ引出導体部１１と、ベース、エクタおよびコレ
クタの各電極配線１２．１３および１４とをそれぞれ含
む。
本実施例の構造はつぎの工程によれば容易に製造するこ
とができる。すなわち、まず、Ｐ型シリコン基板１１Ｃ
Ｐ 型埋込領域を形成しついでＮエピタキシャル層２
を形成するとＰ 埋込層４が形成される。つぎに基板表
面にフィールド絶縁膜３を形成後、写真蝕刻技術により
フィールド絶縁膜３およびＮ−エピタキシャル層２を開
口し基板全面にポリシリコンを成長させる。ここで開口
部内のポリシリコンが全て酸化膜となるまで高温で酸化
すると基板内にはＰ 埋込＃４とシリコン酸化物層５か
らなる素子分離領域が形成される。その後再び写真蝕刻
技術を用いてエミッタの引出導体部１０およびＰ コン
タクト領域７となるべき個所のフィールド絶縁膜３上を
それぞれ開口しＰ形不純物を熱拡散することによりベー
ス領域６およびそのコンタクト領域７をそれぞれ形成す
る。ついでコレクタの引出導体部１１となるべき個所を
開口すると共にベース領域を形成する除虫じたエミッタ
引出導体部１０となるべき開口部上面の酸化膜を除去し
て高濃度のＮ形不純物を含むポリシリコン層をこれら２
つの開口部が埋まるように基板全面に気相成長させる。
とができる。すなわち、まず、Ｐ型シリコン基板１１Ｃ
Ｐ 型埋込領域を形成しついでＮエピタキシャル層２
を形成するとＰ 埋込層４が形成される。つぎに基板表
面にフィールド絶縁膜３を形成後、写真蝕刻技術により
フィールド絶縁膜３およびＮ−エピタキシャル層２を開
口し基板全面にポリシリコンを成長させる。ここで開口
部内のポリシリコンが全て酸化膜となるまで高温で酸化
すると基板内にはＰ 埋込＃４とシリコン酸化物層５か
らなる素子分離領域が形成される。その後再び写真蝕刻
技術を用いてエミッタの引出導体部１０およびＰ コン
タクト領域７となるべき個所のフィールド絶縁膜３上を
それぞれ開口しＰ形不純物を熱拡散することによりベー
ス領域６およびそのコンタクト領域７をそれぞれ形成す
る。ついでコレクタの引出導体部１１となるべき個所を
開口すると共にベース領域を形成する除虫じたエミッタ
引出導体部１０となるべき開口部上面の酸化膜を除去し
て高濃度のＮ形不純物を含むポリシリコン層をこれら２
つの開口部が埋まるように基板全面に気相成長させる。
ここで、熱処理を行なえばポリシリコン層から開口部側
壁のシリコン内にＮ形の不純物が拡散されＮ エミッタ
領域８およびＮ コレクタ領域９がそれぞれ同時に形成
さ扛る。ついで不要のポリシリコン層を除去すれば所望
のバイポーラ型集積回路装置を完成することができる。
壁のシリコン内にＮ形の不純物が拡散されＮ エミッタ
領域８およびＮ コレクタ領域９がそれぞれ同時に形成
さ扛る。ついで不要のポリシリコン層を除去すれば所望
のバイポーラ型集積回路装置を完成することができる。
なお、本実施例の構造において、特別に高耐圧を要求し
ない場合は高濃度コレクタ領域９とベース領域６とを互
いに接触させてもよい３゜〔発明の効果〕 以上詳細に説明し７Ｆように、本発明によればコンタク
ト領域とエミッタ領域とを互いに対向させることにより
、コレクタ・エミッタ間の距離を権限させ従来に比ベト
ランジスタの飽和抵抗を低減すると共にトランジスタ素
子の占有面積を縮小せしめ得る効果を有する。特に素子
占有面積縮小の効果は同−設計基準で設計した場合で比
較するとなり従来の約１／２〜１／３とすることができ
るのできわめて高速性のバイポーラ型集積回路装置を実
現することが可能である。
ない場合は高濃度コレクタ領域９とベース領域６とを互
いに接触させてもよい３゜〔発明の効果〕 以上詳細に説明し７Ｆように、本発明によればコンタク
ト領域とエミッタ領域とを互いに対向させることにより
、コレクタ・エミッタ間の距離を権限させ従来に比ベト
ランジスタの飽和抵抗を低減すると共にトランジスタ素
子の占有面積を縮小せしめ得る効果を有する。特に素子
占有面積縮小の効果は同−設計基準で設計した場合で比
較するとなり従来の約１／２〜１／３とすることができ
るのできわめて高速性のバイポーラ型集積回路装置を実
現することが可能である。
１・・・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・・・Ｎ−
エピタキシャル層、３・・・・・・フィールド絶縁膜、
４・・・・・・Ｐ＋埋込層、５・・・・・・シリコン酸
化物層、６・・・・・・Ｐ形ベース領域、７・・・・・
・Ｐ コンタクト領域、８・・・・・・Ｎ＋エミッタ領
域、９・・・・・・Ｎ コレクタ領域、１０゜１１・・
・・・・高濃度不純物ドープＮ ポリシリコン層（エミ
ッタおよびコレクタの各引出導体部）１２・・・・・・
ベース電極配線、１３・・・・・・エミッタ電極配線、
１４・・・・・・コレクタ電極配線。 （じ・ 第１図 ４：Ｐ”３里λと、４ １２
ベースｔ４各凸乙１東５“ レソコシ酸化物１
１３ エミ、りｔ ＪＫ ６１１１６、Ｐ形べ一
λ傾戚 １４．コレクタｔａ［Ｆ］已縁縁７
Ｐ＋ コレタクト領域 ＢＩＮ＋工Ｓ ”／夕領域 ９：Ｎ＋コレクタ傾メ殻
エピタキシャル層、３・・・・・・フィールド絶縁膜、
４・・・・・・Ｐ＋埋込層、５・・・・・・シリコン酸
化物層、６・・・・・・Ｐ形ベース領域、７・・・・・
・Ｐ コンタクト領域、８・・・・・・Ｎ＋エミッタ領
域、９・・・・・・Ｎ コレクタ領域、１０゜１１・・
・・・・高濃度不純物ドープＮ ポリシリコン層（エミ
ッタおよびコレクタの各引出導体部）１２・・・・・・
ベース電極配線、１３・・・・・・エミッタ電極配線、
１４・・・・・・コレクタ電極配線。 （じ・ 第１図 ４：Ｐ”３里λと、４ １２
ベースｔ４各凸乙１東５“ レソコシ酸化物１
１３ エミ、りｔ ＪＫ ６１１１６、Ｐ形べ一
λ傾戚 １４．コレクタｔａ［Ｆ］已縁縁７
Ｐ＋ コレタクト領域 ＢＩＮ＋工Ｓ ”／夕領域 ９：Ｎ＋コレクタ傾メ殻
Claims (1)
- 一主面上にエピタキシャル層を形成するシリコン基板と
、前記エピタキシャル層内に形成される素子分離領域と
、前記素子分離領域で取囲まれる島状のエピタキシャル
層内にベース、エミッタ領域の接合およびコレクタの高
濃度領域をそれぞれＵ字溝形状に設定して形成するバイ
ポーラ・トランジスタとを含むことを特徴とするバイポ
ーラ型集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208174A JPS6362376A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | バイポ−ラ型集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208174A JPS6362376A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | バイポ−ラ型集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362376A true JPS6362376A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16551884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208174A Pending JPS6362376A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | バイポ−ラ型集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189964A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Pioneer Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0456231A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208174A patent/JPS6362376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189964A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Pioneer Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0456231A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100423249B1 (ko) | 횡형 반도체장치 | |
| JPH0548936B2 (ja) | ||
| JPS6362376A (ja) | バイポ−ラ型集積回路装置 | |
| JPH0493083A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10229194A (ja) | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
| JP4364411B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61278161A (ja) | 高耐圧半導体装置 | |
| JPS61285764A (ja) | 高耐圧半導体装置 | |
| JP4389452B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
| JPS6036104B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| EP1061572A1 (en) | Intergrated stucture for radio frequency applications | |
| JPS62133763A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ | |
| JPH0493084A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2845469B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2692292B2 (ja) | 集積回路装置用縦形バイポーラトランジスタ | |
| JPS63124462A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63188967A (ja) | バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS62189752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04207038A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1093079A (ja) | Ｍｏｓゲート半導体装置 | |
| JPH03259533A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS60180138A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10233500A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63107065A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS60144962A (ja) | モノリシツク集積回路 |