JPS6362804B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6362804B2 JPS6362804B2 JP23105083A JP23105083A JPS6362804B2 JP S6362804 B2 JPS6362804 B2 JP S6362804B2 JP 23105083 A JP23105083 A JP 23105083A JP 23105083 A JP23105083 A JP 23105083A JP S6362804 B2 JPS6362804 B2 JP S6362804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic pole
- protrusion
- head
- magnetic
- end surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明は垂直磁気ヘツド装置およびこの製造方
法の改良に関するものである。
法の改良に関するものである。
従来、磁気デイスク装置などにおいて高密度記
録を実現する手段として種々の構造の垂直磁気ヘ
ツドが開発されている。第1図はその一例として
補助磁極励磁型垂直ヘツドの原理説明図を示した
ものである。これは垂直磁化膜2に高透磁率の面
内磁化層3を裏打ちした記録媒体1を主磁極4と
補助磁極5とではさみこみ、補助磁極5を励磁コ
イル6により励磁することにより主磁極4の下の
垂直磁界7で垂直磁化膜2を磁化させる方式であ
るが、次記のような欠点がある。すなわち(イ)記録
媒体を片面しか使えない。(ロ)ヘツド構造が記録媒
体の上下に分れ、構造が複雑。(ハ)デイスク板の厚
みを大きくできないので、高速性・高信頼性を備
えたハードデイスクには適さない。
録を実現する手段として種々の構造の垂直磁気ヘ
ツドが開発されている。第1図はその一例として
補助磁極励磁型垂直ヘツドの原理説明図を示した
ものである。これは垂直磁化膜2に高透磁率の面
内磁化層3を裏打ちした記録媒体1を主磁極4と
補助磁極5とではさみこみ、補助磁極5を励磁コ
イル6により励磁することにより主磁極4の下の
垂直磁界7で垂直磁化膜2を磁化させる方式であ
るが、次記のような欠点がある。すなわち(イ)記録
媒体を片面しか使えない。(ロ)ヘツド構造が記録媒
体の上下に分れ、構造が複雑。(ハ)デイスク板の厚
みを大きくできないので、高速性・高信頼性を備
えたハードデイスクには適さない。
第2図は垂直ヘツドの第2の従来例を示す原理
説明図でスライダを兼ねた補助磁極10の端面1
1に薄膜で主磁極12、導体コイル部13を形成
することにより第1図のヘツドの上記問題点を解
決した構成となつているが、次に述べるように量
産性に問題がある。第3図イ,ロ,ハはこの垂直
ヘツドの各製造段階を示す図である。第2図に示
したようにヘツドの主磁極12、コイル13など
がスライダ10の端面にもうけられているため、
第3図イに示すように基板20に磁極部、コイル
部を形成後、基板をスライシングして第3図ロに
示すような少数個段階でスライダ加工を行ない、
次に第3図ハに示すように個々のヘツドに切断す
る必要がある。このように工程数が多く、スライ
ダ加工を少数または個々の単位で行わねばならな
いので、量産性において問題が生じる。
説明図でスライダを兼ねた補助磁極10の端面1
1に薄膜で主磁極12、導体コイル部13を形成
することにより第1図のヘツドの上記問題点を解
決した構成となつているが、次に述べるように量
産性に問題がある。第3図イ,ロ,ハはこの垂直
ヘツドの各製造段階を示す図である。第2図に示
したようにヘツドの主磁極12、コイル13など
がスライダ10の端面にもうけられているため、
第3図イに示すように基板20に磁極部、コイル
部を形成後、基板をスライシングして第3図ロに
示すような少数個段階でスライダ加工を行ない、
次に第3図ハに示すように個々のヘツドに切断す
る必要がある。このように工程数が多く、スライ
ダ加工を少数または個々の単位で行わねばならな
いので、量産性において問題が生じる。
本発明は上記の問題点を解消するためになされ
たもので、量産性が優れ、かつ構成の単純な垂直
磁気ヘツド装置およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
たもので、量産性が優れ、かつ構成の単純な垂直
磁気ヘツド装置およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の第1番目は、基板と、この基板上にも
うけられその端面がヘツド面における磁極間スペ
ースを形成する突起部と、この突起部を介して対
向し前記ヘツド面において磁極端面を形成すると
ともに前記突起部端面以外の部分で互いに結合す
る第1および第2の薄膜磁極部と、前記突起部端
面以外の部分にもうけられ前記第1および第2の
薄膜磁極部の少くともいずれか一方と鎖交する導
体コイル部とを有し、前記磁極端面の幅は前記第
2の薄膜磁極部が前記突起部形状と膜厚で磁極幅
が決まる前記第1の薄膜磁極部よりも大きいこと
を特徴とする垂直磁気ヘツド装置を提供するもの
である。
うけられその端面がヘツド面における磁極間スペ
ースを形成する突起部と、この突起部を介して対
向し前記ヘツド面において磁極端面を形成すると
ともに前記突起部端面以外の部分で互いに結合す
る第1および第2の薄膜磁極部と、前記突起部端
面以外の部分にもうけられ前記第1および第2の
薄膜磁極部の少くともいずれか一方と鎖交する導
体コイル部とを有し、前記磁極端面の幅は前記第
2の薄膜磁極部が前記突起部形状と膜厚で磁極幅
が決まる前記第1の薄膜磁極部よりも大きいこと
を特徴とする垂直磁気ヘツド装置を提供するもの
である。
本発明の第2番目は、ヘツド面上に薄膜磁気ヘ
ツドをもうける垂直磁気ヘツドの製造方法におい
て、基板上に突起部を形成し、この突起部端面を
含む部分に磁極層を形成し、前記突起部端面以外
の部分で前記磁極層と鎖交するように導体コイル
部を形成し、その上に保護膜層を形成した後前記
突起部端面より下の深さまで表面を除去して前記
ヘツド面を形成するとともに前記ヘツド面上に所
定幅の第1、第2磁極端面と磁極間スペースを形
成するようにしたことを特徴とする垂直磁気ヘツ
ドの製造方法を提供するものである。
ツドをもうける垂直磁気ヘツドの製造方法におい
て、基板上に突起部を形成し、この突起部端面を
含む部分に磁極層を形成し、前記突起部端面以外
の部分で前記磁極層と鎖交するように導体コイル
部を形成し、その上に保護膜層を形成した後前記
突起部端面より下の深さまで表面を除去して前記
ヘツド面を形成するとともに前記ヘツド面上に所
定幅の第1、第2磁極端面と磁極間スペースを形
成するようにしたことを特徴とする垂直磁気ヘツ
ドの製造方法を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する。
第4図は本発明に係る垂直磁気ヘツド装置の構
成を示す断面図である。図において40は非磁性
体よりなる基板、41はこの基板40上にエツチ
ングなどでもうけられた突起部、42と43は、
この突起部41を介して対向するそれぞれ第1の
薄膜磁極(主磁極)と第2の薄膜磁極(補助磁
極)、44はこの第1の磁極42と第2の磁極4
3との間で磁極間スペースを形成する前記突起部
41の端面、45はこの第1の薄膜磁極42に鎖
交するように形成された薄膜の導体コイル部、4
6は前記スライダ基板40の表面を覆う保護膜、
47はこの保護膜と、前記端面44、磁極43,
44の表面部分から構成されるヘツド面(本実施
例のように浮動式磁気ヘツドの場合スライダ面と
も呼ぶ)である。
成を示す断面図である。図において40は非磁性
体よりなる基板、41はこの基板40上にエツチ
ングなどでもうけられた突起部、42と43は、
この突起部41を介して対向するそれぞれ第1の
薄膜磁極(主磁極)と第2の薄膜磁極(補助磁
極)、44はこの第1の磁極42と第2の磁極4
3との間で磁極間スペースを形成する前記突起部
41の端面、45はこの第1の薄膜磁極42に鎖
交するように形成された薄膜の導体コイル部、4
6は前記スライダ基板40の表面を覆う保護膜、
47はこの保護膜と、前記端面44、磁極43,
44の表面部分から構成されるヘツド面(本実施
例のように浮動式磁気ヘツドの場合スライダ面と
も呼ぶ)である。
このような構成の垂直磁気ヘツドの動作を次に
説明する。第4図において記録媒体1は上層が
Co−Crなどの硬磁性垂直磁化膜2、下層がパー
マロイ(Fe−Ni)などの軟磁性面内磁化膜3で
構成され、本ヘツドのヘツド面47と対向して、
矢印Aの方向に回転している。データ記録の際に
は励磁コイル45に所定の電流を流して磁極4
2,43を励磁する。端面44付近の磁束48は
図に示すように、幅の狭い主磁極42の真下の部
分には強い垂直方向の磁界が発生し、垂直磁化膜
2は磁界方向に磁化してデータが記録される。幅
の広い補助磁極43の真下では磁束48が拡がつ
て磁界が弱まるので垂直磁化膜2は磁化されるに
はいたらない。データ再生の際には、垂直磁化膜
2の磁化反転部が主磁極42を通過するときの磁
極内部の磁束変化によつて生じる導体コイル45
両端の誘起電圧を再生信号として用いる。
説明する。第4図において記録媒体1は上層が
Co−Crなどの硬磁性垂直磁化膜2、下層がパー
マロイ(Fe−Ni)などの軟磁性面内磁化膜3で
構成され、本ヘツドのヘツド面47と対向して、
矢印Aの方向に回転している。データ記録の際に
は励磁コイル45に所定の電流を流して磁極4
2,43を励磁する。端面44付近の磁束48は
図に示すように、幅の狭い主磁極42の真下の部
分には強い垂直方向の磁界が発生し、垂直磁化膜
2は磁界方向に磁化してデータが記録される。幅
の広い補助磁極43の真下では磁束48が拡がつ
て磁界が弱まるので垂直磁化膜2は磁化されるに
はいたらない。データ再生の際には、垂直磁化膜
2の磁化反転部が主磁極42を通過するときの磁
極内部の磁束変化によつて生じる導体コイル45
両端の誘起電圧を再生信号として用いる。
第5図は上記の垂直磁気ヘツドの製造方法を示
すための説明図である。イ〜ニは各段製造段階に
おける垂直磁気ヘツドの断面図、ホ〜チはこの各
断面図イ〜ニにそれぞれ対応する平面図(ただし
保護膜層部分は省略)である。まず第5図イ,ホ
に示すように、基板51に例えば単結晶シリコン
を使用し、異方性アルカリエツチングにて突起部
52を形成し、その上から突起部52の端面60
を含む部分にパーマロイ(Fe−Ni)薄膜などで
第1の磁極層53を形成する。次に第5図ロ,ヘ
に示すように、CuまたはAlなどで導体コイル部
54を薄膜形成し、この導体コイル部54をその
取り出し端子部分を除いて覆うようにAl2O3,
SiO2またはハードキユアレジストなどの非磁性
電気絶縁性物質を用いて保護膜層55を形成す
る。次に第5図ハ,トに示すように、パーマロイ
(Fe−Ni)などの薄膜で第2の磁極層56を前記
コイル部54をまたぐ形で形成し、前記第1の磁
極層53との間に磁気的閉ループを形成する。さ
らにその上から全体を覆うようにSiO2,Al2O3な
どの非磁性・電気絶縁性の硬質材料で保護膜層5
6を形成する。最後に第5図ニ,チに示すよう
に、表面を基板51の下面に平行に、突起部52
の端面が露出するまで(第5図ハのB線の深さま
で)研摩するとヘツド面58上に磁極間スペース
59が現われる。磁極間スペース59の幅gは突
起部52の幅によつて殆んど決まつてしまうの
で、第5図イ,ホの段階で所定の寸法に突起部5
2を形成しておけばよい。
すための説明図である。イ〜ニは各段製造段階に
おける垂直磁気ヘツドの断面図、ホ〜チはこの各
断面図イ〜ニにそれぞれ対応する平面図(ただし
保護膜層部分は省略)である。まず第5図イ,ホ
に示すように、基板51に例えば単結晶シリコン
を使用し、異方性アルカリエツチングにて突起部
52を形成し、その上から突起部52の端面60
を含む部分にパーマロイ(Fe−Ni)薄膜などで
第1の磁極層53を形成する。次に第5図ロ,ヘ
に示すように、CuまたはAlなどで導体コイル部
54を薄膜形成し、この導体コイル部54をその
取り出し端子部分を除いて覆うようにAl2O3,
SiO2またはハードキユアレジストなどの非磁性
電気絶縁性物質を用いて保護膜層55を形成す
る。次に第5図ハ,トに示すように、パーマロイ
(Fe−Ni)などの薄膜で第2の磁極層56を前記
コイル部54をまたぐ形で形成し、前記第1の磁
極層53との間に磁気的閉ループを形成する。さ
らにその上から全体を覆うようにSiO2,Al2O3な
どの非磁性・電気絶縁性の硬質材料で保護膜層5
6を形成する。最後に第5図ニ,チに示すよう
に、表面を基板51の下面に平行に、突起部52
の端面が露出するまで(第5図ハのB線の深さま
で)研摩するとヘツド面58上に磁極間スペース
59が現われる。磁極間スペース59の幅gは突
起部52の幅によつて殆んど決まつてしまうの
で、第5図イ,ホの段階で所定の寸法に突起部5
2を形成しておけばよい。
このような製造方法では磁極、コイル部などを
ヘツド面側に形成するので、磁極部、コイル部形
成とスライダ加工とが切断前の大きな基板の段階
(第3図イ)で行なえることになり、大幅な製造
工数の削減につながる。
ヘツド面側に形成するので、磁極部、コイル部形
成とスライダ加工とが切断前の大きな基板の段階
(第3図イ)で行なえることになり、大幅な製造
工数の削減につながる。
また、磁極間スペースは基板上の突起部の幅で
決まるため精度よく形成することができる。
決まるため精度よく形成することができる。
また主磁極幅は突起部の傾斜角θ、主磁極膜厚
tが決まればW=t/sinθで自動的に決まるため
高精度化が可能である。
tが決まればW=t/sinθで自動的に決まるため
高精度化が可能である。
また主磁極、補助磁極とも高透磁率軟磁性膜を
使用するため、高周波特性に優れている。(従来
のこのタイプのヘツドでは補助磁極に高周波特性
の劣る、バルクのフエライトなどを用いていた。) 第6図は本発明に係る垂直磁気ヘツド装置の他
の実施例を示すものでイは平面図(ただし保護膜
層は省略)ロはイの研摩前の製造段階におけるC
−C線断面図である。製造方法は、まず導体コイ
ル下側層61を形成し、次に磁極層62を形成
し、さらに導体コイル上側層63を形成し、最後
に保護膜層64を形成した後、D線の深さまで研
摩して磁極間スペース65を得る。このような導
体コイルをジグザグ型にした構成の磁気ヘツド装
置は、導体コイルが短かくて済むので直流抵抗が
小さく、発熱も少なくなるという長所を有する。
使用するため、高周波特性に優れている。(従来
のこのタイプのヘツドでは補助磁極に高周波特性
の劣る、バルクのフエライトなどを用いていた。) 第6図は本発明に係る垂直磁気ヘツド装置の他
の実施例を示すものでイは平面図(ただし保護膜
層は省略)ロはイの研摩前の製造段階におけるC
−C線断面図である。製造方法は、まず導体コイ
ル下側層61を形成し、次に磁極層62を形成
し、さらに導体コイル上側層63を形成し、最後
に保護膜層64を形成した後、D線の深さまで研
摩して磁極間スペース65を得る。このような導
体コイルをジグザグ型にした構成の磁気ヘツド装
置は、導体コイルが短かくて済むので直流抵抗が
小さく、発熱も少なくなるという長所を有する。
第7図は本発明に係る磁気ヘツド装置の他の実
施例の製造方法および構成を示すための平面図
で、基板上に他の部材を付着することにより突起
部71を構成したものである。例えばガラスを印
刷・焼成することにより形成できる。Eは研摩線
である。
施例の製造方法および構成を示すための平面図
で、基板上に他の部材を付着することにより突起
部71を構成したものである。例えばガラスを印
刷・焼成することにより形成できる。Eは研摩線
である。
なお第1の実施例(第4,5図)で述べた特
長、利点は第6図および第7図の実施例にも同様
にあてはまる。
長、利点は第6図および第7図の実施例にも同様
にあてはまる。
なお上記の実施例では浮動式磁気ヘツドの場合
を示したが、これに限らずフロツピーデイスクや
磁気テープ装置のヘツドなどに用いることもでき
る。
を示したが、これに限らずフロツピーデイスクや
磁気テープ装置のヘツドなどに用いることもでき
る。
以上述べたように本発明によれば、量産性が優
れ、かつ構成の単純な垂直磁気ヘツド装置を容易
に実現できる。
れ、かつ構成の単純な垂直磁気ヘツド装置を容易
に実現できる。
第1図および第2図は垂直磁気ヘツド装置の従
来例を示す原理説明図、第3図は第2図の垂直磁
気ヘツドの製造方法を示す説明図、第4図は本発
明に係る垂直磁気ヘツド装置の第1の実施例を示
す構成断面図、第5図は第4図の垂直磁気ヘツド
装置の製造方法を示すための説明図、第6図およ
び第7図は本発明の他の実施例を示す図である。 40,51…基板、41,52,71…突起
部、42…第1の薄膜磁極、43…第2の薄膜磁
極、44,60…端面、45,54,61,63
…導体コイル部、47,58…ヘツド面、53,
56,62…磁極層、57…保護膜層、59,6
5…磁極間スペース。
来例を示す原理説明図、第3図は第2図の垂直磁
気ヘツドの製造方法を示す説明図、第4図は本発
明に係る垂直磁気ヘツド装置の第1の実施例を示
す構成断面図、第5図は第4図の垂直磁気ヘツド
装置の製造方法を示すための説明図、第6図およ
び第7図は本発明の他の実施例を示す図である。 40,51…基板、41,52,71…突起
部、42…第1の薄膜磁極、43…第2の薄膜磁
極、44,60…端面、45,54,61,63
…導体コイル部、47,58…ヘツド面、53,
56,62…磁極層、57…保護膜層、59,6
5…磁極間スペース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板と、この基板上にもうけられその端面が
ヘツド面における磁極間スペースを形成する突起
部と、この突起部を介して対向し前記ヘツド面に
おいて磁極端面を形成するとともに前記突起部端
面以外の部分で互いに結合する第1および第2の
薄膜磁極部と、前記突起部端面以外の部分にもう
けられ、前記第1および第2の薄膜磁極部の少く
ともいずれか一方と鎖交する導体コイル部とを有
し、前記磁極端面の幅は前記第2の薄膜磁極部が
前記突起部形状と膜厚で磁極幅が決まる前記第1
の薄膜磁極部よりも大きいことを特徴とする垂直
磁気ヘツド装置。 2 ヘツド面上に薄膜磁気ヘツドをもうける垂直
磁気ヘツドの製造方法において、基板上に突起部
を形成し、この突起部端面を含む部分に磁極層を
形成し、前記突起部端面以外の部分で前記磁極層
と鎖交するように導体コイル部を形成し、その上
に保護膜層を形成した後前記突起部端面より下の
深さまで表面を除去して前記ヘツド面を形成する
とともに前記ヘツド面上に所定の幅の第1、第2
磁極端面と磁極間スペースを形成するようにした
ことを特徴とする垂直磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23105083A JPS60124014A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 垂直磁気ヘッド装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23105083A JPS60124014A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 垂直磁気ヘッド装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124014A JPS60124014A (ja) | 1985-07-02 |
| JPS6362804B2 true JPS6362804B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=16917496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23105083A Granted JPS60124014A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 垂直磁気ヘッド装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124014A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022407A1 (en) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Seagate Technology, Llc | Magnetic recording head including background magnetic field generator |
| US6876519B1 (en) | 1999-09-20 | 2005-04-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head including background magnetic field generator |
| US6646827B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-11-11 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head with write pole which reduces flux antenna effect |
| US6717770B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-04-06 | Seagate Technology Llc | Recording head for applying a magnetic field perpendicular to the magnetizations within magnetic storage media |
| US6798615B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-09-28 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording head with return poles which reduce flux antenna effect |
-
1983
- 1983-12-07 JP JP23105083A patent/JPS60124014A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124014A (ja) | 1985-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000113437A (ja) | 磁気ヘッド装置の製造方法、磁気ヘッド装置、並びに、磁気ヘッド装置の中間製造物 | |
| US4868698A (en) | Magnetic head | |
| JP3394266B2 (ja) | 磁気書込/読取ヘッドの製造方法 | |
| US4843507A (en) | Magnetic head with laminated structure | |
| JPS6362804B2 (ja) | ||
| US4811142A (en) | Magnetic head for vertical magnetic recording and method of producing same | |
| JP2828673B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0234083B2 (ja) | ||
| JPH069083B2 (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
| JP3164050B2 (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 | |
| JP3039033B2 (ja) | 垂直磁気記録再生方法 | |
| CN101465125B (zh) | 磁头滑块的制造方法 | |
| JPS59162610A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| JPS6059516A (ja) | 垂直磁気記録再生用複合ヘッド | |
| JPH06223310A (ja) | 垂直記録用磁気ヘッド | |
| JPH0524563B2 (ja) | ||
| JPH0744826A (ja) | 薄膜mrヘッド | |
| JPS61198412A (ja) | 垂直記録用薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61117714A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS58122611A (ja) | 磁気記録再生素子の製作法 | |
| JPS60138709A (ja) | 複合型垂直記録ヘツド | |
| JPS60191406A (ja) | 垂直記録再生磁気ヘツド | |
| JPH065564B2 (ja) | 垂直磁気記録再生ヘツド | |
| JPS59177715A (ja) | 垂直磁気記録用ヘツド | |
| JPH11232612A (ja) | 複合型磁気ヘッド |