JPS6362899B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6362899B2 JPS6362899B2 JP58238615A JP23861583A JPS6362899B2 JP S6362899 B2 JPS6362899 B2 JP S6362899B2 JP 58238615 A JP58238615 A JP 58238615A JP 23861583 A JP23861583 A JP 23861583A JP S6362899 B2 JPS6362899 B2 JP S6362899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- enclosure
- electronic component
- temperature
- heating
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体素子など電子部品を囲い体
の加熱接合により封止する、封止形電子部品装置
の気密封止方法に関する。
の加熱接合により封止する、封止形電子部品装置
の気密封止方法に関する。
この種の封止形電子部品装置として、ガラス封
止形半導体装置の場合を、第１図に示す縦断面図
により説明する。１は半導体装置で、次のように
構成されている。２は銀バンプ電極が設けられた
半導体素子で、外部電極３，４により上下から固
着挾持されている。５はガラススリーブからなる
囲い体で、外部電極３，４にはめられ溶着されて
半導体素子２を囲い気密封止している。
止形半導体装置の場合を、第１図に示す縦断面図
により説明する。１は半導体装置で、次のように
構成されている。２は銀バンプ電極が設けられた
半導体素子で、外部電極３，４により上下から固
着挾持されている。５はガラススリーブからなる
囲い体で、外部電極３，４にはめられ溶着されて
半導体素子２を囲い気密封止している。
上記半導体装置１の従来の気密封止方法は、次
のようにしていた。第１図のように、半導体素子
２を挾持した下、上外部電極３，４に囲い体５を
はめ、グラフアイト製の下部加熱体６の保持穴６
ａ内に入れる。つづいて、グラフアイト製の上部
加熱体７を上方から外部電極４のリードを貫通穴
７ａに逃してかぶせる。環境を真空引きし、つづ
いて不活性ガス雰囲気にし、囲い体５内部に不活
性ガスを充てんする。図示を略したヒータにより
下部加熱体６、上部加熱体７を加熱する。この加
熱は、第２図に示す時間経過に対する温度曲線図
のようにしていた。
のようにしていた。第１図のように、半導体素子
２を挾持した下、上外部電極３，４に囲い体５を
はめ、グラフアイト製の下部加熱体６の保持穴６
ａ内に入れる。つづいて、グラフアイト製の上部
加熱体７を上方から外部電極４のリードを貫通穴
７ａに逃してかぶせる。環境を真空引きし、つづ
いて不活性ガス雰囲気にし、囲い体５内部に不活
性ガスを充てんする。図示を略したヒータにより
下部加熱体６、上部加熱体７を加熱する。この加
熱は、第２図に示す時間経過に対する温度曲線図
のようにしていた。
加熱により次第に温度が上昇し、約700℃の高
温になり、囲い体５をなすガラススリーブが外部
電極３，４に溶着して接合し、気密封止する。加
熱を止めると温度は次第に降下する。
温になり、囲い体５をなすガラススリーブが外部
電極３，４に溶着して接合し、気密封止する。加
熱を止めると温度は次第に降下する。
上記従来の方法では、半導体素子２、囲い体
５、外部電極３，４、下部加熱体６及び上部加熱
体７に製造時に含まれ、さらに空気中から吸着し
ていた水蒸気、炭酸ガス、ナトリウム、金属イオ
ン等を含むガスが、封止時の加熱により多量に発
生し、そのガスがそのまま封止形半導体装置１内
に封止されることになつていた。このため、半導
体装置１は漏れ電流の増加、電気的特性の劣化増
大などとなり、不良品率が増加し信頼性が低下し
ていた。
５、外部電極３，４、下部加熱体６及び上部加熱
体７に製造時に含まれ、さらに空気中から吸着し
ていた水蒸気、炭酸ガス、ナトリウム、金属イオ
ン等を含むガスが、封止時の加熱により多量に発
生し、そのガスがそのまま封止形半導体装置１内
に封止されることになつていた。このため、半導
体装置１は漏れ電流の増加、電気的特性の劣化増
大などとなり、不良品率が増加し信頼性が低下し
ていた。
この発明は、上記従来方法の欠点をなくするた
めになされたもので、囲い体を外部電極に接合す
るための加熱を、温度が上昇し始めてから、いつ
たん、溶着封止温度より下の高温度にとどめてお
き、真空乾燥してから、不活性ガスの雰囲気にし
て囲い体内に不活性ガスを充てんさせ、接合温度
に上昇し気密封止するようにし、漏れ電流が小さ
く、電気的特性の劣化の少ない、信頼性の高い封
止形電子部品装置が得られる気密封止方法を提供
するものである。
めになされたもので、囲い体を外部電極に接合す
るための加熱を、温度が上昇し始めてから、いつ
たん、溶着封止温度より下の高温度にとどめてお
き、真空乾燥してから、不活性ガスの雰囲気にし
て囲い体内に不活性ガスを充てんさせ、接合温度
に上昇し気密封止するようにし、漏れ電流が小さ
く、電気的特性の劣化の少ない、信頼性の高い封
止形電子部品装置が得られる気密封止方法を提供
するものである。
以下、この発明の一実施例による気密封止方法
を、次に説明する。
を、次に説明する。
第１図のように、囲い体５がはめられ溶着前の
半導体装置１を下部、上部の加熱体６，７に入
れ、内蔵するヒータにより加熱する。この加熱
は、第３図に示す時間経過に対する温度曲線図の
ようにする。まず、始めは、溶着封止温度700℃
より下の、各部品の含有、吸着ガスが放出される
高温度、例えば約500℃に加熱するとともに、環
境を真空引きすることにより囲い体５内を真空状
態にして数分間維持する。これにより、前記に説
明したガスが放出される。つづいて、純粋な不活
性ガス雰囲気にし、囲い体５内部に不活性ガスを
大気圧又は正圧で充てんする。引きつづき、加熱
温度を約700℃に上昇し、囲い体５を外部電極３，
４に溶着させ接合し封止する。
半導体装置１を下部、上部の加熱体６，７に入
れ、内蔵するヒータにより加熱する。この加熱
は、第３図に示す時間経過に対する温度曲線図の
ようにする。まず、始めは、溶着封止温度700℃
より下の、各部品の含有、吸着ガスが放出される
高温度、例えば約500℃に加熱するとともに、環
境を真空引きすることにより囲い体５内を真空状
態にして数分間維持する。これにより、前記に説
明したガスが放出される。つづいて、純粋な不活
性ガス雰囲気にし、囲い体５内部に不活性ガスを
大気圧又は正圧で充てんする。引きつづき、加熱
温度を約700℃に上昇し、囲い体５を外部電極３，
４に溶着させ接合し封止する。
なお、上記実施例では、封止形電子部品装置と
して、ガラス封止形半導体装置の場合を示した
が、高温加熱により囲い体を接合して気密封止さ
れる他の種の電子部品装置の場合にも適用できる
ものである。
して、ガラス封止形半導体装置の場合を示した
が、高温加熱により囲い体を接合して気密封止さ
れる他の種の電子部品装置の場合にも適用できる
ものである。
また、上記実施例では、囲い体５としてガラス
スリーブを用いたが、耐熱性の絶縁材で、外部電
極に接合でき気密封止するものであれば、他の部
材を用いてもよく、例えばセラミツクススリーブ
を用い、高温接着剤、高温ろう材などを使用し接
合するようにしてもよい。
スリーブを用いたが、耐熱性の絶縁材で、外部電
極に接合でき気密封止するものであれば、他の部
材を用いてもよく、例えばセラミツクススリーブ
を用い、高温接着剤、高温ろう材などを使用し接
合するようにしてもよい。
以上のように、この発明の方法によれば、外部
電極に囲い体を接合するための加熱を、溶着封止
温度より下の高温度にしてとどめておき、真空乾
燥してから不活性ガスを囲い体内に充てんさせ、
引続き、接合温度に上昇し気密封止するようにし
たので、不純物ガスがほとんど除去されて封止さ
れ、漏れ電流がわずかとなり、特性劣下が少なく
なり、信頼性の高い封止形電子部品装置が得られ
る。
電極に囲い体を接合するための加熱を、溶着封止
温度より下の高温度にしてとどめておき、真空乾
燥してから不活性ガスを囲い体内に充てんさせ、
引続き、接合温度に上昇し気密封止するようにし
たので、不純物ガスがほとんど除去されて封止さ
れ、漏れ電流がわずかとなり、特性劣下が少なく
なり、信頼性の高い封止形電子部品装置が得られ
る。
第１図は半導体装置が加熱体に入れられ加熱に
より囲い体が接合されている状態を示す縦断面
図、第２図は従来の気密封止方法を示す時間経過
に対する加熱温度曲線図、第３図はこの発明の一
実施例による気密封止方法を示す時間経過に対す
る加熱温度曲線図である。 １…封止形半導体装置、２…半導体素子、３，
４…外部電極、５…囲い体、６，７…加熱体。な
お、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
より囲い体が接合されている状態を示す縦断面
図、第２図は従来の気密封止方法を示す時間経過
に対する加熱温度曲線図、第３図はこの発明の一
実施例による気密封止方法を示す時間経過に対す
る加熱温度曲線図である。 １…封止形半導体装置、２…半導体素子、３，
４…外部電極、５…囲い体、６，７…加熱体。な
お、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子部品を両側から挾付け固着した１対の外
部電極に囲い体をはめて加熱接合し、上記電子部
品を気密封止する方法において、上記囲い体を上
記各外部電極に接合する加熱を、接合温度より下
の高温度にとどめて真空乾燥し、つづいて不活性
ガスを入れ、引きつづき、接合温度に上昇して囲
い体を外部電極に接合し封止することを特徴とす
る封止形電子部品装置の気密封止方法。 ２ 電子部品は半導体素子からなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の封止形電子部品
装置の気密封止方法。 ３ 囲い体はガラススリーブからなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の封
止形電子部品装置の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238615A JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238615A JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128644A JPS60128644A (ja) | 1985-07-09 |
| JPS6362899B2 true JPS6362899B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=17032797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58238615A Granted JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128644A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133736A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58238615A patent/JPS60128644A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60128644A (ja) | 1985-07-09 |
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