JPS6364079A - 導電性高分子電子素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、導電性高分子を使用した電子素子の製造方
法に関する。

（ロ）従来の技術 近年、高分子化学の進歩により導電性高分子が開発され
、この導電性高分子は、ＴＬ荷Ｙにより導電度や吸光度
をコントロールすることができる新素材として注目され
、バッテリや表示層をはしめ、多方面への応用が期待さ
れている。

従来の導電性高分子電子素子の製造方法としては、基板
１２内面にＳｎＯ□、ＩＴＯ等の金属酸化物よりなる透
明導電膜、又はｐｔ等の金属薄膜を形成して電極体１３
とし〔第４図（ａｌ参照〕、さらにこの電極体１３上に
、導電性高分子層１４を電解重合法等により形成するも
のが知られている〔第４図（ｂ）参照〕。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 上記従来の導電性高分子電子素子の製造方法においては
、電極体１３に厚さノ、うや、偏析等の）”Ｉ：常部１
３ｂが生しる。このため、導電性高分子層１４の厚さに
もムラが生じたり、導電性高分子層１４と電極体１３と
の間の接着力が低下し、導電性高分子層１４力’　２ｉ
Ｌ’ｄしてしまう不都合があった。

特に、電極体１３として透明導電膜を使用し、これをス
プレー法により形成した場合に、前記不都合は顕著なも
のとなり、導電性高分子電子素子を耐久性に欠けるもの
としていた。

この発明は、上記不都合に鑑みなされ１こもので、耐久
性に優れた導電性高分子電子素子が得られるλｑ導電性
高分子電子素子製造方法の提供を目的としている。

（ニ）問題点をη・７決するだめの手段上記不都合を解
決するための手段として、この発明の導電性高分子電子
素子の製造方法は、基板表面に電極体を形成し、この電
極体表面を研摩して電極体表面層を除去し、この研摩さ
れた電極体上にＷ導電性高分子層形成するものである。

（ホ）作用 この発明の導電性高分子電子素子の製造方法は、異常部
を含んだ電極体表面層を除去することにより、異常部の
ない電極体表面を得ると共に、電極体層厚を均一化する
。これにより、導電性高分子層と電極体との間の接着力
の向上及び導電性高分子層のＰｌさの均一化が可能とな
る。

（へ）実施例 この発明の一実、ち面倒を、第１図（−１）、第１図ｉ
ｂｌ、第１図ｔｅ＋、第２図及び第３［７１４こ基づい
て、以下に説明する。

この実施例は、本発明を表示素子ｌの製造に適用したも
のである。２は自ガラス、」明合成樹脂よりなる絶縁基
板である（第２図及び第３図、ｑ　Ｑ、：ｊ　）。

絶８！基板２内面２ａには、スプレー法によりＳ　ｎＯ
□透明導′）Ｒ膜を形成し、電極体３、・・・、３とす
る。電極体３は、７セグメントのパターンに配置されて
いる。各電極体３より一よ、リード部３ｄが延設され、
側部に設けられている端子７、・・・、７に接続される
。

電極体３の表面層３ａには、第１図（ａｔζこ示すよう
に起伏があり、″：ｒＬ極体３極層３が不均一なものと
なっている。また、表面層３ａには、偏析等による異常
部３ｂが含まれている。

次に、上記表面層３ａをパフ研摩により除去し、新しい
表面３Ｃを生成すると共に、電極体３の層厚を均一化す
る〔第１図（ｂｌ参照〕。このパフ研摩における研摩材
は、粒径が０．１〜１μｍのアルミナ砥粒であり、これ
を純水に懸濁したものを使用する。

続いて、前記新表面３ｃ上に、電解重合によりｊＩ導電
性高分子層を形成する〔第１図ｔｅｌ参照］。

導電性高分子層４は、例えばポリアニリン、ポリチオフ
ェン等より構成される。この時に、電極体３の層厚が均
一なため、導電性高分子層４の層厚も均一となる。また
、電極体３の新表面３ｃには、起伏や異常部がないため
、導電性高分子層４と電極体３との間の接着力が強化さ
れる。

？：、、極体３反体３、ｉ電性高分子層４の形成された
絶縁基板２は、もう１つの絶縁基板５と、所定間隔をお
いて対面させられる（第３図参照）。この絶縁基板５の
内面５ａには、ＳｎＯ，透明導′屯膜等よりなる第２電
極体６が、予め形成されている。

絶縁基板２及び５の周囲は、封止材９により封止される
。絶縁基板２と５との間には電解液８が充填され、導電
性高分子層４と第２電極体６が、この電解液８に浸潤さ
れる。電解液８としては、アセトニトリルＩＬｌ１３Ｆ
４．アセトニトリル＋１７１Ｃ１０４等が使用される。

参考までに、この完成した表示素子ｌの＋）１作を、以
下に節単に説明する。

各端子７と第２電極体６との間に正ｆ［の電圧を卯月１
１すると、導電性高分子層４が酸化５元反応を起ごし、
例えば緑色１．：、７色に着色ずろ。そして、各端子７
、即ち各電極体３を正又は負の電圧に変化させることに
より、各電極体３上の導電性高分子層４が緑色又は黄色
に変化し、数字表示をすることとなる。

なお、上記実施例においては、電極体表面の研摩には、
アルミナ砥粒の純水；Δ濁液を使用する）＼フ研摩を通
用しているが、これに限定されろものではなく、適宜変
更可能である。

また、上記実施例においては、この発明を表示素子の製
造に通用した例を示しているが、これに限定されるもの
でｉまなく、バッテリ等、他の導電性高分子電子素子の
製造にも適用可１１ヒである。

（ト）発明の効果 この発明の導電性高分子層７−素子の製造方法は、基（
反の内面に電Ｉｓ体を形成し、この電（板体表面を研摩
して表面層を除去し、この研１？された電極体表面に導
電性高分子層を形成するものであるから、導電性高分子
層の膜厚が均一化され、また導電性高分子層と電極体と
の間の接着力が強化され、入７電性高分子電子素１−の
ｉ：ｉ４久性を優れたものとできる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ＋は、この発明の一実施例に係る表示素子の
装造工程において、ｊ絶縁基板内面に電極体を形成した
状態を示す拡大断面図、第１図ｔｂｌは、同製造工程に
おいて、電極体表面を研摩した状１点を示す拡大断面図
、第１図ｆｃｌは、同製造工程において、電極体表面に
導電性高分子層を形成した状！声を示す拡大断面図、第
２図は、前記表示素子の平面図、第３図は、同表示素子
の縦断面図、第４図（ａ）及び第４図（ｂｌは、従来の
導電性高分子電子素子の製造方法を説明する図である。 ２：絶縁基板、　３・・・３：電極体、３ａ：２２而層
、　　４・・・４：導電性高分子層。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板内面に電極体を形成し、この電極体表面を研
   摩して表面層を除去し、この研摩された電極体表面に導
   電性高分子層を形成することを特徴とする導電性高分子
   電子素子の製造方法。
2. （２）前記電極体は、金属酸化物の透明導電膜であり、
   これをスプレー法により前記基板内面に形成する特許請
   求の範囲第１項記載の導電性高分子電子素子の製造方法
   。
3. （３）前記研摩は、粒径０．１〜１μｍの砥粒を研摩材
   として使用するバフ研摩である特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の導電性高分子電子素子の製造方法。