JPS636502B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS636502B2 JPS636502B2 JP58002390A JP239083A JPS636502B2 JP S636502 B2 JPS636502 B2 JP S636502B2 JP 58002390 A JP58002390 A JP 58002390A JP 239083 A JP239083 A JP 239083A JP S636502 B2 JPS636502 B2 JP S636502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding
- refractive index
- inner jacket
- core
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は偏波面保存光フアイバに関する。
偏波面保存光フアイバとしては、すでに種々の
構造が提案されているが、現在最も評価を得てい
るものに第１図に示す構造のものがある。
構造が提案されているが、現在最も評価を得てい
るものに第１図に示す構造のものがある。
これは４層構造の光フアイバであり、コア１
１、クラツド１２、内側ジヤケツト１３、外側ジ
ヤケツト１４を有するものである。
１、クラツド１２、内側ジヤケツト１３、外側ジ
ヤケツト１４を有するものである。
コア１１はGeO2を含むSiO2ガラスからなり、
クラツド１２は高純度SiO2からなり、内側ジヤ
ケツトはP2O5及びB2O3を含むSiO2ガラスからな
り、外側ジヤケツトはSiO2ガラスからなつてい
る。
クラツド１２は高純度SiO2からなり、内側ジヤ
ケツトはP2O5及びB2O3を含むSiO2ガラスからな
り、外側ジヤケツトはSiO2ガラスからなつてい
る。
この偏波面保存光フアイバは極めて優れた特性
を有しているが、耐放射線性の点でやや難があつ
た。
を有しているが、耐放射線性の点でやや難があつ
た。
また、この偏波面保存光フアイバの製法として
はVAD法類似したスート堆積法によつて製造で
きるが、世の中では内付CVD法が良く知られて
おりこれによつても製造が試みられている。
はVAD法類似したスート堆積法によつて製造で
きるが、世の中では内付CVD法が良く知られて
おりこれによつても製造が試みられている。
ところが、内付CVD法で製造した場合、コア
に中心ぬけを生じ、第２図に示すような屈折率分
布となり、必ずしも満足できる特性が得られなか
つた。
に中心ぬけを生じ、第２図に示すような屈折率分
布となり、必ずしも満足できる特性が得られなか
つた。
本発明は斯かる状況に鑑み、耐放射線に優れ、
VAD法でも内付CVD法でも容易に製造でき、し
かも特性的に十分満足できる偏波面保存光フアイ
バの具体的構成を提供することを目的とする。
VAD法でも内付CVD法でも容易に製造でき、し
かも特性的に十分満足できる偏波面保存光フアイ
バの具体的構成を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の要旨は、耐放射線性を良好
にし、内付CVD法による中心ぬけ現象を解消す
るために、コアを高純度SiO2とし、しかも一般
にSiO2コアの光フアイバが有している欠点を解
決するための具体的構成を詳細に限定したもので
ある。
にし、内付CVD法による中心ぬけ現象を解消す
るために、コアを高純度SiO2とし、しかも一般
にSiO2コアの光フアイバが有している欠点を解
決するための具体的構成を詳細に限定したもので
ある。
本発明の構成を、一実施例を示す第３図を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第３図において、３１はコア、３２はクラツ
ド、３３は内側ジヤケツトであり、３４は外側ジ
ヤケツトである。
ド、３３は内側ジヤケツトであり、３４は外側ジ
ヤケツトである。
コア３１は高純度SiO2からなり、格別のドー
パントを含まない構成であり、クラツド３２は
SiO2を主成分としP2O5及びフツ素を含有しB2O3
を含まない構成であり、内側ジヤケツト３３は
SiO2を主成分としP2O5及びB2O3を含有した構成
であり、外側ジヤケツト３４はSiO2を主成分と
し格別のドーパントを含まない構成である。
パントを含まない構成であり、クラツド３２は
SiO2を主成分としP2O5及びフツ素を含有しB2O3
を含まない構成であり、内側ジヤケツト３３は
SiO2を主成分としP2O5及びB2O3を含有した構成
であり、外側ジヤケツト３４はSiO2を主成分と
し格別のドーパントを含まない構成である。
クラツド３２に含まれるフツ素は屈折率制御用
ドーパントであり、P2O5は屈折率制御と粘度の
調整を兼ねたドーパンドである。
ドーパントであり、P2O5は屈折率制御と粘度の
調整を兼ねたドーパンドである。
フツ素はB2O3などに比べ少量で屈折率を大幅
に下げることができる物質である。
に下げることができる物質である。
すなわちB2O3が14〜15モル％含まれるSiO2ガ
ラスでもSiO2の屈折率に対して0.7％程度しか下
げることができず、B2O3を15モル％以上含有さ
せてもさらに屈折率を下げることはできずに
B2O3の割合を大きくするとかえつて屈折率が高
くなつてしまう。
ラスでもSiO2の屈折率に対して0.7％程度しか下
げることができず、B2O3を15モル％以上含有さ
せてもさらに屈折率を下げることはできずに
B2O3の割合を大きくするとかえつて屈折率が高
くなつてしまう。
これに対して、フツ素は1.5モル％で0.5％程度
屈折率を下げることができ、３モル％でSiO2に
対して1.0％程度屈折率を下げることができる。
屈折率を下げることができ、３モル％でSiO2に
対して1.0％程度屈折率を下げることができる。
従つてクラツド３２を第４図に示すような屈折
率の低い層として形成することは極めて容易にで
きる。
率の低い層として形成することは極めて容易にで
きる。
屈折率分布が第４図に示すような形であると、
第５図に示すような形の場合に比べて、クラツド
３２と内側ジヤケツト３３の厚さを薄く構成する
ことができ、製造が容易である。すなわち、第５
図のような屈折率分布形状の場合には第４図のよ
うな形状の光フアイバと同等の特性を得ようとし
た場合に、クラツド３２と内側ジヤケツト３３の
合計厚さを厚くしなければならず、これらの要素
を内付法で作るにしろ、外付法に作るにしろめん
どうであり、しかも所定の楕円形状を作成しなけ
ればならないので相当製造条件が限定されてしま
う。
第５図に示すような形の場合に比べて、クラツド
３２と内側ジヤケツト３３の厚さを薄く構成する
ことができ、製造が容易である。すなわち、第５
図のような屈折率分布形状の場合には第４図のよ
うな形状の光フアイバと同等の特性を得ようとし
た場合に、クラツド３２と内側ジヤケツト３３の
合計厚さを厚くしなければならず、これらの要素
を内付法で作るにしろ、外付法に作るにしろめん
どうであり、しかも所定の楕円形状を作成しなけ
ればならないので相当製造条件が限定されてしま
う。
クラツド３２に含まれるフツ素の量は内側ジヤ
ケツト３３に比べてクラツド３２の屈折率が明確
に低くなる程度であればよく、例えば２〜５モル
％程度でよい。クラツド３２に含まれるP2O5の
量は微少でよい。
ケツト３３に比べてクラツド３２の屈折率が明確
に低くなる程度であればよく、例えば２〜５モル
％程度でよい。クラツド３２に含まれるP2O5の
量は微少でよい。
内側ジヤケツト３３に含まれるB2O3は屈折率
制御と歪付与の目的で加えられたドーパントであ
り、P2O5は粘度調整と屈折率制御の目的で加え
られたドーパンドである。
制御と歪付与の目的で加えられたドーパントであ
り、P2O5は粘度調整と屈折率制御の目的で加え
られたドーパンドである。
このB2O3とP2O5の合計量は５〜20モル％であ
ることが要求され、10〜15モル％程度が適当であ
る。
ることが要求され、10〜15モル％程度が適当であ
る。
この範囲は主に粘度によつて限定されるもので
あり、B2O3とP2O5の合計量が５モル％未満では、
粘度が高く、内側ジヤケツト３３を第３図に示す
ような楕円形状に作成することが著しく困難なた
めである。
あり、B2O3とP2O5の合計量が５モル％未満では、
粘度が高く、内側ジヤケツト３３を第３図に示す
ような楕円形状に作成することが著しく困難なた
めである。
また、B2O3とP2O5との合計量が20モル％を越
えると、内付CVD法によつて製造する場合には、
粘度が低くそれより内側の粘度の高い層を蒸着で
きないので不適当であり、また、同時に20モル％
を越えると屈折率の制御も困難になるためであ
る。
えると、内付CVD法によつて製造する場合には、
粘度が低くそれより内側の粘度の高い層を蒸着で
きないので不適当であり、また、同時に20モル％
を越えると屈折率の制御も困難になるためであ
る。
またさらに、内側ジヤケツト３３における
B2O3の割合はP2O5に対して1.0〜2.0倍の範囲であ
ることが望ましい。すなわち、P2O5に対して1.0
の倍未満であると、コア３１及び外側ジヤケツト
３４に比較して屈折率を明確に低く保つことがで
きなくなるため1.0倍以上であることが必要であ
る。
B2O3の割合はP2O5に対して1.0〜2.0倍の範囲であ
ることが望ましい。すなわち、P2O5に対して1.0
の倍未満であると、コア３１及び外側ジヤケツト
３４に比較して屈折率を明確に低く保つことがで
きなくなるため1.0倍以上であることが必要であ
る。
B2O3の割合がP2O5よりきわだつて多く2.0倍以
上であると外側ジヤケツト３４などと比べて熱膨
脹係数の差ばかりが大きくなり、その割に粘度が
低くならないので、割れ（クラツク）が入りやす
い状態となり望ましくない。
上であると外側ジヤケツト３４などと比べて熱膨
脹係数の差ばかりが大きくなり、その割に粘度が
低くならないので、割れ（クラツク）が入りやす
い状態となり望ましくない。
外側ジヤケツト３４は一般に市販されている工
業用シリカガラス管が使用できるが、合成石英に
よつて高純度SiO2を使用してもよいことはもち
ろんである。
業用シリカガラス管が使用できるが、合成石英に
よつて高純度SiO2を使用してもよいことはもち
ろんである。
本発明の偏波面保存光フアイバは、例えば特開
昭56−125233号公報に示されているような減圧を
含む内付CVD法により製造できることはもちろ
んのこと外付CVD法によつても製造でき、VAD
法とこれらを混合したロツドインチユーブ法によ
つても製造できるものである。
昭56−125233号公報に示されているような減圧を
含む内付CVD法により製造できることはもちろ
んのこと外付CVD法によつても製造でき、VAD
法とこれらを混合したロツドインチユーブ法によ
つても製造できるものである。
また、このようにして得られた偏波面保存光フ
アイバは当然所定の樹脂組成物によつて被覆して
実用供されるものであり、被覆する樹脂組成物の
層は１層でも複数層でもよい。
アイバは当然所定の樹脂組成物によつて被覆して
実用供されるものであり、被覆する樹脂組成物の
層は１層でも複数層でもよい。
以上説明したような偏波面保存光フアイバであ
れば、次のような顕著な効果を奏する。
れば、次のような顕著な効果を奏する。
(1) コアが高純度SiO2からなるので、耐放射線
性が良好である。
性が良好である。
(2) コアがドーパントを含まない高純度SiO2か
らなるので内付CVD法で製造しても中心ぬけ
がなく、特性が安定している。
らなるので内付CVD法で製造しても中心ぬけ
がなく、特性が安定している。
(3) コアが高純度SiO2からなるので、粘度が高
く、内側ジヤケツトを楕円に形成する過程でも
変形しない。
く、内側ジヤケツトを楕円に形成する過程でも
変形しない。
(4) クラツドがB2O3を含まないので、長波長帯
における吸収損失がほとんどなく、長波長帯で
の実用が可能である。
における吸収損失がほとんどなく、長波長帯で
の実用が可能である。
(5) 内側ジヤケツトに含まれるB2O3とP2O5の量
が適切に選択されているので、内付法及び外付
法その他のいずれで製造しても製造が容易であ
り、再現性が高い。
が適切に選択されているので、内付法及び外付
法その他のいずれで製造しても製造が容易であ
り、再現性が高い。
(6) 内側ジヤケツトに比較してクラツドの屈折率
が低く構成されているので、同じ特性でもクラ
ツドと内側ジヤケツトの厚さが薄くでき、製造
が容易であり、再現性が高い。
が低く構成されているので、同じ特性でもクラ
ツドと内側ジヤケツトの厚さが薄くでき、製造
が容易であり、再現性が高い。
第１図は従来の偏波面保存光フアイバを示す断
面図、第２図は従来の偏波面保存光フアイバの屈
折率分布を示す線図、第３図は本発明の一実施例
を示す断面図、第４図は本発明の一実施例の屈折
率分布を示す線図であり、第５図は本発明と比較
するための比較例の屈折率分布を示す線図であ
る。 ３１：コア、３２：クラツド、３３：内側ジヤ
ケツト、３４：外側ジヤケツト。
面図、第２図は従来の偏波面保存光フアイバの屈
折率分布を示す線図、第３図は本発明の一実施例
を示す断面図、第４図は本発明の一実施例の屈折
率分布を示す線図であり、第５図は本発明と比較
するための比較例の屈折率分布を示す線図であ
る。 ３１：コア、３２：クラツド、３３：内側ジヤ
ケツト、３４：外側ジヤケツト。
Claims (1)
- １ 断面が円形のコアと、その外周に設けられた
クラツドと、その外周に設けられた断面が楕円形
の内側ジヤケツトと、さらにその外周に設けられ
た外側ジヤケツトとを有する偏波面保存光フアイ
バにおいて、前記コアは高純度SiO2からなり、
前記クラツドはSiO2を主成分としP2O5及びフツ
素を含有するガラスからなり、前記内側ジヤケツ
トはSiO2を主成分としP2O5及びB2O3を含有する
ガラスからなり、前記クラツドは内側ジヤケツト
に比較して含有するSiO2の割合が大きく、かつ
前記クラツドの屈折率は内側ジヤケツトに比較し
て低く、前記内側ジヤケツトにおけるP2O5と
B2O3との合計量が５〜20モル％であり、かつ
P2O5に対するB2O3の割合がモル％で1.0〜2.0倍で
あることを特徴とする偏波面保存光フアイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002390A JPS59128231A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 偏波面保存光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002390A JPS59128231A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 偏波面保存光フアイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128231A JPS59128231A (ja) | 1984-07-24 |
| JPS636502B2 true JPS636502B2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=11527902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002390A Granted JPS59128231A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 偏波面保存光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128231A (ja) |
-
1983
- 1983-01-11 JP JP58002390A patent/JPS59128231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59128231A (ja) | 1984-07-24 |
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